JP2018137324A5 - - Google Patents
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Description
実施形態に係る半導体装置は、半導体層と、第1電極と、第1絶縁膜と、を備える。前記半導体層は、第1導電形の第1半導体層と、第2導電形の第2半導体層と、第1導電形の第3半導体層と、第2導電形の第4半導体層と、を有する。前記半導体層は、第1領域、第2領域、前記第1領域及び前記第2領域との間に設けられた第3領域とを有する。前記第1電極は、前記半導体層内に設けられ前記第2半導体層と対向し、前記第2領域から前記第1領域に向かう第1方向に延伸する。前記第1絶縁膜は、前記半導体層及び前記第1電極の間に設けられ、前記第2半導体層から前記第1電極に向かい前記第1方向に直交する第2方向の厚さが前記第1方向に沿って段階的に大きくなる。前記第1領域では、前記第4半導体層は前記第1方向及び第2方向に直交する第3方向において前記第1半導体層上に設けられ、前記第1絶縁膜は前記第2方向において第1の厚さを有する。前記第2領域では、前記第2半導体層は前記第3方向において前記第1半導体層及び前記第3半導体層の間に設けられ、前記第1絶縁膜は前記第2方向において第2の厚さを有する。前記第3領域では、前記第1絶縁膜は前記第2方向において、前記第1の厚さより小さく前記第2の厚さより大きい第3の厚さを有する。
Claims (7)
- 第1導電形の第1半導体層と、第2導電形の第2半導体層と、第1導電形の第3半導体層と、第2導電形の第4半導体層と、を有し、第1領域、第2領域、前記第1領域及び前記第2領域との間に設けられた第3領域とを有する半導体層と、
前記半導体層内に設けられ前記第2半導体層と対向し、前記第2領域から前記第1領域に向かう第1方向に延伸する第1電極と、
前記半導体層及び前記第1電極の間に設けられ、前記第2半導体層から前記第1電極に向かい前記第1方向に直交する第2方向の厚さが前記第1方向に沿って段階的に大きくなる第1絶縁膜と、
を備え、
前記第1領域では、前記第4半導体層は前記第1方向及び第2方向に直交する第3方向において前記第1半導体層上に設けられ、前記第1絶縁膜は前記第2方向において第1の厚さを有し、
前記第2領域では、前記第2半導体層は前記第3方向において前記第1半導体層及び前記第3半導体層の間に設けられ、前記第1絶縁膜は前記第2方向において第2の厚さを有し、
前記第3領域では、前記第1絶縁膜は前記第2方向において、前記第1の厚さより小さく前記第2の厚さより大きい第3の厚さを有する半導体装置。 - 前記半導体層の前記第1半導体層側に設けられた第2電極と、
前記半導体層と前記第2電極との間に設けられた第1導電形の第5半導体層と、
をさらに備え、
前記第1電極は、前記半導体層の端部に向かって延びており、
前記第1領域は、前記半導体層の端部に位置する請求項1記載の半導体装置。 - 前記第3の厚さは、前記第2の厚さの1.3倍以上の厚さである請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記半導体層内に設けられ、前記第1電極と前記第2電極との間に位置し、前記第1方向に延伸する第3電極と、
前記第1領域、前記第2領域及び前記第3領域において、前記第1半導体層及び前記第3電極の間に設けられ、前記第2方向において第4の厚さを有する第2絶縁膜と、
をさらに備え、
前記第1の厚さは、前記第4の厚さと略同じである請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体装置。 - 第1電極と、
前記第1電極上に設けられた半導体層と、
前記半導体層内に設けられ、第1方向に延伸する第2電極と、
前記半導体層及び前記第2電極の間に設けられ、前記第2電極から前記半導体層に向かう第2方向の厚さが前記第1方向に沿って段階的に厚くなる第1絶縁膜と、
を備え、
前記第1方向及び前記第2方向は、前記第1電極から前記半導体層に向かう第3方向と直交し、
前記半導体層は、第1導電形の第1半導体層と、前記第3方向において前記第1半導体層上に設けられた第2導電形の第2半導体層と、前記第3方向において前記第2半導体層上に設けられた第1導電形の第3半導体層と、前記第1半導体層上に設けられ前記第1方向において前記第2半導体層に隣接する第2導電形の第4半導体層と、を有し、
前記第2半導体層が前記第1半導体層及び前記第3半導体層の間に設けられた領域における前記第1絶縁膜の前記第2方向における厚さは、前記第4半導体層が前記第1半導体層上に設けられた領域における前記第1絶縁膜の前記第2方向における厚さと略同じである半導体装置。 - 前記半導体層内に設けられ、前記第1電極と前記第2電極との間に位置し、前記第1方向に延伸する第3電極と、
前記第1半導体層及び前記第3電極の間に設けられ、前記第2方向において第4の厚さを有する第2絶縁膜と、
をさらに備え、
前記第4半導体層が前記第1半導体層上に設けられた領域における前記第1絶縁膜の前記第2方向における厚さは、前記第4の厚さと略同じである請求項5記載の半導体装置。 - 第1導電形の半導体層と、
前記半導体層上に設けられた第1導電形の第1半導体層と、
前記第1半導体層上に選択的に設けられた第2導電形の第2半導体層と、
前記第2半導体層上に選択的に設けられた第1導電形の第3半導体層と、
前記第1半導体層、前記第2半導体層及び前記第3半導体層を側面に有するトレンチと、
前記トレンチ内に設けられた第1電極と、
前記トレンチの前記側面と前記第1電極との間に設けられた第1絶縁膜と、
前記トレンチ内に設けられ、前記第1電極の上に位置し前記第2半導体層に対向する第2電極と、
前記トレンチの前記側面と前記第2電極との間に設けられた第2絶縁膜と、
前記半導体層の下面上に設けられた第3電極と、
前記第3半導体層上に設けられた第4電極と、
を備え、
前記第2絶縁膜は、前記半導体層上の素子領域から終端領域にかけて、相互に異なる3以上の厚さを有するように段階的に厚くなる半導体装置。
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