JP2019012822A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (9)

1. 第１の開口を有する第１の絶縁体と、
   前記第１の絶縁体上の、第２の開口を有する第１の導電体と、
   前記第１の導電体上の、第３の開口を有する第２の絶縁体と、
   前記第１の開口、前記第２の開口、および前記第３の開口を貫通するように設けられた酸化物と、
   前記酸化物に接する第３の絶縁体と、
   前記第３の絶縁体に接する第２の導電体と、
   を有し、
   前記酸化物は、前記第１の開口内において、第１の領域を有し、前記第２の開口内において、第２の領域を有し、前記第３の開口内において、第３の領域を有し、
   前記第１の領域、および前記第３の領域は、前記第２の領域より低抵抗であり、
   前記第３の絶縁体は、前記酸化物と、前記第２の導電体の間に設けられ、
   前記第１の導電体は、第１のゲートとして機能し、
   前記第２の導電体は、第２のゲートとして機能する半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記酸化物は、Ｉｎと、元素Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）と、Ｚｎと、を有する半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記酸化物は、第１の層と、
   前記第１の層の内側に接して設けられた第２の層と、
   前記第２の層の内側に接して設けられた第３の層と、
   を有し、
   前記第２の層のエネルギーギャップは、前記第１の層のエネルギーギャップより狭く、
   前記第２の層のエネルギーギャップは、前記第３の層のエネルギーギャップより狭い半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記半導体装置は、さらに、シリコン、および金属元素の少なくとも一方を含む窒化物を有し、
   前記窒化物は、前記第１の領域、および前記第３の領域に接するように設けられる半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   前記第１の領域、および前記第３の領域は、前記第２の領域より、水素、窒素、および金属元素の少なくとも一を多く含んでいる半導体装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
   前記半導体装置は、さらに、
   第４の絶縁体と、
   第５の絶縁体と、
   第６の絶縁体と、
   を有し、
   前記第４の絶縁体は、前記第１の導電体と、前記酸化物との間に設けられ、
   前記第５の絶縁体は、前記第４の絶縁体と、前記酸化物との間に設けられ、
   前記第６の絶縁体は、前記第５の絶縁体と、前記酸化物との間に設けられる半導体装置。
7. 請求項６において、
   前記第４の絶縁体および前記第６の絶縁体の少なくとも一方は、シリコン、アルミニウム、およびハフニウムのいずれか一を含む酸化物である半導体装置。
8. 請求項６または請求項７において、
   前記窒化物は、前記第６の絶縁体と、前記第１の領域の間、および前記第６の絶縁体と、前記第３の領域の間、に設けられる半導体装置。
9. 請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
   前記第１の開口の径、および前記第３の開口の径は、前記第２の開口の径より大きい半導体装置。