DE2948253C2 - Elektronische Dünnschichtschaltung - Google Patents

Elektronische Dünnschichtschaltung

Info

Publication number
DE2948253C2
DE2948253C2 DE19792948253 DE2948253A DE2948253C2 DE 2948253 C2 DE2948253 C2 DE 2948253C2 DE 19792948253 DE19792948253 DE 19792948253 DE 2948253 A DE2948253 A DE 2948253A DE 2948253 C2 DE2948253 C2 DE 2948253C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
metal oxide
film circuit
pattern
oxide layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE19792948253
Other languages
English (en)
Other versions
DE2948253B1 (de
Inventor
Horst 7000 Stuttgart Magenau
Georg Dr. 7016 Gerlingen Zimmermann
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Priority to DE19792948253 priority Critical patent/DE2948253C2/de
Priority to JP16541280A priority patent/JPS5688396A/ja
Priority to FR8025372A priority patent/FR2471119A1/fr
Priority to GB8038205A priority patent/GB2065380B/en
Publication of DE2948253B1 publication Critical patent/DE2948253B1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2948253C2 publication Critical patent/DE2948253C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/01—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate comprising only passive thin-film or thick-film elements formed on a common insulating substrate
    • H01L27/016—Thin-film circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/032—Materials
    • H05K2201/0326—Inorganic, non-metallic conductor, e.g. indium-tin oxide [ITO]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

