DE3038978C2 - Verfahren zur Herstellung eines auf einem Substrat angeordneten Kupferleiters, der dabei erhältliche Kupferleiter und seine Verwendung - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines auf einem Substrat angeordneten Kupferleiters, der dabei erhältliche Kupferleiter und seine Verwendung

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DE3038978C2 DE19803038978 DE3038978A DE3038978C2 DE 3038978 C2 DE3038978 C2 DE 3038978C2 DE 19803038978 DE19803038978 DE 19803038978 DE 3038978 A DE3038978 A DE 3038978A DE 3038978 C2 DE3038978 C2 DE 3038978C2
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Description

55
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines auf einem Substrat angeordneten Kupferleiters, den hierbei erhältlichen Kupferleiter sowie dessen M Verwendung als Elektrode für Kondensatoren oder elektrisch leitende Schaltungsabschnitte.
Die Elektroden von Keramikkondensatoren werden bisher im allgemeinen unter Verwendung von Silber hergestellt, welches eine gute elektrische Leitfähigkeit besitzt. Solche Silberelektroden bildet man durch Aufbringen einer Silberpaste in Form einer Schicht auf einen Keramikkörper und Brennen desselben. Mit dem Anstieg der Kosten für das Silbermaterial ist jedoch der Anteil der Kosten für eine solche Silberelektrode an den Gesamtkosten des Keramikkondensators gestiegen, so daß man bestrebt ist, billigere Elektroden zu entwickeln. Hierzu wurden verschiedene Untersuchungen im Hinblick auf Verfahren zur Herstellung von Metallfilmen beispielsweise durch stromloses Plattieren, durch Vakuumaufdampfen, durch Aufstäuben, durch lonenplattieren und dgl. durchgeführt Andererseits wurde auch die Verwendbarkeit eines billigen Materials als Ersatz für Silber als Elektrode untersucht.
Im ersteren Fall wurde eine mit Nickel plattierte Elektrode verwendet, die unter Anwendung eines stromlosen Plattierungsverfahrens hergestellt wurde. Eine mit Nickel plattierte Elektrode war bis zu einem gewissen Grade erfolgreich als billige Ersatzelektrode für eine Silberelektrode. Es wurde jedoch festgestellt daß bei Verwendung einer mit Nickel plattierten Elektrode als Elektrode in Keramikkondensatoren die folgenden Probleme auftreten: der spezifische Widerstand einer Nickelelektrode selbst beträgt 7,24 · 10- * Ohm · cm und somit höher als derjenige von Silber, der 1,62 · 10-' Ohm · cm beträgt Es besteht nun das Problem, daß die Frequenzcharakteristik im Hochfrequenzbereich schlechter wird. Ein anderes Problem besteht darin, daß die Lötbarkeit einer mit Nickel plattierten Elektrode schlecht ist Außerdem hat man versucht die gesamte Oberfläche mit einer Lötmittelschicht zu überziehen, um den spezifischen Widerstand der mit Nickel plattierten Elektrode zu senken. Zum Oberziehen der gesamten Oberfläche der Elektrode mit einer Lötmittelschicht muß jedoch viel aktives Flußmittel verwendet werden. Um das überflüssige Flußmittel nach dem Löten zu entfernen, muß daher die Elektrode gereinigt (gesäubert) werden. Außerdem entstehen auch dann, wenn beim Löten der Elektrodenabschnitt durch Eintauchen in ein Lötmittelbad bearbeitet wird, bei einem solchen Verfahren beispielsweise Spannungen in dem Keramikmaterial, so daß das Keramikmaterial reißen (rissig werden) kann.
