JP2944854B2 - 液晶素子の製造方法 - Google Patents

液晶素子の製造方法

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JP2944854B2 JP15955793A JP15955793A JP2944854B2 JP 2944854 B2 JP2944854 B2 JP 2944854B2 JP 15955793 A JP15955793 A JP 15955793A JP 15955793 A JP15955793 A JP 15955793A JP 2944854 B2 JP2944854 B2 JP 2944854B2
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    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512Light shielding layers, e.g. black matrix

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、たとえばSTN(スー
パーツイステッドネマティック)型液晶表示装置、TF
T(薄膜トランジスタ)型液晶表示装置、MIM(金属
−絶縁体−金属)型液晶表示装置や、立体テレビジョン
用光シャッタ、液晶プリンタ用光シャッタなどの液晶光
学装置に好適に用いられる液晶素子の製造方法に関し、
特にブラックマスクなどと称される遮光手段を有する液
晶素子の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】図7は、第1の従来例である遮光手段4
2の形成方法を段階的に示す断面図である。たとえば、
ガラスで実現される透光性基板41の一方表面41a上
には、図7(1)に示されるように、遮光手段42とさ
れる金属クロム層が、その全面に形成される。該金属ク
ロム層は、蒸着法によって形成される。金属クロム層表
面には、図7(2)に示されるように、その全面にレジ
スト43が塗布される。該レジスト43は、遮光手段4
2に対応したパターン形状を有するマスクを用いて露光
さた後、現像されて、図7(3)に示されるようにパタ
ーン形成される。レジスト43が現像されて露出した金
属クロム層は、図7(4)に示されるようにエッチング
され、さらに残余のレジスト43が全て除去されて、図
7(5)に示されるように金属クロムから成る遮光手段
42がパターン形成される。
【0003】続いて、カラー表示を行う液晶表示装置に
用いる場合、カラーフィルタ44、透明電極46、およ
び配向膜47が形成される。すなわち、図7(6)に示
されるように隣接する遮光手段42間であって、1絵素
に対応した領域に、カラーフィルタ44がそれぞれ形成
される。カラーフィルタ44は、たとえば赤色フィルタ
(R)、緑色フィルタ(G)、青色フィルタ(B)から
なり、その膜厚は、たとえば約1μmとされる。カラー
フィルタ44上には、図7(7)に示されるように、た
とえばアクリル樹脂などの透光性を有する樹脂からな
り、膜厚が約2.5μmに選ばれるオーバーコート層4
5が形成され、さらに図7(8)に示されるように、透
明電極46が形成される。透明電極46は、たとえばI
TO(Indium Tin Oxide)で実現される表示用の電極で
ある。透明電極46上には、図7(9)に示されるよう
に、たとえばポリイミド樹脂で実現される配向膜47が
形成される。
【0004】図8は、第2の従来例である遮光手段59
の形成方法を段階的に示す断面図である。遮光手段59
は、カラー表示を行う液晶表示装置に形成されるもので
あり、カラーフィルタを構成する赤色フィルタ(R)5
2、緑色フィルタ(G)53、青色フィルタ(B)54
を重ねた部分を遮光手段59とするものである。たとえ
ばガラスで実現される透光性基板51の一方表面51a
上には、図8(1)に示されるように、たとえば赤色フ
ィルタ(R)52とされる感光性樹脂層がその全面に形
成される。この感光性樹脂層は、赤色フィルタ(R)5
2に対応したパターン形状を有するマスクを用いて露光
された後、現像されて、図8(2)に示されるようにパ
ターン形成され、赤色フィルタ(R)52とされる。赤
色フィルタ(R)52が形成された表面51a上には、
図8(3)に示されるように、たとえば緑色フィルタ
(G)53とされる感光性樹脂層がその全面に形成され
る。この感光性樹脂層は、緑色フィルタ(G)53に対
応したパターン形状を有するマスクを用いて露光された
後、現像されて、図8(4)に示されるようにパターン
形成され、緑色フィルタ(G)53とされる。赤色フィ
ルタ(R)52および緑色フィルタ(G)53が形成さ
れた表面51a上には、図8(5)に示されるように、
