JPH07333647A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ＴＦＴ駆動による高分子分散型液晶を用いる
液晶表示装置にて、液晶セル中の高分子分散型液晶の光
硬化を容易且つ均一に行う。 【構成】 画素電極１１６を有する第１の電極基板１０
１側から光入射して画像表示を行うようにし、従来、対
向電極２０３を有する第２の電極基板２０１側に設けら
れていた遮光層に代えて、第１の電極基板側に遮光層と
して第１遮光膜１０３を設ける一方、第２の電極基板２
０１側に反射防止膜２０４を設ける。これにより、高分
子分散型液晶の光硬化時、第２の電極基板２０１より紫
外線光を均一に照射でき良好な光硬化を行えると共に、
光リーク電流の発生をより確実に防止し、画質を向上す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、薄膜トランジスタ（以
下ＴＦＴと略称する。）を供えた液晶表示装置に掛か
り、特に光散乱型の液晶を使用した液晶表示装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、高機能、高精細を得るため、ＴＦ
Ｔを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置の実用
化が図られ、これ等液晶表示装置の内、特に、偏光板が
不要であるため明るさを確保出来る事から、光散乱型の
液晶である高分子分散型液晶を用いた液晶表示装置の開
発が行われている。

【０００３】この様な高分子分散型液晶は例えば、特開
昭６１−５０２１２８号公報あるいは特開昭６２−２２
３１号公報等に開示されている。

【０００４】しかしながら一般にアクティブマトリクス
型液晶表示装置では、画素電極基板側にて、一画素にそ
れぞれ一つの画素ＴＦＴの他に、画素電位保持容量を形
成するための画素電位保持容量線を設けなければなら
ず、特に高分子分散型液晶にあっては、比抵抗が小さい
事から画素電位保持容量線の面積を大きくする必要があ
り、画素電極側の開口率が低下されている。

【０００５】又一方、液晶表示装置にあっては、従来、
図５に示すように対向電極基板３０側に画素電極基板側
のＴＦＴ、信号線、走査線、画素電極３２と信号線や走
査線との間を遮光するための遮光層３４を設けるが、入
射光強度が高く、しかも液晶層間にて入射光が散乱され
る高分子分散型液晶表示装置にあっては、対向電極基板
側に遮光層を設けても、液晶層間で散乱された光がＴＦ
Ｔに入射され光リーク電流を生じる可能性があるため、
更に画素電極基板側にてもＴＦＴ上方に遮光層を形成す
る必要を生じている。

【０００６】そして従来、対向電極基板の遮光層は、遮
光部分と液晶層を介して対向されるため、遮光部分との
位置合わせが難しく、確実に遮光を行うためには、合わ
せマージンを考慮し、遮光層を多少大きめに形成する必
要があり、対向電極基板側の開口率を低下する原因とな
っている。

【０００７】即ちＴＦＴを用いた従来の液晶表示装置に
あっては、画素電極基板及び対向電極基板の各遮蔽部分
を除くと、その画像形成に寄与出来る部分の開口率は３
０％程度以下と非常に小さくなってしまうという問題を
有していた。

【０００８】しかも上述の様に対向電極基板側及び画素
電極基板側にてＴＦＴ上に遮光層を設けても、光を透過
させないゲート電極が最下部に形成される非晶質シリコ
ンＴＦＴにあっては、下側からの光に対して光感度が低
く、光リーク電流の発生が、上から光入射した場合の１
／１０程度と少ないものの、ゲート電極が上置のコプラ
ナー型である多結晶シリコンＴＦＴにあっては、ＴＦＴ
の下側からの入射光に対する光感度が高く、反射光がＴ
ＦＴ下側から入射されると、比較的大きい光リーク電流
を発生してしまい、クロストークやシェーディングの発
生が増大され、コントラスト比が低下され、画質に悪影
響を及ぼすという問題も有していた。

【０００９】一方、高分子分散型液晶にあっては、その
製造時に、液晶セル中に液晶化合物と光硬化性化合物を
混合した溶液を封入した後、液晶セル外方より紫外線光
を照射して液晶を光硬化させるという紫外線液晶硬化技
術により、液晶を相分離し、液晶に光散乱能を生じさせ
ている。

