JPH06347765A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPH06347765A JPH06347765A JP5134347A JP13434793A JPH06347765A JP H06347765 A JPH06347765 A JP H06347765A JP 5134347 A JP5134347 A JP 5134347A JP 13434793 A JP13434793 A JP 13434793A JP H06347765 A JPH06347765 A JP H06347765A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- polymer
- light
- substrate
- picture element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133377—Cells with plural compartments or having plurality of liquid crystal microcells partitioned by walls, e.g. one microcell per pixel
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
- G02F1/13394—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
- G02F1/139—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent
- G02F1/141—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent using ferroelectric liquid crystals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2202/00—Materials and properties
- G02F2202/02—Materials and properties organic material
- G02F2202/022—Materials and properties organic material polymeric
- G02F2202/023—Materials and properties organic material polymeric curable
Abstract
(57)【要約】
【目的】 コントラストの良好な液晶表示装置。
【構成】 一方の透明基板上に透明な絵素電極がマトリ
ックス状に形成されて絵素電極層とされ、その上に配向
膜が形成されて駆動素子側基板とされ、他方の透明基板
上に透明電極および配向膜がこの順に形成されて対向側
基板とされ、さらに、前記駆動素子側基板および対向側
基板を対向され、これら基板間に光硬化性高分子前駆体
とその重合開始剤および液晶の混合物が介在されてなる
液晶表示装置において、駆動素子側基板の外部からの光
照射により、絵素電極が形成されていない部分の混合物
が選択的に光重合、硬化されて、この部分の高分子成分
の割合が多くされ、絵素電極の周囲で、かつ透明基板と
絵素電極層または絵素電極層および配向膜のいずれかの
層間に遮光層が設けられていることを特徴とする液晶表
示装置。
ックス状に形成されて絵素電極層とされ、その上に配向
膜が形成されて駆動素子側基板とされ、他方の透明基板
上に透明電極および配向膜がこの順に形成されて対向側
基板とされ、さらに、前記駆動素子側基板および対向側
基板を対向され、これら基板間に光硬化性高分子前駆体
とその重合開始剤および液晶の混合物が介在されてなる
液晶表示装置において、駆動素子側基板の外部からの光
照射により、絵素電極が形成されていない部分の混合物
が選択的に光重合、硬化されて、この部分の高分子成分
の割合が多くされ、絵素電極の周囲で、かつ透明基板と
絵素電極層または絵素電極層および配向膜のいずれかの
層間に遮光層が設けられていることを特徴とする液晶表
示装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置に関す
る。さらに詳しくは高分子で仕切られた液晶胞を有する
ツイストネマティック（ＴＮ）、複屈折制御方式（ＥＣ
Ｂ）、強誘電性液晶および光散乱を用いた表示モードを
利用し、遮光層を有する液晶表示装置に関する。
る。さらに詳しくは高分子で仕切られた液晶胞を有する
ツイストネマティック（ＴＮ）、複屈折制御方式（ＥＣ
Ｂ）、強誘電性液晶および光散乱を用いた表示モードを
利用し、遮光層を有する液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、液晶を利用した表示素子として多
くのモードが提案され利用されている。例えば、電気光
学効果を利用した表示素子としてネマティック液晶を用
いたＴＮ型や、ＳＴＮ（スーパーネマティック）型のも
のが実用化されている。また、強誘電性液晶を用いた表
示モードも提案されている。一方、偏光板を要さず液晶
の散乱を利用したものとしては、動的散乱（ＤＳ）効果
および相転移（ＰＣ）効果がある。また、配向処理を不
要とし、透明または白濁状態を電気的にコントロールす
る方法で、高分子分散方式が提案されている。この方法
は、基本的には電圧を印加して液晶の配向が揃うときに
は液晶分子の常光屈折率と支持媒体（高分子）の屈折率
とを一致させ透明状態を表示し、電圧無印加時には、液
晶分子の配向の乱れによる光散乱状態を利用して表示す
るものである。
くのモードが提案され利用されている。例えば、電気光
学効果を利用した表示素子としてネマティック液晶を用
いたＴＮ型や、ＳＴＮ（スーパーネマティック）型のも
のが実用化されている。また、強誘電性液晶を用いた表
示モードも提案されている。一方、偏光板を要さず液晶
の散乱を利用したものとしては、動的散乱（ＤＳ）効果
および相転移（ＰＣ）効果がある。また、配向処理を不
要とし、透明または白濁状態を電気的にコントロールす
る方法で、高分子分散方式が提案されている。この方法
は、基本的には電圧を印加して液晶の配向が揃うときに
は液晶分子の常光屈折率と支持媒体（高分子）の屈折率
とを一致させ透明状態を表示し、電圧無印加時には、液
晶分子の配向の乱れによる光散乱状態を利用して表示す
るものである。
【０００３】最近、この分散方式において、分散状態を
作成する技術として、特開昭６１−５０２１２８等に液
晶と光又は熱硬化性樹脂を混合し樹脂を硬化することに
より液晶を析出させ、樹脂中に液晶滴を形成させる方法
が開示している。また平３−７２３１７に精密なコント
ロールはできないものの、液晶滴径の制御方法が開示さ
れている。
作成する技術として、特開昭６１−５０２１２８等に液
晶と光又は熱硬化性樹脂を混合し樹脂を硬化することに
より液晶を析出させ、樹脂中に液晶滴を形成させる方法
が開示している。また平３−７２３１７に精密なコント
ロールはできないものの、液晶滴径の制御方法が開示さ
れている。
【０００４】また、フォトマスクを使用して表示素子の
表示エリアを限定した分散方式の特許が特開平２−１５
３３３１８に開示されている。この発明においては、フ
ォトマスクで各液晶ドロップレットの形状の制御をおこ
なったものではなく、電極に電圧を印加しながら硬化さ
せた透明部とそれ以外の未硬化部を分離し、フォトマス