In einem weiteren Versuch war man bestrebt, eine billige Elektrode zu entwickeln, welche die vorstehend beschriebene Nickelelektrode ersetzen kann. Hierzu wurde erneut versucht, eine Kupferelektrode herzustellen. Es wurde jedoch festgestellt, daß auch bei der Herstellung einer solchen Kupferelektrode ein ernstes Hindernis auftauchte. Die Haftung eines eine Elektrode bildenden Kupferfilms an einem Keramiksubstrat ist nämlich extrem schlecht. Kupfer ist außerdem ein typisches Beispiel für ein Metall mit einer Haftung an einem Keramiksubstrat, die ebenso schlecht ist wie diejenige von Gold. Im Hinblick darauf, daß Kupfer eine hohe elektrische Leitfähigkeit besitzt, ist Kupfer jedoch ein bevorzugtes Material für Elektroden oder elektrisch leitende Einrichtungen, wenn man von dem vorstehend beschriebenen Problem der schlechten Haftung absieht. Um den vorstehend beschriebenen Nachteil in bezug auf die Haftung eines Kupferfilms zu kompensieren, wurde der Versuch durchgeführt, einen Kupferfilm unter Anwendung eines Vakuumaufdampfverfahrens aufzubringen, beispielsweise durch eine sogenannte Mehrschichtenaufdampfung, bei der zunächst ein Metall mit einem geringen Atomradius oder ein leicht oxidierbares Metall, wie Chrom, Aluminium oder dgl. auf die Oberfläche eines Keramiksubstrats aufgedampft und danach Kupfer darauf aufgedampft werden. Hierdurch gelang es, einen Kupferfilm mit einer festen Haftung zu erhalten. Insbesondere wurde ein Kupfer-
film mit einer stabilen Haftung an einem Keramiksubstrat erhalten, indem man zwischen dem Kupferfilm und dem Keramiksubstrat ein Metall mit einem geringen Atomradius oder ein oxidiertes Metall aufbrachte. Dieses Verfahren weist jedoch eine erhöhte Anzahl von Verfahrensstufen auf und es kann nicht als einfaches Verfahren bezeichnet werden.
Wenn ein Kupferfilm unter Anwendung eines stromlosen Plattierungsverfahrens aufgebracht wird, wird das Keramiksubstrat zuerst beispielsweise in einer wäßrigen Fiuorwasserstoffsäurelcsung eingetaucht und geätzt, so daß die Oberfläche des Keramiksubstrates aufgerauht wird, wonach ein Kupferplattierungsfilm aufgebracht wird. Die Haftung zwischen dem Kupferfilm und dem Keramikkörper wird insbesondere durch eine erhöhte mechanische Kontaktierungskraft verbessert. Wenn ein Keramiksubstrat aus einem solchen isolierenden, halbleitenden oder Widerstandsmaterial einem Ätzmittel, wie z. B. Fluorwasserstoffsäure, ausgesetzt wird, korrodiert die Oberfläche des Keramiksubstrats and als Folge davon wird nicht nur die Funktion des Keramiksubstrats geändert, sondern dieses wird auch abgebaut. Eine solche Methode ist daher keineswegs bevorzugt.
Das Problem einer schlechten Haftung eines Kupferfilms tritt aber nicht nur beim Aufbringen desselben auf ein Keramiksubstrat auf, sondern auch beim Aufbringen desselben auf ein Metall, ein Harz oder dgl.
Aus der DE-AS 29 48 252 ist bereits eine elektronische Diinnschichtschaltung mit einer aus einem Isoliermaterial bestehenden Substratplatte und mit einer die Substratplatte teilweise bedeckenden elektrischen leitfähigen Metalloxidschicht, die ein erstes und ein zweites Muster bildet, die an mindestens einer Stelle zusammenhängen, bekannt, bei der die Metalloxidschicht im Bereich des zweiten Musters eine Schicht aus demjenigen Metall trägt, aus dem das Metalloxid der Metalloxidschicht gebildet ist. Hierbei bestehen die Metalloxidschicht bzw. die Metallschicht aus Indiumoxid oder Zinndioxid bzw. aus Gold, Nickel, Zinn oder Indium. Auch diese Metallschichten vermögen wegen der zu verwendenden Metalle nicht zu befriedigen.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht nun darin, einen auf einem Substrat angeordneten Kupferleiter und ein Verfahren zu seiner Herstellung anzugeben, der es ermöglicht für die leitende Schicht einen Kupferfilm anzuwenden, der kostengünstig hergestellt werden kann und eine hohe Leitfähigkeit besitzt und der eine verbesserte Haftung an den verschiedensten Substrattypen zeigt, ohne daß ein anderes Metall als Kupfer verwendet werden muß.
