JP2601932B2 - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置およびその製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 A.産業上の利用分野 本発明は、遮光部材を有する液晶表示装置およびその
製造方法に関する。
製造方法に関する。
B.従来の技術 米国特許第4568149号は、酸化インジウム錫（英語名:
Indium−Tin−Oxide,以下ITOと略称）、すなわち酸化イ
ジウム（In2O3）と酸化錫（SnO2）との混合物から成る
透明電極上の隣接したカラー・フィルタの間、すなわち
隣接した画素の間に、例えばアルミニウムからなる遮光
部材を設けることを開示している。
Indium−Tin−Oxide,以下ITOと略称）、すなわち酸化イ
ジウム（In2O3）と酸化錫（SnO2）との混合物から成る
透明電極上の隣接したカラー・フィルタの間、すなわち
隣接した画素の間に、例えばアルミニウムからなる遮光
部材を設けることを開示している。
。 米国特許第4733948号は、対向する２つの基板のう
ちの一方の基板に設けられた透明電極上の隣接したカラ
ー・フィルタの間、すなわち隣接した画素の間に、例え
ばアルミニウムからなる遮光部材を設けることを開示し
ている。
ちの一方の基板に設けられた透明電極上の隣接したカラ
ー・フィルタの間、すなわち隣接した画素の間に、例え
ばアルミニウムからなる遮光部材を設けることを開示し
ている。
米国特許第4733948号は、対向する２つの基板のうち
の一方の基板に設けられた透明電極上の隣接したカラー
・フィルタの間であって、他方の基板に設けられた薄膜
トランジスタと対向する位置に、例えば、アルミニュウ
ムからなる遮光部材を設けることを開示している。
の一方の基板に設けられた透明電極上の隣接したカラー
・フィルタの間であって、他方の基板に設けられた薄膜
トランジスタと対向する位置に、例えば、アルミニュウ
ムからなる遮光部材を設けることを開示している。
特開昭62-135809号は、透明基板上に設けられたITOか
ら成る透明導電膜上にフォトレジストを塗布した後、露
光および現像することによりフォトレジストをパターン
ニングし、透明導電膜のうちフォトレジストにより被覆
されていない部分をエッチングして除去し、上記パター
ンニングされたフォトレジストをそのままマスキング材
として使用し、金属酸化物から成る遮光層を上記基板上
の透明導電膜が設けられていない領域に形成することを
開示している。
ら成る透明導電膜上にフォトレジストを塗布した後、露
光および現像することによりフォトレジストをパターン
ニングし、透明導電膜のうちフォトレジストにより被覆
されていない部分をエッチングして除去し、上記パター
ンニングされたフォトレジストをそのままマスキング材
として使用し、金属酸化物から成る遮光層を上記基板上
の透明導電膜が設けられていない領域に形成することを
開示している。
特開昭63-74033号は、ITO膜上にフォトレジストを塗
布し、マスクを通して露光を行い且つ現像することによ
りパターニングを行い、ITO膜のうちフォトレジストに
より被覆されていない部分をエッチングにより除去し、
残ったITO膜を上にフォトレジストが堆積されたままの
状態で水素プラズマ中で還元し、パターンニングされた
ITO膜の側部を低抵抗化することを開示している。
布し、マスクを通して露光を行い且つ現像することによ
りパターニングを行い、ITO膜のうちフォトレジストに
より被覆されていない部分をエッチングにより除去し、
残ったITO膜を上にフォトレジストが堆積されたままの
状態で水素プラズマ中で還元し、パターンニングされた
ITO膜の側部を低抵抗化することを開示している。
C.発明が解決しようとする課題 米国特許第4568149号は、透明電極作成のための膜形
成工程と、遮光部材作成のための膜形成工程とを必要と
し、さらに、遮光部材作成のためのエッチング工程を必
要とし、製造工程が多くなる問題点がある。また、遮光
部材が透明電極から突出するため、液晶物質の注入が困
難になる。さらに、遮光部材をアルミニウム等の金属で
形成すると、バックライトからの光が遮光部材によって
反射され、遮光部材が設けられる基板と対向する基板に
設けられる薄膜トランジスタに入射し、薄膜トランジス
タの諸特性に悪影響を与えるおそれがある。
成工程と、遮光部材作成のための膜形成工程とを必要と
し、さらに、遮光部材作成のためのエッチング工程を必
要とし、製造工程が多くなる問題点がある。また、遮光
部材が透明電極から突出するため、液晶物質の注入が困
難になる。さらに、遮光部材をアルミニウム等の金属で
形成すると、バックライトからの光が遮光部材によって
反射され、遮光部材が設けられる基板と対向する基板に
