JP2011091385A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (7)

1. インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体層であり、
   結晶系でもなく非晶質系でもないインキュベーション状態を有する前記酸化物半導体層をチャネル形成領域として有する薄膜トランジスタを有する半導体装置。
2. 絶縁表面上にゲート電極層と、
   前記ゲート電極層上方の第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上方の、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上方のソース電極層またはドレイン電極層と、を有し、
   前記酸化物半導体層のうち、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層と重ならない第１の領域は、結晶系でもなく非晶質系でもないインキュベーション状態を有することを特徴とする半導体装置。
3. 絶縁表面上方のゲート電極層と、
   前記ゲート電極層上方の第１の絶縁層と、
   前記第１の絶縁層上方の、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上方のソース電極層またはドレイン電極層と、
   前記ソース電極層または前記ドレイン電極層を覆う第２の絶縁層とを有し、
   前記酸化物半導体層は、前記ソース電極層または前記ドレイン電極層と重なる第１の領域と、前記第１の領域とは異なる第２の領域とを有し、
   前記第２の領域における前記酸化物半導体層の膜厚は、前記第１の領域における前記酸化物半導体層の膜厚よりも薄く、
   前記第２の絶縁層は、前記酸化物半導体層の前記第２の領域と接し、
   前記酸化物半導体層の前記第２の領域は、結晶系でもなく非晶質系でもないインキュベーション状態を有することを特徴とする半導体装置。
4. 請求項２において、
   前記ソース電極層または前記ドレイン電極層を覆う第２の絶縁層を有し、
   前記第２の絶縁層は前記酸化物半導体層の前記第１の領域と接していることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項３または請求項４において、
   前記第２の絶縁層は、スパッタ法で形成された酸化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
   前記インキュベーション状態、前記結晶系、または前記非晶質系は、電子線回折パターンによって解析されることを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
   前記インキュベーション状態とは、電子線回折パターンの解析において、スポットが、明確ではないが周期性を有して現れる状態であり、
   前記結晶系とは、電子線回折パターンの解析において、スポットが明確に現れる状態であり、
   前記非晶質系とは、電子線回折パターンの解析において、ハロー状のパターンが現れる状態であることを特徴とする半導体装置。