JP2015179785A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015179785A5 JP2015179785A5 JP2014057281A JP2014057281A JP2015179785A5 JP 2015179785 A5 JP2015179785 A5 JP 2015179785A5 JP 2014057281 A JP2014057281 A JP 2014057281A JP 2014057281 A JP2014057281 A JP 2014057281A JP 2015179785 A5 JP2015179785 A5 JP 2015179785A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gan
- semiconductor layer
- based semiconductor
- semiconductor device
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 66
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 56
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 1
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 claims 1
Description
本発明の一態様の半導体装置は、第１のＧａＮ系半導体層と、前記第１のＧａＮ系半導体層上に設けられ、前記第１のＧａＮ系半導体層よりバンドギャップの大きい第２のＧａＮ系半導体層と、前記第２のＧａＮ系半導体層上に設けられるソース電極と、前記第２のＧａＮ系半導体層上に設けられるドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極の間の前記第２のＧａＮ系半導体層上に設けられるｐ型の第３のＧａＮ系半導体層と、前記第３のＧａＮ系半導体層上に設けられるゲート電極と、前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間であって、前記第２のＧａＮ系半導体層上に設けられ、前記第３のＧａＮ系半導体層と離れて設けられるｐ型の第４のＧａＮ系半導体層と、前記第４のＧａＮ系半導体層の前記第２のＧａＮ系半導体層と反対側に設けられる絶縁膜と、前記第４のＧａＮ系半導体層との間に前記絶縁膜を介在させて設けられる第１のフィールドプレート電極と、を備え、前記第１のフィールドプレート電極の前記ドレイン電極側の端部と、前記第２のＧａＮ系半導体層との間に、前記第４のＧａＮ系半導体層が位置する。
Claims (9)
- 第１のＧａＮ系半導体層と、
前記第１のＧａＮ系半導体層上に設けられ、前記第１のＧａＮ系半導体層よりバンドギャップの大きい第２のＧａＮ系半導体層と、
前記第２のＧａＮ系半導体層上に設けられるソース電極と、
前記第２のＧａＮ系半導体層上に設けられるドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極の間の前記第２のＧａＮ系半導体層上に設けられるｐ型の第３のＧａＮ系半導体層と、
前記第３のＧａＮ系半導体層上に設けられるゲート電極と、
前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間であって、前記第２のＧａＮ系半導体層上に設けられ、前記第３のＧａＮ系半導体層と離れて設けられるｐ型の第４のＧａＮ系半導体層と、
前記第４のＧａＮ系半導体層の前記第２のＧａＮ系半導体層と反対側に設けられる絶縁膜と、
前記第４のＧａＮ系半導体層との間に前記絶縁膜を介在させて設けられる第１のフィールドプレート電極と、を備え、
前記第１のフィールドプレート電極の前記ドレイン電極側の端部と、前記第２のＧａＮ系半導体層との間に、前記第４のＧａＮ系半導体層が位置することを特徴とする半導体装置。 - 前記第４のＧａＮ系半導体層がフローティングであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
- 前記第４のＧａＮ系半導体層が前記第２のＧａＮ系半導体層に接して設けられることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の半導体装置。
- 前記第４のＧａＮ系半導体層のアクセプタの面密度が、前記第１のＧａＮ系半導体層と前記第２のＧａＮ系半導体層との界面に生成される２次元電子ガスの面密度よりも低いことを特徴とする請求項１ないし請求項３いずれか一項記載の半導体装置。
- 前記第４のＧａＮ系半導体層の端部が傾斜していることを特徴とする請求項１ないし請求項４いずれか一項記載の半導体装置。
- 前記第３のＧａＮ系半導体層と前記第４のＧａＮ系半導体層とが同一のｐ型不純物濃度を有し、前記第４のＧａＮ系半導体層の膜厚が、前記第３のＧａＮ系半導体層の膜厚よりも薄いことを特徴とする請求項１ないし請求項５いずれか一項記載の半導体装置。
- 前記ゲート電極と前記第４のＧａＮ系半導体層との間、または、前記第４のＧａＮ系半導体層と前記ドレイン電極との間の、前記第２のＧａＮ系半導体層の前記第１のＧａＮ系半導体層と反対側に設けられ、前記第３のＧａＮ系半導体層および前記第４のＧａＮ系半導体層と分離されるｐ型の第５のＧａＮ系半導体層を、さらに備えることを特徴とする請求項１ないし請求項６いずれか一項記載の半導体装置。
- 前記第４のＧａＮ系半導体層の膜厚が、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし請求項７いずれか一項記載の半導体装置。
- 前記第１のフィールドプレート電極との間に絶縁膜を介在させて設けられ、前記第４のＧａＮ系半導体層との間に絶縁膜を介在させて設けられる第２のフィールドプレート電極をさらに備え、
前記第２のフィールドプレート電極の前記ドレイン電極側の端部と、前記第２のＧａＮ系半導体層との間に、前記第４のＧａＮ系半導体層が位置することを特徴とする請求項１ないし請求項８いずれか一項記載の半導体装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014057281A JP6230456B2 (ja) | 2014-03-19 | 2014-03-19 | 半導体装置 |
| KR1020150030373A KR101787820B1 (ko) | 2014-03-19 | 2015-03-04 | 반도체 장치 |
| US14/657,722 US10026804B2 (en) | 2014-03-19 | 2015-03-13 | Semiconductor device |
| US16/008,745 US10714566B2 (en) | 2014-03-19 | 2018-06-14 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014057281A JP6230456B2 (ja) | 2014-03-19 | 2014-03-19 | 半導体装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015179785A JP2015179785A (ja) | 2015-10-08 |
| JP2015179785A5 true JP2015179785A5 (ja) | 2016-09-15 |
| JP6230456B2 JP6230456B2 (ja) | 2017-11-15 |
Family
ID=54142895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014057281A Active JP6230456B2 (ja) | 2014-03-19 | 2014-03-19 | 半導体装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US10026804B2 (ja) |
| JP (1) | JP6230456B2 (ja) |
