JP2011023543A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ゲート電極７作製後にチャネル部１２を作製する縦型ＭＩＳＦＥＴの製造方法において、ゲート絶縁膜１０に損傷を与えたり移動度を劣化させたりすることなく、孔底面に形成された絶縁膜や、自然酸化膜を除去する。
【解決手段】単結晶半導体基板１または単結晶半導体層に形成された不純物領域８の上に、第一絶縁層４、５と、ゲート電極層７と、第二絶縁層５、４と、をこの順に積層した積層体を形成し、前記積層体に不純物領域８が露出する孔を形成し、少なくとも前記孔の側壁に露出しているゲート電極層７、および、前記孔の底面に露出している不純物領域８の上に絶縁膜１０を形成し、ゲート電極層７の露出部分の上に形成された絶縁膜１０の上に半導体膜を重ねて形成し、不純物領域８の上に形成された絶縁膜を除去し、孔の底面に露出している不純物領域８に接し、孔底面から孔の開口部までつながる半導体部を形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【選択図】図２０
【解決手段】単結晶半導体基板１または単結晶半導体層に形成された不純物領域８の上に、第一絶縁層４、５と、ゲート電極層７と、第二絶縁層５、４と、をこの順に積層した積層体を形成し、前記積層体に不純物領域８が露出する孔を形成し、少なくとも前記孔の側壁に露出しているゲート電極層７、および、前記孔の底面に露出している不純物領域８の上に絶縁膜１０を形成し、ゲート電極層７の露出部分の上に形成された絶縁膜１０の上に半導体膜を重ねて形成し、不純物領域８の上に形成された絶縁膜を除去し、孔の底面に露出している不純物領域８に接し、孔底面から孔の開口部までつながる半導体部を形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【選択図】図２０
Description
本発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
縦型ＭＩＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）の製造方法の１つに、特許文献１に記載されているような、ゲート作製後に、チャネルとなる柱状の半導体を作製する方法がある。具体的には、まず、絶縁膜で挟まれたゲート電極を半導体基板上に成膜する。次に、この積層膜を貫き、半導体基板にいたる孔を作製する。その後、酸化やＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって、孔に面したゲート端にゲート絶縁膜を形成する。このとき、孔底面にも、ゲート電極端と同様に、ゲート絶縁膜と同じ絶縁膜が形成される。そこで、この孔底面の絶縁膜を除去した後、孔に柱となる半導体材料を埋め込む。
この製造方法では、孔底面の絶縁膜を除去する際や、孔に柱となる半導体材料を埋め込む前処理として、孔底面の半導体基板表面に存在する自然酸化膜を除去する際に、フッ酸処理（もしくは気相ＨＦ処理）が必要となる。しかしながら、ゲート絶縁膜に損傷を与えずに、このフッ酸処理（もしくは気相ＨＦ処理）を行うのは難しい。そのため、この課題を解決するためのいくつかの方法が提案されている。
例えば、特許文献２では、ゲート絶縁膜をＳｉ窒化膜のサイドウォールで覆い保護した上で、フッ酸処理を行い、孔底面の酸化膜を除去する方法が記載されている。また、特許文献３では、多結晶Ｓｉの側壁でゲート絶縁膜を覆い、保護する方法が記載されている。また、非特許文献１には、ゲート絶縁膜に、フッ酸処理耐性のあるものを用いる方法が記載されている。
２００７年１２月、インターナショナル・エレクトロン・デバイス・ミーティング・テクニカル・ダイジェスト、第４４９項から第４５２項、福住他、'Ｏｐｔｉｍａｌ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ ａｎｄ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｏｆ Ｖｅｒｔｉｃal Ａｒｒａｙ Ｄｅｖｉｃｅｓ ｆｏｒ Ｕｌｔｒａ−Ｈｉｇｈ Ｄｅｎｓｉｔｙ, Ｂｉｔ−Ｃｏｓｔ Ｓｃａｌａｂｌｅ Ｆｌａｓｈ Ｍｅｍｏｒｙ'
しかしながら、特許文献２、３、非特許文献１に開示された半導体装置の製造方法を利用して、孔底面の絶縁膜の除去や、孔底面の半導体基板表面に存在する自然酸化膜除去のためのフッ酸処理を行った場合、ゲート絶縁膜の損傷や移動度劣化などの悪影響が生じてしまう。