【００１０】しかしながら、この高分子分散型液晶の光
硬化時、画素電極基板側から紫外線光等のエネルギー線
を照射しようとすると、画素電極基板上に形成されるＴ
ＦＴ及び画素電位保持容量線によりその照射が妨げられ
る一方、対向電極基板側から紫外線光を照射しようとす
ると、対向電極基板に設けられる遮光層によりその照射
が妨げられるという様に、画素電極基板側及び対向電極
基板側のいずれからも紫外線光の照射が妨げられる部分
を生じ、その部分における液晶の光硬化が不十分とな
り、高分子分散型液晶の光散乱能が低下される事から、
画像特性が不均一となり、良好な画像表示特性が得られ
ず、高精細且つコントラスト比が高い高性能な液晶表示
装置の実用化が困難になるという問題を生じていた。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】ＴＦＴにより駆動を行
う高分子分散型液晶を用いた液晶表示装置にあっては、
製造時に、液晶セル中の高分子樹脂を硬化する際、画素
電極基板側には、ＴＦＴ及び画素電位保持容量線があ
り、エネルギー線光の照射が妨げられる一方、対向電極
基板側には、遮光層がありエネルギー線光の照射が妨げ
られる事から、均一な硬化を行えず、高分子分散型液晶
の光散乱能が低下され、表示特性が劣化され、液晶表示
装置の高性能化が不可能とされていた。

【００１２】そこで本発明は上記課題を除去するもの
で、ＴＦＴを搭載し高分子分散型液晶を用いるにもかか
わらず、液晶セル中の高分子分散型液晶にエネルギー線
光を均一に照射出来る事から、液晶を均一に硬化出来、
光散乱能の増大を図り、明るく且つ均一で良好な画像表
示特性を得る事ができる液晶表示装置を提供する事を目
的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、二次元マトリクス状に形成される画素電極
及びこの画素電極毎に設けられる薄膜トランジスタを有
する第１の電極基板と、対向電極を有する第２の電極基
板と、前記第１の電極基板及び前記第２の電極基板の間
に封入される光散乱型の液晶とを具備し、前記第１の電
極基板側より入射される光を前記第２の電極基板側に透
過する液晶表示装置において、前記第１の電極基板の前
記液晶と接する面と相対する基板外側及び前記薄膜トラ
ンジスタの間に介在され、前記基板外側より照射される
光が前記薄膜トランジスタに入射されるの防止する遮光
層と、前記第２の電極基板に設けられ前記第１の電極基
板より前記第２の電極基板に入射される光が前記薄膜ト
ランジスタ方向に反射されるのを防止する反射防止層と
を設けるものである。

【００１４】

【作用】本発明によれば、ＴＦＴへの光入射を防止する
遮光層を、対向電極を有する第２の電極基板側では無
く、ＴＦＴを有する第１の電極基板側に設け、第１の電
極基板側から第２の電極基板側に光を透過する様にし、
従来第２の電極基板に設けられていた遮光層を、第２の
電極基板では無く第１の電極基板に設け、第２の電極基
板から遮光層を無くす事により、高分子樹脂を硬化させ
る事による高分子分散型液晶の形成時、第２の電極基板
側からエネルギー線光を照射すれば、エネルギー線光は
遮られる事無く液晶層全面に照射されるので、液晶セル
中の高分子分散型液晶は均一且つ充分に光硬化され、充
分な光散乱能を保持できる。

【００１５】更に第２の電極基板側にはＴＦＴ側への光
反射を防止する反射防止層が設けられている事から、第
２の電極基板と空気との屈折率差により光出射界面にて
反射光が発生されるのを防止出来、反射光による光リー
ク電流の発生も防止出来る。従って、ＴＦＴ使用の高分
子分散型液晶にて、明るく且つ均一でコントラスト比の
良い良好な画像表示を容易に得る事が出来るものであ
る。

【００１６】

【実施例】以下、本発明の第１の実施例を図１及び図２
を参照して説明する。

【００１７】１０は、多結晶シリコンＴＦＴを用いた駆
動回路一体型の高分子分散型の液晶表示装置であり、図
２に示す様に一対の電極基板１０１、２０１間に保護膜
１２０、２２０を介して高分子分散型の液晶層１５０が
保持されている。

【００１８】第１の電極基板１０１の、透明な第１のガ
ラス基板１０２上には、遮光層としてクロム［Ｃｒ］か
らなる第１遮光膜１０３が配置され、第１遮光膜１０３
は第１絶縁膜１０４で被覆されている。