Stand der Technik
Die Erfindung geht aus von einer elektronischen Dünnschichtschaltung nach der Gattung des Hauptanspruchs. Es sind bereits elektronische Dünnschichtschaltungen dieser Art bekannt, bei denen die Metalloxidschicht aus Zinndioxid oder aus Indiumoxid besteht. Solche Dünnschichtschaltungen werden zum Aufbau bestimmter elektronischer Bauelemente, wie z. B. Flüssigkristall-, Gasentladungs- und Elektrolumineszenzanzeigeelemente, verwendet. Bei diesen Dünnschichtschaltungen besitzt die Metalloxidschicht einige Eigenschaften, die sich beim Aufbau und Betrieb solcher Anzeigeelemente nachteilig auswirken:
1. In den Steckkontakten zur Einspeisung der Betriebsspannungen, die innerhalb des zweiten Musters vorgesehen sein können, entstehen hohe Übergangswiderstände.
2. Vor allem dann, wenn ein komplexer Aufbau zu einer engen Leitungsführung zwingt, entstehen in den Verbindungsleitungen zwischen Kontakt und Bildelement, also innerhalb des zweiten Musters, zu hohe Widerstände.
3. Da die Oberfläche der Metalloxidschicht innerhalb beider Muster weder bond- noch lötfähig ist, können llalbleitcrelemente. z.B. Steuerbausteine, nicht in das Anzeigeelement integriert werden.
Vorteile der Erfindung
Die erfindungsgemäße Dünnschichtschaltung mit den kennzeichnenden Merkmalen des Anspruchs 1 bringt demgegenüber eine Verringerung des Übergangswiderstandes an Kontakten, eine Verbesserung der Leitfähigkeit in den Zuleitungen und die Erzeugung einer bond- und lötfähigen Oberfläche im Bereich der Anschlußkontakte.
Zeichnung
Ausführungsbeispiele der erfindungsgemäßen Dünnschichtschaltung sind in der Zeichnung dargestellt und in der Beschreibung näher erläutert. Es zeigt F i g. 1 die potentiodynamisch aufgenommene U/I-Kennlinie einer ln2O3-Schicht mit einem Flächenwiderstand von ca. 20 n\D in 2 η H2SO4, F i g. 2a bis 2d eine in Herstellung begriffene elektronische Dünnschichtschaltung gemäß der Erfindung im Schnitt, Fig. 3 ein erstes Anwendungsbeispiel einer erfindungsgemäßen elektronischen Dünnschichtschaltung, F i g. 4 ein zweites Anwendungsbeispiel einer erfindungsgemäßen elektronischen Dünnschichtschaltung, F i g. 5 ein drittes Anwendup.jsbeispiel einer erfindungsgemäßen elektronischen Dünnschichtschaltung.
Beschreibung der Ausführungsbeispiele
Es wurde festgestellt, daß eine gute Haftfestigkeit, von galvanisch abgeschiedenen Metallschichten (z. B. Au, Ni und In) dann erreicht werden kann, wenn die In2O3- bzw. SnO2-Schicht vorher elektrochemisch partiell reduziert wird. Als Elektrolyt sind z. B, verdünnte Schwefelsäure oder auch Pufferlösungen gut geeignet. F i g. 1 zeigt die potentiodynamisch aufgenommene U/I-Kennlinie einer In2O3-SdIiClU mit einem Rächenwiderstand von ca. 20 Ω/Ο in 2 η H2SO4. Daraus ist ersichtlich, daß bei einem Potential von etwa — 600 mV, gemessen gegen eine 3,5 η Kalomelelektrode, die Reduktion des In2Oj beginnt (siehe Teil 1 der Kennlinie). Beim Rücklauf wird das gebildete Indium wieder oxid: ?rt (siehe Teil 2 der Kennlinie). Der Strom geht auf sehr kleine Werte zurück, wenn das In vollständig reoxidiert ist (siehe Teil 3 der Kennlinie).
Bei der erfindungsgemäßen Ausnützung dieses Effekts wird die Reduktionsreaktion angewendet, die den Teil 1 der Kennlinie ausmacht, um einen Teil der Indiumoxidschicht in Indium zu verwandeln. Durch die partielle Reduktion der I^Oj-Schicht wird einerseits die Oberfläche aufgerauht, und andererseits bildet die erzeugte dünne Indiumschicht eine haftfeste Grundlage für die folgende galvanische Metallabscheidung. Gute Haftfestigkeit von Gold-, Nickel- und Indiumschichten kann erreicht werden, wenn die ca. 150 nm dicken ln2O3-Schichten etwa zur Hälfte elektrochemisch reduziert werden.
Die Anwendung des beschriebenen galvanischen Verfahrens zur Herstellung einer elektronischen Dünnschichtschaltung mit Strukturen aus Gold und InA auf Glas ist schematisch in F i g. 2 dargestellt. Das mit einer ln2Oj-Schicht 4 ganzflächig beschichtete Glassubstrat 5 wird dabei zuerst mit einer Schicht 6 aus einem positiv arbeitenden Photolack belegt. Durch Belichten mit einer UV-Lichtquelle und anschließendes Entwickeln werden diejenigen Stellen M2, die mit Gold verstärkt werden sollen, freigelegt. In diesen Bereichen M2 wird dann das In2Oj der Schicht 4 partiell elektrochemisch reduziert, und zwar mit einer kathodischen Stromdichte von 0,5 bis 5 mA/cm2. Dabei bil hi sich die Schicht 8 (F i g. 2b). Die Bihandlungszeit beträgt in einem Elektrolyten, der 