JP2015225872A5 - - Google Patents

Description

本明細書に開示する半導体装置は、半導体基板の表面に形成された第１トレンチと、前記表面に形成され、前記表面の平面視において前記第１トレンチと異なる方向に延びるとともに前記第１トレンチと交わる第２トレンチとを備えている。また、半導体装置は、前記第１トレンチと前記第２トレンチの内面および前記第１トレンチと前記第２トレンチとの交差部の内面を覆うゲート絶縁膜と、前記第１トレンチと前記第２トレンチ内に形成されており、ゲート絶縁膜を介して前記半導体基板に対向するゲート電極とを備えている。また、半導体装置は、前記半導体基板内に形成されており、前記表面に露出しており、前記第２トレンチ内の前記ゲート絶縁膜に接しており、前記第１トレンチと前記第２トレンチとの交差部の内面に形成されている前記ゲート絶縁膜に接していない第１導電型の第１半導体領域を備えている。また、半導体装置は、前記半導体基板内に形成されており、前記第１半導体領域よりも深い側の前記第２トレンチ内の前記ゲート絶縁膜に接している第２導電型の第２半導体領域を備えている。また、半導体装置は、前記半導体基板内に形成されており、前記第２半導体領域よりも深い側の前記第２トレンチ内の前記ゲート絶縁膜に接しており、前記第２半導体領域によって前記第１半導体領域から分離されている第１導電型の第３半導体領域を備えている。前記第２トレンチの一方側に前記第１半導体領域が形成されており、前記第２トレンチの他方側に前記第１半導体領域が形成されていない。

（特徴１）半導体装置は、複数の第１トレンチと複数の第２トレンチを有していてもよい。半導体基板の表面の平面視において、複数の第１トレンチと複数の第２トレンチが格子状に配置されていてもよい。第１半導体領域は、第１トレンチ内のゲート絶縁膜に接していなくてもよい。

Claims (3)

1. 半導体基板の表面に形成された第１トレンチと、
   前記表面に形成され、前記表面の平面視において前記第１トレンチと異なる方向に延びるとともに前記第１トレンチと交わる第２トレンチと、
   前記第１トレンチと前記第２トレンチの内面および前記第１トレンチと前記第２トレンチとの交差部の内面を覆うゲート絶縁膜と、
   前記第１トレンチと前記第２トレンチ内に形成されており、ゲート絶縁膜を介して前記半導体基板に対向するゲート電極と、
   前記半導体基板内に形成されており、前記表面に露出しており、前記第２トレンチ内の前記ゲート絶縁膜に接しており、前記第１トレンチと前記第２トレンチとの交差部の内面を覆う前記ゲート絶縁膜に接していない第１導電型の第１半導体領域と、
   前記半導体基板内に形成されており、前記第１半導体領域よりも深い側の前記第２トレンチ内の前記ゲート絶縁膜に接している第２導電型の第２半導体領域と、
   前記半導体基板内に形成されており、前記第２半導体領域よりも深い側の前記第２トレンチ内の前記ゲート絶縁膜に接しており、前記第２半導体領域によって前記第１半導体領域から分離されている第１導電型の第３半導体領域と、を備えており、
   前記第２トレンチの一方側に前記第１半導体領域が形成されており、前記第２トレンチの他方側に前記第１半導体領域が形成されていない半導体装置。
2. 複数の前記第１トレンチと複数の前記第２トレンチを有し、
   前記表面の平面視において、複数の前記第１トレンチと複数の前記第２トレンチが格子状に配置されており、
   前記第１半導体領域は、前記第１トレンチ内のゲート絶縁膜に接していない、請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記表面の平面視において、前記第１トレンチと前記第２トレンチによって形成される格子が千鳥状に配置されている請求項２に記載の半導体装置。