JP2013035740A5 - 酸化物膜 - Google Patents

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  1. ＩｎとＳｎとＺｎとを有する酸化物膜であって、
    前記酸化物膜は、非単結晶であり、
    前記酸化物膜は、結晶を有し、
    前記結晶は、前記酸化物膜の表面に垂直な方向に沿うｃ軸を有することを特徴とする酸化物膜。
  2. ＩｎとＳｎとＺｎとを有する酸化物膜であって、
    前記酸化物膜は、非単結晶であり、
    前記酸化物膜は、第１の結晶部分と第２の結晶部分とを有し、
    前記第１の結晶部分のｃ軸と前記第２の結晶部分のｃ軸とは、前記酸化物膜表面に垂直な方向に沿うように揃っていることを特徴とする酸化物膜。
  3. ＩｎとＳｎとＺｎとを有する酸化物膜であって、
    前記酸化物膜は、非単結晶であり、
    前記酸化物膜は、結晶を有し、
    前記結晶は、前記酸化物膜の表面に垂直な方向に沿うｃ軸を有し、
    前記結晶は、ａｂ面に垂直な方向から見て三角形状または六角形状の原子配列を有することを特徴とする酸化物膜。
  4. ＩｎとＳｎとＺｎとを有する酸化物膜であって、
    前記酸化物膜は、非単結晶であり、
    前記酸化物膜は、第１の結晶部分と第２の結晶部分とを有し、
    前記第１の結晶部分のｃ軸と前記第２の結晶部分のｃ軸とは、前記酸化物膜表面に垂直な方向に沿うように揃っており、
    前記第１の結晶部分及び前記第２の結晶部分は、ａｂ面に垂直な方向から見て三角形状または六角形状の原子配列を有することを特徴とする酸化物膜。
  5. ＩｎとＳｎとＺｎとを有する酸化物膜であって、
    前記酸化物膜は、非単結晶であり、
    前記酸化物膜は、第１の結晶部分と第２の結晶部分とを有し、
    前記第１の結晶部分のｃ軸と前記第２の結晶部分のｃ軸とは、前記酸化物膜表面に垂直な方向に沿うように揃っており、
    前記第１の結晶部分と前記第２の結晶部分とは、ａｂ面において、ａ軸又はｂ軸の向きが異なることを特徴とする酸化物膜。
  6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
    前記酸化物膜は、Ｉｎ ２ ＳｎＺｎ ２ Ｏ ７ （ＺｎＯ） ｍ （ｍは０または自然数。）であることを特徴とする酸化物膜。
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106960866B (zh) 2010-12-17 2021-03-12 株式会社半导体能源研究所 氧化物材料及半导体器件
US9331206B2 (en) * 2011-04-22 2016-05-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide material and semiconductor device
WO2014002916A1 (en) * 2012-06-29 2014-01-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for using sputtering target and method for manufacturing oxide film
KR20140011945A (ko) * 2012-07-19 2014-01-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스퍼터링용 타깃, 스퍼터링용 타깃의 사용 방법 및 산화물막의 제작 방법
US9312392B2 (en) * 2013-05-16 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2014188983A1 (en) 2013-05-21 2014-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide semiconductor film and formation method thereof
CN105453269B (zh) * 2013-08-07 2019-04-05 夏普株式会社 X射线图像传感器用基板
TW202203465A (zh) 2013-10-10 2022-01-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
WO2015125042A1 (en) 2014-02-19 2015-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Oxide, semiconductor device, module, and electronic device
US9337030B2 (en) 2014-03-26 2016-05-10 Intermolecular, Inc. Method to grow in-situ crystalline IGZO using co-sputtering targets
TWI652362B (zh) 2014-10-28 2019-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 氧化物及其製造方法
JP6647841B2 (ja) 2014-12-01 2020-02-14 株式会社半導体エネルギー研究所 酸化物の作製方法
JP6581057B2 (ja) * 2016-09-14 2019-09-25 株式会社東芝 半導体装置、半導体記憶装置及び固体撮像装置
WO2018070169A1 (ja) * 2016-10-11 2018-04-19 日立オートモティブシステムズ株式会社 モーター制御装置
KR102470206B1 (ko) * 2017-10-13 2022-11-23 삼성디스플레이 주식회사 금속 산화막의 제조 방법 및 금속 산화막을 포함하는 표시 소자
CN108365013B (zh) * 2018-02-27 2021-03-02 武汉华星光电技术有限公司 薄膜晶体管、阵列基板、显示面板及其制备方法、终端