青色フィルタ(B)54とされる感光性樹脂層がその全
面に形成される。この感光性樹脂層は、青色フィルタ
(B)54に対応したパターン形状を有するマスクを用
いて露光された後、現像されて、図8(6)に示される
ようにパターン形成され、青色フィルタ(B)54とさ
れる。赤色フィルタ(R)52、緑色フィルタ(G)5
3、青色フィルタ(B)54の重なった部分が、遮光手
段59とされる。
【0005】さらに、図8(7)に示されるように、透
光性を有する樹脂からなるオーバーコート層56が形成
され、図8(8)に示されるように、たとえばITOで
実現されて表示用の電極とされる透明電極57が形成さ
れる。透明電極57上には、図8(9)に示されるよう
に、たとえばポリイミド樹脂で実現される配向膜58が
形成される。
【0006】このような遮光手段42,59は、たとえ
ば透過型のカラー液晶表示装置において、コントラスト
比を向上させるために用いられる。すなわち、前記遮光
手段42,59は、非選択(非点灯)状態の絵素電極間
からもれるバックライト光を遮断するために設けられ
る。このため、非選択状態の透過率が低減してコントラ
スト比が向上する。
【0007】絵素電極間からの光のもれは、表示が高精
細化されるほど増加し、コントラスト比の低下が顕著と
なる。これは、高精細化に伴って、電極形状のドットピ
ッチが狭くなるけれども、電極と電極との隙間は露光装
置の精度上の問題などから制限され、全表示面積のうち
の有効表示面積に対する無効表示面積の割合が増加する
ためである。また、カラー表示を行う液晶表示装置は、
白黒表示を行う液晶表示装置に比べて前記割合が大きい
ため、光のもれが顕著となる。このため、前述したよう
な遮光手段42,59が好適に用いられる。
【0008】前記遮光手段42,59の他には、透明電
極上の隣接した絵素間にAlからなる遮光手段を形成す
る例が米国特許4568149号に開示されている。ま
た、パターン形成されたITOからなる透明電極とその
上に形成されるフォトレジストとをマスクとして、金属
酸化物から成る遮光手段を透明電極が形成されていない
領域に形成する例が、特開昭62−135809号に開
示されている。さらに、ITOから成る透明電極を還元
して遮光手段とする例が、特開平4−3121号に開示
されている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】前記遮光手段42は、
該遮光手段42上にたとえば膜厚が約1μmのカラーフ
ィルタ44と、たとえば膜厚が約2.5μmのオーバー
コート層45とが形成されるので、遮光手段42である
金属クロム層と透明電極46との絶縁を容易に保持する
ことができる。しかしながら、形成方法が複雑であるこ
とから歩留まりが低下して製造コストが高くなるという
問題がある。特に、白黒表示のSTN型液晶表示装置で
は、他の液晶表示装置と比較して構造が単純であること
からコストが高くなる。また、白黒表示を行う液晶表示
装置では、カラーフィルタ44が不要となることから、
遮光手段42である金属クロム層と透明電極46との絶
縁を保持できないという問題が生じる。前述した米国特
許4568149号についても同様の問題が生じる。
【0010】また、前記遮光手段59は、赤色フィルタ
(R)52、緑色フィルタ(G)53、青色フィルタ
(B)54の重なった部分であることから、カラー表示
を行う液晶表示装置に用いられる。このため、カラー液
晶表示装置では、製造工程が単純化されるという利点が
あるけれども、比較的透過率の高い3色の赤色フィルタ
(R)52、緑色フィルタ(G)53、青色フィルタ
(B)54を積層して用いるため、遮光性が充分でない
という問題がある。また、遮光手段59部分の膜厚が厚
くなるため、液晶の配向不良が生じやすいという問題が
ある。さらに、カラーフィルタが不要である白黒表示を
行う液晶表示装置では、遮光手段59を形成するための
コストが高くなるという問題が生じる。
【0011】また、前記特開昭62−135809号お
よび特開平4−3121号に開示された遮光手段は、金
属酸化物およびITOの還元物から成るけれども、これ
らの材料は遮光性に劣るという問題がある。また、遮光
性を向上させるために、より金属的な性質を持つ材料を
用いると、短絡が生じるなどの不都合が生じる。
【0012】以上のように、従来の遮光手段の形成方法
は、製造工程が複雑で製造コストが高く、さらに形成さ
れた遮光手段は遮光性が不充分であり、また液晶の配向
不良によって表示品位が低下するなどの問題を有する。
【0013】本発明の目的は、簡単に、かつ安価に製造
することができ、さらに精度よく形成された遮光手段を
有する液晶素子の製造方法を提供することである。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明は、一対の透光性
