DE3151557A1 - Elektrooptische anzeigevorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung - Google Patents
Elektrooptische anzeigevorrichtung und verfahren zu ihrer herstellungInfo
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Description
A 12 682 - 6 -
Elektrooptische Anzeigevorrichtung und Verfahren zu ihrer
Herstellung
Die Erfindung betrifft eine elektrooptisch^ Anzeigevorrichtung
gemäß den Merkmalen des Oberbegriffs vom Patentanspruch. 1 .
Es sind verschiedene Arten von elektrooptischen Anzeigevorrichtungen
bzw.-einheiten bekannt, und zwar elektrooptisch^
Anzeigevorrichtungen, die Plussigkristalle oder kolloiddisperse
Systeme als elektrooptisch.es Material aufweisen sowie elektrochrome Anzeigevorrichtungen und elektrophoretisch^
Anzeigevorrichtungen. Bei all diesen Anzeigevorrichtungen handelt es sich um passive Anzeigeeinheiten,
denen sämtlich das Merkmal gemeinsam ist, daß eine Zelle vorhanden ist, die durch zwei parallele Substrate begrenzt
wird. Die Substrate werden durch Dichtmaterial, dem Abstandselemente
beigegeben sein können, in einem Abstand von wenigen Mikrometern derart gehalten, daß eine Zelle
bzw. Kammer für das aktive elektrooptisch^ Material gebildet
wird.·Das in Blickrichtung erste Substrat ist dabei stets transparent und trägt transparente elektrische
Leitschichten bzw. Elektroden, die in ihrer Form den anzuzeigenden Zeichen bzw. Ziffern entsprechen. Das zweite
Substrat kann ebenfalls transparent sein oder auch nicht und trägt ebenfalls Elektroden. Die Anzeigevorrichtung
kann durch Anlegen einer Spannung an die Elektroden aktiviert werden. Derartige elektrooptische Anzeigevorrichtungen
können eine Vielzahl von Zuständen eines zu messenden Objektes anzeigen, wenn die Elektroden in einzelne,
beispielsweise über einen integrierten Schaltkreis ansteuerbare Segmente unterteilt sind.
Als Elektrodenmaterial haben sich halbleitende Metalloxide,
wie beispielsweise Indium -III-oxid und Zinn-IV-oxid, durchgesetzt. Das bevorzugte Leitschichtma-
• *
·: -":.·::· ·; 31 bibby
A 12 682 " " _"j"_^°
terial auf Basis von Indium-III-oxid ist unter der Handelsbezeichnung
ITO technisch erhältliche Dieses Material kann durch Aufdampfen oder Aufsputtern im Vakuum oder ähnliches
Verfahren entweder gleich als in Form des gewünschten Elektrodenmusters ausgebildete Schichten oder in Form einer
einzigen, zusammenhängenden Schicht auf ein Substrat aufgebracht werden,in welcher anschließend durch Ätzen das gewünschte
Elektrodenmuster erzeugt wird. Mit einer dünnen, einige Nanometer starken, zusammenhängenden Schicht belegte
Substrate, beispielsweise mit ITO beschichtete Glasplatten, sind im Handel erhältlich,
Die entsprechend des gewünschten Musters geformten Elektrodensegmente
besitzen dabei neben den Abschnitten, die bei der fertigen Anzeigevorrichtung im sichtbaren Anzeigebereich
liegen, auch Abschnitte, die zu einem der Ränder des Substrats führen und über die der elektrische Anschluß
erfolgt. Diese Bereiche werden Leiterbahnen genannt.
Die Elektrodenschichten lassen sich jedoch nicht direkt mit
üblicherweise aus Kupfer oder Aluminium bestehenden metallischen Verbindungsleitungen durch die in der Halbleitertechnolige
gebräuchlichen physikalischen Verfahren, wie beispielsweise
Löten oder Ultraschallschweißen, kontaktieren oder verbonden, da die Materialien nicht aneinander haften.
Die Schichten besitzen außerdem einen relativ großen elektrischen
Widerstand, so daß die Leiterbahnen mit unverwünscht hohen Spannungen beaufschlagt werden müssen, um
eine derartige Anzeigevorrichtung betreiben zu können. Wegen des großen Widerstandes ist auch die Zeitkonstante unerwünscht
groß, nach welcher eine solche Anzeigevorrichtung auf eine angelegte Spannung anspricht. Aus diesen Gründen
ist es erforderlich, die Leiterbahnen der Elektroden mit einer Metallauflage zu versehen.
Prinzipiell wäre es möglich, eine dünne Metallauflage durch Aufdampfen oder Aufsputtern in Vakuum oder ähnliche Vcr-
^O fahren direkt auf einer Schicht halbleitender Metalloxide
A 12 682 - 8 -
abzuscheiden. Bei dieser Art der Metallabscheidung kommt
die Haftung lediglich, durch Adhäsion und durch raechanisches
Verhaken der Mikrokristalle zustande. Diffusion und Mischkristallbildung zwischen der Metallauflage und
der Schicht halbleitender Metalloxide ist aufgrund der verschiedenen Kristallgitter und Gitterbindungsenergien
auszuschließen. Deshalb haften viele Metalle nur ungeniigend auf der Schicht, so daß man in der Materialauswahl
beschränkt oder auf das Anbringen von Zwischenschichten angewiesen
ist. Wie beispielsweise die DE-OS 28 07 350 zeigt, müssen zwei chromhaltige Zwischenschichten aufgebracht
werden , um eine haftfeste Goldauflage erzeugen zu können bzw. eine Eisenschicht aufgebracht werden, um eine haftfeste
Nickelauflage erzeugen zu können. Die Zwischenschichten und die Auflage werden durch Aufdampf- bzw.