クを除去した後、未硬化部を硬化させ散乱部とし、作成
後電界を加えることによりフォトマスクどおりに散乱し
ていた部分が透明になるという複雑な工程をもちいてい
る。このように上記に述べた分散型液晶の様々なプロセ
スが提案されている。
表示エリアを限定した分散方式の特許が特開平２−１５
３３３１８に開示されている。この発明においては、フ
ォトマスクで各液晶ドロップレットの形状の制御をおこ
なったものではなく、電極に電圧を印加しながら硬化さ
せた透明部とそれ以外の未硬化部を分離し、フォトマス
クを除去した後、未硬化部を硬化させ散乱部とし、作成
後電界を加えることによりフォトマスクどおりに散乱し
ていた部分が透明になるという複雑な工程をもちいてい
る。このように上記に述べた分散型液晶の様々なプロセ
スが提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記に示した液晶−高
分子前駆体の混合系を選択的に光照射する方式において
も、表示部（液晶比の多い部分）と絵素部の境目におい
て、ディスクリネーションや配向の乱れが生じやすく、
均一特性、高コントラストの確保がむずかしい等の欠点
が生じていた。またフォトマスクで非表示部に光を露光
する場合、フォトマスクの精度・位置合わせの精度によ
り、数μ程度絵素へ高分子の壁が侵入したりしなかった
りするため、表示開口部の大きさが、均一性に欠けるな
どの問題が発生した。
分子前駆体の混合系を選択的に光照射する方式において
も、表示部（液晶比の多い部分）と絵素部の境目におい
て、ディスクリネーションや配向の乱れが生じやすく、
均一特性、高コントラストの確保がむずかしい等の欠点
が生じていた。またフォトマスクで非表示部に光を露光
する場合、フォトマスクの精度・位置合わせの精度によ
り、数μ程度絵素へ高分子の壁が侵入したりしなかった
りするため、表示開口部の大きさが、均一性に欠けるな
どの問題が発生した。
【０００６】とくに強誘電性液晶素子では、従来より、
耐衝撃性を改善する必要性から、配向処理した基板材料
にフォトリソグラフィーを利用して高分子壁を作成して
セルを作成し、液晶材料を注入する方法が特開昭５９−
２０１０２１で開示されているが、レジスト塗布、パタ
ーニング、エッチングという長いプロセスとなり、また
液晶の注入に時間がかかる等の欠点があった。
耐衝撃性を改善する必要性から、配向処理した基板材料
にフォトリソグラフィーを利用して高分子壁を作成して
セルを作成し、液晶材料を注入する方法が特開昭５９−
２０１０２１で開示されているが、レジスト塗布、パタ
ーニング、エッチングという長いプロセスとなり、また
液晶の注入に時間がかかる等の欠点があった。
【０００７】さらに、散乱系を除く、界面規制力を必要
とするＴＮ液晶や強誘電性液晶表示素子においては、高
分子領域と液晶領域の境目で若干の配向に乱れが生ずる
ために、応答速度が遅くなったり、コントラストが低下
するなどの問題点が生じた。またフォトマスクを絵素形
状に合わせて露光するため、マスクの精度や位置合わせ
精度等の影響で絵素の開口部の面積にばらつきが発生す
る等の問題点も生じた。
とするＴＮ液晶や強誘電性液晶表示素子においては、高
分子領域と液晶領域の境目で若干の配向に乱れが生ずる
ために、応答速度が遅くなったり、コントラストが低下
するなどの問題点が生じた。またフォトマスクを絵素形
状に合わせて露光するため、マスクの精度や位置合わせ
精度等の影響で絵素の開口部の面積にばらつきが発生す
る等の問題点も生じた。
【０００８】
【課題を解決するための手段】かくしてこの発明によれ
ば、一方の透明基板上に透明な絵素電極がマトリックス
状に形成されて絵素電極層とされ、その上に配向膜が形
成されて駆動素子側基板とされ、他方の透明基板上に透
明電極および配向膜がこの順に形成されて対向側基板と
され、さらに、前記駆動素子側基板および対向側基板を
対向され、これら基板間に光硬化性高分子前駆体とその
重合開始剤および液晶の混合物が介在されてなる液晶表
示装置において、駆動素子側基板の外部からの光照射に
より、絵素電極が形成されていない部分の混合物中の光
硬化性高分子前駆体が選択的に光重合、硬化されて、こ
の部分の高分子成分の割合が多くされ、絵素電極の周囲
で、かつ透明基板と絵素電極層または絵素電極層および
配向膜のいずれかの層間に遮光層が設けられていること
を特徴とする液晶表示装置が提供される。
ば、一方の透明基板上に透明な絵素電極がマトリックス
状に形成されて絵素電極層とされ、その上に配向膜が形
成されて駆動素子側基板とされ、他方の透明基板上に透
明電極および配向膜がこの順に形成されて対向側基板と
され、さらに、前記駆動素子側基板および対向側基板を
対向され、これら基板間に光硬化性高分子前駆体とその
重合開始剤および液晶の混合物が介在されてなる液晶表
示装置において、駆動素子側基板の外部からの光照射に
より、絵素電極が形成されていない部分の混合物中の光
硬化性高分子前駆体が選択的に光重合、硬化されて、こ
の部分の高分子成分の割合が多くされ、絵素電極の周囲
で、かつ透明基板と絵素電極層または絵素電極層および
配向膜のいずれかの層間に遮光層が設けられていること
を特徴とする液晶表示装置が提供される。
【０００９】この発明の基板は透光性の絶縁性基板が用
いられ、通常ガラス基板が使われる。一方の絶縁性基板
の上にはそれぞれＩｎＯ3,ＳｎＯ2,ＩＴＯ（Indium Tin
Oxide）などの透明な導電性薄膜の複数の線状パターン
が形成されて走査電極とされ、この走査電極に直交する
ように複数の線状パターンが形成されて信号電極とされ
る。この走査電極と信号電極の交点に、マトリックス状
に絵素電極が形成されて、絵素電極層とされる。
いられ、通常ガラス基板が使われる。一方の絶縁性基板
の上にはそれぞれＩｎＯ3,ＳｎＯ2,ＩＴＯ（Indium Tin
Oxide）などの透明な導電性薄膜の複数の線状パターン
が形成されて走査電極とされ、この走査電極に直交する
ように複数の線状パターンが形成されて信号電極とされ
る。この走査電極と信号電極の交点に、マトリックス状
に絵素電極が形成されて、絵素電極層とされる。
【００１０】他方の透光性の絶縁性基板上に、前記のＩ
ｎＯ3,ＳｎＯ2,ＩＴＯなどの透明な導電性薄膜が形成さ
れて対向電極とされる。これら絵素電極層および対向電
極の上に、任意に絶縁性膜が形成される。この絶縁性膜
は例えば、ＳｉＯ2,ＳｉＮｘ，Ａｌ2Ｏ3などの無機系薄
膜、ポリイミド、フォトレジスト樹脂、高分子液晶など
の有機系薄膜などを用いることができる。絶縁性膜が無
機系薄膜の場合には蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ（Chem
ical Vapor Deposition)法、あるいは溶液塗布法などに
よって形成される。また、絶縁性膜が有機系薄膜の場合
には有機物質を溶かした溶液またはその前駆体溶液が用
いられて、スピンナー塗布法、浸せき塗布法、スクリー
ン印刷法、ロール塗布法、などで塗布され、所定の硬化
条件（加熱、光照射など）で硬化されて形成される方
法、あるいは蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法などで形成
されたり、ＬＢ（Langumuir-Blodgett）法などで形成さ
れる。
ｎＯ3,ＳｎＯ2,ＩＴＯなどの透明な導電性薄膜が形成さ
れて対向電極とされる。これら絵素電極層および対向電
極の上に、任意に絶縁性膜が形成される。この絶縁性膜