基板間に液晶層が介在され、前記一対の透光性基板のう
ちの少なくともいずれか一方基板に遮光手段が形成され
ている液晶素子の製造方法において、前記基板表面に導
電体層を形成する工程と、前記導電体層表面にレジスト
を塗布する工程と、前記レジストを予め定められる表示
電極パターンに露光する工程と、前記露光したレジスト
を現像する工程と、レジストを現像することによって露
出した導電体層を除去し、前記表示電極パターンを有す
る電極の側面を露出する工程と、隣接する、露出した表
示電極の側面間に、電着法によって遮光手段を形成する
工程と、前記表示電極上のレジストを全て除去する工程
とを含むことを特徴とする液晶素子の製造方法である。
【0015】
【作用】本発明に従えば、液晶層を挟持する一対の透光
性基板のうちの少なくともいずれか一方には遮光手段が
形成される。該遮光手段は、前記基板表面に導電体層を
形成し、さらにその上にレジストを塗布し、該レジスト
を予め定められる表示電極パターンに露光した後、現像
し、露出した導電体層を除去して前記表示電極パターン
を有する電極の側面を露出し、さらに隣接する、露出し
た表示電極の側面間である露出した基板表面上に電着法
によって形成される。すなわち、遮光手段は、表示電極
表面のうちのレジストに覆われていない表面から、隣接
する表示電極方向に形成される。遮光手段が形成された
後、表示電極上のレジストが全て除去される。
【0016】前記電着法は、溶媒中に溶解または分散さ
せた高分子材料と顔料や染料などの着色材料とを、電極
上に電気泳動現象によって被着させるものである。この
ような手法は、たとえば自動車の塗装に応用されてい
る。また前記電着法を用いて多色着色膜を形成する例
が、特公平4−2161号に開示されている。
【0017】電着法によって形成される前記遮光手段
は、導電体層の側面に形成され、該導電体層は、表示用
の電極とされる。また、従来の遮光手段の形成方法と比
較すると、簡単に製造することができ、製造コストが安
価となる。
【0018】また、前記遮光手段は、レジストに覆われ
ていない表示電極表面、すなわちパターン形成された表
示電極の側面から隣接する表示電極方向に形成される。
隣接する表示電極の側面からそれぞれ形成された遮光手
段は、融着されて一体化される。このため、表示電極と
ほぼ同じ厚さの遮光手段を位置ずれすることなく形成す
ることができる。したがって、液晶分子と接する表面の
平滑性が向上して、液晶分子の配向均一性が向上し、表
示装置としたときの表示品位が向上する。
【0019】
【実施例】図1は、本発明の一実施例である液晶表示装
置20の遮光手段4の形成方法を示す工程図である。ま
た、図2は、前記遮光手段4の形成方法を段階的に示す
断面図である。
【0020】工程a1では、図2(1)に示されるよう
に、たとえばガラスで実現される透光性基板1の一方表
面1a全面に透明電極2とされるITO膜が形成され
る。該ITO膜は、たとえば膜厚が2500Åとなるよ
うにスパッタリング法で形成される。
【0021】工程a2では、図2(2)に示されるよう
に前記ITO膜上にレジスト3が塗布される。レジスト
3は、たとえばポジ型フォトレジスト(商品名 FH2
030D、富士ハント製)で実現され、たとえばロール
コータを用いて塗布される。
【0022】工程a3では、プリベーク処理が行われ
る。このプリベーク処理は、たとえばオーブンなどの加
熱装置を用いて、140℃で30分間行われる。
【0023】工程a4では、露光処理が行われる。この
露光処理は、透明電極2に対応した表示電極パターンを
有するマスクを用いて行われる。
【0024】工程a5では、現像処理が行われる。この
現像処理によって、図2(3)に示されるように、前記
露光処理によって可溶化したレジスト3が除去される。
【0025】工程a6では、図2(4)に示されるよう
に、前記現像処理によって露出したITO膜がエッチン
グされて、ITOからなる透明電極2が形成される。本
実施例では、透明電極2を200μm幅の帯状に複数本
形成し、互いの透明電極2は平行となるように形成し
た。また、互いの透明電極2の隙間は、20μmとなる
ように形成した。
【0026】工程a7では、遮光手段4が電着法によっ
て形成される。ここで、まず電着用の電極端子を形成す
るために帯状の透明電極2上に形成されたレジスト3の
うちのいずれか一方端部のレジスト3が除去され、水洗
されて乾燥される。また、残余のレジスト3は、200
℃で60分間焼成される。次に、露出した透明電極2の
表面に導電性テープを貼付し、該導電性テープを電着用
の端子として電着が行われる。電着によって、図2
(5)に示されるように、隣接する透明電極2の隙間に
遮光手段4が形成される。続いて、遮光手段4は、たと