Aufsprühverfahren aufgebracht. Diese Verfahren erfordern
einen'hohen energetischen und technischen Aufwand.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein für eine elektrooptisch^
Anzeigevorrichtung geeignetes Substrat zu schaffen, auf dessen Elektrodenschicht, die ein oder mehrere
halbleitende Metalloxide enthält, für elektrooptisch^ An-Zeigevorrichtungen
gebräuchliche Metallauflagen unmittelbar
fest haften. Das Substrat und damit die gesamte elektrooptische Anzeigevorrichtung soll einfach und preiswert
herstellbar sein.
Diese Aufgabe wird mit dem kennzeichnenden Teil des Anspruches 1 gelöst. Die Schicht wird dadurch in ihren
physikalischen und chemischen Eigenschaften metallähnlicher,
so daß sie leichter mit einer Metallauflage ver-sehen werden kann als eine vollständig aus halbleitenden
Metalloxiden bestehende Schicht. Da die in der Schicht verteilten, in elementarem Zustand vorliegenden Metalle
die gleichen wie die als Oxide gebundenen Metalle sind, sind unerwünschte-Änderungen der Eigenschaften der
Schicht nicht zu befürchten. Weil der Anteil elementarer
• · β · · » · β λ α
A 12 682 * -^" ·-"
Metalle in der Schicht in deren vom Substrat abgewandten Oberfläche am größten ist, ist dort der elektrische Widorstand
sehr gering. Wenn auf diese Fläche nun eine Metallauflage aufgebracht wird, ist der Unterschied der elektrischen
Widerstände der einander angrenzenden Flächen der Elektroden - '
schicht und der Metallauflage nicht mehr so groß, so daß mit einer schnelleren Ansprechbarkeit der Anzeige gerechnet werden kann. Da der Anteil elementarer Metalle in der Schicht in deren am Substrat angrenzenden Fläche am geringsten ist, ist ein Ablösen der Schicht vom Substrat nicht zu befürchten.
schicht und der Metallauflage nicht mehr so groß, so daß mit einer schnelleren Ansprechbarkeit der Anzeige gerechnet werden kann. Da der Anteil elementarer Metalle in der Schicht in deren am Substrat angrenzenden Fläche am geringsten ist, ist ein Ablösen der Schicht vom Substrat nicht zu befürchten.
* 15 Dabei hat es sich als optimal herausgestellt, wenn die
Schicht in ihren dem Substrat nahen Bereichen vollständig aus nalbleitenden Metalloxiden besteht und erst im
letzten Fünftel bis Zehntel ihrer gesamten Schichtdicke einen kontinuierlich von null auf ein hundert Prozent ansteigenden
Anteil elementarer Metalle aufweist.
Das erfindungsgemäße Substrat kann sowohl für elektrische Anzeigevorrichtungen, bei denen die Elektrodenschichten
nur in bestimmten Bereichen, nämlich auf dem Teil der Leiterbahnen, die nicht im sichtbaren Anzeigebereich der
fertig zusammengebauten Anzeigevorrichtung liegen, mit r einer Metallauflage versehen sein sollen, als auch
bei elektrooptischen Anzeigevorrichtungen, bei welchen die Elektrodenschichten auch im Anzeigebereich mit einer
Metallauflage versehen sein sollen, wie es beispielsweise von Anzeigevorrichtungen, welche im Reflexionsbetrieb arbeiten,
bekannt ist, verwendet werden.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung werden
anhand deren Anwendung in Ausführungsformen, bei denen die
Schicht nur in bestimmten Bereichen, nämlich auf dem Teil der Leiterbahnen der Elektroden, die nicht in den sichtbaren
Abschnitten dos Air/, ο j ^obo r<<
i die·.··»- ei ihm· fort i (7 erbauten
Anzeigevorrichtung liegen, mit einer Metallaui'l a/ye
*4Ό versehen ist, in den übrigen Unteransprüchen beschrieben.
Λ 12 682 - 10 -
Die Ansprüche 6 bis 21 beschreiben ein Verfahren,nach welchem
eine erfindungsgemäße elektrooptisch^ Anzeigevorrichtung
hergestellt werden kann, wobei die Ansprüche 6 bis 12 den Verfahrensschritt zur Herstellung der erfindungsgemäß
ausgebildeten Schicht, die Ansprüche 13 bis 16 das Abscheiden
von Metall auf der erfindungsgemäß ausgebildeten
Schicht und die übrigen Ansprüche weitere Verfahrensschritte
zur Herstellung der erfindungsgemäßen elektrooptischen Anzeigevorrichtung
beschreiben.