は例えば、ＳｉＯ2,ＳｉＮｘ，Ａｌ2Ｏ3などの無機系薄
膜、ポリイミド、フォトレジスト樹脂、高分子液晶など
の有機系薄膜などを用いることができる。絶縁性膜が無
機系薄膜の場合には蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ（Chem
ical Vapor Deposition)法、あるいは溶液塗布法などに
よって形成される。また、絶縁性膜が有機系薄膜の場合
には有機物質を溶かした溶液またはその前駆体溶液が用
いられて、スピンナー塗布法、浸せき塗布法、スクリー
ン印刷法、ロール塗布法、などで塗布され、所定の硬化
条件（加熱、光照射など）で硬化されて形成される方
法、あるいは蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法などで形成
されたり、ＬＢ（Langumuir-Blodgett）法などで形成さ
れる。
【００１１】これら絵素電極層および対向電極または任
意に形成された絶縁性膜の上に、配向膜が形成される。
配向膜には無機系の層を用いられる場合と有機系の層を
用いられる場合とがある。有機系の配向膜が用いられる
場合、ナイロン、ポリビニルアルコール、ポリイミド等
を用いることができ、通常この上をラビングされる。ま
た、無機系の配向膜が用いられる場合、よく用いられる
方法としてはＳｉＯ2,ＳｉＮｘなどの斜め蒸着がある。
ＳｉＯ2,ＳｉＮｘなどを蒸着し、その上をラビングする
方法も可能である。
意に形成された絶縁性膜の上に、配向膜が形成される。
配向膜には無機系の層を用いられる場合と有機系の層を
用いられる場合とがある。有機系の配向膜が用いられる
場合、ナイロン、ポリビニルアルコール、ポリイミド等
を用いることができ、通常この上をラビングされる。ま
た、無機系の配向膜が用いられる場合、よく用いられる
方法としてはＳｉＯ2,ＳｉＮｘなどの斜め蒸着がある。
ＳｉＯ2,ＳｉＮｘなどを蒸着し、その上をラビングする
方法も可能である。
【００１２】本発明特に強誘電性液晶表示素子の場合で
は、配向膜が形成された後、ラビング処理が施されるわ
けであるが、パラレルラビング法（一対の基板の両方に
ラビング処理が施されラビング方向が同一になるように
貼り合わせる方法）、アンチパラレルラビング法（一対
の基板の両方にラビング処理が施されラビング方向が逆
になるように貼り合わせる方法）のいずれの配向法も用
いられる。
は、配向膜が形成された後、ラビング処理が施されるわ
けであるが、パラレルラビング法（一対の基板の両方に
ラビング処理が施されラビング方向が同一になるように
貼り合わせる方法）、アンチパラレルラビング法（一対
の基板の両方にラビング処理が施されラビング方向が逆
になるように貼り合わせる方法）のいずれの配向法も用
いられる。
【００１３】かくして、絵素電極を形成した駆動素子側
基板および対向電極側基板を作製され、この駆動素子側
基板および対向側基板を対向させた後、これら基板間に
光硬化性高分子前駆体とその重合開始剤および液晶の混
合物が真空注入法などで注入されたり、基板へ印刷など
で塗布した後、貼り合わせるなどにより液晶が介在させ
られる。
基板および対向電極側基板を作製され、この駆動素子側
基板および対向側基板を対向させた後、これら基板間に
光硬化性高分子前駆体とその重合開始剤および液晶の混
合物が真空注入法などで注入されたり、基板へ印刷など
で塗布した後、貼り合わせるなどにより液晶が介在させ
られる。
【００１４】本発明で使用する高分子前駆体（モノマ
ー、オリゴマーなど）は、最終的に液晶滴を支える高分
子壁を形成する物質である。使用される材料は、光硬化
性の樹脂又は高分子物質である。光硬化性樹脂として
は、アクリル系あるいはメタクリル系の材料を用いら
れ、例えば、Ｃ３以上の長鎖アルキル基またはベンゼン
環を有するアクリル酸及びアクリル酸エステル、さらに
具体的には、アクリル酸イソブチル、アクリル酸ステア
リル、アクリル酸ラウリル、アクリル酸イソアミル、ｎ
−ブチルメタクリレート、ｎ−ラウリルメタクリレー
ト、トリデシルメタクリレート、２−エチルヘキシルア
クリレート、ｎ−ステアリルメタアクリレート、シクロ
ヘキシルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、２
−フェノキシエチルメタクリレート、イソボルニルアク
リレート、イソボルニルメタクリレート、さらに高分子
の物理的強度を高めるために２官能以上の多官能性樹
脂、例えば、ビスフェノールＡジメタクリレート、ビス
フェノールＡジアクリレート、１，４−ブタンジオール
ジメタクリレート、１，６−ヘキサンジオールメタクリ
レート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、
トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチ
ロールメタンテトラアクリレート、さらにより好ましく
は、これらのモノマーはハロゲン化とくに塩素化、及び
フッ素化した樹脂、例えば、２，２，３，４，４，４−
ヘキサフロロブチルメタクリレート、２，２，３，４，
４，４−ヘキサクロロブチルメタクリレート、２，２，
３，３−テトラフロロプロピルメタクリレート２，２，
３，３−テトラフロロプロピルメタクリレート、パーフ
ロロオクチルエチルメタクリレート、パークロロオクチ
ルエチルメタクリレート、パーフロロオクチルエチルア
クリレート、パークロロオクチルエチルアクリレートで
ある。これらモノマーは、単独で使用しても良いが２種
以上混合しても良い。また、これらのモノマーに、必要
に応じて塩素化及びフッ素化されたポリマーやオリゴマ
ーを混合して使用してもいい。
ー、オリゴマーなど）は、最終的に液晶滴を支える高分
子壁を形成する物質である。使用される材料は、光硬化
性の樹脂又は高分子物質である。光硬化性樹脂として
は、アクリル系あるいはメタクリル系の材料を用いら
れ、例えば、Ｃ３以上の長鎖アルキル基またはベンゼン
環を有するアクリル酸及びアクリル酸エステル、さらに
具体的には、アクリル酸イソブチル、アクリル酸ステア
リル、アクリル酸ラウリル、アクリル酸イソアミル、ｎ
−ブチルメタクリレート、ｎ−ラウリルメタクリレー
ト、トリデシルメタクリレート、２−エチルヘキシルア
クリレート、ｎ−ステアリルメタアクリレート、シクロ
ヘキシルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、２
−フェノキシエチルメタクリレート、イソボルニルアク
リレート、イソボルニルメタクリレート、さらに高分子
の物理的強度を高めるために２官能以上の多官能性樹
脂、例えば、ビスフェノールＡジメタクリレート、ビス
フェノールＡジアクリレート、１，４−ブタンジオール
ジメタクリレート、１，６−ヘキサンジオールメタクリ
レート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、
トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチ
ロールメタンテトラアクリレート、さらにより好ましく
は、これらのモノマーはハロゲン化とくに塩素化、及び
フッ素化した樹脂、例えば、２，２，３，４，４，４−
ヘキサフロロブチルメタクリレート、２，２，３，４，
４，４−ヘキサクロロブチルメタクリレート、２，２，
３，３−テトラフロロプロピルメタクリレート２，２，
３，３−テトラフロロプロピルメタクリレート、パーフ