【００１９】そして第１絶縁膜１０４上には複数本の信
号線１０６と走査線１０７とがマトリクス状に配置さ
れ、各交点部分にＴＦＴ１７０が配置されている。

【００２０】このＴＦＴ１７０にあっては、第１絶縁膜
１０４上にチャネル領域１０８Ｃ、ソース領域１０８
Ｓ、ドレイン領域１０８Ｄ、不純物イオン濃度の低い第
１電界緩和領域１０８ＳＳ、第２電界緩和領域１０８Ｄ
Ｄからなる多結晶シリコン膜１０８が設けられている。

【００２１】そしてチャネル領域１０８Ｃ上には、第２
絶縁膜１１０を介して後述する走査線１０７と一対のゲ
ート電極１０７Ｇが配置され、更に多結晶シリコン膜１
０８上には、第２絶縁膜１１０を介してゲート電極１０
７Ｇと同一工程で形成された画素電位保持容量線１１１
が設けられ、多結晶シリコン膜１０８と画素電位保持容
量線１１１との間で画素電位保持容量が形成されてい
る。

【００２２】更にこの上に第３絶縁膜１１２が配置さ
れ、第１のコンタクトホール１１３を介してドレイン領
域１０８Ｄと信号線１０６とが接続され、又第２のコン
タクトホール１１４を介してＩｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏ
ｘｉｄｅ（以下ＩＴＯと省略する。）からなる画素電極
１１６とソース領域１０８Ｓとが接続されている。

【００２３】尚本実施例における第１の電極基板１０１
は、図１に示す様に２本の走査線１０７が１組として近
接配置され、走査線１０７を介する事無く、信号線１０
６に沿って隣り合う画素電極１１６に共通な画素電位保
持容量線１１１が設けられている。これにより、画素電
位保持容量線１１１数を低減出来、又ＴＦＴ１７０と信
号線１０６との第１のコンタクトホール１１３が、近接
配置されたＴＦＴ１７０に関しては共通化されているた
め、第１のコンタクトホール１１３の数も低減出来、液
晶表示装置１０の開口率を高く保持するものである。

【００２４】一方、第２の電極基板２０１は、透明な第
２のガラス基板２０２上にＩＴＯからなる対向電極２０
３及び保護膜２２０を配置すると共に、光の出射界面と
なる第２のガラス基板２０２の対向電極２０３と相対す
る面には誘電体層からなる反射防止層２０４を有してい
る。

【００２５】そしてこの様に形成された第１及び第２の
電極基板１０１、２０１を常法に従って対向して組み立
て、セル化し、両電極基板１０１、２０１間に高分子樹
脂と液晶材料との混合物を注入し、封止する。

【００２６】次いで第２の電極基板２０１側から前述の
混合物に紫外線光を照射し、高分子樹脂を光硬化させる
事により相分離を生じさせて液晶層１５０を保持した液
晶表示装置１０を完成する。

【００２７】但しこの時第２の電極基板２０１側には、
紫外線光を遮るものが無い事から、紫外線光は、液晶層
１５０全面に均一に照射される事となる。

【００２８】この様にして形成した液晶表示装置１０で
は、ＴＦＴ１７０を有する第１の電極基板１０１側より
光を入射し、第２の電極基板２０１側に出射して所望の
画像表示を得る事となる。

【００２９】この様に構成すれば、第２の電極基板２０
１側には光の入射を遮る遮光層が無いので、液晶表示装
置１０の製造における液晶層１５０の光硬化による作成
時、液晶層１５０は、第２の電極基板２０１側からの紫
外線光によりその全面を均一に照射されるので、混合物
の高分子樹脂は充分且つ均一に光硬化され、良好な光散
乱能を保持する液晶層１５０を構成でき、明るく且つ均
一で良好な画像表示を得る事が可能となる。