Im ersten Verfahrensschritt wird aufgezeigt, daß die erfindungs
gemäße Schicht durch Behandeln einer auf einem Substrat
angeordneten Schicht halbleitender Metalloxide mit Wasserstoff unter Bedingungen hergestellt "werden kann, die nicht
zur vollständigen Reduktion der Oxide ausreichen. Dabei könnte die Schicht durch katalytisch aktivierten /Wasserstoff
im Gasstrom bei erhöhter Temperatur hergestellt werden. Ein wesentlich geringerer technischer und energetischer
Aufwand und eine einfachere Serienproduktion ist jedoch möglich, wenn der Wasserstoff durch Elektrolyse einer wässrigen
Elektrolytlösung erzeugt wird. Bekanntermaßen wird unter Elektrolyse eine unter lonenentladung ablaufende Zerlegung
5 einer chemischen Verbindung durch den elektrischen Strom verstanden, wobei
- an der Katode von den Ionen Elektronen aufgenommen,
d.h. reduziert werden und
- an der Anode von den Ionen Elektronen abgegeben, d.h. oxidiert werden.
Schaltet man das Substrat also als Katode, gilt bei der Elektrolyse folgendes Reaktionsschema:
A. Katode: H„0++e~-»H.. + Ho0 +ΔΕ
-^ 3 stat.nase. 2
B. Substrat: M 0 + xH , , x H_0 + M +ΔΕ
stat .nase—> 37· 2
wobei MO= halbleitende Metalloxide (Indium-III-oxid,
Zinn-IV-oxid)
.. .. .- .3701557
* fr« » +■ "t m
4 6 too
A 12 682 Λ.,>ν- ·« ...
M = Metalle (indium, Zinn)
Ae = Bildungsenthalpie
05
Ae = Bildungsenthalpie
05
Als Elektrolytlösung ist jede Salzlösung geeignet, die bei der Elektrolyse Wasserstoff an der Katode abscheidet, aber
. keine ausgesprochen oxidierende Gruppen (wie die Hypochlorit,Chlorit-,Chlorat-Nitratgruppe
etc.) enthält, da durch sie die Reaktionen A und B gehemmt bzw. unterbunden worden.
Als Anode ist jedes Metall geeignet, das von keinem dor
während der Elektrolyse entstehenden Zersetzungsprodukte angegriffen wird.
15
Nun ist es aber nicht möglich, auf dem Substrat durch einfaches Einhängen in die Elektrolytlösung eine gleichmäßig
dicke Schicht halbleitender Metalloxide zu erzeugen, die nur einen relativ kleinen Anteil von Metallen in eletnentarem
Zustand aufweist. In dem Elektrolytsystem hat die Metallanode als Leiter 1. Klasse den kleinsten spezifischen
Widerstand, die in Ionen dissoziierte Salzlösung als Leiter 2. Klasse einen größeren spezifischen Widerstand und die
halbleitenden Metalloxide den größten spezifischen Wider-
stand. Da der elektrische Widerstand eines
Körpers um so größer ist, je größer sein spezifischer
λ» Widerstand, je größer seine Länge und je kleiner seine
Dicke ist und alle drei Kriterien für die Schicht halbleitende Metalloxide zutreffen, ist auch der elektrische
varidßgenden
Widerstand der Schicht in dem System am größten. Da sich der Körper beim Durchgang von elektrischem Strom am meisten
erwärmt, der den größten elektrischen Widerstand besitzt, muß man bei der geringen Dicke der Schicht, die zudem
nicht über ihre gesamte Dicke reduziert werden soll, sehr darauf achten,daß nicht die gesamten halbleitenden Metalloxide
zu elementarem Metall reduziert werden.
In der Elektrolytlösung liegt außerdem bei Anlogen einer
Spannung an Katode und Anode der Beroioh der größten Strom-
^O dichte nahe der Oberfläche „ Doshall) wird hmm dom Wa;.tcr
- AS, «
vorzugsweise an dieser Stelle Wasserstoff freigesetzt. Die Folge davon ist, daß nur an den nahe der Oberfläche der
Elektrolytlösung befindlichen Abschnitten, also an der Eintauchkante des Substrates, ein Reduktionsvorgang stattfindet.
In diesem Abschnitt vird die Schicht halbleitender Metalloxide über ihre gesamte Dicke reduziert und dadurch
die zusammenhängende Schicht zerstört, da die gebildeten Metalle allein nicht auf dem Substrat haften.
Aus diesem Grund muß das mit halbleitenden Metalloxiden belegte Substrat während des El elctrolys evorganges aus dem
Elektrolyt herausgezogen bzw. eingetaucht werden. Nur so ist es möglich, daß die Reduktionszone über die gesamte
Oberfläche der Schicht wandert, ohne diese in einem Bereich zu zerstören.
Dabei darf jedoch eine gewisse Verweildauer des Substrates in der Elektrolytlösung nicht unterschritten werden, wenn
nicht nur die Oberfläche, sondern auch tieferliegende Bereiche
der Schicht reduziert werden sollen. Um ein Zehntel bis ein Fünftel der gesamten Schichtdicke erfindungsgemäß
reduzieren zu können, hat sich bei einer aus Indium - III-oxid und Zinn-IV-oxid bestehenden Schicht eine Geschwindigkeit
von 10 cm/Min, als optimal herausgestellt, wenn die Stromdichte ca. 70 m A/dm" beträgt.