ロロオクチルエチルメタクリレート、パークロロオクチ
ルエチルメタクリレート、パーフロロオクチルエチルア
クリレート、パークロロオクチルエチルアクリレートで
ある。これらモノマーは、単独で使用しても良いが２種
以上混合しても良い。また、これらのモノマーに、必要
に応じて塩素化及びフッ素化されたポリマーやオリゴマ
ーを混合して使用してもいい。
【００１５】開始剤（又は触媒）としては、光開始剤の
場合、イルガクレ（Irugacure)１８４，６５１，９０
７、ダクロクレ（Darocure）１１７３，１１１６，２９
５９などが使用できる。液晶については、常温付近で液
晶状態をとる有機物混合体であって、ネマチック液晶、
コレステリック液晶、もしくはスメクチック液晶、強誘
電性液晶、デスコチィック液晶などが含まれる。これら
の液晶は、混合しても良く、特にネマチック液晶もしく
は、コレステリック液晶の添加されたネマチック液晶、
強誘電性液晶が特性上好ましい。更に好ましくは、加工
時に光重合反応を伴うため耐化学反応性に優れた液晶が
好ましい。具体的には、化合物中、フッ素原子などの官
能基を有する液晶等が好ましく、具体的な液晶として
は、ＺＬＩ−４８０１−０００，ＺＬＩ−４８０１−０
０１，ＺＬＩ−４７９２（いずれもメルク社製）などが
挙げられる。
場合、イルガクレ（Irugacure)１８４，６５１，９０
７、ダクロクレ（Darocure）１１７３，１１１６，２９
５９などが使用できる。液晶については、常温付近で液
晶状態をとる有機物混合体であって、ネマチック液晶、
コレステリック液晶、もしくはスメクチック液晶、強誘
電性液晶、デスコチィック液晶などが含まれる。これら
の液晶は、混合しても良く、特にネマチック液晶もしく
は、コレステリック液晶の添加されたネマチック液晶、
強誘電性液晶が特性上好ましい。更に好ましくは、加工
時に光重合反応を伴うため耐化学反応性に優れた液晶が
好ましい。具体的には、化合物中、フッ素原子などの官
能基を有する液晶等が好ましく、具体的な液晶として
は、ＺＬＩ−４８０１−０００，ＺＬＩ−４８０１−０
０１，ＺＬＩ−４７９２（いずれもメルク社製）などが
挙げられる。
【００１６】駆動素子側基板の外部から、前記混合物が
光重合するような選択的波長の平行光を基板面に約垂直
になるように照射する。光照射の方法としては、レーザ
ーなどの一本の光をラインスキャンさせる方法、フォト
マスクを用いて大面積を一度に露光する方法等がある。
使用する光源は可視光及び紫外光領域の波長を有する光
源、具体的には水銀ランプ、ナトリウムランプ、メタル
ハライドランプなどがある。
光重合するような選択的波長の平行光を基板面に約垂直
になるように照射する。光照射の方法としては、レーザ
ーなどの一本の光をラインスキャンさせる方法、フォト
マスクを用いて大面積を一度に露光する方法等がある。
使用する光源は可視光及び紫外光領域の波長を有する光
源、具体的には水銀ランプ、ナトリウムランプ、メタル
ハライドランプなどがある。
【００１７】上記液晶材料と光硬化型高分子前駆体の混
合比率や、光を照射する条件、光の遮光部と非遮光部と
の割合、ＵＶ光の強度、光硬化触媒の添加濃度、反応時
の温度等の諸条件により、高分子と液晶の分離の程度が
異なる。樹脂と液晶の比率をおよそ８：２程度の成分比
において、３分から３０分程度かけて、ゆっくりと光反
応させることで、液晶と高分子の相分離を促進させてみ
たところ、一軸配向処理した基板で従来無秩序にしか並
ばなかった液晶の配向が、基板の配向処理に従ったもの
となった。これは、第一に液晶成分が多いため（７０％
以上、好ましくは９０〜７５％）、混合物を注入した時
点で若干の配向性が確保できたこと、第二に比較的液晶
成分が多い系の中で、高分子の重合反応が局所的にゆっ
くり進められたため、反応箇所の周囲の高分子モノマー
が濃度拡散の効果になり、十分反応箇所に集められたこ
と、第三に液晶と高分子自身の分離性を引き出したこと
が原因していると考えられる。その結果、光重合しない
部分の液晶成分の濃度が高くなったと考えられる。
合比率や、光を照射する条件、光の遮光部と非遮光部と
の割合、ＵＶ光の強度、光硬化触媒の添加濃度、反応時
の温度等の諸条件により、高分子と液晶の分離の程度が
異なる。樹脂と液晶の比率をおよそ８：２程度の成分比
において、３分から３０分程度かけて、ゆっくりと光反
応させることで、液晶と高分子の相分離を促進させてみ
たところ、一軸配向処理した基板で従来無秩序にしか並
ばなかった液晶の配向が、基板の配向処理に従ったもの
となった。これは、第一に液晶成分が多いため（７０％
以上、好ましくは９０〜７５％）、混合物を注入した時
点で若干の配向性が確保できたこと、第二に比較的液晶
成分が多い系の中で、高分子の重合反応が局所的にゆっ
くり進められたため、反応箇所の周囲の高分子モノマー
が濃度拡散の効果になり、十分反応箇所に集められたこ
と、第三に液晶と高分子自身の分離性を引き出したこと
が原因していると考えられる。その結果、光重合しない
部分の液晶成分の濃度が高くなったと考えられる。
【００１８】従ってこの条件で相分離すると、各絵素を
液晶成分で占有させ、残りの非表示部に高分子成分を集
中させることによって、従来の液晶素子と同様の性能を
高分子液晶混合系でも得ることができるようになり、従
来の液晶の種々のモードがこの系においてそのまま適用
できる。ついで、遮光層が絵素電極の周囲で、かつ透明
基板と絵素電極層または絵素電極層と配向層のいずれか
の層間に設けられる。
液晶成分で占有させ、残りの非表示部に高分子成分を集
中させることによって、従来の液晶素子と同様の性能を
高分子液晶混合系でも得ることができるようになり、従
来の液晶の種々のモードがこの系においてそのまま適用
できる。ついで、遮光層が絵素電極の周囲で、かつ透明
基板と絵素電極層または絵素電極層と配向層のいずれか
の層間に設けられる。
【００１９】透明と絵素電極層の間に遮光層が設けられ
る場合は、透明基板の上に、遮光層が通常の方法、例え
ばスパッタ法およびエッチング法によって所定の形状、
厚さおよび巾に形成される。遮光層は絵素電極の周囲に
対応するように設けられる。遮光層の形状、厚さおよび
巾のマスクパターンは、絵素電極の周囲を遮光するもの
であればよく、特に限定されないが例えば、図４、５に
示したものが、好適に利用される。この遮光層の上に、
絵素電極層および配向膜がそれぞれ前記方法に従って設
けられる。
る場合は、透明基板の上に、遮光層が通常の方法、例え
ばスパッタ法およびエッチング法によって所定の形状、
厚さおよび巾に形成される。遮光層は絵素電極の周囲に
対応するように設けられる。遮光層の形状、厚さおよび
巾のマスクパターンは、絵素電極の周囲を遮光するもの
であればよく、特に限定されないが例えば、図４、５に
示したものが、好適に利用される。この遮光層の上に、
絵素電極層および配向膜がそれぞれ前記方法に従って設
けられる。
【００２０】絵素電極層と配向膜の間に遮光層が設けら
れる場合は、前記方法によって透明電極と絵素電極ある
いは透明電極と絵素電極と絶縁層が設けられた後、遮光
層が設けられる。この場合の作製方法およびマスクパタ
ーンは前記のものと同様であるが、遮光層は形成された
絵素電極の周囲に対応するよう設けられる。さらに、遮
光層の上に、前記方法により配向膜が形成される。
れる場合は、前記方法によって透明電極と絵素電極ある
いは透明電極と絵素電極と絶縁層が設けられた後、遮光
層が設けられる。この場合の作製方法およびマスクパタ
ーンは前記のものと同様であるが、遮光層は形成された