50 g/l (NHi)2SO4 und 50 g/l Di-Ammoniumhydrogencitrat enthält, 30 bis 240 Sekunden. Der näch.ne Verfahrensschritt ist die galvanische Abscheidung dtr aus Gold bestehenden metallischen Verstärkungsschicht 9 (F i g. 2c), wobei reines Gold (ca. 1 bis 3 μπι) aus einem citratgepufferten Bad abgeschieden wird. Durch eine Zweitbelichtung und Entwicklung wird nun die Photolackschicht 6 von allen Bereichen entfernt, die keine transparente In2O3-Schicht 4 aufweisen sollen, also von allen denjenigen Bereichen, die nicht zum ersten Muster M\ gehören. An den freigelegten Stellen 10 wird hierauf die In2O3-Schicht 4 mit HCl bei ca. 6O0C geätzt (Fig.2d). Das so auf der In2O3-Schicht 4 im Bereich des zweiten Musters M2 aufgebaute Schichtsystem 8, 9, ist für die Anv/endung der Ultraschall-Bondtechnik gut geeignet.
Weitere geeignete Elektrolyte für die Reduktion der ln2O3-Schicht 4 sind z. B. 2 η Schwefelsäure und O,5°/oige Citronensäurelösung.
Anhand folgender Anwendungs^ispiele soll das Herstellungsverfahren und einige Einsatzmöglichkeiten erfindungsgemäßer Dünnschichtschaltuiigen beschrieben werden.
Beispiel 1
In diesem Beispiel (vgl. F i g. 3) dient die Vergoldung 11 nur der Verringerung des Kontaktwiderstandes in den Zuleitungen 12a bis \2g zu einer 7-Segment-Anzeige. Eine mit In2O3 beschichtete Glasplatte wird mit Photolack abgedeckt, und nach den erwähnten Belichtungs- und Entwicklungsverfahren werden die Bereiche wieder freigelegt, die vergoldet werden müssen. Dort wird zunächst die 140 nm dicke In2O3-Schicht zur Hälfte reduziert, indem die Platte in 2 η Schwefelsäure getaucht und 30 s lang kathodisch mit einer Stromdichte von 2 mA/cm2 beaufschlagt wird. Die Vergoldung erfolgt anschließend nach einer Zwischenspülung in einem getrennten Bad, das 50 g/l (NH4J2SO4. 50 g/l Di-Ammoniumhydrogencitrat und 20 g/l K Au(CN)2 enthält. Anschließend werden in einem Photoätzprozeß die Strukturen der Zuleitungen und der Zeichenelemente herausgeätzt.
Beispiel 2
IITi Unterschied zu Beispiel 1 sollen hier nicht nur die Kontaktflächen, sondern auch die Zuleitungen 12a bis 12g· (Fig.4) vergoldet werden. Ein weiterer Unterschied besteht im Reduktionsbad, das hier aus 50 g/l (NH4)2SO4 und 50 g/1 Di-Ammoniumhydrogencitrat besteht. Da dieses Bad ähnliche Komponenten enthält wie das Vergoldungsbad, kann die Zwischenwässerung entfallen. Vergoldung und weitere Verarbeitung dor elektronischen Dünnscnichtschaltung erfolgen gleich wie hl Beispiel 1.
Beispiel 3
Die elektronische Dünnschichtschaltung wird ähnlich wie anhand von F i g. 2 beschrieben vorbereitet. Sie enthält eine vergoldete Zuleitung 9 und eine nicht vergoldete Zuleitung 13 (F i g. 5). Auf das Ende der nicht vergoldeten Zuleitung 13 wird ein Leuchtdiodenchip 14 mittels Leitkleber aufgeklebt. Ein Bonr'draht 15 aus Gold stellt eine leitende Verbindung zwischen LED-Chip 14 und vergoldeter Zuleitung 9 her. Um den LED-Chip 14 und den Ponddraht 15 zu schützen, werden beide mit einem Tropfen 16 aus Silikonharz abgedeckt. Bei der vorgesehenen Anbringung der
weitere Komponenten, wie /.. B. Glühlampen, in die Anordnung eingelötet werden.
Die erfindungsgemäße elektronische Dünnschicht schaltung gestattet auf einfache Weise die Integration von Halbleiterbauteilen in Anordnungen, die ansonsten nur aus durchsichtigen Widerstandsbahnen gebildete Strukturen enthalten, wie z. B. Flüssigkristallanzeigeelemente oder Sensorfelder. Außerdem hat die erfindungsgemäße Dünnschichtschaltung folgende Vorteile:
a) Bei ihrer Herstellung treten keine hohen Temperaturen auf.
b) Die Haftung ist so gut. daß einwandfreie Bond- und Lötverbindungen hergestellt werden können.
Leuchtdiode 14 besteht weiterhin die Möglichkeit, diese durch die Glasplatte 5 hindurch /u betrachten, also entgegengesetzt zur üblichen Betrachtungsweise. Dazu muß das Licht durch einen reflektierenden Belag 17. der auf die Abdeckung 16 aufgebracht wird (versilbern, weiß lackieren, mit Al bedampfen), zurückgeworfen werden.
Anstelle von Leuchtdioden können auch Halbleiter bauelemente wie integrierte Schaltungen auf das Glassubstrat aufgesetzt und kontaktiert werden.
F.inc Kombination all dieser Beispiele führ! schließlich zu einem Anzeigeelement, das auf einer gemeinsamen Glasplatte eine Flüssigkristallanzeige, eine oder mehrere Leuchtdioden und die dazugehörigen Steuerschaltungen enthält. Da die Goldschicht auch lötfähig ist. können
Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims (15)