Diese Aufgabe wird nun gelöst durch das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung eines auf einem Substrat angeordneten Kupferleiters, das dadurch gekennzeichnet ist, daß man einen Kupferfilm auf die Oberfläche des Substrats aufbringt, den Kupferfilm unter Überführung des Kupferfilms in einen oxidierten Kupferfilm oxidiert und den oxidierten Kupferfilm in einer reduzierenden Atmosphäre wärmebehandelt, um dadurch einen Oberflächenschichtteil des oxidierten Kupferfilms in Kupfer zu überführen.
Ein weiterer Gegenstand der Erfindung ist ein auf einem Substrat angeordneter Kupferleiter mit einem durch Oxidation eines durch auf das Substrat aufgebrachten Kupferfilms gebildeten Kupferoxidfilm und einem durch Reduktion eines Oberflächenschichtteiles des Kupferoxidfilmes erzeugten Kupferfilm, der nach dem oben gekennzeichneten Verfahren erhältlich ist.
Die Unteranspruche betreffen besonders bevorzugte Ausführungsformen des oben bezeichneten erfindungsgemäßen Verfahrens sowie die Verwendung des angegebenen Kupferleiters als Elektrode eines Kondensators mit einem keramischen Dielektrikum als Substrat bzw. alb elektrisch leitender Abschnitt einer Schaltung mit einer isolierenden Keramik als Substrat.
Gemäß einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung besteht das Substrat aus einer ίο Keramik. Die Oxidation des Kupferfilms erfolgt durch Wärmebehandlung desselben an der Luft. Die Wärmebehandlung des oxidierten Kupfers wird in einer Stickstoffatmosphäre durchgeführt
Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung besteht das Substrat aus einem Metall, einem Harz oder dgl. Die Oxidation des Kupferfilms erfolgt unter Verwendung eines Oxidationsmittels. Die reduzierende Atmosphäre für die Reduktion des oxidierten Kupfers besteht aus Wasserstoff oder Kohlenmonoxid.
Die oben genannten Ziele und weitere Ziele, Merkmale, Aspekte und Vorteile der Erfindung gehen aus der nachfolgenden detaillierten Beschreibung in Verbindung mit den Zeichnungen hervor. Die Erfindung wird nachstehend unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt
F i g. 1 eine vergrößerte Schnittansicht einer Struktur eines Kupferleiters gemäß einer Ausführungsform der Erfindung;
F i g. 2 ein Fließdiagramm, das eine bevorzugte Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung des Kupferleiters gemäß F i g. 1 erläutert;
F i g. 3 eine seitliche Ansicht eines Keramikkondensators, in dem die Erfindung mit Vorteil angewendet werden kann;
F i g. 4 eine perspektivische Ansicht eines Keramikkörpers, auf dessen gesamter Oberfläche ein Kupferfilm unter Anwendung eines stromlosen Plattierungsverfahrens aufgebracht worden ist.
Fig.5 eine perspektivische Ansicht eines Keramikkondensatorkörpers mit einander gegenüberliegenden Elektroden, die durch Schleifen der Stirnflächen des Keramikkörpers gemäß F i g. 4 hergestellt worden sind; und
F i g. 6 ein Fließdiagramm, welches das Verfahren zur Herstellung des Keramikkondensators gemäß F i g. 3 erläutert.