絵素電極の周囲に対応するよう設けられる。さらに、遮
光層の上に、前記方法により配向膜が形成される。
【００２１】遮光層の材質はＭｏ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔａ、
ＮｉおよびＮｂなどの金属箔や有機の着色材などが挙げ
られる。このうちＭｏが好ましい。この遮光層は、例え
ば１６０μｍ間隔にマトリックス状に並べられた絵素電
極の周囲で、絵素電極が形成されていない部分に、１０
〜２５μｍ程度の巾で設けられる。その厚さは、金属箔
の場合は、５０〜５００ｎｍ程度、有機の着色材の場合
は約２μｍが好ましい。有機の着色材の場合は、その厚
さは遮光効果が十分でないため厚い必要があり、しかも
光重合時に高分子モノマーが光照射部への拡散、移動を
妨害しないよう、パネルの液晶相の半分以下にする必要
がある。
ＮｉおよびＮｂなどの金属箔や有機の着色材などが挙げ
られる。このうちＭｏが好ましい。この遮光層は、例え
ば１６０μｍ間隔にマトリックス状に並べられた絵素電
極の周囲で、絵素電極が形成されていない部分に、１０
〜２５μｍ程度の巾で設けられる。その厚さは、金属箔
の場合は、５０〜５００ｎｍ程度、有機の着色材の場合
は約２μｍが好ましい。有機の着色材の場合は、その厚
さは遮光効果が十分でないため厚い必要があり、しかも
光重合時に高分子モノマーが光照射部への拡散、移動を
妨害しないよう、パネルの液晶相の半分以下にする必要
がある。
【００２２】更に、必要に応じて、このセルの上下に偏
光軸をほぼ直交させた偏光板を配置させ、偏光板の一方
の偏光軸をセルの液晶のどちらか一方の光軸にほぼ一致
させて液晶表示装置とする。
光軸をほぼ直交させた偏光板を配置させ、偏光板の一方
の偏光軸をセルの液晶のどちらか一方の光軸にほぼ一致
させて液晶表示装置とする。
【００２３】
実施例１ 図１に構成図を示す。フリントガラス基板１（日本板ガ
ラス（株）、１．１mm厚、）上にＩＴＯ電極２（酸化イ
ンジュウムおよび酸化スズの混合物、２０００オングス
トローム厚さ）をストライプ状（電極幅１０５μｍ、電
極間１５μｍ、電極数１０００×１０００）に形成し、
その上に金属の遮光層３をＩＴＯ上にモリブデンをスパ
ッター法により３５００オングストローム形成した後、
フォトエッチング法で目的とするパターンに成型した、
さらにその上に絶縁膜としてＳｉＯ膜４を１０００オン
グストローム形成し、配向膜塗料５であるポリイミド
（ＳＥ−１５０：日産化学（株））をスピンコートで塗
布し、熱硬化後、一方向にナイロン布を用いてラビング
処理を行った。上記処理を行った２枚の基板の電極が互
いに直交しかつ、ラビング方向が平行になるように組み
合わせ、２μｍのスペーサー６（触媒化成製、真球）を
介して周辺部をエポキシ樹脂７にて貼り合わせた後、真
空注入法を用いて、液晶８高分子前駆体９の混合液を温
度をかけながら注入し、注入後樹脂１０で注入口を封止
してセルを構成した。
ラス（株）、１．１mm厚、）上にＩＴＯ電極２（酸化イ
ンジュウムおよび酸化スズの混合物、２０００オングス
トローム厚さ）をストライプ状（電極幅１０５μｍ、電
極間１５μｍ、電極数１０００×１０００）に形成し、
その上に金属の遮光層３をＩＴＯ上にモリブデンをスパ
ッター法により３５００オングストローム形成した後、
フォトエッチング法で目的とするパターンに成型した、
さらにその上に絶縁膜としてＳｉＯ膜４を１０００オン
グストローム形成し、配向膜塗料５であるポリイミド
（ＳＥ−１５０：日産化学（株））をスピンコートで塗
布し、熱硬化後、一方向にナイロン布を用いてラビング
処理を行った。上記処理を行った２枚の基板の電極が互
いに直交しかつ、ラビング方向が平行になるように組み
合わせ、２μｍのスペーサー６（触媒化成製、真球）を
介して周辺部をエポキシ樹脂７にて貼り合わせた後、真
空注入法を用いて、液晶８高分子前駆体９の混合液を温
度をかけながら注入し、注入後樹脂１０で注入口を封止
してセルを構成した。
【００２４】ここで用いた液晶（ＬＣ：Ｌｉｑｕｉｄ
Ｃｒｙｓｔａｌ）は、メルク社製ＺＬＩ−４２３７000
カイラルスメクチックＣ相をもつ強誘電性液晶で、これ
にラウリルアクリレート（ＬＡ）とシクロヘキシメタク
リレート（ＣＨＭＡ）を混合した。混合比は、ＬＣ：Ｌ
Ａ：ＣＨＭＡが８０：１９：１であった。また重合開始
材としては、メルク社製のIrugacure ６５１を０．４％
添加した、前記セルを図２および３に示すようにフォト
マスク１１を介して紫外の平行光線１２を使って露光し
た。露光時の液晶セルの温度は１００℃で液晶と高分子
前駆体が相分離せず、均一に混合している状態で露光を
行った。またこの時の露光時間は２０分であった。マス
クでの露光した後、セルを室温まで冷却し、さらにセル
内の未反応物を無くすため、全面をさらに１０分間露光
し液晶素子を得た。露光後は図３に示すように液晶部分
と光重合した高分子部分にほぼ明確に分離した液晶パネ
ルが得られた。ここで使用したマスクパターンは図４に
示すように、上下のＩＴＯ電極の交差部分（絵素部分）
の周辺を遮光するように設計した、この際、遮光するた
めの金属電極（本実施例ではＭｏ金属箔で、厚さ約１５
μｍ）のパターン形状は、図５に示すように幾種類かの
組み合わせが考えられるが、光が当たって形成された高
分子部と絵素の部分の間を遮光できれば、その形状は特
に限定しない。また、図６に示すように絵素部分のマス
クの遮光パターンと絵素を囲むように形成された金属電
極に重なりを持たせて遮光マスクを設計し、マスクとパ
ネルとの位置合わせ時に発生するずれを吸収できるよう
にした。このようにして形成された強誘電性液晶パネル
は、表示部においては絵素毎に高分子の壁に囲まれた構
造となり、非常に衝撃に対して強く、５kg／cm2 の圧力
に対しても配向の乱れは発生しなかった。また絵素内の
液晶の配向性は、ラビング方向に並び、表示可能な配向
が得られた。また金属電極で遮光された部分と、フォト
マスクで遮光された部分以外（光照射部）の非絵素部分
では、高分子が形成された。またこの素子に正負どちら
か一方のスイッチング電圧を印加して液晶分子の光軸を
一方に揃えた後、偏光軸を直交させた偏光板の間に挟ん
だところ、高分子形成部分では、パネルの位置を変えて
も光漏れが殆どなかった。さらに、最も光の漏れが少な
い位置に素子を設定し、表示素子とした。この表示素子
に光軸を切り替えるパルスを印加し、ＯＮ、ＯＦＦでの
コントラスト比を測定したところ、電極周辺部の配向の
乱れが金属部で覆い隠されたため、コントラスト比が、
遮光層がなかった時の値１０に比べ、約５０に上昇し
た。
Ｃｒｙｓｔａｌ）は、メルク社製ＺＬＩ−４２３７000
カイラルスメクチックＣ相をもつ強誘電性液晶で、これ
にラウリルアクリレート（ＬＡ）とシクロヘキシメタク
リレート（ＣＨＭＡ）を混合した。混合比は、ＬＣ：Ｌ
Ａ：ＣＨＭＡが８０：１９：１であった。また重合開始
材としては、メルク社製のIrugacure ６５１を０．４％
添加した、前記セルを図２および３に示すようにフォト
マスク１１を介して紫外の平行光線１２を使って露光し
た。露光時の液晶セルの温度は１００℃で液晶と高分子
前駆体が相分離せず、均一に混合している状態で露光を
行った。またこの時の露光時間は２０分であった。マス
クでの露光した後、セルを室温まで冷却し、さらにセル
内の未反応物を無くすため、全面をさらに１０分間露光
し液晶素子を得た。露光後は図３に示すように液晶部分
と光重合した高分子部分にほぼ明確に分離した液晶パネ