【００３０】更に光の入射側である第１の電極基板１０
１の第１のガラス基板１０２と多結晶シリコン膜１０８
との間には、第１遮光膜１０３が設けられているので、
ＴＦＴ１７０下側からの光入射が確実に遮光され、光リ
ーク電流を生じる惧れが無い。 尚、画像表示時、第１
の電極基板１０１側からの入射光が液晶層１５０中で散
乱されたとしても、通常、散乱光はその進行方向に向か
い、進行方向に対し後方に散乱される光成分は少ないの
で、この進行方向に対し後方に散乱される光が、ＴＦＴ
上方に入射される惧れが小さく加えて、図１、図２から
分かるようにＴＦＴの上方に信号線が配置されている
為、信号線が遮光層の役目を果たし、ＴＦＴ上方からの
光入射による光リーク電流は許容できる範囲となる。従
って従来の第２の電極基板に遮光層を設けた場合の様
に、更に第１の電極基板１０１側にてもＴＦＴ上方に更
に遮光層を設けるという必要が無く、ひいては生産性向
上更にはコストの低減を可能とする。

【００３１】又第１遮光膜１０３は従来に比し各遮光部
分との合わせマージンが不要であり、その面積を必要最
少限に設定したとしても各遮光部分への光入射を確実に
防止出来、光リーク電流を生じる事がなく、コントラス
ト比の高い良好な画像を得る事が出来、しかも第１の電
極基板１０１の開口率の向上を図る事も可能となる。第
１遮光膜１０３の変位は、画素電位保持容量の変位もし
くはグランド電位等に設定している事が望ましく、一
方、第１遮光膜１０３は、信号線１０６と画素電極１１
６との間隙の下に第１絶縁膜１０４を介して設けられて
おり、信号線１０６と画素電極１１６間のカップリング
容量の低減も可能である。

【００３２】更に第２の電極基板２０１の光出射界面に
は反射防止層２０４が設けられているので、第２のガラ
ス基板２０２と空気との屈折率差により生じる４％程度
の反射にもかかわらず、出射光が出射界面で液晶層１５
０側に反射される惧れがなく、屈折率差により生じる反
射光による光リーク電流の発生を防止出来、画像表示を
良好に保持出来る。 そしてこの様な液晶表示装置１０
を用いる事により、十分な明るさを有し、均一でしかも
コントラスト比の良いプロジェクタ等の表示装置の実現
が可能となる。 次に本発明の第２の実施例を図３及び
図４を参照して説明する。３１０は、非晶質シリコンＴ
ＦＴを用いた投射型の駆動回路一体型の高分子分散型液
晶表示装置であり、図４に示す様に一対の電極基板４０
１、５０１間に保護膜４２０、５２０を介して高分子分
散型の液晶層４５０が保持されている。

【００３３】第１の電極基板４０１の、透明な第１のガ
ラス基板４０２上には、遮光層であるクロム［Ｃｒ］製
の第１遮光膜４０３更には、第１絶縁膜４０４が成膜さ
れている。

【００３４】そして第１絶縁膜４０４上には、モリブデ
ン［Ｍｏ］とアルミニウム［Ａｌ］との積層膜からなる
複数本の信号線４０６と、モリブデン［Ｍｏ］−タング
ステン［Ｔａ］合金からなる複数本の走査線４０７とが
マトリクス状に配置され、信号線４０６と、一部がゲー
ト電極４０７Ｇとされる走査線４０７とによって囲まれ
る各領域にＩＴＯからなる画素電極４１６が配置され、
画素電極４１６と信号線４０６及び走査線４０７はＴＦ
Ｔ４７０を介して接続されている。

【００３５】このＴＦＴ４７０にあっては、一部ゲート
電極の走査線４０７上に酸化シリコン［ＳｉＯ₂ ］と窒
化シリコン［ＳｉＮ₂ ］との積層膜からなる第２絶縁膜
４１７を介して非晶質シリコン［ａ−Ｓｉ］膜４０８が
設けられている。

【００３６】そして非晶質シリコン膜４０８と画素電極
４１６とは、ソース電極４１０により接続され、非晶質
シリコン膜４０８と信号線４０６とは、信号線４０６と
一体に形成されたドレイン電極４０６Ｄにより接続され
ている。更にソース電極４１０と非晶質シリコン膜４０
８、ドレイン電極４０６Ｄと非晶質シリコン膜４０８と
の間には、それぞれ良好なオ−ミックコンタクトを得る
ため、リン［Ｐ］が添加されたｎ+ 型の低抵抗半導体膜
４１１が配置されている。尚このＴＦＴ４７０のチャネ
ル長は、走査線４０７をマスクとした裏面露光によりパ
ターニングされたチャネル保護膜４１２により決定され
ている。