In der Fig. 1 ist ein oxidierter Kupferfilm 22 auf die
Oberfläche eines Substrats 21 aufgebracht. Bei dem Substrat 21 kann es sich um ein solches aus einem isolierenden, elektrisch leitenden oder halbleitenden Material handeln. Bei dem das Substrat 21 aufbauenden Material kann es sich um eine Keramik, ein Metali, ein Harz oder dgl. handeln. Wenn es sich bei dem das Substrat aufbauenden Material um ein Harz handelt, ist dieses vorzugsweise wärmebeständig, so daß es der nachfolgend beschriebenen Behandlung (Bearbeitung) widerstehen kann. Auf der Oberfläche des oxidierten Kupferfilms 22 befindet sich ein Kupferfilm 23.
Nachfolgend wird ein Verfahren zur Herstellung des Kupferleiters mit der in F i g. 1 dargestellten Struktur unter Bezugnahme auf die F i g. 2 näher beschrieben:
In der ersten Stufe 24 wird das Substrat 21 hergestellt. Dann -..ird in der zweiten Stufe 25 ein Kupferfilm auf die *>5 Oberfläche des Substrats 21 aufgebracht. Als Verfahren zum Aufbringen eines Kupferfilms ist ein stromloses Plattierungsverfahren, ein Vakuumaufdampfverfahren, ein Zerstäubungsverfahren, ein lonenplattierungsver-
fahren oder ein ähnliches Verfahren anwendbar. Für die Zwecke der vorliegenden Erfindung kann jedes dieser Verfahren angewendet werden.
Die Dicke des in der zweiten Stufe 25 erzeugten Kupferfilms wird so ausgewählt, daß sie beispielsweise etwa 2 μιτι beträgt. Der in der Stufe 25 aufgebrachte Kupferfilm wird zu dem oxidierten Kupferfilm 22 und zu dem Kupferfilm 23, wie in F i g. 1 dargestellt.
Dann wird der Kupferfilm in der dritten Stufe 26 oxidiert. Die Oxidation kann durch Wärmebehandeln des Kupferfilms an der Luft oder unter Verwendung eines Oxidationsmittels durchgeführt werden. Der Kupferfilm geht in der Stufe 26 in einen Film aus oxidiertem Kupfer, beispielsweise aus Cu2O oder CuO, über. Wenn die Oxidation durchgeführt wird durch Wärmebehandeln des Films an der Luft, werden die Temperaturbedingungen so gewählt, daß sie innerhalb des Temperaturbereiches von 40 bis 2000C liegen. Die Temperaturbedingungen sollten insbesondere so gewählt werden, daß die Temperatur innerhalb des Bereiches von 100 bis 200°C liegt. Der Grund dafür ist der, daß bei einer Temperatur unterhalb 1000C die gewünschte Verbesserung der Haftung des Films an dem Substrat 21 nicht erzielt wird, während bei einer Temperatur oberhalb 2000C durch eine Reduktion des Kupferoxidfilms durch Wärmebehandlung in einer reduzierenden Atmosphäre in der nachfolgenden Stufe keine hohe elektrische Leitfähigkeit des Kupferfilms erzielt werden kann. Die Temperaturbedingungen werden daher vorzugsweise so ausgewählt, daß die Temperatur innerhalb des Bereiches von 100 bis 160° C liegt. Als Oxidationsmittel für die Durchführung der Oxidationsbehandlung unter Verwendung eines Oxidationsmittels kann beispielsweise Wasserstoffperoxid, Kaliumpermanganal oder dgl. verwendet werden. Die Oxidation unter Verwendung eines solchen Oxidationsmittels kann durchgeführt werden durch Eintauchen des Kupferfilms in eine wäßrige Lösung des Oxidationsmittels oder durch Aufbringen in Form einer Schicht oder Aufsprühen dieser wäßrigen Lösung auf den Kupferfilm oder dgl.
Bei der Verwendung einer wäßrigen Lösung von Wasserstoffperoxid wird vorzugsweise eine wäßrige Lösung mit einer Konzentration von 1 bis 10% verwendet.