設けられる薄膜トランジスタに入射し、薄膜トランジス
タの諸特性に悪影響を与えるおそれがある。
米国特許第4733948号も、米国特許4568149号と同様に
透明電極作成のための膜形成工程と、遮光部材作成のた
めの膜形成工程とを必要とし、さらに、遮光部材形成の
ためのエッチング工程を必要とし、製造工程が多くなる
問題点がある。
透明電極作成のための膜形成工程と、遮光部材作成のた
めの膜形成工程とを必要とし、さらに、遮光部材形成の
ためのエッチング工程を必要とし、製造工程が多くなる
問題点がある。
特開昭62-135809号は、遮光層形成のためのエッチン
グ工程は必要ないが、透明電極形成のためのエッチング
工程を必要とし、また、透明電極形成のための膜形成工
程と、遮光層形成のための膜形成工程とを必要とする。
グ工程は必要ないが、透明電極形成のためのエッチング
工程を必要とし、また、透明電極形成のための膜形成工
程と、遮光層形成のための膜形成工程とを必要とする。
特開昭63-74033号は、ITO電極を還元することに関す
るものであるが、ITO電極の低抵抗化を目的としてお
り、ITOを還元して得られる物質を遮光材として使用す
ることを示唆するものではない。
るものであるが、ITO電極の低抵抗化を目的としてお
り、ITOを還元して得られる物質を遮光材として使用す
ることを示唆するものではない。
本発明の目的は、遮光材を形成するための製造工程が
少くでき、遮光材による光反射を小さくできる液晶表示
装置を提供することにある。
少くでき、遮光材による光反射を小さくできる液晶表示
装置を提供することにある。
本発明の別の目的は、透明電極と遮光部材との間に段
差が生じることのない液晶表示装置を提供することにあ
る。
差が生じることのない液晶表示装置を提供することにあ
る。
本発明のさらに別の目的は、透明電極と遮光部材を形
成するための製造工程数を少くできる液晶表示装置の製
造方法を提供することにある。
成するための製造工程数を少くできる液晶表示装置の製
造方法を提供することにある。
D.課題を解決するための手段 本発明によれば、ITOを還元して得られる物質が、例
えば液晶表示装置の画素間の遮光材として使用される。
ITOを還元すると、遮光材として使用するのに十分な程
度に光透過率が低減することが判明した。ITOは、液晶
表示装置において透明電極材料として広く使用されてい
る。遮光を必要とするのは、一般に画素電極を構成する
透明電極に隣接する領域であるから、ITOのうち透明電
極として使用する領域をマスクで保護し、マスクで保護
されていないITO領域を還元することにより必要な遮光
部材を形成できる。この遮光部材は、ITO単層膜中に存
在することになるから、遮光部材と透明電極との間に段
差が生じることがない。また、遮光部材を形成するため
に別個に膜を形成する必要がないので、製造工程を少な
くすることができる。さらに、ITOを還元して得られる
物質は、光反射が小さいため、これを遮光部材として使
用しても、遮光部材と対向する薄膜トランジスタに光を
反射させて該トランジスタの特性に悪影響を与えること
はない。
えば液晶表示装置の画素間の遮光材として使用される。
ITOを還元すると、遮光材として使用するのに十分な程
度に光透過率が低減することが判明した。ITOは、液晶
表示装置において透明電極材料として広く使用されてい
る。遮光を必要とするのは、一般に画素電極を構成する
透明電極に隣接する領域であるから、ITOのうち透明電
極として使用する領域をマスクで保護し、マスクで保護
されていないITO領域を還元することにより必要な遮光
部材を形成できる。この遮光部材は、ITO単層膜中に存
在することになるから、遮光部材と透明電極との間に段
差が生じることがない。また、遮光部材を形成するため
に別個に膜を形成する必要がないので、製造工程を少な
くすることができる。さらに、ITOを還元して得られる
物質は、光反射が小さいため、これを遮光部材として使
用しても、遮光部材と対向する薄膜トランジスタに光を
反射させて該トランジスタの特性に悪影響を与えること
はない。
E.実施例 第１図は、本発明による液晶表示装置の一実施例を示
す。この図に示されているように、互いに対向して配置
されているTFTアレイ基板10と対向基板12との間にはネ
マチック液晶物質が充填される。TFTアレイ基板10およ
び対向基板12は、ともに透明ガラスによって形成され
る。TFTアレイ基板10上には、各画素について１つの薄
膜トランジスタ（以下、TFTと略称す）が形成される。
すなわち、TFTアレイ基板10上には、ゲート電極18が形
成され、ゲート電極18上にはゲート絶縁膜20が形成さ
れ、ゲート絶縁膜20上にはアモルファス・シリコン半導
体層22が形成され、半導体層22にはドレイン電極24およ
びソース電極26が接続される。ドレイン電極24と、ソー