Family Cites Families (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3298974B2 (ja) 1993-03-23 2002-07-08 電子科学株式会社 昇温脱離ガス分析装置
JPH08330103A (ja) 1995-06-01 1996-12-13 Hoya Corp 電気抵抗膜
JP3881407B2 (ja) * 1996-07-31 2007-02-14 Ｈｏｙａ株式会社 導電性酸化物薄膜、この薄膜を有する物品及びその製造方法
JP2000026119A (ja) 1998-07-09 2000-01-25 Hoya Corp 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
JP3694737B2 (ja) 2001-07-27 2005-09-14 独立行政法人物質・材料研究機構 酸化亜鉛基ホモロガス化合物薄膜の製造法
KR100466539B1 (ko) * 2002-09-09 2005-01-15 한국전자통신연구원 쇼트키 배리어 트랜지스터 제조 방법
JP2005150635A (ja) * 2003-11-19 2005-06-09 Sanyo Electric Co Ltd 薄膜トランジスタ
CN102867855B (zh) 2004-03-12 2015-07-15 独立行政法人科学技术振兴机构 薄膜晶体管及其制造方法
JP4981283B2 (ja) 2005-09-06 2012-07-18 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物層を用いた薄膜トランジスタ
KR100729043B1 (ko) 2005-09-14 2007-06-14 삼성에스디아이 주식회사 투명 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법
JP5006598B2 (ja) * 2005-09-16 2012-08-22 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ
JP5078246B2 (ja) 2005-09-29 2012-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
JP4907942B2 (ja) * 2005-09-29 2012-04-04 シャープ株式会社 トランジスタおよび電子デバイス
JP5064747B2 (ja) * 2005-09-29 2012-10-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法
EP1995787A3 (en) 2005-09-29 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method therof
US7977169B2 (en) * 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
JP2009528670A (ja) 2006-06-02 2009-08-06 財団法人高知県産業振興センター 半導体機器及びその製法
JP5127183B2 (ja) 2006-08-23 2013-01-23 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタの製造方法
US7511343B2 (en) 2006-10-12 2009-03-31 Xerox Corporation Thin film transistor
KR101146574B1 (ko) * 2006-12-05 2012-05-16 캐논 가부시끼가이샤 산화물 반도체를 이용한 박막 트랜지스터의 제조방법 및 표시장치
JP4910779B2 (ja) * 2007-03-02 2012-04-04 凸版印刷株式会社 有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法
JP4906550B2 (ja) 2007-03-19 2012-03-28 三菱マテリアル株式会社 酸化亜鉛機能膜の製造方法及び該方法により得られる酸化亜鉛機能膜
JP5244331B2 (ja) 2007-03-26 2013-07-24 出光興産株式会社 非晶質酸化物半導体薄膜、その製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、電界効果型トランジスタ、発光装置、表示装置及びスパッタリングターゲット
JP5522889B2 (ja) 2007-05-11 2014-06-18 出光興産株式会社 Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｓｎ系酸化物焼結体、及び物理成膜用ターゲット
KR101334182B1 (ko) * 2007-05-28 2013-11-28 삼성전자주식회사 ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터의 제조방법
US7935964B2 (en) 2007-06-19 2011-05-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Oxide semiconductors and thin film transistors comprising the same
CN101681925B (zh) 2007-06-19 2011-11-30 三星电子株式会社 氧化物半导体及包含该氧化物半导体的薄膜晶体管
FR2918791B1 (fr) * 2007-07-13 2009-12-04 Saint Gobain Substrat pour la croissance epitaxiale de nitrure de gallium
JP4537434B2 (ja) * 2007-08-31 2010-09-01 株式会社日立製作所 酸化亜鉛薄膜、及びそれを用いた透明導電膜、及び表示素子
WO2009034953A1 (ja) 2007-09-10 2009-03-19 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 薄膜トランジスタ
JP2010103451A (ja) * 2007-11-26 2010-05-06 Fujifilm Corp 薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた電界発光装置
US8202365B2 (en) * 2007-12-17 2012-06-19 Fujifilm Corporation Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film
JP4748149B2 (ja) * 2007-12-24 2011-08-17 株式会社デンソー 半導体装置
JP5088792B2 (ja) 2008-04-02 2012-12-05 富士フイルム株式会社 Ｚｎ含有複合酸化物膜の成膜方法
JP5704790B2 (ja) 2008-05-07 2015-04-22 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ、および、表示装置
JP5510767B2 (ja) * 2008-06-19 2014-06-04 出光興産株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP2010010175A (ja) * 2008-06-24 2010-01-14 Konica Minolta Holdings Inc 薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法
JP2010040552A (ja) * 2008-07-31 2010-02-18 Idemitsu Kosan Co Ltd 薄膜トランジスタ及びその製造方法
JP2010040815A (ja) * 2008-08-06 2010-02-18 Sony Corp 縦型電界効果トランジスタ及び画像表示装置
KR101260147B1 (ko) 2008-08-15 2013-05-02 가부시키가이샤 아루박 전계 효과형 트랜지스터의 제조 방법
JP5616012B2 (ja) * 2008-10-24 2014-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI633605B (zh) * 2008-10-31 2018-08-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
JP2010118407A (ja) 2008-11-11 2010-05-27 Idemitsu Kosan Co Ltd エッチング耐性を有する薄膜トランジスタ、及びその製造方法
TWI502739B (zh) * 2008-11-13 2015-10-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
JP2010153802A (ja) 2008-11-20 2010-07-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の作製方法
TWI549198B (zh) 2008-12-26 2016-09-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR101034686B1 (ko) 2009-01-12 2011-05-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR101648927B1 (ko) 2009-01-16 2016-08-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
JP5606682B2 (ja) 2009-01-29 2014-10-15 富士フイルム株式会社 薄膜トランジスタ、多結晶酸化物半導体薄膜の製造方法、及び薄膜トランジスタの製造方法
US8247276B2 (en) 2009-02-20 2012-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device
US8704216B2 (en) 2009-02-27 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8461582B2 (en) 2009-03-05 2013-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5504008B2 (ja) 2009-03-06 2014-05-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI489628B (zh) 2009-04-02 2015-06-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
US20100320456A1 (en) 2009-06-19 2010-12-23 Epv Solar, Inc. Method for Fabricating a Doped and/or Alloyed Semiconductor
JP4415062B1 (ja) 2009-06-22 2010-02-17 富士フイルム株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法
CN102598284B (zh) 2009-11-06 2015-04-15 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
KR102286284B1 (ko) 2009-11-06 2021-08-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
KR101370301B1 (ko) 2009-11-20 2014-03-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
KR101872927B1 (ko) 2010-05-21 2018-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2012256819A (ja) * 2010-09-08 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
KR102637010B1 (ko) 2010-12-03 2024-02-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 산화물 반도체막 및 반도체 장치
CN106960866B (zh) 2010-12-17 2021-03-12 株式会社半导体能源研究所 氧化物材料及半导体器件

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