Es hat sich als arbeitstechnisch sinnvoll herausgestellt, die gesamte Fläche des Substrates mit einer erfindungsgemäß
reduzierten Schicht zu überziehen, auch wenn nur die Ränder mit einer Metallauflage belegt werden sollen. Nachdem
Belegen mit der Metallauflage können die nicht belegten
Abschnitte der Schicht auf einfache Veise durch Sauerstoffzufuhr wieder in ihren ursprünglichen Zustand zurückgeführt
werden. Deshalb wird vorgeschlagen, das Substrat vollständig in die Elektrolytlösung zu tauchen.
* β O »φ AM«
A 12 682 "*β f* *""!* νβ"- *"
-/fb-
Auf einer derart erfindunf;s{;emäß hergestellten Schi cht lassen
sich. Me tall au flagon abscheiden, die sehr gut haften.
Besonders geeignet für einfache und preiswerte Serienproduktion
sind auch hier wieder elektrochemische Verfahren. Ein derart belegtes Substrat kann hohen mechanischen Belastungen
ausgesetzt werden, ohne daß die Metallauflage von der Schicht abbröckelt. Eine Nickelauflage kann beispielsweise
einer Zugkraft von über 10 N/mm'" ausgesetzt werden, ohne Schaden zu nehmen. Eine derart gute Haftfähigkeit"
ist bisher durch keines der bekannten Verfahren, auch nicht durch direkte elektrochemische Metallabscheidung auf
einer allein aus halbleitenden Metalloxiden bestehenden Schicht, erreicht werden. Als Grund dafür ist mit großer
Vahrscheinlichkeit Mischkristallbildung zwischen den halbleitenden Metalloxiden und den Metallen sowie Mischkristall-
und/oder Legierungsbildung der Metalle untereinander anzunehmen.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind den
übrigen Unteransprüchen zu entnehmen. Die Erfindung wird
weiterhin anhand eines Verfahrensbeispieles und Zeichnungen
näher erläutert, wobei die
25
25
Fig. 1 bis h in schematischer Darstellung ein zunächst
über seine gesamte Fläche mit einer Schicht • halbleitender Metalloxide belegtes Substrat
und dessen Veränderung während des erfindungsgemäßen
Verfahrens zeigen und die
Fig* 5 die Draufsicht auf das teilweise verbondete Substrat
in nicht maßstäblicher Darstellung zeigt.
In Fig. 1 ist ein Teilstück eines Substrates 10, welches aus Glas beisteht, ilnr/',rsiol 1 t „ das eine civa r)0 um dicke, i r;m?·-
parente Schicht 2 trägt, die vollständig au» einem dem i .-.ch
^O 21 von Indium - III-oxid und Zinn-IV-oxid in einem Mischungsverhältnis
von etwa 5'1 besteht. Derart beschichtete Glas-
a ir.' 68 ;>
- i'i -
subs train sind itn Halide] erhältlich und werden bevorzugt
zur Herstellung elektrooptischer Anzeigevorrichtungen eingesetzt,
wobei die halbleitenden Metalloxide als Basismaterial
für Elektroden dienen.
Die Fig. 2 zeigt das Substrat 10, dessen Schicht 2 jedoch
in eine orfindungsgemäße Schicht 20 umgewandelt ist. Die
Schicht 20 weist einen zu ihrer vom Substrat 10 abgewandten Oberfläche 0 hin größer werdenden Anteil 22 von
besteht
Indium und Zinn auf.Hierbei die Schicht 20 in den dem Substrat
10 nahen Bereichen 15 vollständig aus einem Gemisch 21 von Indium-III-oxid und Zinn-IV-oxid, der Anteil 22 von
Indium xma Zinn steigt erst vom letzten Fünftel bis
Zehntel der gesamten Schichtdicke D an zur.Oberfläche 0
der Schicht 20 hin kontinuierlich von null auf einhundert Prozent an . Dadurch entsteht ein durch gestrichelte Linien
eingegrenzter Bereich 23 > in dem ein Gemisch aus
Indium-III-oxid, Zinn-IV-oxid, elementarem Indium und elementarem Zinn vorliegt,sowie ein Bereich Zh in
welchem elementares Indium und elementares Zinn allein vorliegen. Wie die Fig. 2 deutlich zeigt, ist der Bereich 2h
wesentlich dünner als die Bereiche 21 und 23 der Schicht
20. Auf dieser erfindungsgemäßen Schicht 20 kann unmittelbar
eine für elektrooptische Anzeigevorrichtungen gebräuchliche Metallauflage 30 aufgebracht werden.
Dies ist. in Fig. 3 dargestellt.