In der vierten Stufe 27 wird der oxidierte Kupferfilm in einer reduzierenden Atmosphäre, z. B. in Stickstoff, Wasserstoff oder Kohlenmonoxid, wärmebehandelt. Dabei wird der oxidierte Kupferanteil auf dem Oberflächenschichtabschnitt des oxidierten Kupferfilms in Kupfer umgewandelt Der Oberflächenschichtabschnitt, dervon oxidiertem Kupfer in Kupfer überführt worden ist, bildet den Kupferfiim 23, wie in F i g. 1 dargestellt. Der an die Oberfläche des Substrats 21 angrenzende dünne Film bleibt aus oxidiertem Kupfer, ohne daß er in der vierten Stufe 27 reduziert wird. Die als oxidiertes Kupfer verbliebene Schicht ist der oxidierte Kupferfilm 22, wie er in F i g. 1 angegeben ist Der oxidierte Kupferfilm 22 ist sehr dünn und seine Dicke kann beispielsweise etwa 500 nm betragen. Durch die Anwesenheit eines solchen sehr dünnen oxidierten Kupferfilms 22 wird die elektrische Leitfähigkeit des Kupferfilms 23 nicht verschlechtert Die Dicke des Kupferfilms 23 und damit die Dicke des Kupferoxidfilms 22 können aber durch die Wärmebehandlungsbedingungen in der vierten Stufe 27 gesteuert (kontrolliert) werden. Die Wärmebehandlungstemperatur liegt vorzugsweise bei über 5000Q um eine hohe elektrische
Leitfähigkeit in dem Kupferfilm 23 zu erzielen.
Die Wärmebehandlung in einer reduzierenden Atmosphäre in der vierten Stufe 27 hat die folgende Bedeutung: Ein Kupferfilm, der unter Anwendung eines stromlosen Plattierungsverfahrens, eines Vakuumaufdampfverfahrens, eines Zerstäubungsverfahrens, eines loncnplattierungsverfahrens oder dgl. hergestellt worden ist, hat einen hohen spezifischen Widerstand, verglichen mit demjenigen einer Kupfermasse (von massivem Kupfer). Daher muß ein solcher Kupferfilm behandelt werden, um dem Kupferfilm elektrische Eigenschaften zu verleihen, die denjenigen von reinem Kupfer sehr ähnlich sind. Eine solche Behandlung wird erzielt durch Durchführung der Wärmebehandlung in einer inerten Atmosphäre. Eine solche Wärmebehandlung kann erzielt werden durch die vorstehend beschriebene Wärmebehandlung in der vierten Stufe 27.
In der fünften Stufe 28 wird der Kupferfilm 23 vorzugsweise behandelt, um seine Oxidation zu verhindern (zu hemmen). Es wurde festgestellt, daß eine solche Oxidationsverhinderungsbehandlung auf wirksame Weise dadurch erzielt werden kann, daß man den Kupferfilm 23 einer Kohlenwasserstoffhalogenidverbindung, wie Trichlorethylen, Perchloräthylen, Freon, Chlorbenzol, Methylchlorid, Methylenchlorid, Chloroform, Tetrachlorkohlenstoff oder dgl., aussetzt.
Die nach dem Verfahren gemäß F i g. 2 erhaltene Struktur umfaßt das Substrat 21, den darauf aufgebrachten Kupferfilm 23 und den dazwischen angeordneten oxidierten Kupferfilm 22, wie in Fig. 1 dargestellt. Durch Oxidieren des auf die Oberfläche des Substrats 21 aufgebrachten Kupferfilmes wird der gesamte Film zuerst in einen oxidierten Kupferfilm überführt, dann wird dieser jedoch in der nachfolgenden Stufe einer Wärmebehandlung in einer reduzierenden Atmosphäre unterzogen, so daß ein Oberflächenschichtabschnitt des oxidierten Kupferfilms in einen Kupferfilm 23 aus reinem Kupfer überführt wird. Durch geeignete Auswahl der Wärmebehandlungsbedingungen in einer solchen reduzierenden Atmosphäre, wie z. B. der Wärmebehandlungsdauer und der Wärmebehandlungstemperatur, ist es möglich, den oxidierten Kupferfilm 22 an der Grenzfläche zwischen dem Substrat 21 und dem Kupferfilm 23 anzuordnen.