ス電極26とは互いに絶縁されている。第２図に示されて
いるように、ゲート電極18は、アドレス線18Aに接続さ
れ、ドレイン電極24は、データ線24Dに接続される。ソ
ース電極26は、ITOから成る画素電極28に接続される。
す。この図に示されているように、互いに対向して配置
されているTFTアレイ基板10と対向基板12との間にはネ
マチック液晶物質が充填される。TFTアレイ基板10およ
び対向基板12は、ともに透明ガラスによって形成され
る。TFTアレイ基板10上には、各画素について１つの薄
膜トランジスタ（以下、TFTと略称す）が形成される。
すなわち、TFTアレイ基板10上には、ゲート電極18が形
成され、ゲート電極18上にはゲート絶縁膜20が形成さ
れ、ゲート絶縁膜20上にはアモルファス・シリコン半導
体層22が形成され、半導体層22にはドレイン電極24およ
びソース電極26が接続される。ドレイン電極24と、ソー
ス電極26とは互いに絶縁されている。第２図に示されて
いるように、ゲート電極18は、アドレス線18Aに接続さ
れ、ドレイン電極24は、データ線24Dに接続される。ソ
ース電極26は、ITOから成る画素電極28に接続される。
対向基板12上には、ITOから成る共通電極40と、ITOを
還元して得られる物質から成る遮光材すなわちブラック
マトリクス42とが形成される。共通電極40と遮光部材42
とは同一平面内にあり、両者間には段差はない。第２図
に示されているように遮光部材42は、TFTアレイ基板10
上の画素電極28以外の領域をカバーする領域に形成され
る。すなわち、遮光部材42は、アドレス線18A、データ
線24Dおよびアモルファスシリコン半導体層22と対向す
る領域に形成される。
還元して得られる物質から成る遮光材すなわちブラック
マトリクス42とが形成される。共通電極40と遮光部材42
とは同一平面内にあり、両者間には段差はない。第２図
に示されているように遮光部材42は、TFTアレイ基板10
上の画素電極28以外の領域をカバーする領域に形成され
る。すなわち、遮光部材42は、アドレス線18A、データ
線24Dおよびアモルファスシリコン半導体層22と対向す
る領域に形成される。
TFTアレイ基板10上の半導体層20、ドレイン電極24、
ソース電極26および画素電極上にも、液晶物質の分子軸
を所定方向に配向させる配向膜30が形成される。他方共
通電極40および遮光部材42上には、液晶物質の分子軸を
所定方向に配向させる配向膜50が形成される。
ソース電極26および画素電極上にも、液晶物質の分子軸
を所定方向に配向させる配向膜30が形成される。他方共
通電極40および遮光部材42上には、液晶物質の分子軸を
所定方向に配向させる配向膜50が形成される。
TFTアレイ基板10側にはバックライト60が設けられ
る。ITOを復元して得られる物質から成る遮光部材42
は、対向基板12側から入射した光が半導体層22に入射す
るのを防止するだけでなく、遮光部材42の光反射率は小
さいので、バックライト60から透明画素電極28を介して
受けた光を反射して半導体層22に入射させてしまうこと
もない。
る。ITOを復元して得られる物質から成る遮光部材42
は、対向基板12側から入射した光が半導体層22に入射す
るのを防止するだけでなく、遮光部材42の光反射率は小
さいので、バックライト60から透明画素電極28を介して
受けた光を反射して半導体層22に入射させてしまうこと
もない。
第３図は、ITO単層膜中に遮光部材すなわちブラック
マトリクス42を形成する方法の一実施例を示し、第４図
は、第３図に示された各工程を示す。まず、ガラス基板
すなわち対向基板12上にITO膜40が形成される（第３図
の102および第４図の（ａ）参照）。次に、ITO膜40の全
面にフォトレジスト200を塗布する（第３図の104および
第４図（ｂ）参照）。次に、画素電極28に対応刷る領域
だけを覆う、換言すれば半導体層22、アドレス線18およ
びデータ線24Dに対応する領域に対して光を通すフォト
マスクを使用して、フォトレジスト200を露光し、現像
すると、露光されたフォトレジスト200だけが残存する
（第３図の106及び第４図（ｃ）参照）。
マトリクス42を形成する方法の一実施例を示し、第４図
は、第３図に示された各工程を示す。まず、ガラス基板
すなわち対向基板12上にITO膜40が形成される（第３図
の102および第４図の（ａ）参照）。次に、ITO膜40の全
面にフォトレジスト200を塗布する（第３図の104および
第４図（ｂ）参照）。次に、画素電極28に対応刷る領域
だけを覆う、換言すれば半導体層22、アドレス線18およ
びデータ線24Dに対応する領域に対して光を通すフォト
マスクを使用して、フォトレジスト200を露光し、現像
すると、露光されたフォトレジスト200だけが残存する
