JP2018022713A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (8)

1. 基板上の第１絶縁層と、
   前記第１絶縁層上の第１金属酸化物層と、
   前記第１金属酸化物層上の酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上の第２金属酸化物層と、
   前記第２金属酸化物層上のゲート絶縁層と、
   前記ゲート絶縁層上のゲート電極層と、を有し、
   前記酸化物半導体層は、第１領域乃至第３領域を有し、
   前記第１領域および前記第２領域の各々は、前記ゲート電極層と重なる領域を有し、
   前記第２領域は、前記第１領域と前記第３領域の間に位置し、
   前記第２領域は、前記第１領域に比して抵抗の低い領域を有し、
   前記第３領域は、前記第２領域に比して抵抗の低い領域を有し、
   前記第２領域および前記第３領域の各々は、元素Ｎ（Ｎは、リン、アルゴン、またはキセノン）を有する、半導体装置。
2. 基板上の第１絶縁層と、
   前記第１絶縁層上の第１金属酸化物層と、
   前記第１金属酸化物層上の酸化物半導体層と、
   前記第１絶縁層上および前記酸化物半導体層上の第２金属酸化物層と、
   前記第２金属酸化物層上の第１ゲート絶縁層と、
   前記第１ゲート絶縁層上のゲート電極層と、を有し、
   前記酸化物半導体層のチャネル幅方向において、前記第２金属酸化物層および前記第１ゲート絶縁層の各々は、前記第１金属酸化物層の側面と対向する領域と、前記酸化物半導体層の側面と対向する領域と、を有し、
   前記酸化物半導体層は、第１領域乃至第３領域を有し、
   前記第１領域および前記第２領域の各々は、前記ゲート電極層と重なる領域を有し、
   前記第２領域は、前記第１領域と前記第３領域の間に位置し、
   前記第２領域は、前記第１領域に比して抵抗の低い領域を有し、
   前記第３領域は、前記第２領域に比して抵抗の低い領域を有し、
   前記第２領域および前記第３領域の各々は、元素Ｎ（Ｎは、リン、アルゴン、またはキセノン）を有する領域を有する、半導体装置。
3. 請求項２において、
   前記第１ゲート絶縁層と前記ゲート電極層の間に第２ゲート絶縁層を有する、半導体装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   前記第２領域は、前記第１領域に比して前記元素Ｎの濃度が高い領域を有し、
   前記第３領域は、前記第２領域に比して前記元素Ｎの濃度が高い領域を有する、半導体装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、
   前記第３領域は、前記元素Ｎの濃度が、１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１×１０^２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である領域を有する、半導体装置。
6. 基板上の第１絶縁層と、
   前記第１絶縁層上の第１金属酸化物層と、
   前記第１金属酸化物層上の酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上の第２金属酸化物層と、
   前記第２金属酸化物層上のゲート絶縁層と、
   前記第２金属酸化物層上の第２絶縁層と、
   前記ゲート絶縁層上のゲート電極層と、を有し、
   前記ゲート絶縁層は、前記ゲート電極層の側面と接する領域を有し、
   前記第２絶縁層は、前記ゲート絶縁層と接する領域を有し、
   前記酸化物半導体層は、第１領域乃至第３領域を有し、
   前記第１領域は、前記ゲート電極層と重なる領域を有し、
   前記第２領域は、前記ゲート絶縁層と重なる領域または前記第２絶縁層と重なる領域を有し、
   前記第２領域は、前記第１領域と前記第３領域の間に位置し、
   前記第２領域および、前記第３領域は、元素Ｎ（Ｎは、リン、アルゴン、またはキセノン）を有する領域を有する、半導体装置。
7. 請求項６において、
   前記第２領域は、前記第１領域に比して抵抗の低い領域を有し、
   前記第３領域は、前記第２領域に比して抵抗の低い領域を有する、半導体装置。
8. 請求項６または７において、
   前記基板底面と前記ゲート電極層の側面の接線がなす角は、６０度以上８５度以下である領域を有する、半導体装置。