JP2010171221A5 - - Google Patents

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実施形態の半導体装置は、第１導電型の半導体基板と、前記半導体基板上に形成された第１導電型の第１半導体領域と、前記第１半導体領域内に、前記半導体基板に対して水平方向にそれぞれ離間して形成された複数の第２導電型の第２半導体領域と、を備え、前記第２半導体領域のチャージ量と前記第１半導体領域のチャージ量との差は０以上であり、前記半導体基板から離れるに従って増加することを特徴とする。

Claims (4)

  1. 第１導電型の半導体基板と、
    前記半導体基板上に形成された第１導電型の第１半導体領域と、
    前記第１半導体領域内に、前記半導体基板に対して水平方向にそれぞれ離間して形成された複数の第２導電型の第２半導体領域と、を備え、
    前記第２半導体領域のチャージ量と前記第１半導体領域のチャージ量との差は０以上であり、前記半導体基板から離れるに従って増加することを特徴とする半導体装置。
  2. 前記第２半導体領域の前記半導体基板に対する水平方向の幅は、前記半導体基板に対して垂直方向について一定であって、
    前記第２半導体領域の不純物濃度は、前記半導体基板に対して垂直方向に前記半導体基板から離れるに従って増加する請求項１に記載の半導体装置。
  3. 前記第２半導体領域の前記半導体基板に対する水平方向の幅は、前記半導体基板から離れるに従って広がり、
    前記第２半導体領域の不純物濃度は、前記半導体基板に対して垂直方向に一定である請求項１に記載の半導体装置。
  4. 前記第２半導体領域の不純物濃度は、前記半導体基板に対して垂直方向について波型の分布を有する請求項１に記載の半導体装置。
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