JP2012049345A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5664591B2 (ja) * 2012-04-26 2015-02-04 信越化学工業株式会社 太陽電池セル及びその製造方法
CN103983540B (zh) * 2014-05-13 2016-03-16 北京七星华创电子股份有限公司 一种判断体铁测试值可信度的方法
JP6344168B2 (ja) 2014-09-11 2018-06-20 株式会社Sumco ボロンドープp型シリコンウェーハの金属汚染評価方法および評価装置、ならびにボロンドープp型シリコンウェーハの製造方法
CN106505004B (zh) * 2015-09-07 2019-05-03 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 检测晶圆中铁含量异常的装置及其方法
JP6458874B2 (ja) * 2015-10-07 2019-01-30 株式会社Sumco p型シリコンウェーハ中のFe濃度測定方法
FR3055563B1 (fr) * 2016-09-08 2018-09-14 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de tri de plaquettes en silicium en fonction de leur duree de vie volumique
JP6848850B2 (ja) * 2017-12-22 2021-03-24 株式会社Sumco p型シリコンウェーハ中のFe濃度測定方法及びSPV測定装置
CN111771268B (zh) * 2017-12-22 2024-02-20 胜高股份有限公司 p型硅晶片中的Fe浓度测定方法和SPV测定装置
JP6848849B2 (ja) * 2017-12-22 2021-03-24 株式会社Sumco p型シリコンウェーハ中のFe濃度測定方法及びSPV測定装置
CN112908876A (zh) * 2021-01-18 2021-06-04 上海新昇半导体科技有限公司 硅片金属污染测试方法及装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0448713A (ja) * 1990-06-15 1992-02-18 Hitachi Ltd 半導体装置の形成方法及び露光装置
JP2843815B2 (ja) * 1992-08-12 1999-01-06 住友シチックス株式会社 BドープP型Si中のFe濃度測定方法
JPH07249666A (ja) * 1994-03-11 1995-09-26 Komatsu Electron Metals Co Ltd シリコンウェーハの鉄濃度測定方法
JPH0864650A (ja) * 1994-08-24 1996-03-08 Komatsu Electron Metals Co Ltd Fe−B濃度測定によるシリコンウェーハの評価方法
KR100722089B1 (ko) * 2002-10-18 2007-05-25 가부시키가이샤 섬코 실리콘 단결정 잉곳의 점결함 분포를 측정하는 방법
JP2005064054A (ja) * 2003-08-18 2005-03-10 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp シリコンウェーハ中の鉄濃度の測定方法
JP4416566B2 (ja) 2004-04-26 2010-02-17 Sumco Techxiv株式会社 不純物金属濃度測定の方法
KR100533959B1 (ko) 2004-06-30 2005-12-06 삼성전자주식회사 반도체 장치 제조 방법

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