（第３図の106及び第４図（ｃ）参照）。
次に、上述のようにフォトレジスト200でパターニン
グされたITO膜40をガラス基板12とともに、第４図
（ｄ）に示すように、水素Ｈを含む導電性溶液202中に
浸し、直流電源210の陰極をITO膜40に接続し、直流電源
210の陽極206を導電性溶液202中に浸し、ITO膜40と陽極
206に電圧を印加すると、陰極すなわちITO膜40では次の
反応が生じる。
グされたITO膜40をガラス基板12とともに、第４図
（ｄ）に示すように、水素Ｈを含む導電性溶液202中に
浸し、直流電源210の陰極をITO膜40に接続し、直流電源
210の陽極206を導電性溶液202中に浸し、ITO膜40と陽極
206に電圧を印加すると、陰極すなわちITO膜40では次の
反応が生じる。
In2O3＋3H2→2In＋3H2O SnO2＋2H2→Sn＋2H2O （ITO＝In2O3＋SnO2） これにより、フォトレジスト200によって被覆されて
いないITO部分の金属成分が増加し、すなわちITOが還元
され（第３図の108参照）、この部分の光透過率が低減
し、光遮光部材42が形成される。
いないITO部分の金属成分が増加し、すなわちITOが還元
され（第３図の108参照）、この部分の光透過率が低減
し、光遮光部材42が形成される。
水素を含んだ導電性溶液として0.03重量％のクエン酸溶
液を使用し、ITO膜（SnO2が５重量％、InO3が95重量
％）に−20Vの電圧を３分間印加してITO膜の還元を行っ
たところ、第５図に示すように、可視光の波長域（400
乃至700nm程度）において10乃至20％の光透過率を実現
することができた。この数値は、遮光部材として十分に
使用できる値である。また、共通電極40と遮光部材42と
の間に段差は生じなかった。
液を使用し、ITO膜（SnO2が５重量％、InO3が95重量
％）に−20Vの電圧を３分間印加してITO膜の還元を行っ
たところ、第５図に示すように、可視光の波長域（400
乃至700nm程度）において10乃至20％の光透過率を実現
することができた。この数値は、遮光部材として十分に
使用できる値である。また、共通電極40と遮光部材42と
の間に段差は生じなかった。
還元は、電圧と時間に依存すると考えられるため、時
間を十分長くとれば、ITO膜に印加する電圧は、より低
電圧例えば10Vでもよい。
間を十分長くとれば、ITO膜に印加する電圧は、より低
電圧例えば10Vでもよい。
また、水素を含んだ導電性溶液としては、上記クエン
酸溶液以外に、一般に陽極酸化法に使用できる溶液なら
ば何でも使用できる。
酸溶液以外に、一般に陽極酸化法に使用できる溶液なら
ば何でも使用できる。
また、光透過率は、ITO膜中の酸素量が少ないほど低
くなり、還元時間を十分長くとれば、光透過率を０％に
近づけることができるが、０％に近づくと、黒色から金
属光沢に変化し、バックライト60からの光を反射し、半
導体層22に光を与え、TFTに光漏れ電流を生じさせてし
まうので、遮光部材42の光透過率は10乃至20％程度が適
当と考えられる。
くなり、還元時間を十分長くとれば、光透過率を０％に
近づけることができるが、０％に近づくと、黒色から金
属光沢に変化し、バックライト60からの光を反射し、半
導体層22に光を与え、TFTに光漏れ電流を生じさせてし
まうので、遮光部材42の光透過率は10乃至20％程度が適
当と考えられる。
また、ITO膜は、遮光部材42の原材料だけでなく、そ
のまま透明共通電極40の低抵抗の確保の点から、ITOの
組成は、（In2O3：SnO2）が（95重量％:5重量％）乃至
（85重量％:15重量％）が好ましい。
のまま透明共通電極40の低抵抗の確保の点から、ITOの
組成は、（In2O3：SnO2）が（95重量％:5重量％）乃至
（85重量％:15重量％）が好ましい。
F.発明の効果 以上のように、本発明によれば、遮光部材の反射を小
さくでき、遮光部材と透明電極との間の段差を無くすこ
とができる。さらに、本発明によれば、透明電極と遮光
部材とを製造する工程を少くできる。
さくでき、遮光部材と透明電極との間の段差を無くすこ
とができる。さらに、本発明によれば、透明電極と遮光
部材とを製造する工程を少くできる。
第１図は、本発明による液晶表示装置の一実施例を示す
断面図、 第２図は、第１図に示された液晶表示装置のTFTアレイ
基板上の画素電極および薄膜トランジスタと、対向基板
上に設けられる共通電極中に形成される遮光部材との位
置関係を示す分解斜視図、 第３図は、ITO単層膜中に遮光部材すなわちブラックマ
トリクスを形成する方法の一実施例を示すフローチャー
ト、 第４図は、第３図に示された方法の各工程を示す説明
図、 第５図は、第３図の方法に従って形成された遮光材の一
例の光透過率を示すグラフである。 40……ITO共通電極、42……遮光部材、200……フォトレ