【００３７】又第１の電極基板４０１上には、走査線４
０７と同一材料であり、走査線４０７とほぼ平行な画素
電位保持容量線４１３が配置され、この画素電位保持容
量線４１３と画素電極４１６との間で画素電位保持容量
が形成されている。

【００３８】更にＴＦＴ４７０及び画素電極４１６上に
は保護膜４２０が成膜されている。一方、第２の電極基
板５０１は、透明な第２のガラス基板５０２上に、ＩＴ
Ｏからなる対向電極５０３、及び保護膜５２０が成膜さ
れると共に、光の出射界面となる第２のガラス基板５０
２の対向電極５０３と対向する面には、誘電体層からな
る反射防止層５０４を有している。

【００３９】そしてこの様にして第１の電極基板４０１
及び第２の電極基板５０１を形成した後、第１の実施例
と同様にして、常法に従って、両電極基板４０１、５０
１をセル化し、両電極基板４０１、５０１間に高分子樹
脂と液晶材料との混合物を注入し、封止する。

【００４０】次いで第２の電極基板５０１側から前述の
混合物に紫外線光を照射し、相分離を生じさせ液晶層４
５０を保持した液晶表示装置３１０を完成する。

【００４１】但しこの時第２の電極基板５０１側には、
紫外線光を遮るものが無い事から、第１の実施例と同
様、紫外線光は、液晶層４５０全面に均一に照射される
事となる。

【００４２】この様にして形成した液晶表示装置３１０
では、ＴＦＴ４７０を有する第１の電極基板４０１側よ
り光を入射し、第２の電極基板５０１側に出射して所望
の画像表示を得る事となる。

【００４３】この様に構成すれば、第２の電極基板５０
１側には光の入射を遮る遮光層が無いので、第１の実施
例と同様、液晶表示装置１０の製造における高分子樹脂
の光硬化時、液晶層４５０は、紫外線光によりその全面
を均一に照射され、充分且つ均一に光硬化が成されるの
で、良好な光散乱能を保持する事となり、明るく且つ均
一で良好な画像表示を得る事が可能となる。

【００４４】更に光の入射側である第１の電極基板４０
１の第１のガラス基板４０２と多結晶シリコン膜４０８
との間には、第１遮光膜４０３が設けられているので、
ＴＦＴ４７０下側からの光入射が確実に遮光され、光リ
ーク電流を生じる惧れが無い。 尚、第１の実施例と同
様、画像表示時、液晶層４５０中で散乱された光が、Ｔ
ＦＴ上方に入射される惧れがほとんど無いので、従来の
第２の電極基板に遮光層を設けた場合の様に、更に第１
の電極基板１０１側にてもＴＦＴ上方に更に遮光層を設
けるという必要が無く、ひいては生産性向上更にはコス
トの低減を可能とする。

【００４５】又第１遮光膜４０３は従来に比し各遮光部
分との合わせマージンが不要でありその面積を必要最少
限に設定したとしても各遮光部分への光入射を確実に防
止出来、光リーク電流を生じる事がなく、コントラスト
比の高い良好な画像を得る事が出来、しかも第１の電極
基板４０１の開口率の向上を図る事も可能となる。

【００４６】第１遮光膜４０３の変位は、画素電位保持
容量の変位もしくはグランド電位等に設定している事が
望ましく、一方、第１遮光膜４０３は、信号線４０６と
画素電極４１６との間隙の下に第１絶縁膜４０４を介し
て設けられており、信号線４０６と画素電極４１６間の
カップリング容量の低減も可能である。

【００４７】又、第２の電極基板５０１の光出射界面に
は反射防止層５０４が設けられているので、出射光が出
射界面で液晶層１５０側に反射される惧れがなく、反射
光による光リーク電流の発生を防止出来、画像表示を良
好に保持出来るそしてこの様な液晶表示装置１０を用い
る事により、十分な明るさを有し、均一でしかもコント
ラスト比の良いプロジェクタ等の表示装置の実現が可能
となる。 尚本発明は上記実施例に限られるものでな
く、その趣旨を変えない範囲での変更は可能であって、
例えば第２の電極基板側に設ける反射防止層は、第２の
電極基板と空気との界面のみならず、液晶層と第２の電
極基板との屈折率差により生じる反射光を防止するため
に、この界面にも設ける等しても良い。