具体的には、特許文献２に開示された製造方法では、窒化膜サイドウォールを除去する際に、リン酸処理を行わなければならず、このとき、ゲート絶縁膜がリン酸に接触するため、ゲート絶縁膜の損傷が避けられない。また、特許文献３に開示された製造方法では、多結晶Ｓｉの側壁でゲート絶縁膜を保護し、多結晶Ｓｉを孔に埋め込むので、その結果作製される縦型ＭＩＳＦＥＴのチャネルは多結晶Ｓｉとなり、チャネルが単結晶Ｓｉの縦型ＭＩＳＦＥＴと比較すると、移動度が劣る。また、非特許文献１に開示された製造方法では、フッ酸処理耐性をゲート絶縁膜にもたせるために、ゲート絶縁膜のチャネル側がＳｉ窒化膜のような組成となっており、Ｓｉ酸化膜がチャネル側に接する構造（もしくはＳｉ酸窒化膜で窒素組成が少ない側がチャネルに接する構造）と比べると、移動度が劣る。
本発明では、ゲート作製後にチャネルとなる柱を作製する縦型ＭＩＳＦＥＴの製造方法において、ゲート絶縁膜に損傷を与えたり移動度を劣化させたりすることなく、孔底面の絶縁膜や、孔底面の半導体基板表面に存在する自然酸化膜を除去できる半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。
本発明によれば、基板または半導体層に形成された下部電極となる不純物領域の上に、第一絶縁層と、ゲート電極となるゲート電極層と、第二絶縁層と、をこの順に積層した積層体と、前記積層体を前記基板と略垂直方向に貫通し、前記不純物領域と接するチャネル部と、前記積層体の上方に、前記チャネル部の前記不純物領域と接する面の反対側の面に接して形成される上部電極層と、前記ゲート電極層と前記チャネル部との間に、前記チャネル部の周囲を囲むように形成されるゲート絶縁膜と、を有する縦型ＭＩＳＦＥＴであって、前記ゲート電極と前記上部電極との間の前記第二絶縁層の厚さ、および、前記ゲート電極と前記下部電極との間の前記第一絶縁層の厚さは、前記ゲート絶縁膜の膜厚より厚く、前記ゲート絶縁膜に周囲を囲まれた前記チャネル部は、基板に垂直な方向に均一な複数の半導体で構成されている半導体装置が提供される。
また、本発明によれば、単結晶半導体基板または単結晶半導体層に形成された不純物領域の上に、第一絶縁層と、ゲート電極層と、第二絶縁層と、をこの順に積層した積層体を形成する積層工程と、前記積層体に、前記不純物領域が露出する孔を形成する孔形成工程と、少なくとも、前記孔の側壁に露出している前記ゲート電極層、および、前記孔の底面に露出している前記不純物領域、の上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記ゲート電極層の前記露出部分の上に形成された前記絶縁膜の上に半導体膜を重ねて形成する半導体膜形成工程と、前記不純物領域の上に形成された前記絶縁膜を除去する除去工程と、前記孔に、前記孔の底面に露出している前記不純物領域に接し、前記底面から前記孔の開口部までつながる半導体部を形成する半導体部形成工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。
また、本発明によれば、前記半導体膜形成工程は、前記ゲート電極層の前記露出部分の上に形成された前記絶縁膜の上に非晶質半導体膜を重ねて形成する工程であり、前記半導体部形成工程は、前記孔に、前記孔の底面に露出している前記不純物領域に接し、前記底面から前記孔の開口部までつながる非晶質の半導体部を形成した後、前記非晶質の半導体部を、前記半導体膜形成工程で形成した前記非晶質半導体膜とともに加熱処理し単結晶半導体に結晶化する工程である、半導体装置の製造方法が提供される。
本発明の半導体装置の製造方法では、孔底面の絶縁膜や自然酸化膜を除去する工程としてフッ酸処理を行う際に、非晶質半導体膜がゲート絶縁膜を覆い、保護する。その後、孔の残りの部分を非晶質半導体で埋め、ゲート絶縁膜保護に用いた非晶質半導体膜と孔を埋めた非晶質半導体をまとめて加熱処理し結晶化することで、単結晶半導体に変化させる。その結果、縦型ＭＩＳＦＥＴのチャネルは単結晶半導体で構成されることになり、移動度は劣化しない。また、ゲート絶縁膜にフッ酸処理耐性をもたせる必要もないので、チャネル側をＳｉ窒化膜のような、窒素組成の高い膜にする必要がなく、Ｓｉ酸化膜（もしくはＳｉ酸窒化膜で、チャネル側の窒素組成が少ない膜）としてよいので、ゲート絶縁膜が原因の移動度劣化は生じない。
本発明の半導体装置の製造方法によれば、ゲート作製後にチャネルとなる柱を作製する縦型ＭＩＳＦＥＴの製造方法において、ゲート絶縁膜に損傷を与えたり移動度を劣化させたりすることなく、半導体装置を製造することが可能となる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。また、図面中、同一の材料で形成され、同一の処理がなされた同一の構成の部分（層、膜など）については、同様の模様を付し、適宜、符号での指示を省略する。これらの前提は、以下のすべての実施形態において同様である。