ジスト、202……導電性溶液、206……陽極、208……陰
極、210……直流電源。
断面図、 第２図は、第１図に示された液晶表示装置のTFTアレイ
基板上の画素電極および薄膜トランジスタと、対向基板
上に設けられる共通電極中に形成される遮光部材との位
置関係を示す分解斜視図、 第３図は、ITO単層膜中に遮光部材すなわちブラックマ
トリクスを形成する方法の一実施例を示すフローチャー
ト、 第４図は、第３図に示された方法の各工程を示す説明
図、 第５図は、第３図の方法に従って形成された遮光材の一
例の光透過率を示すグラフである。 40……ITO共通電極、42……遮光部材、200……フォトレ
ジスト、202……導電性溶液、206……陽極、208……陰
極、210……直流電源。
Claims (4)
- 【請求項１】液晶を挟んで対向して設けられ、表示電極
及びスイッチング素子で構成される複数の画素が形成さ
れたアレイ基板と、全面に酸化インジウム錫（以下、IT
Oと称する）からなる共通電極が設けられた対向基板と
を有する液晶表示装置において、 前記共通電極は、前記複数の画素の画素間領域に対応す
る位置の前記ITOを還元して形成した遮光層を備えてい
ること を特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】請求項１記載の液晶表示装置において、 前記遮光層が形成された共通電極の厚さはほぼ一定で段
差を有しないこと を特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項３】透明基板上にITO膜を形成し、前記ITO膜の
所定領域の透過率を低下させるために前記ITO膜を選択
的に還元する液晶表示装置の製造方法であって、 前記ITO膜の前記所定領域以外の領域に保護マスクを設
け、 前記保護マスクが設けられた前記ITO膜を水素を含む導
電性溶液中に浸し、 前記導電性溶液中の前記ITO膜に電圧を印加すること を特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項４】請求項３記載の液晶表示装置の製造方法に
おいて、 前記保護マスクとしてフォトレジストを使用すること を特徴とする液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9665090A JP2601932B2 (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| DE69111870T DE69111870D1 (de) | 1990-04-13 | 1991-04-03 | Flüssigkristallanzeige und Abschattungseinrichtung dafür. |
| EP91302924A EP0452030B1 (en) | 1990-04-13 | 1991-04-03 | Liquid crystal display and shading member therefore |
| CA002040305A CA2040305C (en) | 1990-04-13 | 1991-04-12 | Liquid crystal display and manufacturing method thereof |
| US07/685,574 US5091792A (en) | 1990-04-13 | 1991-04-15 | Liquid crystal display having reduced ito shading material and method of manufacturing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9665090A JP2601932B2 (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH043121A JPH043121A (ja) | 1992-01-08 |
| JP2601932B2 true JP2601932B2 (ja) | 1997-04-23 |
Family
ID=14170708
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP9665090A Expired - Lifetime JP2601932B2 (ja) | 1990-04-13 | 1990-04-13 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
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| EP (1) | EP0452030B1 (ja) |