【００４８】又、ＴＦＴ上部からの光入射を防止する遮
光層も、ＴＦＴ下側の遮光層に加え、液晶層に面する側
にてＴＦＴ上のみを遮光する遮光層を設ける様にしても
良い。遮光層としては、金属層でも又、黒色レジスト等
の有機層でも、Ｓｉ−Ｇｅ、カーボン膜等の半導体層で
も良い。絶縁性もしくは半絶縁性のものは島状パターン
の遮光層形成が可能という点で有利である。

【００４９】この様にすれば、液晶層で散乱された反射
光が、ＴＦＴに照射され光リーク電流が発生されるのを
より確実に防止出来、より良好な画像表示を得られる。

【００５０】また反射防止層の材質は、透光性を有し反
射防止機能を有するものであれば限定されるものでは無
く、誘電体膜では無く有機層でも良い。更に第２の電極
基板の出射界面に反射防止層を有するガラスもしくはプ
ラスチック等の透明部材を張り合わせても良い事はいう
までもない。

【００５１】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、Ｔ
ＦＴ及び画素電極等を有する第１の電極基板側から対向
電極を有する第２の電極基板側に光を入射して画像表示
を行う事により、第２の電極基板に設けられていた遮光
層に代わり、第１の電極基板に遮光層を設ける事が可能
となり、第２の電極基板上の遮光層を除去出来る。

【００５２】従って、第２の電極基板側には、光の照射
を遮る遮光層が無くなり、液晶表示装置の製造におい
て、高分子分散型液晶を形成する際、第２の電極基板側
からエネルギー線光を均一且つ充分に照射する事が出
来、良好に相分離された高分子分散型液晶が得られ、十
分な光散乱能を容易に得ることができ、明るく且つ均一
で良好な画像表示を得ることが出来る。

【００５３】しかも画像表示時にあっては、第１の電極
基板側にてＴＦＴの下側に設けられる遮光層によりＴＦ
Ｔ下側からの光入射を確実に遮蔽する事により光リーク
電流を防止出来ると共に、第２の電極基板に設けられる
反射防止層により光出射界面での反射光を防止する事に
より、ＴＦＴ上方からの光入射による光リーク電流も防
止出来る事から、コントラスト比の高い良好な画像を得
られる。

【００５４】更に、遮光層をＴＦＴ等の被遮光部分と同
一の基板内に形成する事から、従来の様に遮光層のサイ
ズを合わせマージンを考慮して設定する必要が無く、遮
光層を必要最少限のサイズとする事が出来、ひいては、
開口率の向上も図れる。

【００５５】従って、従来高画質を得ることが困難とさ
れていたＴＦＴ駆動の高分子分散型液晶を用いた液晶表
示装置の高性能化を容易に実現可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例の液晶表示装置の第１の
電極基板を示す概略平面図である。

【図２】本発明の第１の実施例の液晶表示装置の図１に
おけるＡ−Ａ´線に沿って切断された概略断面図であ
る。

【図３】本発明の第２の実施例の液晶表示装置の第１の
電極基板を示す概略平面図である。

【図４】本発明の第２の実施例の液晶表示装置の図３に
おけるＢ−Ｂ´線に沿って切断された概略断面図であ
る。

【図５】従来の液晶表示装置の第２の電極基板の遮光層
を示す概略平面図である。

【符号の説明】

１０…液晶表示装置 １０１…第１の電極基板 １０３…第１遮光層 １１６…画素電極 １５０…液晶層 １７０…ＴＦＴ ２０１…第２の電極基板 ２０４…反射防止層

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 二次元マトリクス状に形成される画素電
   極及びこの画素電極毎に設けられる薄膜トランジスタを
   有する第１の電極基板と、対向電極を有する第２の電極
   基板と、前記第１の電極基板及び前記第２の電極基板の
   間に封入される光散乱型の液晶とを具備し、前記第１の
   電極基板側より入射される光を前記第２の電極基板側に
   透過する液晶表示装置において、前記第１の電極基板の
   前記液晶と接する面と相対する基板外側及び前記薄膜ト
   ランジスタの間に介在され、前記基板外側より照射され
   る光が前記薄膜トランジスタに入射されるの防止する遮
   光層と、前記第２の電極基板に設けられ前記第１の電極
   基板より前記第２の電極基板に入射される光が前記薄膜
   トランジスタ方向に反射されるのを防止する反射防止層
   とを具備する事を特徴とする液晶表示装置。