| KR (1) | KR101787820B1 (ja) |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10263085B2 (en) * | 2016-12-30 | 2019-04-16 | Texas Instruments Incorporated | Transistor with source field plates and non-overlapping gate runner layers |
| CN106783962A (zh) * | 2017-01-11 | 2017-05-31 | 西安电子科技大学 | 一种p‑GaN增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管 |
| CN106783961A (zh) * | 2017-01-11 | 2017-05-31 | 西安电子科技大学 | 一种具有部分P型GaN帽层的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管 |
| CN106876458B (zh) * | 2017-01-11 | 2020-08-21 | 西安电子科技大学 | 一种槽栅增强型AlGaN/GaN异质结场效应晶体管 |
| CN106876457B (zh) * | 2017-01-11 | 2020-08-21 | 西安电子科技大学 | 一种槽栅增强型MIS结构AlGaN/GaN异质结场效应晶体管 |
| EP3658872B1 (en) * | 2017-07-24 | 2022-01-05 | MACOM Technology Solutions Holdings, Inc. | Fet operational temperature determination by resistance thermometry |
| JP7082508B2 (ja) * | 2018-03-22 | 2022-06-08 | ローム株式会社 | 窒化物半導体装置 |
| JP7021034B2 (ja) * | 2018-09-18 | 2022-02-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| US11316038B2 (en) * | 2018-11-20 | 2022-04-26 | Stmicroelectronics S.R.L. | HEMT transistor with adjusted gate-source distance, and manufacturing method thereof |
| CN111834436A (zh) * | 2019-04-17 | 2020-10-27 | 世界先进积体电路股份有限公司 | 半导体结构及其形成方法 |
| JP7448314B2 (ja) | 2019-04-19 | 2024-03-12 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| CN111987141A (zh) * | 2019-05-22 | 2020-11-24 | 世界先进积体电路股份有限公司 | 半导体装置及其制造方法 |
| US11398546B2 (en) * | 2019-08-06 | 2022-07-26 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Semiconductor devices and methods for fabricating the same |
| CN110660843A (zh) * | 2019-10-08 | 2020-01-07 | 电子科技大学 | 一种高压p沟道HEMT器件 |
| CN110660851A (zh) * | 2019-10-08 | 2020-01-07 | 电子科技大学 | 一种高压n沟道HEMT器件 |
| CN110649097B (zh) * | 2019-10-08 | 2021-04-02 | 电子科技大学 | 一种高压p沟道HFET器件 |
| CN110649096B (zh) * | 2019-10-08 | 2021-06-04 | 电子科技大学 | 一种高压n沟道HEMT器件 |
| US10930745B1 (en) * | 2019-11-27 | 2021-02-23 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Semiconductor structure |
| CN115336005A (zh) * | 2020-02-25 | 2022-11-11 | 剑桥电子有限公司 | 用于射频操作的具有盖层的iii族氮化物晶体管 |
| JP7450446B2 (ja) | 2020-04-13 | 2024-03-15 | 株式会社アドバンテスト | 半導体装置、半導体装置の製造方法、および試験装置 |
| WO2021217651A1 (en) * | 2020-04-30 | 2021-11-04 | Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| CN113066864B (zh) * | 2020-04-30 | 2022-09-13 | 英诺赛科(苏州)半导体有限公司 | 半导体器件 |
| CN112786700A (zh) * | 2020-04-30 | 2021-05-11 | 英诺赛科(苏州)半导体有限公司 | 半导体器件 |
| FR3110770B1 (fr) * | 2020-05-19 | 2022-04-29 | Commissariat Energie Atomique | Composant électronique à hétérojonction comprenant une plaque de champ et une région flottante dopée p |
| CN111989780B (zh) * | 2020-07-02 | 2022-08-23 | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 | 半导体装置结构和其制造的方法 |
| FR3115156B1 (fr) * | 2020-10-09 | 2022-08-26 | Commissariat Energie Atomique | Transistor à nitrure de gallium |
| CN112599589B (zh) * | 2020-12-17 | 2023-01-17 | 中国科学院微电子研究所 | 一种半导体器件及制备方法 |
| TWI798728B (zh) * | 2021-06-23 | 2023-04-11 | 新唐科技股份有限公司 | 半導體結構及其製造方法 |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3812421B2 (ja) | 2001-06-14 | 2006-08-23 | 住友電気工業株式会社 | 横型接合型電界効果トランジスタ |
| CN100388509C (zh) | 2003-01-29 | 2008-05-14 | 株式会社东芝 | 功率半导体器件 |
| JP3866703B2 (ja) * | 2003-08-29 | 2007-01-10 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| JP4041075B2 (ja) * | 2004-02-27 | 2008-01-30 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| JP4944402B2 (ja) | 2005-07-13 | 2012-05-30 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
| JP5168773B2 (ja) | 2005-11-14 | 2013-03-27 | 住友電気工業株式会社 | 横型接合型電界効果トランジスタ |
| JP5144326B2 (ja) | 2008-03-21 | 2013-02-13 | 古河電気工業株式会社 | 電界効果トランジスタ |
| JP2009246205A (ja) | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP5597921B2 (ja) * | 2008-12-22 | 2014-10-01 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置 |