Als Folge davon wird die Haftung des Kupferfilms 23 an dem Substrat 21 verbessert. Der Grund für die Verbesserung der Haftung ist vermutlich der, daß ein Film aus oxidiertem Kupfer eine viel bessere Haftung an einem Substrat hat als ein Film aus Kupfer. Insbesondere dann, wenn das Substrat aus einer Keramik aus einem oxidierten Metall besteht, ähneln die Strukturmerkmale der beiden einander und deshalb kann eine viel bessere Haftung erzielt werden.
Beispiel 1
Es wurde ein Aluminiumoxidsubstrat einer Länge von 60 mm, einer Breite von 30 mm und einer Dicke von 0,5 mm hergestellt und auf die Oberfläche des Substrats wurde unter Anwendung eines Vakuumaufdampfver-
bo fahrens und eines Maskierungsverfahrens eine elektrische Schaltung aus reinem Kupfer in dem gewünschten Muster aufgebracht
Dann wurde das Substrat in eine 3%ige wäßrige Wasserstoffperoxidlösung eingetaucht Das Eintauchen
b5 in eine wäßrige Wasserstoffperoxidlösung wurde bei einer gewöhnlichen Temperatur so lange fortgesetzt, bis der Kupferfilm in einen Film aus oxidiertem Kupfer umgewandelt worden war, der eine braune Farbtönung.
aufwies. Dann wurde das Substrat vollständig mit Wasser gewaschen und getrocknet und danach in einer Stickstoffatmosphäre bei einer Temperatur von 800°C wärmebehandelt.
Anschließend wurde auf die elektrische Schaltung des auf diese Weise auf die Oberfläche des Aluminiumoxidsubstrats aufgebrachten Kupferfilms ein Klebestreifen aufgeklebt und zur Durchführung des Abziehtests abgezogen. Dabei wurde gefunden, daß der Kupferfilm nicht abgezogen wurde und eine ausgezeichnete Haftung aufwies.
Andererseits wurde eine Probe, die nicht in eine wäßrige Wasserstoffperoxidlösung eingetaucht worden war, unter den gleichen Bedingungen wärmebehandelt, wobei gefunden wurde, daß die Haftung dieses Kupferfilms an dem Aiuminiumoxidsubstrat nicht so gut war und daß dieses Verbundmaierial über einen längeren Zeitraum hinweg kaum verwendet werden konnte.
Beispiel 2
Es wurde ein Substrat mit einem Durchmesser von 6 mm und einer Dicke von 0,3 mm aus einem dielektrischen Keramikmaterial, das hauptsächlich Zirkoniumoxid enthielt, hergestellt und auf die Oberfläche desselben wurde unter Anwendung eines stromlosen Plattierungsverfahrens ein Kupferfilm aufgebracht Dann wurde eine Wärmebehandlung an der Luft bei einer Temperatur von 1600C durchgeführt bis ein oxidierter Kupferfilm mit einer braunen Farbtönung gebildet worden war. Danach wurde eine Wärmebehandlung in einer Stickstoffatmosphäre bei einer Temperatur von 8000C durchgeführt bis der Glanz von reinem Kupfer zu erkennen war.