＜実施形態１＞
＜実施形態１＞
本実施形態の半導体装置の製造方法は、図１６６のフローチャート図に示すように、半導体基板１または半導体層に形成された不純物領域３の上に、第一絶縁層４、５（例：ＰＳＧ（Ｐｈｏｓｐｈｏｒｏｕｓ Ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）膜４、ＮＳＧ（Ｎｏｎ−ｄｏｐｅｄ Ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）膜５）と、ゲート電極層７と、第二絶縁層５、４（例：ＰＳＧ膜４、ＮＳＧ膜５）と、をこの順に積層した積層体を形成する積層工程Ｓ１０と、前記積層体に、不純物領域８が露出する孔９を形成する孔形成工程Ｓ２０と、少なくとも、孔９の側壁に露出しているゲート電極層７、および、孔９の底面に露出している不純物領域８（不純物領域３の不純物を活性化することによりえられる）の上に絶縁膜１０、１１を形成する絶縁膜形成工程Ｓ３０と、ゲート電極層７の前記露出部分の上に形成された絶縁膜１０の上に半導体膜６を重ねて形成する半導体膜形成工程Ｓ４０と、不純物領域８の上に形成された絶縁膜１１を除去する除去工程Ｓ５０と、孔９に、孔９の底面に露出している不純物領域８に接し、前記底面から孔９の開口部までつながる半導体部１２を形成する半導体部形成工程Ｓ６０と、を有する。
なお、半導体膜形成工程Ｓ４０は、ゲート電極層７の前記露出部分の上に形成された絶縁膜１０の上に非晶質半導体膜６を重ねて形成する工程であり、半導体部形成工程Ｓ６０は、孔９に、孔９の底面に露出している不純物領域８に接し、前記底面から孔９の開口部までつながる非晶質の半導体部６を形成した後、非晶質の半導体部６を、半導体膜形成工程Ｓ４０で形成した非晶質半導体膜６とともに加熱処理し単結晶半導体に結晶化する工程であってもよい。
また、半導体膜形成工程Ｓ４０は、ゲート電極層７の前記露出部分の上に形成された絶縁膜１０の上に、単一の半導体膜６を重ねて形成する工程であってもよい。
また、半導体部形成工程Ｓ６０は、単一の半導体で半導体部１２を形成する工程であってもよい。
また、半導体部形成工程Ｓ６０において、半導体部１２を形成する単一の半導体は、不純物領域８を形成した半導体基板１または半導体層を構成する単結晶半導体と同じ材料であってもよい。
また、絶縁膜形成工程Ｓ３０は、絶縁膜１０、１１として、酸化膜、窒化膜、酸窒化膜、酸化膜と窒化膜の積層膜（ＯＮＯ膜）の中のいずれかを形成する工程であってもよい。
また、ゲート電極層７の前記露出部分の上に形成された絶縁膜１０は、縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜となってもよい。
以下、図１から図２０を用いて、本実施形態の半導体装置の製造方法の一例についてより詳細に説明する。図１から図２０は、本実施形態の縦型ＭＩＳＦＥＴの製造工程の各段階の状態を示す上面図及び断面図の一例である。各断面図は、各上面図のＡ−Ａ'線に沿った断面を示している。本実施形態の製造方法は、ｎ型ＭＩＳＦＥＴにも、ｐ型ＭＩＳＦＥＴにも適用可能であるが、ここでは、図１から図２０を用い、ｎ型ＭＩＳＦＥＴの製造方法を一例として説明する。
まず、図１に示すように、半導体基板１に素子分離絶縁膜２を形成する。半導体基板１は、通常、単結晶半導体基板もしくは単結晶半導体が表面に設けられた基板であり、最も一般的なものはｐ型のバルクＳｉ（１００）基板である。しかしながら、バルクＳｉ基板で（１１０）、（１１１）などの他の面方位の基板を用いてもかまわず、面方位に制限されない。また基板のオリフラ（ノッチ）方向にも制限されない。また、ドーピングの型や量にも制限されない。半導体基板１としてはバルクＳｉ基板でなくてもかまわず、半導体単結晶が表面に設けられた基板として、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を用いてもよい。以下では、半導体基板１を、最も一般的な、ｐ型のバルクＳｉ（１００）基板として説明する。素子分離絶縁膜２の形成は、ＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）法を用いる。また、ＳＴＩ法の代わりに、ＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃａｌ Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ ｏｆ Ｓｉｌｉｃｏｎ）法を用いてもよい。
次に、図２に示すように、ｎ型のドーパント（Ｐ、Ａｓなど）をイオン注入し、不純物領域として、ｎ型ドーパント注入層３を作製する。例えば、１価のＰイオンをイオン注入する。このｎ型ドーパント注入層３は、後の工程でドーパントが活性化され、ｎ型拡散層８となる。