えば170℃で60分間焼き付けされる。
【0027】工程a8では、残余のレジスト3が図2
(6)に示されるように全て除去される。レジスト3
は、たとえば3wt%のNaOHの水溶液を用いて剥離
された後、基板1が水洗され、乾燥される。
【0028】図3は、前述した電着法を説明するための
断面図である。電着法とは、溶媒中に溶解または分散さ
せた高分子材料と、顔料や染料などの着色材料とを、電
極上に電気泳動現象によって被着させるものである。本
実施例では、黒色の油溶染料、水溶性エポキシ系樹脂、
セロソルブ系溶媒および水を混合した電着浴21中に、
透明電極2およびレジスト3がパターン形成された基板
1と、対極22とを浸漬し、透明電極2を陽極とし、対
極22を陰極として、100Vの電圧を3分間印加し
た。
【0029】図4は、電着法によって形成された遮光手
段4を拡大して示す断面図である。前述した電着を行う
と、透明電極2a,2bの表面のうちの、レジスト3
a,3bで覆われていない表面2c、すなわち透明電極
2a,2bの側面から遮光手段4a,4bがそれぞれ形
成される。この遮光手段4a,4bは、隣接する透明電
極2a,2b方向に延びてそれぞれ形成され、さらに融
着されて一体化されて遮光手段4とされる。このように
して形成される遮光手段4は、透明電極2a,2bとほ
ぼ同じ厚さであり、また位置ずれすることなく形成され
る。
【0030】図5は、前記遮光手段4を用いた液晶表示
装置20の構成を示す断面図である。液晶表示装置20
は、白黒表示を行う位相差板方式のSTN型液晶表示装
置であり、透光性基板1,7、透明電極2,8、遮光手
段4、トップコート層5,9、配向膜6,10、液晶層
11、位相差板12,14、偏光板13,15、導光板
16、拡散板17、反射板18および光源19を含む。
【0031】セグメント電極側の基板とされる透光性基
板1の一方表面1a上には、前述したように透明電極2
と遮光手段4とが形成される。すなわち、200μm幅
の透明電極2と20μm幅の遮光手段4とを1単位(ラ
インピッチ:220μm)として、1120ライン形成
される。さらに、透明電極2および遮光手段4上にトッ
プコート層5、配向膜6がこの順に積層して形成され
る。
【0032】一方、コモン電極側の基板とされ、前記基
板1と同様に、たとえばガラスで実現される透光性基板
7の一方表面7a上には、前記透明電極2と遮光手段4
と同様にして、透明電極8と図示しない遮光手段とが形
成される。基板7側についても、ラインピッチは220
μmであり、分割マトリクス方式に800ライン形成さ
れる。さらに、透明電極8上にトップコート層9、配向
膜10がこの順に積層して形成される。
【0033】たとえばポリイミド樹脂で実現される前記
配向膜6,10の表面は、たとえばラビング処理が施さ
れ、さらに基板1,7の表面1a,7aを対向するよう
に配置し、液晶注入口をあけて基板1,7が貼り合せら
れる。このとき、基板1側の透明電極2と基板7側の透
明電極8とは、直交するように配置される。基板1,7
間には、前記液晶注入口から液晶層11とされる液晶材
料が注入された後、液晶注入口が封止される。
【0034】基板1,7の他方表面1b,7bには、位
相差板12,14および偏光板13,15がそれぞれ積
層して貼付される。さらに、駆動用LSI(Large Scal
eIntegrated Circuit)などが接続される。また、偏光
板13側には、線状の光源19が配置される。光源19
からの光は、基板1側に配置される導光板16によって
導かれ、反射板18で反射され、さらに拡散板17で拡
散されて液晶層11に入射する。
【0035】なお、表示画面の周囲は、遮光領域とされ
る。このため、セグメント電極の1120ラインのうち
の両端48ラインと、コモン電極の800ラインのうち
の両端16ラインとは表示には用いられない。したがっ
て、1024ドット×768ドットでの表示が行われ
る。また、液晶表示装置20は、374デューティで駆
動される。このような条件で表示を行ったときのコント
ラスト比は、14:1であった。この値は、遮光手段4
を形成しない場合のコントラスト比(12:1)と比較
して、向上した値であった。
【0036】このような液晶表示装置20は、たとえば
WS(ワークステーション)用やDTP(Desk Top Pub
lishing)用などの高解像度を要する液晶表示装置や、
パームトップコンピュータ用などの小型の液晶表示装置
に好適に用いられる。
【0037】図6は、電着法によって形成されたカラー
フィルタ33を示す断面図である。カラーフィルタ33
は、透光性基板31上に複数の帯状にパターン形成され
た透明電極32上に形成されるので、該カラーフィルタ
33も複数の帯状に形成される。カラーフィルタ33の