| JP (1) | JP2601932B2 (ja) |
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| DE (1) | DE69111870D1 (ja) |
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| US5631753A (en) * | 1991-06-28 | 1997-05-20 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Black matrix base board and manufacturing method therefor, and liquid crystal display panel and manufacturing method therefor |
| JPH0540258A (ja) * | 1991-08-06 | 1993-02-19 | Nippon Paint Co Ltd | 多色表示装置の製造方法 |
| US5771082A (en) * | 1991-10-11 | 1998-06-23 | Thomson-Lcd | Active matrix display utilizing an embedded ground plane |
| JPH06347765A (ja) * | 1993-06-04 | 1994-12-22 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| JP2944854B2 (ja) * | 1993-06-29 | 1999-09-06 | シャープ株式会社 | 液晶素子の製造方法 |
| JP2677167B2 (ja) * | 1993-07-08 | 1997-11-17 | 日本電気株式会社 | 駆動回路内蔵型液晶表示装置の製造方法 |
| JP3289099B2 (ja) * | 1995-07-17 | 2002-06-04 | 株式会社日立製作所 | アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法 |
| US6037005A (en) * | 1998-05-12 | 2000-03-14 | 3M Innovative Properties Company | Display substrate electrodes with auxiliary metal layers for enhanced conductivity |
| KR20020031202A (ko) * | 2000-10-23 | 2002-05-01 | 구본준, 론 위라하디락사 | 투명도가 낮은 기판을 이용한 평판 표시 장치 |
| US8415208B2 (en) | 2001-07-16 | 2013-04-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device |
| WO2004066022A1 (fr) * | 2003-01-24 | 2004-08-05 | Quanta Display Inc. | Dispositif d'affichage a cristaux liquides comprenant des transistors a film mince et son procede de fabrication |
| WO2013031171A1 (ja) * | 2011-09-01 | 2013-03-07 | シャープ株式会社 | 表示装置及びその製造方法 |
| KR20130129675A (ko) * | 2012-05-21 | 2013-11-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| KR102449804B1 (ko) * | 2015-03-02 | 2022-10-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 투명 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| CN109979317B (zh) * | 2019-03-28 | 2021-10-01 | 北海惠科光电技术有限公司 | 显示面板与显示装置 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5627114A (en) * | 1979-08-10 | 1981-03-16 | Canon Inc | Liquid crystal display cell |