次に、図３に示すように、半導体基板１上に、第一絶縁層４、５として、ＰＳＧ膜４、ＮＳＧ膜５をこの順に成膜する。その後、ＮＳＧ膜５の上に、ゲート電極層として非晶質Ｓｉ膜６を成膜する。その後、非晶質Ｓｉ膜６の上に、第二絶縁層５、４として、ＮＳＧ膜５、ＰＳＧ膜４をこの順に成膜する。例えば、減圧ＣＶＤ法を用いて、ＰＳＧ膜４、ＮＳＧ膜５、非晶質Ｓｉ膜６、ＮＳＧ膜５、ＰＳＧ膜４を順に成膜してもよい。
ここで、第一絶縁層４、５および第二絶縁層５、４として成膜されたＰＳＧ膜４は、後工程で形成される単結晶Ｓｉチャネル１２にエクステンション１３を作製する際に、ｎ型ドーパントを供給するために利用される。また、第一絶縁層４、５および第二絶縁層５、４として成膜されたＮＳＧ膜５は、縦型ＭＩＳＦＥＴのオフセットスペーサーとなるもので、ゲート電極７とエクステンション層１３の重なりを調整する。また、非晶質Ｓｉ膜６は、後工程で縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極に加工される。そして、非晶質Ｓｉ膜６の膜厚が縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート長となる。
なお、ゲート電極層として非晶質Ｓｉ膜６の代わりに、多結晶Ｓｉ膜を用いてもよい。ただし、成膜後の表面の凸凹は、多結晶Ｓｉ膜より非晶質Ｓｉ膜の方が小さく、非晶質Ｓｉ膜の方が局所的な膜厚の均一性を確保しやすい。このため、成膜時には、非晶質Ｓｉ膜６を成膜するほうが好ましい。非晶質Ｓｉ膜６を成膜しても、後工程の熱処理により、多結晶Ｓｉ膜に変化することになる。
また、ＮＳＧ膜５の代わりとして、ノンドープの絶縁膜を用いてもよい。例えば、プラズマ酸化膜やＳｉ窒化膜を用いてもよい。しかしながら、Ｓｉ窒化膜を用いる場合、後工程で行う、チャネルを単結晶半導体にするための固相エピタキシャル成長時の熱処理温度を低めにする必要がある。ＰＳＧ膜４は、後工程で形成される単結晶Ｓｉチャネル１２に、エクステンション１３を作製する際にｎ型ドーパントを供給するために設けられているが、縦型ＭＩＳＦＥＴのプロセスにより、ゲート電極近傍のソース、ドレインを形成するｎ型ドーパントを上下の電極層のみから供給する場合には、ＰＳＧ膜４は、ＮＳＧ膜やプラズマ酸化膜に置き換え可能である。
図３のように積層体を形成した後、半導体基板１のｎ型ドーパント注入層３のドーパントの活性化のために、熱処理を行う。例えば、窒素雰囲気もしくは、窒素雰囲気に微量の酸素が混入された雰囲気で、１０５０℃のスパイクアニール（目的の温度まで、装置の最大の、もしくは最大に近い昇温レートで昇温して、目的の温度での維持時間を０秒とし、装置の最大の、もしくは最大に近い降温レートで降温するアニール）を行う。このとき、ｎ型ドーパント注入層３のドーパントが活性化され、ｎ型ドーパント注入層３はｎ型拡散層８になる。また同時に、非晶質Ｓｉ膜６が多結晶Ｓｉ膜７に変化する。この熱処理の際には、既に多結晶Ｓｉ膜７の上側にＮＳＧ膜５が成膜されているので、その局所的な膜厚は変動しない。このように、非晶質Ｓｉ膜６を成膜し（図３参照）、その後、熱処理して多結晶Ｓｉ膜７に変化させる（図４参照）工程を経ることで、最初から多結晶Ｓｉ膜を成膜した場合に比べ、より膜厚が局所的に均一な多結晶Ｓｉ膜７を形成でき、縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート長ばらつきを低減させられる。
次に、レジスト塗布、露光、現像という一連のリソグラフィー工程を行って、図５の孔９が形成される領域にレジストが存在しないようなレジストパターンを作製する。その後、エッチング（ドライエッチング）を行い、ＰＳＧ膜４、ＮＳＧ膜５、多結晶Ｓｉ膜７、ＮＳＧ膜５、ＰＳＧ膜４を貫き、半導体基板１のｎ型拡散層８にいたる孔９を形成する。エッチング後、レジストを剥離すると、図５のように、孔９が形成された構造が得られる。
なお、図５（ａ）に示されるように、孔９の断面形状としては円が最も一般的であるが、孔９の断面形状は円に限定されない。楕円、正方形、長方形、三角形、菱形などでもかまわない。また、半導体基板１上に、縦型ＭＩＳＦＥＴを同時に複数個作成する場合には、形状の異なるものが混在していてもかまわない。また、同じ形状のもので、大きさ（断面積）が異なるものが混在していてもかまわない。
孔９の形成後、図６に示すように熱酸化を行い、孔９に面する多結晶Ｓｉ膜７の端に、ゲート絶縁膜１０としてＳｉ酸化膜を形成する。このとき、孔９内の半導体基板１のｎ型拡散層８の表面にも、ゲート絶縁膜１０と同じ絶縁膜１１（Ｓｉ酸化膜）が形成される。ゲート絶縁膜１０としては、Ｓｉ酸窒化膜を作製してもよい。この場合、酸窒化膜の窒素プロファイルは、窒素の多い部分が、孔９側にこないようにする。これは、縦型ＭＩＳＦＥＴの移動度を低下させないためである。