膜厚は、たとえば約1.5μmに形成され、さらにでき
る限り電極32の側面にはみださないようにして形成さ
れる。カラーフィルタ33上には、透光性を有する合成
樹脂などで実現されるオーバーコート層34が形成さ
れ、さらに透明電極35と配向膜36とがこの順に形成
される。前記透明電極35は、表示用の電極とされ、オ
ーバーコート層34表面全面に形成される。このように
してカラーフィルタ33が形成された基板31は、たと
えばTFT素子と絵素電極とが形成された基板と液晶層
を介在して貼り合せられる。
【0038】上述したカラーフィルタ33を形成する場
合、表示用の電極35の他に電着用の電極32が必要で
あるけれども、本実施例の遮光手段4は、表示用の電極
とされる透明電極2を用いて形成するものである。ま
た、従来の金属クロムから成る遮光手段やカラーフィル
タを積層して成る遮光手段と比較すると、製造工程が簡
単化され、安価に製造することができる。
【0039】なお、本実施例では、光を遮断することか
ら透明度の低い水溶性エポキシ樹脂を用いて遮光手段4
を形成したけれども、たとえば水溶性樹脂としてアクリ
ル/メラミン樹脂やポリエステル/メラミン樹脂を用い
ることも本発明の範囲に属するものである。
【0040】前記フォトレジスト3としては、ポジ型に
限らずネガ型フォトレジストや、耐熱性フォトレジスト
を用いてもよい。また透明電極2,8としてはITOに
限らず、SnO2 、あるいはITOとSnO2 などの金
属との複合体を用いてもよい。
【0041】また、電着浴21中には、黒色の油溶染料
に限らず、顔料を混入してもよく、また水溶性樹脂とし
て上述したような樹脂を混入してもよい。さらに、セロ
ソルブ系溶媒に限らず他の溶媒を用いてもよい。また、
遮光手段4の形成における各種形成条件は、本実施例に
記載したものに限らず、適宜選択される。
【0042】さらに、本実施例では、白黒表示を行う位
相差板方式のSTN型液晶表示装置の例について説明し
たけれども、たとえば白黒表示、カラー表示にかかわら
ず、STN型液晶表示装置、強誘電性液晶表示装置、反
強誘電性液晶表示装置、TFTやMIMなどを用いたア
クティブマトリクス型液晶表示装置にも適用することが
でき、同様の効果が得られる。また、液晶表示装置に限
らず、立体テレビジョン用光シャッタや光プリンタ用光
シャッタなどの遮光手段を有する液晶光学装置において
も好適に用いられる。
【0043】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、電着法に
よって隣接する表示電極の側面間に遮光手段が形成され
る。このため、従来の遮光手段と比較すると、製造工程
が簡単化され、製造コストが安価となる。また、遮光手
段は表示電極とほぼ同じ厚さに形成され、かつ位置ずれ
することなく形成される。このため、液晶分子と接する
表面の平滑性が向上して、液晶分子の配向性、均一性が
向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例である液晶表示装置20の遮
光手段4の形成方法を示す工程図である。
【図2】前記遮光手段4の形成方法を段階的に示す断面
図である。
【図3】電着法を説明するための断面図である。
【図4】電着法によって形成された遮光手段4を拡大し
て示す断面図である。
【図5】液晶表示装置20の構成を示す断面図である。
【図6】電着法によって形成されたカラーフィルタ33
を示す断面図である。
【図7】第1の従来例である遮光手段42の形成方法を
段階的に示す断面図である。
【図8】第2の従来例である遮光手段59の形成方法を
段階的に示す断面図である。
【符号の説明】
1,7 透光性基板 2,8 透明電極 3 レジスト 4 遮光手段 11 液晶層 20 液晶表示装置

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一対の透光性基板間に液晶層が介在さ
    れ、前記一対の透光性基板のうちの少なくともいずれか
    一方基板に遮光手段が形成されている液晶素子の製造方
    法において、 前記基板表面に導電体層を形成する工程と、 前記導電体層表面にレジストを塗布する工程と、 前記レジストを予め定められる表示電極パターンに露光
    する工程と、 前記露光したレジストを現像する工程と、 レジストを現像することによって露出した導電体層を除
    去し、前記表示電極パターンを有する電極の側面を露出
    する工程と、 隣接する、露出した表示電極の側面間に、電着法によっ
    て遮光手段を形成する工程と、 前記表示電極上のレジストを全て除去する工程とを含む
    ことを特徴とする液晶素子の製造方法。
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