Die Haftfestigkeit des Kupferfilms auf dem dielektrischen Keramikmaterial des dabei erhaltenen Verbundes betrug 2,5 bis 33 kg/10 mm2. Da der Kupferfilm auf die gesamte Oberfläche des dielektrischen Keramiksubstrats aufgebracht worden war, wurde der Kupferfilmanteil auf der peripheren seitlichen Oberfläche entfernt zur Herstellung eines Keramikkondensators, und es wurden die elektrischen Eigenschaften desselben bestimmt. Dabei wurden eine Verbesserung des Qualitätsfaktors Q um 50% und eine Erhöhung der Kapazität pro Flächeneinheit um 20 bis 30% gefunden, verglichen mit einem Keramikkondensator, in dem Silber als Elektrodenmaterial verwendet wurde.
Ferner wurde ein Verbund, welcher der oxidierenden Wärmebehandlung nicht unterzogen worden war, einer Wärmebehandlung in einer Stickstoffatmosphäre unter den gleichen Bedingungen unterworfen und es wurde gefunden, daß die Haftfestigkeit 300 bis 400 g/10 mm2 betrug.
Aus den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen der Erfindung geht hervor, daß erfindungsgemäß ein Kupferleiter mit einer guten Haftung an einem Substrat erhalten werden kann. Ein solcher Kupferleiter kann mit Vorteil als Elektrodenabschnitt eines Keramikkondensators, als elektrisch leitende Einrichtung einer Stromkreiskomponente oder als Kupferfilm, der auf ein Metall, ein wärmebeständiges Harz, wie z. B. ein Polyimidharz, oder dgL aufgebracht worden ist, verwendet werden.
Nachfolgend wird ein Verfahren zur Herstellung eines Keramikkondensators als Beispiel für eine Keramik-Stromkreskomponente, auf die das erfindungsgemäße Verfahren angewendet werden kann, naher beschrieben. Das erfindungsgemäße Verfahren kann als Teil des Verfahrens zur Herstellung eines solchen Keramikkondensators angewendet werden.
'■> In der F i g. 3 weist der Keramikkondensator einen scheibenförmigen Keramikkörper 1 auf. Auf beide Hauptoberflächen des Keramikkörpers 1 sind einander gegenüberliegende Elektroden 2 aufgebracht. Die Elektroden 2 liegen in Form von Kupferfilmen vor. ι« Durch Lötmittel 3 sind Leitungsdrähte (Bleidrähte) 4 mit den jeweiligen Elektroden 2 verbunden. Die Leitungsdrähte (Bleidrähte) 4 sind beispielsweise in radialer Richtung abgeführt. Eine solche Struktur wird unter Verwendung eines isolierenden Harzes 5, wie durch eine r> gestrichelte Linie dargestellt, eingekapselt. Die Leitungsdrähte (Bleidrähte) 4 ragen natürlich mit ihrem vorderen Ende eine vorgegebene Länge aus dem isolierenden Harz 5 hervor.
Die Fig.6 zeigt ein Beispiel für ein Verfahren zur 2« Herstellung des Keramikkondensators gemäß F i g. 3. In der F i g. 6 wird ein der ersten Stufe 11 der Keramikkörper hergestellt. In der zweiten Stufe 12 wird der Keramikkörper einer Vorbehandlung für ein stromloses Plattierungsverfahren unterzogen. Die Vorbehandlung besteh; in einer Spülung, Aktivierung und Reinigung. In der dritten Stufe 13 wird Kupfer stromlos auf die Oberfläche des vorbehandelten Keramikkörpers aufplattiert. Dabei entsteht auf der gesamten Oberfläche des Keramikkörpers ein Kupferplattierungsfilm. In i» der vierten Stufe 14 wird der Keramikkörper mit einem darauf aufgebrachten Kupferfilm mit Wasser gewaschen.