ゲート絶縁膜１０の形成後、図７に示すように、ドーピングされていない非晶質Ｓｉ膜６を、孔９の側壁にそってコンフォーマルに成膜する。例えば、減圧ＣＶＤ法で非晶質Ｓｉ膜６を成膜する。非晶質Ｓｉ膜６の成膜後、図８に示すように、ドライエッチングで非晶質Ｓｉ膜６を異方性エッチングし、孔９の側壁にそって、非晶質Ｓｉ膜６の側壁を形成する。ここで、非晶質Ｓｉ膜６の側壁で、ゲート絶縁膜１０が覆われている点が重要である。また孔９の底面には、ゲート絶縁膜１０と同時に形成された絶縁膜１１が露出した状態となる。
この状態で、図９に示すように、希フッ酸処理を行う。希フッ酸処理は、孔９の底面に露出しているｎ型拡散層８の表面に形成された絶縁膜１１を除去するとともに、後工程の非晶質Ｓｉ成膜の前処理（非晶質Ｓｉ膜６の側壁表面の自然酸化膜を除去し、水素終端する）を兼ねる。希フッ酸処理を行うと、絶縁膜１１は除去されるが、ゲート絶縁膜１０は、非晶質Ｓｉ膜６の側壁に保護されて、エッチングされない。すなわち、孔９の底面の絶縁膜１１を除去する際に、ゲート絶縁膜１０は損傷を受けない。ただし、本実施形態の方法では、この希フッ酸処理の際に、上部のＰＳＧ膜４がエッチングされ膜減りする。したがって、希フッ酸処理の時間は、ＰＳＧ膜４が消失しないような処理時間に限定される。このため、上側のＰＳＧ膜４は、この希フッ酸処理時の膜減りを考慮した厚さが、図３の工程で成膜される。
図９の希フッ酸処理の後、図１０に示すように、直ちに、第二絶縁層５、４を構成するＰＳＧ膜４の上に、ＵＨＶ（Ｕｌｔｒａ Ｈｉｇｈ Ｖａｃｕｕｍ）−ＣＶＤ法で非晶質Ｓｉ膜６を成膜し、孔９（図示せず）を非晶質Ｓｉ膜６で埋める。半導体基板１に縦型ＭＩＳＦＥＴを同時に複数個作製し、孔９（図示せず）の断面形状や断面積が異なるものが混在する場合、非晶質Ｓｉ膜６は、最も断面積が大きい孔９（図示せず）が十分埋まる膜厚で成膜する。
なお、図９では希フッ酸処理、図１０では、ＵＨＶ−ＣＶＤ法による非晶質Ｓｉ膜６を成膜する例をとりあげたが、図９では、ウエット処理の希フッ酸処理ではなく、気相ＨＦ処理のような酸化膜の除去手段を用いてもよい。この場合は、孔９の底面の絶縁膜１１の除去後、大気にさらすことなく真空中を（できれば超高真空中を）搬送し、ＵＨＶ−ＣＶＤ法、もしくは減圧ＣＶＤ法の成膜装置に送り込み、非晶質Ｓｉ膜６の成膜をただちに行う。
非晶質Ｓｉ膜６の成膜後は、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、非晶質Ｓｉ膜６の表面を平坦化した後、エッチングを行い、ＰＳＧ膜４の上面で停止させることで、図１１に示す形状が得られる。ＣＭＰ法を用いない場合は、孔９上のくぼみが小さくなるまで非晶質Ｓｉ膜６を厚く成膜し、その後、同様に非晶質Ｓｉ膜６をエッチングし、ＰＳＧ膜４の上面で停止させる。
図１１の状態において、窒素雰囲気、６００度で熱処理することで、孔９（図示せず）に埋まった非晶質Ｓｉ膜６を固相エピタキシャル成長させ、図１２に示すように、単結晶Ｓｉ膜１２に変化させる。この際、図８の工程で形成された非晶質Ｓｉ膜６の側壁と、図１０の工程で残りの孔９（図示せず）に埋め込まれた非晶質Ｓｉ膜６が同時に固相エピタキシャル成長する。なお、このとき固相エピタキシャル成長で形成された単結晶Ｓｉ膜１２は、後工程のプロセスを経て、縦型ＭＩＳＦＥＴのチャネルとなる。単結晶Ｓｉ膜１２の形成後、縦型ＭＩＳＦＥＴのしきい値電圧調整のため、単結晶Ｓｉ膜１２に、ｐ型のドーパントをイオン注入する。例えば、１価のＢをイオン注入する。
単結晶Ｓｉ膜１２へのイオン注入後、図１３に示すように、第二絶縁層５、４を構成するＰＳＧ膜４の上に、多結晶Ｓｉ膜７を成膜する。この後、レジスト塗布、露光、現像という一連のリソグラフィー工程を行って、縦型ＭＩＳＦＥＴの上部電極となる領域にレジストが残るようなレジストパターンの形成を行い、このレジストパターンをマスクに、多結晶Ｓｉ膜７、ＰＳＧ膜４、ＮＳＧ膜５を上から順にエッチングし、ゲート電極層である多結晶Ｓｉ膜７面で、エッチングを停止させる。エッチング後、レジストを除去すると、図１４のような形状が得られる。