ルが得られた。ここで使用したマスクパターンは図４に
示すように、上下のＩＴＯ電極の交差部分（絵素部分）
の周辺を遮光するように設計した、この際、遮光するた
めの金属電極（本実施例ではＭｏ金属箔で、厚さ約１５
μｍ）のパターン形状は、図５に示すように幾種類かの
組み合わせが考えられるが、光が当たって形成された高
分子部と絵素の部分の間を遮光できれば、その形状は特
に限定しない。また、図６に示すように絵素部分のマス
クの遮光パターンと絵素を囲むように形成された金属電
極に重なりを持たせて遮光マスクを設計し、マスクとパ
ネルとの位置合わせ時に発生するずれを吸収できるよう
にした。このようにして形成された強誘電性液晶パネル
は、表示部においては絵素毎に高分子の壁に囲まれた構
造となり、非常に衝撃に対して強く、５kg／cm2 の圧力
に対しても配向の乱れは発生しなかった。また絵素内の
液晶の配向性は、ラビング方向に並び、表示可能な配向
が得られた。また金属電極で遮光された部分と、フォト
マスクで遮光された部分以外（光照射部）の非絵素部分
では、高分子が形成された。またこの素子に正負どちら
か一方のスイッチング電圧を印加して液晶分子の光軸を
一方に揃えた後、偏光軸を直交させた偏光板の間に挟ん
だところ、高分子形成部分では、パネルの位置を変えて
も光漏れが殆どなかった。さらに、最も光の漏れが少な
い位置に素子を設定し、表示素子とした。この表示素子
に光軸を切り替えるパルスを印加し、ＯＮ、ＯＦＦでの
コントラスト比を測定したところ、電極周辺部の配向の
乱れが金属部で覆い隠されたため、コントラスト比が、
遮光層がなかった時の値１０に比べ、約５０に上昇し
た。
【００２５】また本実施例では液晶の表示モードを強誘
電性の液晶表示に限定したが、ネマティック液晶を用い
た、ＴＮ，ＳＴＮ，ＧＨ，散乱モード等にも同様に適用
される。また本実施例において記載した、光照度、温
度、高分子と液晶のブレンド比、等の条件は必ずこれに
限られることはなく、材料によって硬化条件は適性に設
定する必要がある。アクリル系材料に比べメタアクリル
系の材料は、硬化速度は一般に遅くなる傾向があり、光
の照射時間を長くする必要がある。また光照射時の温度
は液晶と高分子モノマーとの相分離が起こりにくい等方
相の状態がよく、本実施例の強誘電性液晶を使ったもの
も、等方相である温度で光照射を行った。
電性の液晶表示に限定したが、ネマティック液晶を用い
た、ＴＮ，ＳＴＮ，ＧＨ，散乱モード等にも同様に適用
される。また本実施例において記載した、光照度、温
度、高分子と液晶のブレンド比、等の条件は必ずこれに
限られることはなく、材料によって硬化条件は適性に設
定する必要がある。アクリル系材料に比べメタアクリル
系の材料は、硬化速度は一般に遅くなる傾向があり、光
の照射時間を長くする必要がある。また光照射時の温度
は液晶と高分子モノマーとの相分離が起こりにくい等方
相の状態がよく、本実施例の強誘電性液晶を使ったもの
も、等方相である温度で光照射を行った。
【００２６】また遮光に用いる金属はタンタル、クロ
ム、モリブデン、アルミ等少なくとも遮光機能があれば
何でも良く、またその形状は、絵素をほぼ囲むように形
成されておれば良い。対向側の基板においては、金属電
極がなくても構わない。またパネルの大型化による必要
性から遮光層と電極の低抵抗化を兼ねるように配置して
も構わない。また金属の形成順序は、特になく透明電極
形成前に形成しても構わない。
ム、モリブデン、アルミ等少なくとも遮光機能があれば
何でも良く、またその形状は、絵素をほぼ囲むように形
成されておれば良い。対向側の基板においては、金属電
極がなくても構わない。またパネルの大型化による必要
性から遮光層と電極の低抵抗化を兼ねるように配置して
も構わない。また金属の形成順序は、特になく透明電極
形成前に形成しても構わない。
【００２７】
【発明の効果】本発明では、高分子分散型で用いられて
いるように、液晶−光・熱硬化型高分子前駆体混合系を
パネル外部からの光・熱により、分散系を作るものでは
なく、光重合をフォトマスクを用いて重合場所をコント
ロールし、更にゆっくりとした、重合反応をおこすこと
で、液晶相と高分子相を広い範囲で（絵素程度のサイ
ズ）ほぼ完全に分離することが目的で、高分子領域は絵
素周辺に、液晶相は絵素部に分布するよう形成したとこ
ろ、高分子液晶の分離が進むにつれ、基板に付与した配
向処理効果も発現し、従来の、ＴＮや強誘電性液晶表示
素子などの特性をほぼ損なわずに適用することが可能に
なった。この方式をもちいると、絵素が高分子に囲ま
れ、液晶の移動がなくなること、さらには上下基板間を
高分子壁が接着させる作用が合わさり、強固なパネルを
得ることが可能となった。また、パネル内の液晶は、光
硬化した樹脂のため外部に漏れ出すことがなくなるため
従来のように周辺をエポキシなどの樹脂で囲んでから液
晶を真空注入するという工程を必ずしも必要としなくて
よく、脱泡処理した液晶・高分子前駆体の混合液塗布
後、プレスして液晶部の厚みをコントロールした後、光
照射で液晶を囲い込むことが可能となった。
いるように、液晶−光・熱硬化型高分子前駆体混合系を
パネル外部からの光・熱により、分散系を作るものでは
なく、光重合をフォトマスクを用いて重合場所をコント
ロールし、更にゆっくりとした、重合反応をおこすこと
で、液晶相と高分子相を広い範囲で（絵素程度のサイ
ズ）ほぼ完全に分離することが目的で、高分子領域は絵
素周辺に、液晶相は絵素部に分布するよう形成したとこ
ろ、高分子液晶の分離が進むにつれ、基板に付与した配
向処理効果も発現し、従来の、ＴＮや強誘電性液晶表示
素子などの特性をほぼ損なわずに適用することが可能に
なった。この方式をもちいると、絵素が高分子に囲ま
れ、液晶の移動がなくなること、さらには上下基板間を
高分子壁が接着させる作用が合わさり、強固なパネルを
得ることが可能となった。また、パネル内の液晶は、光
硬化した樹脂のため外部に漏れ出すことがなくなるため
従来のように周辺をエポキシなどの樹脂で囲んでから液
晶を真空注入するという工程を必ずしも必要としなくて
よく、脱泡処理した液晶・高分子前駆体の混合液塗布
後、プレスして液晶部の厚みをコントロールした後、光
照射で液晶を囲い込むことが可能となった。
【００２８】さらにこの製法を強誘電性液晶で適用すれ
ば上下基板に接続した高分子壁が規則的に作成すること
ができ、液晶成分は、絵素に集中させ、ほぼ従来の特性
を維持することができる。またセル内は高分子壁で仕切
られることになり、セル厚を大画面で維持できるととも
に、液晶の移動がなくなり、強誘電性液晶の致命的欠陥
であった耐衝撃性を解消することもできるようになっ
た。また、ネマティック液晶をもちいた散乱型の表示素
子においては、高分子−液晶の界面の起こる散乱が極端
に低下し、かつ液晶ドロップレットが絵素を占有するた
め、高コントラスト比と低電圧駆動が可能になった。
ば上下基板に接続した高分子壁が規則的に作成すること
ができ、液晶成分は、絵素に集中させ、ほぼ従来の特性
を維持することができる。またセル内は高分子壁で仕切
られることになり、セル厚を大画面で維持できるととも
に、液晶の移動がなくなり、強誘電性液晶の致命的欠陥
であった耐衝撃性を解消することもできるようになっ
た。また、ネマティック液晶をもちいた散乱型の表示素
子においては、高分子−液晶の界面の起こる散乱が極端
に低下し、かつ液晶ドロップレットが絵素を占有するた
め、高コントラスト比と低電圧駆動が可能になった。
【００２９】また、ＴＮ液晶や強誘電性液晶表示装置の