Patentansprüche:
1. Elektronische Dünnschichtschaltung mit einer aus einem Isoliermaterial bestehenden Substratplatte (5) und mit einer die Substratplatte (5) teilweise bedeckenden elektrisch leitfähigen Metalloxidschicht (4), die ein erstes (Mt) und ein zweites (M2) Muster bildet, wobei diese beiden Muster (Mu M2) an mindestens einer Stelle zusammenhängen und das erste Muster (Mt) Schaltungselemente der elektronischen Dünnschichtschaltung und das zweite Muster (Mt) Leiterbahnen und/oder Anschlußkontakte definiert, dadurch gekennzeichnet, daß die Metalloxidschicht (4) im Bereich des zweiten Musters (Mi) eine Schicht (£) aus demjenigen Metall crägt, aus dem das Metalloxid der Metalloxidschicht (4) gebildet ist.
2. Elektronische Dünnschichtschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Schicht (S) °ine metallische Verstärkungsschicht (9) aufgebracht ist
3. Elektronische Dünnschichtschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht (8) durch Reduktion des Metalloxids der Metalloxidschicht (4) an deren Oberfläche im Bereich des zweiten Musters (M2) gebildet ist, so daß die Metalloxidschicht (4) in diesem Bereich eine Dicke besitzt, die gegenüber der Dicke der Metalloxidschicht (4) im Bereich des ersten Musters (M1) reduziert ist.
4. Elektronische Dünnschichtschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht (8) eine im Bei iich de-, zweiten Musters (M2) auf die Metalloxidschicht (4) aufgewachsene, vor- 3s zugsweise auf ihr galvanisch at geschiedene Schicht ist.
5. Elektronische Dünnschichtschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Metalloxidschicht (4) aus Zinndioxid und die Schicht (8) aus Zinn besteht.
6. Elektronische Dünnschichtschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Metalloxidschicht (4) aus Indiumoxid und die Schicht (8) aus Indium besteht.
7. Elektronische Dünnschichtschaltung nach einem der Ansprüche 2 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die metallische Verstärkungsschicht (9) aus Gold besteht.
8. Elektronische Dünnschichtschaltung nach einem der Ansprüche 2 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Verstärkungsschicht verstärkungsschicht (9) aus Nickel besteht.
9. Elektronische Dünnschichtschaltung nach einem der Ansprüche 2 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die metallische Verstärkungsschicht (9) aus indium besteht.
10. Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Dünnschichtschaltung nach den Ansprüchen 1 bis 3. dadurch gekennzeichnet, daß auf die bo Substratplatte (5) zuerst die Metalloxidschicht (4) als durchgehende Schicht aufgebracht wird, daß dann die Metalloxidschicht (4) mit einer Photolackschicht (6) gan/flächig belegt wird, daß dann die Photolack-"tchicht (6) durch Belichten ufrd Entwickeln im M Bereich des zweiten Musters (Mi) entfernt wird, daß dann die Metalloxidschicht (4) im Bereich des /weiten Musters (Mi) unter Bildung der Schicht (8) partiell elektrochemisch reduziert wird, daß dann dann auf der Schicht (8) die metallische Verstärkungsschicht (9) galvanisch abgeschieden wird, daß dann die Photolackschicht (6) durch eine Zweitbelichtung und Entwicklung von allen denjenigen Bereichen entfernt wird, die nicht zum ersten Muster (M\) gehören, daß dann die Metalloxidschicht (4) an den so freigelegten Stellen durch Ätzen entfernt wird und daß schließlich die im Bereich des ersten Musters (Mt) verbliebenen Teile der Pi.otolackschicht (6) entfernt werden.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht (8) durch partielle Reduktion des Matalloxids der Metalloxidschicht (4) in einem (NH4J2SO4 und Di-Ammoniumhvdrogencitrat enthaltenden Elektrolyten gebildet wird.
12. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht (8) durch partielle Reduktion des Metalloxids der Metalloxidschicht (4) in verdünnter Schwefelsäure gebildet wird.
13. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht 8 durch partielle Reduktion des Metalloxids der Metalloxidschicht (4) in Citronensäure gebildet wird.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 13 zur Herstellung einer elektronischen Dünnschichtschaltung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Abscheidung der metallischen Verstärkungsschicht (9) in einem Bad erfolgt, das (NH4J2SO4, Di-Ammoniumhydrogencitrat und KAu(CN)2 enthält.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß zum Abätzen der Metalloxidschicht (4) im Bereich außerhalb des ersten (M,) und des zweiten (M1) Musters Salzsäure verwendet wird.
DE19792948253 1979-11-30 1979-11-30 Elektronische Dünnschichtschaltung Expired DE2948253C2 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19792948253 DE2948253C2 (de) 1979-11-30 1979-11-30 Elektronische Dünnschichtschaltung
JP16541280A JPS5688396A (en) 1979-11-30 1980-11-26 Electronic thin film circuit and method of manufacturing same
FR8025372A FR2471119A1 (fr) 1979-11-30 1980-11-28 Circuit electronique en couche mince et procede pour sa fabrication
GB8038205A GB2065380B (en) 1979-11-30 1980-11-28 Electronic thin-film circuit and method of its fabrication