この後、ｎ型のドーパントのイオン注入を行い、縦型ＭＩＳＦＥＴの上部電極となる多結晶Ｓｉ膜７（図中、上方に位置する多結晶Ｓｉ膜７）と、ゲート電極となる多結晶Ｓｉ膜７（図中、下方に位置する多結晶Ｓｉ膜７）に、ｎ型のドーパントを導入する。この後、導入したドーパントの活性化のために、窒素雰囲気、もしくは窒素雰囲気にわずかな酸素が混入された雰囲気で、１０５０℃のスパイクアニールを行う。この際、単結晶Ｓｉ膜１２にしきい値電圧調整用のためにイオン注入されたｐ型のドーパントと、上部電極とゲート電極の多結晶Ｓｉ膜７にイオン注入されたｎ型のドーパントの活性化を行うとともに、ＰＳＧ膜４から、ｎ型ドーパントのＰを単結晶Ｓｉ１２内に移動させ、活性化させる。この工程を経ることにより、図１５に示すように、単結晶Ｓｉ１２内に、縦型ＭＩＳＦＥＴのエクステンション１３が形成される。
エクステンション１３の形成後は、レジスト塗布、露光、現像という一連のリソグラフィー工程を行って、縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極となる領域にレジストが残るようなレジストパターンの形成を行い、このレジストパターンをマスクに、多結晶Ｓｉ膜７、ＮＳＧ膜５、ＰＳＧ膜４を上から順にエッチングし、半導体基板１の表面で停止させる。エッチング後、レジストを剥離すると、図１６のような形状が得られる。
それから、後工程のシリサイド形成時に、ゲート電極と上部電極、ゲート電極と半導体基板１に形成される下部電極との短絡をふせぐため、サイドウォールを形成する。このために、まずサイドウォール絶縁膜１４を成膜し、エッチバックする。すると、図１７のような形状が得られる。
この後、図１８に示すように、上部電極の多結晶Ｓｉ膜７、ゲートの多結晶Ｓｉ膜７、下部電極の半導体基板１のｎ型拡散層８に、シリサイド１５を形成する。シリサイド層１５としては、Ｎｉシリサイド、Ｔｉシリサイド、Ｃｏシリサイド、Ｐｄシリサイド、Ｐｔシリサイド、Ｅｒシリサイドなどが用いられるが、これらのシリサイドに限定されるものではない。また、金属合金のシリサイドでもよい。金属合金シリサイドとしては、例えばＮｉＰｔシリサイドがある。なお、図１８とは異なるが、シリサイド形成の際の熱負荷を大きくする、多結晶Ｓｉ膜７の膜厚を薄くする、上部電極の面積を小さくするなどして、ゲートの多結晶Ｓｉ膜全体をシリサイド化して、メタルゲート電極にすることも可能である。
シリサイド１５の形成後、図１９に示すように、ストッパー絶縁膜１６を成膜する。例えば、ストッパー絶縁膜１６として、Ｓｉ窒化膜を成膜する。ストッパー絶縁膜１６の成膜後は、層間絶縁膜１７を成膜し、ＣＭＰ法を用いて、表面を平坦化する。例えば、層間絶縁膜として、プラズマＣＶＤ法により、プラズマ酸化膜を成膜し、その後、ＣＭＰ法を用いて、表面を平坦化する。
それから、レジスト塗布、露光、現像という一連のリソグラフィー工程を行って、縦型ＭＩＳＦＥＴのコンタクトとなる領域にレジストが残らないようなレジストパターンの形成を行い、このレジストパターンをマスクに、層間絶縁膜１７をエッチングし、ストッパー絶縁膜１６で一度停止させる。その後、ストッパー絶縁膜１６のエッチングを行い、レジストを剥離する。この後、金属を孔に埋め込んで、コンタクト１８を形成する。具体的には、ＴｉとＴｉＮをスパッタして熱処理し、その後、ＣＶＤ法によりＷを埋め込んで、ＣＭＰを行う。このようにして、図２０のような形状が得られる。その後、必要に応じて、従来からの方法で配線層や電極パッドがさらに形成される。
以上の説明では、ｎ型ＭＩＳＦＥＴの製造方法を説明した。本実施形態の製造方法では、同様にｐ型ＭＩＳＦＥＴを製造することも可能である。その際には、半導体基板１がｐ型のバルクＳｉ（１００）基板であるとすると、まず、図２において、ｎウェル形成のため、ｎ型のドーパントをイオン注入する。次に、ｎ型のドーパント注入層３の代わりに、ｐ型のドーパントをイオン注入し、ｐ型のドーパント注入層を作製する。それから図３において、ＰＳＧ膜４の代わりに、ＢＳＧ（Ｂｏｒｏｎ Ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）膜を成膜する。この後、アニールすると、半導体基板１には、ｎ型拡散層８の代わりに、ｐ型拡散層が形成される。このｐ型拡散層は、縦型のｐ型ＭＩＳＦＥＴの下部電極となる。さらに図１２で、しきい値電圧調整用にｐ型のドーパントをイオン注入するかわりにｎ型のドーパントをイオン注入し、図１４で、ｎ型のドーパントをイオン注入してアニールする代わりに、ｐ型のドーパントをイオン注入して、アニールする。以上のように工程を変更することで、ｐ型ＭＩＳＦＥＴの製造が可能である。なお、ｎ型ＭＩＳＦＥＴとｐ型ＭＩＳＦＥＴを半導体基板１に同時に形成する、いわゆるＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）の製造方法については、別の実施形態で詳述する。