Vie die Fig. 3»^ und 5 zeigen, weist die Schicht 20 nach
einem weiteren Verfahrensschritt nur in den Bereichen 25
ihrer flächenmäßigen Ausdehnung, in denen sie· von einer Metallauflage 30 bedeckt ist, ständig einen Anteil 22 an
elementarem Indium und Zinn auf. Wie die Fig. 5 zeigt,
liegen die Bereiche 25 mit der Metallauflage 30 an den
Rändern 11 des Substrates 10 und stellen metallisierte
Leiterbahnen 3I dar. Die Leiterbahnen 3^ reichen vom einen
Rand 11 bis zu einem durch eine gestrichelte Linie 12 begrenzten
Bereich 13 des Substrates 10,der in einer fertig
en · η
a » e
A 12 682 - 15 -
zusammengebauten Anzeigevorrichtung den eigentlichen Anzeigebereich
darstellt. In diesem Anzoigebereich 13 liegen
die übrigen Bereiche 26 der Schicht 20, die nahezu vollständig
aus einem Gemisch 21 von Indium-III-oxid und Zinn-IV-oxid bestehen, nahezu farblos und transparent sind und
die Anzeigeelektroden darstellen. Die Metalla\iflage 30 ist
mit einem integrierten Schaltkreis, der in einem IC-Chip Uo realisiert ist, verbondet. Wie die Fig. h zeigt, ist
der IC-Chip UO mittels eines Kunststoffklebers 50 auf der
Metallauflage 30 befestigt und die von ihm ausgehenden Verbindungsleitungen
hl, welche aus Aluminium bestehen, an den Punkten 32 mit den Leiterbahnen 31 verschweißt. Die
Leiterbahnen 31» sind über übliche, nicht dargestellte Baueinheiten
an eine Stromversorgungseinheit 60 angeschlossen.
In dem folgenden Ausführungsbeispiel wird die Herstellung
einer erfindungsgemäßen elektrooptischen Anzeigevorrichtung mit Hilfe des erfindungsgemäßen Verfahrens unter Rückbezug
auf die zuvor beschriebene Fig. erläutert.
A. Elektrolytische Reduktion
Eine 15 x 30 cm große, 2 mm hohe Glasplatte 10, die mit
einer 50 nm dicken farblosen, transparenten Schicht 2, welche
aus einem Gemisch von 5 Teilen Indium-TII-oxid und 1 Teil
Zinn-IV-oxid beschichtet ist, (vgl. Fig. i)i wird vollständig
in ein Reaktionsgefäß aus Edelstahl getaucht, welches eine ^O C warme, 25oige wässrige Lösung von Natriumsulfat enthält,
der 0,5$ Natriumsulfonat beigefügt sind. Die Glasplatte
10 wird an eine Stromversorgungseinheit als Katode und ein flaches Edelstahlblech als Anode geschaltet und an
das System eine Spannung von ungefähr 5 Volt angelegt. Dadurch wird iMiifi St rouid i rh t ο von f-n. 70 in A/ din" cr'/i <>1 1. und
an der Katode aus der wässrigen Lösung nas/ierender Wasserstoff
erzeugt, welcher das Indium-III-oxid zu elementarem
«•■-a »·ν »· « O IO I VW /
Indium und d£is ZLmi-IV-oxid zu elementarem Zinn reduziert.
I);il>oi w i I'd mittclK ei »or elektromotorisch angetriebenen
Hebevorrichtung die Glasplatte mit einer Geschwindigkeit von 10 cm/Min. vollständig aus der Lösung herausgezogen.
Auf diese Weise wird nicht die gesamte Menge Indium-III-oxid
und Zinn-IV-oxid reduziert, sondern es entsteht über die gesamte
Fläche des Substrates eine gleichmäßige Schicht 20, welche bis in etwa 5 bis 10 nm Tiefe von der Oberfläche
an betrachtet elementares Indium und elementares Zinn enthält (vgl. Fig. 2). Die Schicht 20 weist nun einen leichten
bräunlichen metallischen Spiegel auf. Auf dieser Schicht 20 können auf einfache Weise Metallauflagen aufgebracht
werden.
B. Elektrochemische Metallabschexdung
Die gemäß Verfahrensschritt A behandelte Glasscheibe wird
kurz mit destilliertem Wasser abgespült, an der Luft getrocknet und ihre später als Anzeigebereich vorgesehene
Fläche mit einem Polymerlack maskiert. Die so vorbereitete Glasplatte wird, vollständig in ein Reaktionsgefaß getaucht,
welches eine ^O C warme, wässrige Nickelsulfatlösung mit
2+
einer Konzentration von 100g Ni -Ionen/l enthält und einen pH-Wert von 5 aufweist. Die Glasscheibe wird als Katode und ein flaches Nickelblech als Anode geschaltet und an das System eine Spannung von ungefähr 5 Volt angelegt. Dadurch wird eine Stromdichte von 3OO mA/dm erzielt und aus der Nickelsulfatlösung elementares Nickel auf der Schicht abgeschieden. Die Glasplatte wird mittels einer elektromotorisch angetriebenen Hebevorrichtung mit einer Geschwindigkeit von 10 cm/Min, aus der Lösung herausgezogen. Dadurch entstellt eine etwa 5 nm dicke Ni ekel auf lage. Die Schicht besitzt nun ein Aussehen gemäß Fig. 3 der Zeichnungen.
einer Konzentration von 100g Ni -Ionen/l enthält und einen pH-Wert von 5 aufweist. Die Glasscheibe wird als Katode und ein flaches Nickelblech als Anode geschaltet und an das System eine Spannung von ungefähr 5 Volt angelegt. Dadurch wird eine Stromdichte von 3OO mA/dm erzielt und aus der Nickelsulfatlösung elementares Nickel auf der Schicht abgeschieden. Die Glasplatte wird mittels einer elektromotorisch angetriebenen Hebevorrichtung mit einer Geschwindigkeit von 10 cm/Min, aus der Lösung herausgezogen. Dadurch entstellt eine etwa 5 nm dicke Ni ekel auf lage. Die Schicht besitzt nun ein Aussehen gemäß Fig. 3 der Zeichnungen.