ような界面規制力を必要とする系においては、高分子領
域と液晶領域に若干の配向乱れが生ずるが、本発明にお
いては、この乱の生じている部分を遮光する手段をパネ
ル内部に形成することで、問題点を解決した。
ような界面規制力を必要とする系においては、高分子領
域と液晶領域に若干の配向乱れが生ずるが、本発明にお
いては、この乱の生じている部分を遮光する手段をパネ
ル内部に形成することで、問題点を解決した。
【図面の簡単な説明】
【図１】液晶表示装置の構成概略図である。
【図２】光重合をおこさせる時の概略図である。
【図３】光重合をおこさせる時の概略図である。
【図４】遮光層の概略形状である。
【図５】遮光層の概略形状である。
【図６】遮光層の概略形状である。
１−ａ，１−ｂ 基板 ２−ａ，２−ｂ 電極 ３ 金属遮光膜 ４ 絶縁膜 ５ 配向膜 ６ スペーサー ７ シール樹脂 ８ 液晶分子 ９ 高分子前駆体（モノマー） １０ 封止樹脂 １１ フォトマスク １２ 紫外線 １３ （光硬化後の）高分子
Claims (4)
- 【請求項１】 一方の透明基板上に透明な絵素電極がマ
トリックス状に形成されて絵素電極層とされ、その上に
配向膜が形成されて駆動素子側基板とされ、他方の透明
基板上に透明電極および配向膜がこの順に形成されて対
向側基板とされ、さらに、前記駆動素子側基板および対
向側基板を対向され、これら基板間に光硬化性高分子前
駆体とその重合開始剤および液晶の混合物が介在されて
なる液晶表示装置において、 基板の外部からの光照射により、絵素電極が形成されて
いない部分の前記混合物中の光硬化性高分子前駆体が選
択的に光重合、硬化されて、この部分の高分子成分の割
合が多くされ、 絵素電極の周囲で、かつ透明基板と絵素電極層または絵
素電極層および配向膜のいずれかの層間に遮光層が設け
られていることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 遮光層がＭｏ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｎ
ｉ、Ｎｂからなる群より選ばれた金属からなることを特
徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 遮光層が５０〜５００ｎｍの厚さである
請求項１に記載の液晶装置。 - 【請求項４】 遮光層が１０〜２５μｍの巾である請求
項１に記載の液晶装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5134347A JPH06347765A (ja) | 1993-06-04 | 1993-06-04 | 液晶表示装置 |
| US08/688,553 US5781259A (en) | 1993-06-04 | 1996-07-30 | Liquid crystal display apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5134347A JPH06347765A (ja) | 1993-06-04 | 1993-06-04 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06347765A true JPH06347765A (ja) | 1994-12-22 |
Family
ID=15126240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5134347A Pending JPH06347765A (ja) | 1993-06-04 | 1993-06-04 | 液晶表示装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5781259A (ja) |
| JP (1) | JPH06347765A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5644371A (en) * | 1994-07-25 | 1997-07-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method for producing the same |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW392087B (en) * | 1997-03-10 | 2000-06-01 | Canon Kk | A liquid crystal display apparatus, a liquid crystal projector using the same, and a method of manufacturing the liquid crystal display apparatus |
| JP4100529B2 (ja) * | 1998-12-05 | 2008-06-11 | 大日本印刷株式会社 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| US7298445B1 (en) | 2003-06-23 | 2007-11-20 | Research Foundation Of The University Of Central Florida | Fast response liquid crystal mode |
| US7244627B2 (en) * | 2003-08-25 | 2007-07-17 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Method for fabricating liquid crystal display device |
| EP1955105A4 (en) * | 2005-12-02 | 2009-12-02 | Softpixel Inc | PROCESS FOR THE PRODUCTION OF MICRO-PIXEL LIQUID CRYSTAL DISPLAY |
| US7369204B1 (en) | 2006-07-21 | 2008-05-06 | Research Foundation Of The University Of Central Florida | Fast response liquid crystal mode |
| EP3029519B1 (en) * | 2014-12-02 | 2018-03-07 | LG Display Co., Ltd. | Light controlling apparatus and method of fabricating the same |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS608808B2 (ja) * | 1982-07-27 | 1985-03-06 | 株式会社大月産業 | 雛壇 |
| WO1985004262A1 (en) * | 1984-03-19 | 1985-09-26 | Kent State University | Light modulating material comprising a liquid crystal dispersion in a synthetic resin matrix |
| JPH0750381B2 (ja) * | 1984-12-20 | 1995-05-31 | キヤノン株式会社 | カラー液晶表示装置 |