In der fünften Stufe 15 wird eine Wärmebehandlung an der Luft durchgeführt zur Oxidation des Kupferfilms. r> Die Stufe 15 entspricht der in Fig.2 dargestellten dritten Stufe 26. In der sechsten Stufe 16 wird der oxidierte Kupferiilm in einer reduzierenden Atmosphäre wärmebehandelt. Die Stufe 16 entspricht der vierten Stufe 27 in F i g. 2. In der siebten Stufe 17 wird der durch 4f) Reduktion erhaltene Kupferfilm einer Oxidationsverhinderungsbehandlung unterzogen. Die Stufe 17 entspricht der fünften Stufe 28 in der F i g. 2. Nach der siebten Stufe 17 erhält man ein Zwischenprodukt, wie in F i g. 4 dargestellt. Die Struktur umfaßt einen Kupfer-■ >'· film 6, der auf die gesamte Oberfläche des Keramikkörpers aufgebracht worden ist. Die achte Stufe 18 wird durchgeführt, um den Kupferfilm 6 auf der gesamten Oberfläche des Zwischenproduktes in einander gegenüberliegende Elektroden 2 für einen Kondensator zu >" überführen. Der Verbund nach Durchführung der achten Stufe 18 ist in der Fig.5 dargestellt. In der achten Stufe 18 wird die äußere periphere Stirnfläche des Zwischenproduktes gemäß F i g. 4 geschliffen, so daß der Keramikkörper 1 an der Stirnfläche freigelegt wird. Dadurch wird der Kupferfilm 6 in einander gegenüberliegende Elektroden 2 umgewandelt Obgleich zwischen den zueinander gegenüberliegenden Elektroden 2 und dem Keramikkörper 1 oxidierte Kupferfilme angeordnet sind, wurde der Kupferoxidfilm zur Vereinfachung der Darstellung weggelassen. Die Struktur gemäß F i g. 5 entspricht der Struktur gemäß Fig.3, die den Keramikkörper 1 und die einander gegenüberliegenden Elektroden 2 umfaßt Dann werden die neunte Stufe 19 und die zehnte Stufe 20 nacheinander durchgeführt, wobei man einen Keramikkondensator, wie er in F i g. 3 dargestellt ist, erhält
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (12)

1 Patentansprüche:
i. Verfahren zur Herstellung eines auf einem Substrat angeordneten Kupferleiters, dadurch gekennzeichnet, daß man einen Kupferfilm auf die Oberfläche des Substrats aufbringt, den Kupferfilm unter Oberführung des Kupferfilms in einen oxidierten Kupferfilm oxidiert und den oxidierten Kupferfilm in einer reduzierenden Atmosphäre wärmebehandelt, um dadurch einen Oberflä- chenschichtteil des oxidierten Kupferfilms in Kupfer zu überführen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man ein Substrat aus Keramik verwendet.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß man ein Substrat aus einer isolierenden Keramik einsetzt.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man ein Substrat aus einem Metall einsetzt
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man ein Substrat aus einem Harz verwendet.
6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn- κ zeichnet, daß die Oxidation durch Wärmebehandlung an der Luft durchgeführt wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmebehandlung bei einer Temperatur innerhalb des Bereiches von 40 bis *° 200° C durchgeführt wird.
8. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmebehandlung bei einer Temperatur innerhalb des Bereiches von 100 bis 20O0C durchgeführt wird «
9. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Oxidation unter Verwendung eines Oxidationsmittels durchgeführt wird.
10. Auf einem Substnat angeordneter Kupferleiter mit einem durch Oxidation eines auf das Substrat (21) aufgebrachten Kupferfilms gebildeten Kupferoxidfilm (22) und einem durch Reduktion eines Oberflächenschichtteiles des Kupferoxidfilms (22) erzeugten Kupferfilm (23), erhältlich nach einem Verfahren, wie es in den Ansprüchen 1 bis 9 gekennzeichnet ist.
11. Verwendung des Kupferleiters nach Anspruch 10 als Elektrode eines Kondensators mit einem keramischen Dielektrikum als Substrat.
12. Verwendung des Kupferleiters nach Anspruch 10 als elektrisch leitender Abschnitt einer Schaltung mit einer isolierenden Keramik als Substrat.
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