Auf ähnliche Weise können aus einem sauren Bad Palladium und Platin (lOg Pd -Ionen/l bzw. 1OgPt -Ionen/l, wobei
A 12 682 - 17 -
das Palladium vorzugsweise als Chlorid und das Platin vorzugsweise
als Chlorkomplex vorliegen)und aus einem alkalischen Bad (pH 9-11) Gold, Silber und Kupfer (Konzentration 10-15g
Au^ -Ionen/l bzw. 70g Ag+-Ionen/l bzw. 20 g Cu+-Ionen/l, wobei
das Gold vorzugsweise als Sulfit und das Silber und das Kupfer vorzugsweise als Cyanokoinplex vorliegen), auf der
Schicht abgeschieden werden.
C.Tempern
Die gemäß Verfahrensschritt B behandelte Glasscheibe wird
von der Maske befreit, kurz mit destilliertem Wasser abgespült und bei ^00 C einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre ausgesetzt.
Dadurch wird der nicht mit Metall belegte Bereich der Schicht oxidiert und besteht wieder nahezu vollständig
aus Indium-IXI-oxid und Zinn-IV-oxid (vgl. Fig. k und 5)·
D. Weiterbehandlung
Auf der gemäß Verfahrensschritt C behandelten Scheibe werden
mittels einem beliebigen Ätzverfahren die gewünschten Elektroden- und Leiterbahnenmuster erzeugt. Danach werden die
außerhalb des Anzeigebereichs liegenden Flächen mit einer Lackmaske bedeckt und die im Anzeigebereich liegenden Bereiche
der Elektroden durch Tauchen in eine SiO„ abscheidende
Lösung, beispielsweise eine organische Silanlösung, mit einer Orientierungsschicht versehen. Danach wird die Maske
entfernt und auf die entsprechenden Stellen der Metallauflage IC-Chips mittels eines kalt aushärtenden Kunststoffklebers
befestigt. Die von den IC-Chips ausgehenden Aluminiumleitungen werden durch Ultraschallschweißen festhaftend
mit den entsprechenden mit einer Metallaaiflage versehenen
Leiterbahnen verbunden (vgl. Fig. k und 5)·
Die Glasscheibe kann auf bekannte Weise mit einer entsprechenden
Gegenelektroden tragenden Glasscheibe verbunden und durch-
A 12 CiHiI -IB-
kontaktiort worden. Die so gebildete Zelle kann mit einem
elektrooptisch aktiven Material gefüllt und als elektrooptische
Anzeigevorrichtung in beA^egten Objekten, beispielsweise
in Kraftfahrzeugen, eingesetzt werden.
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Claims (1)
- SVF-Spezialf abrik Ϋ'ύτ "Autozuΐ>enor Sus'tav Rau GmbH 7120 Biotigheim-BissingenPAL/A 12 682 Szedzinski/TüElektrooptisch^ Anzeigevorrichtung und Verfahren zu ihrerHerstellungPatentansprüche;f~\ ■\Aj Elektrooptische Anzeigevorrichtung mit einem Substrat,welches eine Elektrodenschicht trägt, die ein oder mehrere halbleitende Metalloxide enthält und wenigstens über bestimmte Abschnitte ihrer flächenmäßigen Ausdehnung mit einer Metallauflage belegt ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht (20) in diesen Abschnitten (25) einen von ihrer am Substrat (1O) anliegenden Fläche (a) zu ihrer vom Substrat (10) abgewandten Oberfläche (θ) hin größer werdenden Anteil (22) der Metalle in elementarem Zustand aufweist, welche in den halbleitenden Metalloxiden in gebundenem Zustand vorliegen.2. Elektrooptische Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Anteil (22) der in elementarem Zustand vorliegenden Metalle in der Schicht (20) in deren dem Substrat (1O) nahen Bereichen (15) gleich Null ist und erst in den vom Substrat (1O) fernen Bereichen, vorzugsweise vom letzten Fünftel bis Zehntel der gesamten Schichtdicke (d) an zur Oberfläche (θ) der Schicht (20) hinA-O wenigstens annähernd kontinuierlich von null auf einhundert Prozent ansteigt.•'ν::·. ·; ·":.::. » 3151s57Λ 12 682 -Λ?"-3. Elektroopt.ische Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Abschnitte (25) an den Rändern (11)eines Substrates (1O) angeordnet sind undLeiterbahnen (31) darstellen, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiterbahnen (3I) unmittelbar mit Verbindungsleitungen (^H ) verschweißt sind, die zu einer Stromversorgungseinheit führen.h. Elektrooptisch^ Anzeigevorrichtung nach wenigstens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht (20) aus einem Gemisch (21) von Indium -III- oxid und Zinn -IV- oxid besteht, das einen Anteil (22) an elementarem Indium und elementarem Zinn aufweist .5. Elektrooptische Anzeigevorrichtung nach den Ansprüchen 3 und h, dadurch gekennzeichnet,, daß die Leiterbahnen (31) mit einer Metallauflage (30) aus Nickel, Palladium, Platin, Gold, Silber oder Kupfer belegt sind und die Metallauflage (30) mit Verbindungsleitungen (iii)aus Aluminium verschweißt ist, welche zu einem IC-Chip (4θ) führen.5 6. Verfahren zur Herstellung einer elektrooptischen Anzeigevorrichtung nach wenigstens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht (20) durch Behandeln einer Schicht (2) halbleitender Metalloxide mit Wasserstoff unter Bedingungen hergestellt wird, die nicht zur vollständigen Reduktion der Oxide ausreichen.7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,daß der Wasserstoff durch Elektrolyse einer wässrigen Elektrolytlösung erzeugt wird.8. Verfahren nach Anspruch 7» dadurch gekennzeichnet, daß das mit der Schicht (2) halbleitender Metalloxide belegte Substrat (1O) in eine wässrige Elektrolytlösung getaucht wird und die Schicht (20) nach Anlegen einer Gleichspannung, deren Wert über der Zersetzungsspannung des««0ft O ο ·» ft β «ft• · β .A 12 682 - 3 -Wassers liegt, durch sich kurzzeitig bildenden naszierenden Wasserstoff erzeugt wird, indem das Substrat (1O) mit einer gleichmäßigen Geschwindigkeit in die Elektrolytlösung eingetaucht bzw. aus der Elektrolytlösung herausgezogen wird.9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (lO) bei einer Spannung von ungefähr 5 Vund einer Stromdichte von ungefähr 70 mA/dm mit einer gleichmäßigen Geschwindigkeit von ungefähr 10 cm/Min, in die Elektrolytlösung eingetaucht bzw. aus der Elektrolytlösung herausgezogen wird.