| US20130175544A1 (en) * | 2010-11-10 | 2013-07-11 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device |
| KR20120120825A (ko) | 2011-04-25 | 2012-11-02 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법 |
| JP5903642B2 (ja) * | 2011-08-08 | 2016-04-13 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 半導体装置 |
| JP5979836B2 (ja) | 2011-09-09 | 2016-08-31 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| US9263533B2 (en) * | 2011-09-19 | 2016-02-16 | Sensor Electronic Technology, Inc. | High-voltage normally-off field effect transistor including a channel with a plurality of adjacent sections |
| JP6014984B2 (ja) | 2011-09-29 | 2016-10-26 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2013093482A (ja) | 2011-10-27 | 2013-05-16 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| US8921893B2 (en) * | 2011-12-01 | 2014-12-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Circuit structure having islands between source and drain |
| US10002957B2 (en) * | 2011-12-21 | 2018-06-19 | Power Integrations, Inc. | Shield wrap for a heterostructure field effect transistor |
| JP2013149851A (ja) | 2012-01-20 | 2013-08-01 | Sharp Corp | 窒化物半導体装置 |
| JP2013191637A (ja) * | 2012-03-12 | 2013-09-26 | Advanced Power Device Research Association | 窒化物系化合物半導体素子 |
| US20140001479A1 (en) * | 2012-06-29 | 2014-01-02 | Power Integrations, Inc. | Switching device with charge distribution structure |
| WO2014052948A1 (en) * | 2012-09-30 | 2014-04-03 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Semiconductor device with breakdown preventing layer |
| KR101927410B1 (ko) * | 2012-11-30 | 2018-12-10 | 삼성전자주식회사 | 고전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조방법 |
| US9129889B2 (en) * | 2013-03-15 | 2015-09-08 | Semiconductor Components Industries, Llc | High electron mobility semiconductor device and method therefor |
| JP6301640B2 (ja) * | 2013-11-28 | 2018-03-28 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| US9673286B2 (en) * | 2013-12-02 | 2017-06-06 | Infineon Technologies Americas Corp. | Group III-V transistor with semiconductor field plate |
| JP6332021B2 (ja) * | 2014-12-26 | 2018-05-30 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
-
2014
- 2014-03-19 JP JP2014057281A patent/JP6230456B2/ja active Active
-
2015
- 2015-03-04 KR KR1020150030373A patent/KR101787820B1/ko active IP Right Grant
- 2015-03-13 US US14/657,722 patent/US10026804B2/en active Active
-
2018
- 2018-06-14 US US16/008,745 patent/US10714566B2/en active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2015179785A5 (ja) | ||
| JP2015005734A5 (ja) | ||
| JP2010186994A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2015181151A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2014017477A5 (ja) | ||
| JP2013175716A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2014027263A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2015130487A5 (ja) | ||
| JP2011097103A5 (ja) | ||
| EP2772940A3 (en) | Heterostructure Power Transistor with AlSiN Passivation Layer | |
| JP2013236072A5 (ja) | ||
| JP2016139800A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2015043415A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2012256836A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2011181917A5 (ja) | ||
| JP2016006872A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2014075580A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2014116594A5 (ja) | ||
| JP2014042013A5 (ja) | ||
| JP2012033908A5 (ja) | ||
| JP2014225713A5 (ja) | ||
| JP2010212673A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2014045173A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2014225656A5 (ja) | ||
| JP2010212671A5 (ja) | 半導体装置 |