JP2012064703A5 - - Google Patents
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- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
Description
即ち、固体撮像素子21Eでは、導体構造体層24Eが、固体撮像素子21の導体構造体層24と異なる構成とされている。固体撮像素子21Eの導体構造体層24Eでは、2層の微小粒子層29−1および29−2が形成されている。そして、微小粒子層29−1では、画素ごとにアイランド28−1が1個ずつ配置されるとともに、微小粒子層29−2では、画素ごとにアイランド28−2が1個ずつ配置されている。また、微小粒子層29−2のアイランド28−2は、微小粒子層29−1のアイランド28−1よりも若干小さいことが望ましい。
ここで、微小粒子層29は、図6を参照して上述したような基本間隔でXY平面に2次元周期的にアイランド28が配置されて構成されるが、画素ないし複数画素からなる画素ブロック内に配置されるアイランド28の周期数は、画素サイズに応じて増減する。例えば、画素サイズの1辺がアイランド28の基本間隔のX倍(但し、Xは正の整数)よりも小さい場合は、X個よりも少ない数のアイランド数が好適である。また、画素サイズの他の1辺がアイランド28の基本間隔のY倍(但し、Yは正の整数であり、Xと同じであっても良いし異なっても構わない)よりも小さい場合は、Y個よりも少ない数のアイランド数が好適である。従って、画素のサイズが微細な場合は、XYともにアイランド数が1、つまり1画素のXY平面に1個のアイランド28のみが配置されるような構成であっても構わない。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010206850A JP2012064703A (ja) | 2010-09-15 | 2010-09-15 | 撮像素子および撮像装置 |
TW100130808A TWI472023B (zh) | 2010-09-15 | 2011-08-26 | 成像器件及成像裝置 |
US13/137,567 US20120061553A1 (en) | 2010-09-15 | 2011-08-26 | Imaging device and imaging apparatus |
EP11180411.8A EP2432019B1 (en) | 2010-09-15 | 2011-09-07 | Imaging device and imaging apparatus |
KR1020110091065A KR101891342B1 (ko) | 2010-09-15 | 2011-09-08 | 촬상 소자 및 촬상 장치 |
CN201110272171.6A CN102403327B (zh) | 2010-09-15 | 2011-09-15 | 成像器件和成像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010206850A JP2012064703A (ja) | 2010-09-15 | 2010-09-15 | 撮像素子および撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012064703A JP2012064703A (ja) | 2012-03-29 |
JP2012064703A5 true JP2012064703A5 (ja) | 2013-10-31 |
Family
ID=44651259
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010206850A Ceased JP2012064703A (ja) | 2010-09-15 | 2010-09-15 | 撮像素子および撮像装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120061553A1 (ja) |
EP (1) | EP2432019B1 (ja) |
JP (1) | JP2012064703A (ja) |
KR (1) | KR101891342B1 (ja) |
CN (1) | CN102403327B (ja) |
TW (1) | TWI472023B (ja) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5682312B2 (ja) | 2011-01-05 | 2015-03-11 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
CN102664185A (zh) * | 2012-06-01 | 2012-09-12 | 上海中科高等研究院 | Cmos图像传感器及其制作方法 |
KR101416552B1 (ko) * | 2013-04-30 | 2014-08-13 | 클레어픽셀 주식회사 | 표면 플라즈몬 필터와 폴리머 필터를 이용한 이미지 센서 |
JP2015037102A (ja) * | 2013-08-12 | 2015-02-23 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
US9520439B2 (en) | 2013-09-23 | 2016-12-13 | Omnivision Technologies, Inc. | X-ray and optical image sensor |
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JP2015232599A (ja) * | 2014-06-09 | 2015-12-24 | ソニー株式会社 | 光学フィルタ、固体撮像装置、および電子機器 |
JP2016082133A (ja) * | 2014-10-20 | 2016-05-16 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及び電子機器 |
KR102360074B1 (ko) | 2014-11-28 | 2022-02-08 | 삼성전자주식회사 | 나노 구조 컬러 필터를 채용한 이미지 센서 |
US9958582B2 (en) | 2014-11-28 | 2018-05-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor including nanostructure color filter |
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US10535701B2 (en) | 2016-01-12 | 2020-01-14 | Omnivision Technologies, Inc. | Plasmonic-nanostructure sensor pixel |
JP2017152511A (ja) | 2016-02-24 | 2017-08-31 | ソニー株式会社 | 撮像装置 |
CN107154428B (zh) * | 2016-03-03 | 2019-12-24 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 互补纳米线半导体器件及其制备方法 |
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CN108615737A (zh) * | 2016-12-11 | 2018-10-02 | 南京理工大学 | 制作在透明基材上的可提高光传感器灵敏度的结构及应用 |
JP7154736B2 (ja) * | 2016-12-13 | 2022-10-18 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子、電子機器 |
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JP2022138852A (ja) * | 2021-03-11 | 2022-09-26 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子および電子機器 |
EP4369403A1 (en) * | 2021-07-16 | 2024-05-15 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Image sensor and electronic device |
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-
2010
- 2010-09-15 JP JP2010206850A patent/JP2012064703A/ja not_active Ceased
-
2011
- 2011-08-26 TW TW100130808A patent/TWI472023B/zh active
- 2011-08-26 US US13/137,567 patent/US20120061553A1/en not_active Abandoned
- 2011-09-07 EP EP11180411.8A patent/EP2432019B1/en active Active
- 2011-09-08 KR KR1020110091065A patent/KR101891342B1/ko active IP Right Grant
- 2011-09-15 CN CN201110272171.6A patent/CN102403327B/zh active Active
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