JP2013100220A5 - - Google Patents
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- ＜１０−１０＞方向に成長したＧａＮ結晶であって、結晶内のＳｉ濃度がＯ濃度よりも高く、結晶内のＮａ濃度が１×１０ １７ ｃｍ −３ 以下で、かつ、Ｘ線回折の（１００）回折ピークのロッキングカーブの半値幅が５０ａｒｃｓｅｃ以下であることを特徴とするＧａＮ結晶。
- ＜１０−１１＞方向に成長したＧａＮ結晶であって、結晶内のＳｉ濃度がＯ濃度よりも高く、結晶内のＮａ濃度が１×１０ １７ ｃｍ −３ 以下で、かつ、Ｘ線回折の（１００）回折ピークのロッキングカーブの半値幅が５０ａｒｃｓｅｃ以下であることを特徴とするＧａＮ結晶。
- ＜２０−２１＞方向に成長したＧａＮ結晶であって、結晶内のＳｉ濃度がＯ濃度よりも高く、結晶内のＮａ濃度が１×１０ １７ ｃｍ −３ 以下で、かつ、Ｘ線回折の（２０１）回折ピークのロッキングカーブの半値幅が５０ａｒｃｓｅｃ以下であることを特徴とするＧａＮ結晶。
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| JP2011232166 | 2011-10-21 | ||
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