なお、上記の説明で、図１２でノンドープの単結晶Ｓｉ膜を形成し、その後、しきい値電圧調整用のイオン注入を行ったが、この代わりに、図７で成膜する非晶質Ｓｉ膜６、図１０で成膜する非晶質Ｓｉ膜６に、それぞれ、しきい値電圧調整用の同じｐ型のドーパントを同量ドーピングしてもよい（ｎ型ＭＩＳＦＥＴの場合）。ｐ型ＭＩＳＦＥＴでは、図７で成膜する非晶質Ｓｉ膜６、図１０で成膜する非晶質Ｓｉ膜６に、それぞれ、しきい値電圧調整用の同じｎ型のドーパントを同量ドーピングしてもよい。
上記の説明では、半導体基板１は、通常、単結晶半導体基板もしくは単結晶半導体が表面に設けられた基板であり、その単結晶半導体材料はＳｉとして説明を行った。しかしながら、基板表面の単結晶半導体材料はＳｉに限定されるわけではなく、他の半導体材料が用いられている基板でもかまわない。例えば、Ｇｅ基板、ＳｉＣ基板、ＳＧＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｇｅｒｍａｎｉｕｍ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板でもよい。また、半導体基板１としてはＧａＡｓ、ＧａＮ、ＩｎＡｓのようなＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶半導体基板、ＺｎＳｅのようなＩＩ−ＶＩ化合物単結晶半導体基板であってもよい。この場合、図７で成膜され、図８で側壁となる非晶質半導体と、図１０で孔９の残りの部分に埋め込まれる非晶質半導体は、基板の単結晶材料と同じにする。例えば、単結晶半導体基板がＧｅ基板であれば、図７で成膜され、図８で側壁となる非晶質半導体は、非晶質Ｇｅであり、図１０で孔９の残りの部分に埋め込まれる非晶質半導体も、非晶質Ｇｅである。また別の場合に、単結晶半導体が表面に設けられた基板としてＳＧＯＩ基板を用いれば、図７で成膜され、図８で側壁となる非晶質半導体は、非晶質ＳｉＧｅであり、図１０で孔９の残りの部分に埋め込まれる非晶質半導体も、非晶質ＳｉＧｅであり、ＳｉＧｅのＧｅ含有率は、すべてＳＧＯＩ基板のＧｅ含有率と同じにする。
ただし、このような場合でも、ゲートの半導体材料は、特に制限を受けず、基板の単結晶半導体材料と必ずしも同じにする必要はない。具体的に述べると、例えば、単結晶半導体基板としてＧｅ基板を用いる場合、ゲートは多結晶Ｓｉでも、多結晶Ｇｅでも、多結晶ＳｉＧｅでも、そのほかの材料でもかまわない。単結晶半導体基板としてＳｉＣ基板を用いる場合でも、ゲートは多結晶Ｓｉでも、多結晶Ｇｅでも、多結晶ＳｉＧｅでも、そのほかの材料でもかまわない。
以上説明してきたように、本実施形態の製造方法では、希フッ酸処理時に非晶質Ｓｉなどの半導体層によってゲート絶縁膜を保護するので、ゲート絶縁膜にフッ酸処理耐性をもたせる必要がない。このため、チャネル側をＳｉ酸化膜、もしくは窒素の割合が少ないＳｉ酸窒化膜としてよいので、チャネル側を窒素の割合が高いＳｉ酸窒化膜やＳｉ窒化膜とした場合に比べて、ゲート絶縁膜が原因の移動度劣化は生じない。また、ゲート絶縁膜保護に用いた非晶質Ｓｉと孔を埋めた非晶質Ｓｉをまとめて固相エピタキシャル成長させることで単結晶Ｓｉに変化させた場合、縦型ＭＩＳＦＥＴのチャネルは単結晶Ｓｉで構成されることになり、チャネルが多結晶Ｓｉで構成されたＭＩＳＦＥＴより、移動度は向上する。ゲート絶縁膜を保護している非晶質Ｓｉ側壁を除去する必要もないため、保護のための側壁を除去する時にゲート絶縁膜が損傷を受けることもない。
＜実施形態２＞
＜実施形態２＞
本実施形態の半導体装置の製造方法は、実施形態１を基本とし、さらに、図１６７のフローチャート図に示すように、積層工程Ｓ１０の後であって、孔形成工程Ｓ２０の前に、除去工程Ｓ５０における処理で除去されない材料で構成される保護膜１９を、前記積層体の上に成膜する保護膜成膜工程Ｓ１１をさらに有する。
本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、孔９の底面の絶縁膜１１を除去する際に、第二絶縁層５、４を構成するＰＳＧ膜４（図中、情報のＰＳＧ膜４）の膜減りが生じるのを防ぐことができる。これにより、デバイス設計の確実さが向上する。
以下、図２１から図３２を用いて、本実施形態の半導体装置の製造方法の一例についてより詳細に説明する。図２１から図３２は、本実施形態の縦型ＭＩＳＦＥＴの製造工程の各段階の状態を示す上面図及び断面図の一例である。各断面図は、各上面図のＡ−Ａ'線に沿った断面を示している。本実施形態の製造方法は、ｎ型ＭＩＳＦＥＴにも、ｐ型ＭＩＳＦＥＴにも適用可能であるが、ここでは、図２１から図３２を用い、ｎ型ＭＩＳＦＥＴの製造方法を一例として説明する。
まず、実施形態１の製造方法と同様に、図１、図２の製造工程を行う。次に、半導体基板１上に、ＰＳＧ膜４、ＮＳＧ膜５、非晶質Ｓｉ膜６、ＮＳＧ膜５、ＰＳＧ膜４を順に成膜する。ここまでは、実施形態１の製造方法と同じである。本実施形態の場合、図２１に示すように、さらに、この積層体の上に保護膜としてＳｉ窒化膜１９を成膜する。