1510. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9» dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (ΐθ) vollständig in die Elektrolytlösung eingetaucht wird.11. Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche 7 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrolytlösung eine 2°/olge wässrige Lösung von Natriumsulfat ist und die Elektrolyse mittels einer Edelstahlanode bei einer geringfügig über der Raumtemperatur, vorzugsweise bei hO C liegenden Badtemperatur, durchgeführt wird.12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrolytlösung ein Netzmittel, vorzugsweise in einer Konzentration von maximal 0,5?£» enthält. 3013· Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche 6 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß anschließend auf der Schicht (2θ) ein Metall elektrochemisch abgeschieden wird.lh. Verfahren nach Anspruch 13» dadurch gekennzeichnet, daß die nicht mit Metall zu belegenden Abschnitte (26) der Schicht (20) abgedeckt werden, das Siabstrat (10) in eine wässrige Metallsalzlösung getaucht und alsA 12 682 -V-"dij fjortoljnt Lot wird, bo daß beim Anlo/jon einer Gleichspannung aus dem Metallsalz positiv geladene Metallionen freigesetzt werden,-welche zur Katode wandern und dort zu elementarem Metall reduziert werden, das sich als gleichmäßig dicke Auflage (30) auf den nicht maskierten Abschnitten (25) der Schicht (20) abscheidet, wenn das Substrat (1O) mit einer gleichmäßigen Geschwindigkeit in die Metallsalzlösung eingetaucht bzw. aus der Metallsalzlösung herausgezogen wird.15· Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die wässrige Metallsalzlösung Nickel - II - sulfat, Palladium -Il-chlorid, einen Platin-Chlorkomplex, Gold - Ill-sulfit, einen Silber-Cyanokomplex oder einen Kupfer-Cyanokomplex enthält.16. Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche 1^ bis 15j dadurch gekennzeichnet, daß die Metallsalzlösung einen pH-Wert über h aufweist.17· Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche 14bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß die nicht mit einer Metallauflage (30) belegten Abschnitte (26) der Schicht(20) durch Tempern in sauerstoffhaltiger Atmosphäre vollständig oxidiert werden.18. Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche lh bis 17j dadurch gekennzeichnet, daß anschließend durch Ätzen in den mit einer Metallauflage (3°) belegten Abschnitten (25) der Schicht (20) Leiterbahnen (3I ) und in den nicht mit einer Metallauflage (30) belegten, später im Anzeigebereich (13) der elektrooptischen Anzeigevorrichtung liegenden Abschnitten (26) der Schicht (20) ein Elektrodenrauster erzeugt wird.19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß anschließend die mit einer Metallauflage (30) be-2IO legten Abschnitte (25) der Schicht (20) abgedeckt und die• ft I• «* β a β αA 12 682 - 5 -spater im Anzeigebereich (i3) liegenden Abschnitte (26) der Schicht (20) durch Tauchen in eine Siliziumdioxid abschneidende Lösung mit einer Orientierungsschicht versehen wird,20. Verfahren nach Anspruch 19» dadurch gekennzeichnet, daß anschließend ein IC-Chip (4θ) durch Kleben mittels eines Kunststoffklebers (50) auf der Metallauflage (30) befestigt wird und die vom IC-Chip ausgehenden Aluminiumleitungen (4i) durch Ultraschallschweißen mit den entsprechenden Leiterbahnen (31) verbondet werden.21. Verfahren nach Anspruch 19» dadurch gekennzeichnet, daß anschließend das Substrat (io) mit einem Gegenelektroden tragenden Substrat verbunden, die Elektroden der beiden Substrate durchkontaktiert und die so gebildete Zelle mit einem elektrooptisch aktivem Material gefüllt wird.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4035360A1 (de) * | 1990-11-07 | 1992-05-14 | Licentia Gmbh | Fluessigkristallzelle |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3211066A1 (de) * | 1982-03-25 | 1983-09-29 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Transparente leitschicht |
JPS60184577A (ja) * | 1984-03-02 | 1985-09-20 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 導電性高分子樹脂電着組成物 |
FR2598827B1 (fr) * | 1986-05-14 | 1992-10-02 | Centre Nat Rech Scient | Perfectionnements aux dispositifs optiques a cristaux liquides, permettant la mise en oeuvre d'excitations alternatives haute frequence. |
JP2601932B2 (ja) * | 1990-04-13 | 1997-04-23 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 液晶表示装置およびその製造方法 |
US5284705A (en) * | 1990-09-06 | 1994-02-08 | Garland Floor Co. | Antistatic coating comprising tin-oxide-rich pigments and process and coated substrate |
JPH0540258A (ja) * | 1991-08-06 | 1993-02-19 | Nippon Paint Co Ltd | 多色表示装置の製造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2259033A1 (de) * | 1971-12-03 | 1973-06-07 | Olivetti & Co Spa | Verfahren zum entfernen von zinnoder indiumoxid von einem glaskoerper |
US3902790A (en) * | 1974-01-14 | 1975-09-02 | Hughes Aircraft Co | Liquid crystal display pattern |
DE2541675A1 (de) * | 1975-09-18 | 1977-03-24 | Siemens Ag | Verfahren zum aetzen von zinn- oder indium-dioxyd |
DE2807350A1 (de) * | 1977-03-02 | 1978-08-24 | Sharp Kk | Fluessigkristall-anzeigevorrichtung in baueinheit mit einem integrierten schaltkreis |
DE2635630B2 (de) * | 1975-08-09 | 1981-04-16 | Sharp K.K., Osaka | Verfahren zur Herstellung einer Halteplatte für einen flüssigen Kristall zur homogenen Anordnung der Moleküle des flüssigen Kristalls |
DE2940789A1 (de) * | 1979-10-09 | 1981-04-23 | W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau | Verfahren zur herstellung eines bauteils fuer fluessigkristalldisplays |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USRE23556E (en) * | 1952-09-30 | Electrically conducting coating on | ||
US2643199A (en) * | 1945-12-18 | 1953-06-23 | Hersch Paul | Process of forming a layer of metallic copper on copper oxide |
US2773023A (en) * | 1954-04-26 | 1956-12-04 | Horizons Titanium Corp | Removal of oxygen from metals |
US2822299A (en) * | 1955-11-28 | 1958-02-04 | Philips Corp | Method of making a cadmium-telluride semi-conductive device |
US3042593A (en) * | 1957-09-23 | 1962-07-03 | Philco Corp | Electrochemical method for cleansing semiconductive devices |
US3390012A (en) * | 1964-05-14 | 1968-06-25 | Texas Instruments Inc | Method of making dielectric bodies having conducting portions |
US3523039A (en) * | 1968-07-29 | 1970-08-04 | Texas Instruments Inc | Transition metal oxide bodies having selectively formed conductive or metallic portions and methods of making same |
NL163370C (nl) * | 1972-04-28 | 1980-08-15 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting met een geleiderpatroon. |
DE2948253C2 (de) * | 1979-11-30 | 1981-12-17 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Elektronische Dünnschichtschaltung |
-
1981
- 1981-12-28 DE DE19813151557 patent/DE3151557A1/de active Granted
-
1982
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- 1982-11-12 US US06/441,049 patent/US4511218A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-11-26 GB GB08233773A patent/GB2112540B/en not_active Expired
- 1982-12-28 JP JP57227889A patent/JPS58115423A/ja active Granted
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2259033A1 (de) * | 1971-12-03 | 1973-06-07 | Olivetti & Co Spa | Verfahren zum entfernen von zinnoder indiumoxid von einem glaskoerper |
US3902790A (en) * | 1974-01-14 | 1975-09-02 | Hughes Aircraft Co | Liquid crystal display pattern |
DE2635630B2 (de) * | 1975-08-09 | 1981-04-16 | Sharp K.K., Osaka | Verfahren zur Herstellung einer Halteplatte für einen flüssigen Kristall zur homogenen Anordnung der Moleküle des flüssigen Kristalls |
DE2541675A1 (de) * | 1975-09-18 | 1977-03-24 | Siemens Ag | Verfahren zum aetzen von zinn- oder indium-dioxyd |
DE2807350A1 (de) * | 1977-03-02 | 1978-08-24 | Sharp Kk | Fluessigkristall-anzeigevorrichtung in baueinheit mit einem integrierten schaltkreis |
DE2940789A1 (de) * | 1979-10-09 | 1981-04-23 | W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau | Verfahren zur herstellung eines bauteils fuer fluessigkristalldisplays |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JP-Patents Abstracts of Japan, Bd. 2, 1978, Nr. 154, 1 23 097-78 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4035360A1 (de) * | 1990-11-07 | 1992-05-14 | Licentia Gmbh | Fluessigkristallzelle |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3151557C2 (de) | 1989-08-03 |
JPH0127405B2 (de) | 1989-05-29 |
FR2519168B1 (fr) | 1988-01-29 |
JPS58115423A (ja) | 1983-07-09 |
FR2519168A1 (fr) | 1983-07-01 |
US4511218A (en) | 1985-04-16 |
GB2112540B (en) | 1985-12-18 |
GB2112540A (en) | 1983-07-20 |
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