| JPS6254227A (ja) * | 1985-09-02 | 1987-03-09 | Victor Co Of Japan Ltd | 液晶セル |
| JPH0814666B2 (ja) * | 1987-03-16 | 1996-02-14 | 株式会社小糸製作所 | カラ−表示液晶表示装置 |
| JPS63237032A (ja) * | 1987-03-26 | 1988-10-03 | Nec Corp | 液晶表示装置 |
| US4938568A (en) * | 1988-01-05 | 1990-07-03 | Hughes Aircraft Company | Polymer dispersed liquid crystal film devices, and method of forming the same |
| JP2660565B2 (ja) * | 1988-12-06 | 1997-10-08 | タキロン株式会社 | 模様入り調光材及びその製造方法 |
| JPH0322221U (ja) * | 1989-07-14 | 1991-03-07 | ||
| JPH0372317A (ja) * | 1989-08-14 | 1991-03-27 | I C I Japan Kk | 液晶表示素子及び装置 |
| JP2601932B2 (ja) * | 1990-04-13 | 1997-04-23 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| JPH0460517A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-02-26 | Fujitsu Ltd | 液晶表示素子 |
| JP2673739B2 (ja) * | 1990-07-31 | 1997-11-05 | キヤノン株式会社 | 液晶素子 |
| JPH04136916A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-11 | Seikosha Co Ltd | 液晶パネルおよび液晶パネルの製造方法 |
| JP2648988B2 (ja) * | 1991-07-03 | 1997-09-03 | 富士写真フイルム株式会社 | 液晶パネル用スペーサーの形成方法 |
| JP2974520B2 (ja) * | 1991-10-25 | 1999-11-10 | キヤノン株式会社 | 電極基板及び液晶素子 |
| KR100231082B1 (ko) * | 1991-12-09 | 1999-11-15 | 요트. 게이.아. 롤페즈 | 액정 재료를 포함하는 표시 장치 및 그 제조방법 |
| US5473450A (en) * | 1992-04-28 | 1995-12-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device with a polymer between liquid crystal regions |
-
1993
- 1993-06-04 JP JP5134347A patent/JPH06347765A/ja active Pending
-
1996
- 1996-07-30 US US08/688,553 patent/US5781259A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5644371A (en) * | 1994-07-25 | 1997-07-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method for producing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5781259A (en) | 1998-07-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5995190A (en) | Axisymmetrically oriented liquid crystal display device with concave portion defined by the second derivative | |
| JP3178773B2 (ja) | 液晶表示素子及びその製造方法 | |
| KR100211010B1 (ko) | 액정표시소자 및 그 제조방법 | |
| KR0151758B1 (ko) | 액정표시조사 및 그 제조방법 | |
| US5729312A (en) | LCD and method for producing the same in which a larger number of substrate gap control materials is larger in the polymer walls than in the liquid crystal regions | |
| JP3267844B2 (ja) | 液晶素子およびその製造方法 | |
| JP2930496B2 (ja) | 液晶表示素子及びその製造方法 | |
| US6184959B1 (en) | Liquid crystal display device having alignment film that provides alignment upon irradiation and manufacturing method the same | |
| JPH07152024A (ja) | 液晶表示素子 | |
| US5535026A (en) | Liquid crystal display device with a polymer between liquid crystal regions made by a heating and cooling process | |
| KR100269679B1 (ko) | 액정 표시 소자 및 그의 제조 방법 | |
| JPH06186533A (ja) | 強誘電性液晶表示素子及びその製造方法 | |
| JP2001083529A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JPH06347765A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH06160824A (ja) | 高分子分散型液晶表示素子およびその製造方法 | |
| JP3092896B2 (ja) | 液晶表示素子及びその製造方法 | |
| JP2894905B2 (ja) | 液晶素子およびその製造方法 | |
| JP3100521B2 (ja) | 液晶表示素子 | |
| JP3349946B2 (ja) | 液晶表示装置および液晶装置、並びにこれらの製造方法 | |
| JP3092899B2 (ja) | 液晶表示素子およびその製造方法 | |
| JP3059030B2 (ja) | 液晶表示素子及びその製造方法 | |
| JP3054005B2 (ja) | 液晶表示素子及びその製造方法 | |
| JP3418353B2 (ja) | 樹脂・液晶形成体とこれを用いた液晶表示装置並びにこれらの製造方法 | |
| JP2823774B2 (ja) | 液晶表示素子及びその製造方法 | |
| JP3205502B2 (ja) | 液晶表示装置 |