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19792948253 DE2948253C2 (de) 1979-11-30 1979-11-30 Elektronische Dünnschichtschaltung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2948253B1 DE2948253B1 (de) 1981-03-19
DE2948253C2 true DE2948253C2 (de) 1981-12-17

Family

ID=6087280

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19792948253 Expired DE2948253C2 (de) 1979-11-30 1979-11-30 Elektronische Dünnschichtschaltung

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JPS5688396A (de)
DE (1) DE2948253C2 (de)
FR (1) FR2471119A1 (de)
GB (1) GB2065380B (de)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3038978C2 (de) * 1980-10-15 1982-11-04 Murata Manufacturing Co., Ltd., Nagaokakyo, Kyoto Verfahren zur Herstellung eines auf einem Substrat angeordneten Kupferleiters, der dabei erhältliche Kupferleiter und seine Verwendung
DE3151557A1 (de) * 1981-12-28 1983-07-21 SWF-Spezialfabrik für Autozubehör Gustav Rau GmbH, 7120 Bietigheim-Bissingen Elektrooptische anzeigevorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung
DE3705258A1 (de) * 1987-02-19 1988-09-01 Vdo Schindling Loetfaehiges schichtsystem

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2238002A1 (de) * 1971-07-29 1973-02-08 Kollmorgen Photocircuits Verfahren zum herstellen von mustern, insbesondere leitermuster gedruckter schaltungen nach dem sogenannten aufbauverfahren

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1444921A (fr) * 1965-05-28 1966-07-08 Electronique & Automatisme Sa Perfectionnement à la réalisation de contacts sur des couches résistives minces
US3544287A (en) * 1967-04-13 1970-12-01 Western Electric Co Heat treatment of multilayered thin film structures employing oxide parting layers
DE2606086C3 (de) * 1976-02-16 1980-08-14 Bernd Dr.-Ing. 7250 Leonberg Kaiser Herstellung von integrierten Dünnschichtschaltungen aus mit dünnen Schichten mehrlagig beschichteter Unterlage

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2238002A1 (de) * 1971-07-29 1973-02-08 Kollmorgen Photocircuits Verfahren zum herstellen von mustern, insbesondere leitermuster gedruckter schaltungen nach dem sogenannten aufbauverfahren

Also Published As

Publication number Publication date
GB2065380B (en) 1983-08-17
GB2065380A (en) 1981-06-24
FR2471119A1 (fr) 1981-06-12
JPS5688396A (en) 1981-07-17
DE2948253B1 (de) 1981-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3685642T2 (de) Fluessigkristall-anzeigevorrichtung.
DE19781558B4 (de) Schaltungskomponente für ein IC-Gehäuse und Verfahren zu deren Herstellung
DE19728183B4 (de) Herstellungsverfahren für leitende Drähte eines Halbleitergehäuses in Chipgrösse
DE2810054C2 (de) Elektronische Schaltungsanordnung und Verfahren zu deren Herstellung
DE2554691C2 (de) Verfahren zum Herstellen elektrischer Leiter auf einem isolierenden Substrat und danach hergestellte Dünnschichtschaltung
DE10148042B4 (de) Elektronisches Bauteil mit einem Kunststoffgehäuse und Komponenten eines höhenstrukturierten metallischen Systemträgers und Verfahren zu deren Herstellung
DE69834768T2 (de) Universelle Oberflächenendbeschichtung für DCA, SMT und Kontaktfläche-auf-Kontaktfläche-Zwischenverbindungen
DE60015686T2 (de) Beschichteter Metallartikel mit mehrlagiger Oberflächenbeschichtung für Porositätsverminderung
DE2321099B2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Anordnung mit einem transparenten Leitermuster
DE19817359A1 (de) Keramische Mehrlagenschaltung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1614928A1 (de) Verfahren zur Kontaktierung von Halbleiter-Bauelementen
DE69121143T2 (de) Kupferfolie für Innenlageschaltung einer mehrlagigen Leiterplatte, Verfahren zu ihrer Herstellung und diese enthaltende mehrlagige Leiterplatte
DE10261460A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE1765164B2 (de) Verfahren zur bindung von stromleitern
DE2509912A1 (de) Elektronische duennfilmschaltung
DE3536821C2 (de)
DE2948253C2 (de) Elektronische Dünnschichtschaltung
DE69426410T2 (de) Halbleitervorrichtung mit Lötstellen und Verfahren zur Herstellung
DE2409312C3 (de) Halbleiteranordnung mit einer auf der Halbleiteroberfläche angeordneten Metallschicht und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE3118342A1 (de) Waermeaufzeichnungskopf und verfahren zu seiner herstellung
DE2650348A1 (de) Elektrische schaltungsanordnung
AT500807B1 (de) Verfahren zum herstellen eines leiterplattenelements sowie leiterplattenelement
DE102006032074B3 (de) Bauelement und zugehöriger Anschlussdraht
DE3136198A1 (de) "elektronische duennschichtschaltung"
DE102009033930B4 (de) Verfahren zum Aufbringen einer Widerstandsschicht in Form eines Edelmetall-Dünnfilms auf ein Substrat und Verfahren zur Herstellung eines Temperaturmessfühlers

Legal Events

Date Code Title Description
8320 Willingness to grant licences declared (paragraph 23)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee