JP2011192984A5 - 半導体装置 - Google Patents

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  1. 基板上方に設けられたゲート電極と、
    前記ゲート電極上方に設けられたゲート絶縁膜と、
    前記ゲート絶縁膜上方に設けられた半導体膜と、
    前記半導体膜上方に設けられた第１の電極と、
    前記半導体膜上方に設けられた第２の電極と、
    前記半導体膜と前記第１の電極との間に設けられた第１の不純物半導体膜と、
    前記半導体膜と前記第２の電極との間に設けられた第２の不純物半導体膜と、
    前記半導体膜と前記第１の不純物半導体膜との間に設けられた第１の非晶質半導体領域と、
    前記半導体膜と前記第２の不純物半導体膜との間に設けられた第２の非晶質半導体領域と、を有し
    前記半導体膜は、前記ゲート絶縁膜側において、結晶粒と、前記結晶粒の間を充填するように設けられた非晶質半導体を有する第１の領域を有し、
    前記半導体膜は、前記第１の非晶質半導体領域側において、前記第１の領域よりも結晶性の高い第２の領域を有し、
    前記半導体膜は、前記第２の非晶質半導体領域側において、前記第１の領域よりも結晶性の高い第３の領域を有することを特徴とする半導体装置。
  2. 請求項１において、
    前記半導体膜と前記第１の電極との間に設けられた第１の絶縁領域と、
    前記半導体膜と前記第２の電極との間に設けられた第２の絶縁領域と、を有し、
    前記第１の絶縁領域は、前記半導体膜の側面、前記第１の非晶質半導体領域の側面、並びに前記第１の不純物半導体膜の側面及び上面に接する領域を有し、
    前記第２の絶縁領域は、前記半導体膜の側面、前記第２の非晶質半導体領域の側面、並びに前記第２の不純物半導体膜の側面及び上面に接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
  3. 基板上方に設けられたゲート電極と、
    前記ゲート電極上方に設けられたゲート絶縁膜と、
    前記ゲート絶縁膜上方に設けられた半導体膜と、
    前記半導体膜上方に設けられた第１の電極と、
    前記半導体膜上方に設けられた第２の電極と、
    前記半導体膜と前記第１の電極との間に設けられた第１の非晶質半導体領域と、
    前記半導体膜と前記第２の電極との間に設けられた第２の非晶質半導体領域と、を有し
    前記半導体膜は、前記ゲート絶縁膜側において、結晶粒と、前記結晶粒の間を充填するように設けられた非晶質半導体を有する第１の領域を有し、
    前記半導体膜は、前記第１の非晶質半導体領域側において、前記第１の領域よりも結晶性の高い第２の領域を有し、
    前記半導体膜は、前記第２の非晶質半導体領域側において、前記第１の領域よりも結晶性の高い第３の領域を有することを特徴とする半導体装置。
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