| DE3151557A1 (de) * | 1981-12-28 | 1983-07-21 | SWF-Spezialfabrik für Autozubehör Gustav Rau GmbH, 7120 Bietigheim-Bissingen | Elektrooptische anzeigevorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung |
| JPS599639A (ja) * | 1982-07-07 | 1984-01-19 | Canon Inc | 液晶表示素子 |
| JPH0715536B2 (ja) * | 1983-01-28 | 1995-02-22 | キヤノン株式会社 | 表示パネル |
| JPS6054117U (ja) * | 1983-09-20 | 1985-04-16 | シャープ株式会社 | 液晶表示素子 |
| JPS60172131U (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-14 | ホシデン株式会社 | カラ−液晶表示器 |
| JPH0750381B2 (ja) * | 1984-12-20 | 1995-05-31 | キヤノン株式会社 | カラー液晶表示装置 |
| JPS62124528A (ja) * | 1985-11-25 | 1987-06-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示パネル |
| JPH0816751B2 (ja) * | 1985-12-10 | 1996-02-21 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
| JP2563774B2 (ja) * | 1985-12-19 | 1996-12-18 | セイコーエプソン株式会社 | 投写型表示装置 |
| US4712874A (en) * | 1985-12-25 | 1987-12-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectric liquid crystal device having color filters on row or column electrodes |
| JP2667149B2 (ja) * | 1986-04-14 | 1997-10-27 | 松下電器産業株式会社 | 液晶表示パネル |
| JPS6374033A (ja) * | 1986-09-18 | 1988-04-04 | Canon Inc | パタ−ン形成方法 |
| JPH01243020A (ja) * | 1988-03-24 | 1989-09-27 | Asahi Glass Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2670806B2 (ja) * | 1988-05-25 | 1997-10-29 | グンゼ株式会社 | 透明導電膜における着色表示部の形成方法とその装置 |
-
1990
- 1990-04-13 JP JP9665090A patent/JP2601932B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-04-03 EP EP91302924A patent/EP0452030B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-04-03 DE DE69111870T patent/DE69111870D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-04-12 CA CA002040305A patent/CA2040305C/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-04-15 US US07/685,574 patent/US5091792A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2040305A1 (en) | 1991-10-14 |
| JPH043121A (ja) | 1992-01-08 |
| EP0452030A3 (en) | 1992-06-03 |
| DE69111870D1 (de) | 1995-09-14 |
| EP0452030B1 (en) | 1995-08-09 |
| CA2040305C (en) | 1994-05-03 |
| EP0452030A2 (en) | 1991-10-16 |
| US5091792A (en) | 1992-02-25 |
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