図２１のように一連の積層体を形成した後、図２２に示すように、半導体基板１のｎ型ドーパント注入層３のドーパントの活性化のために、熱処理を行う。例えば、窒素雰囲気もしくは、窒素雰囲気に微量の酸素が混入された雰囲気で、１０５０℃のスパイクアニールを行う。このとき、ｎ型ドーパント注入層３のドーパントが活性化され、ｎ型ドーパント注入層３はｎ型拡散層８になる。また同時に、非晶質Ｓｉ膜６が多結晶Ｓｉ膜７に変化する。
この後、レジスト塗布、露光、現像という一連のリソグラフィー工程を行って、図２３の孔９が形成される領域のレジストが存在しないようなレジストパターンを作製する。それからエッチング（ドライエッチング）を行い、Ｓｉ窒化膜１９、ＰＳＧ膜４、ＮＳＧ膜５、多結晶Ｓｉ膜７、ＮＳＧ膜５、ＰＳＧ膜４を貫き、半導体基板１のｎ型拡散層８にいたる孔９を形成する。エッチング後、レジストを剥離すると、図２３のように、孔９が形成された構造が得られる。
なお、孔９の断面形状としては、図２３に示すように円が最も一般的であるが、孔９の断面形状は円に限定されない。楕円、正方形、長方形、三角形、菱形などでもかまわない。また、半導体基板１上に、縦型ＭＩＳＦＥＴを同時に複数個作成する場合には、形状の異なるものが混在していてもかまわない。また、同じ形状のもので、大きさ（断面積）が異なるものが混在していてもかまわない。
孔９の形成後、図２４に示すように熱酸化を行い、孔９に面する多結晶Ｓｉ膜７の端に、ゲート絶縁膜１０としてＳｉ酸化膜を形成する。このとき、孔９内の半導体基板１に形成されたｎ型拡散層８の表面にも、ゲート絶縁膜１０と同じ絶縁膜１１（Ｓｉ酸化膜）が形成される。なお、絶縁膜１０、１１は、Ｓｉ酸化膜の代わりに、Ｓｉ酸窒化膜でもかまわない。
ゲート絶縁膜１０の形成後、図２５に示すように、ドーピングされていない非晶質Ｓｉ膜６を、孔９の側壁にそって、コンフォーマルに成膜する。例えば、減圧ＣＶＤ法で非晶質Ｓｉ膜６を成膜する。非晶質Ｓｉ膜６の成膜後、図２６に示すように、ドライエッチングで非晶質Ｓｉ膜６を異方性エッチングし、孔９の側壁にそって、非晶質Ｓｉ膜６の側壁を形成する。孔９の底面には、ゲート絶縁膜１０と同時に形成された絶縁膜１１が露出した状態となる。
この状態で、図２７に示すように、希フッ酸処理を行う。希フッ酸処理は、孔９の底の絶縁膜１１を除去するとともに、後工程の非晶質Ｓｉ成膜の前処理を兼ねる。希フッ酸処理を行うと、絶縁膜１１は除去されるが、ゲート絶縁膜１０は、非晶質Ｓｉ膜６の側壁に保護されて、エッチングされない。すなわち、孔９の底面の絶縁膜１１を除去する際に、ゲート絶縁膜１０は損傷を受けない。加えて、本実施形態の製造方法では、実施形態１の製造方法とは異なり、上側のＰＳＧ膜４の上にＳｉ窒化膜１９が形成され、Ｓｉ窒化膜１９が希フッ酸処理時に上側のＰＳＧ膜４を保護するので、上側のＰＳＧ膜４はエッチングされず、ＰＳＧ膜４の膜減りもおこらない。
図２７の希フッ酸処理の後、図２８に示すように、直ちに、ＵＨＶ−ＣＶＤ法で非晶質Ｓｉ膜６を成膜し、孔９を非晶質Ｓｉ膜６で埋める。半導体基板１に縦型ＭＩＳＦＥＴを同時に複数個作製し、孔９の断面形状や断面積が異なるものが混在する場合、非晶質Ｓｉ膜６は、最も断面積が大きい孔９が十分埋まる膜厚で成膜する。実施形態１の製造方法で説明したように、図２７で気相ＨＦ処理を実施し、その後、大気にふれさせることなく超高真空中を搬送して、図２８でＵＨＶ−ＣＶＤ法で非晶質Ｓｉ膜６を成膜してもよい。
非晶質Ｓｉ膜６の成膜後は、図２９に示すように、ＣＭＰ法により、非晶質Ｓｉ膜６を平坦化する。この際、Ｓｉ窒化膜１９は、ＣＭＰ時のストッパー膜になる。それから、図３０に示すように、Ｓｉ窒化膜１９をリン酸処理で除去する。Ｓｉ窒化膜１９を除去するのは、後工程の固相エピタキシャル成長において、熱処理温度を高くするためである。
Ｓｉ窒化膜１９の除去後、図３１に示すように、窒素雰囲気、６００度で熱処理することで、孔９に埋まった非晶質Ｓｉ膜６を固相エピタキシャル成長させ、非晶質Ｓｉ膜６を単結晶Ｓｉ膜１２に変化させる。単結晶Ｓｉ膜１２の形成後、縦型ＭＩＳＦＥＴのしきい値電圧調整のため、単結晶Ｓｉ膜１２に、ｐ型のドーパントをイオン注入する。例えば、１価のＢをイオン注入する。この後、減圧ＣＶＤ法で多結晶Ｓｉ膜７を成膜し、表面をＣＭＰ法で平坦化すると、図３２のような形状となる。なお、多少の段差はつくが、後工程のプロセスで問題なければ、多結晶Ｓｉ膜７成膜後のＣＭＰは行わなくてもかまわない。
これから後の工程は、実施形態１の製造方法の図１４からの工程に準じて実現される。よって、ここでの詳細な説明は省略する。
なお、本実施形態の場合も、実施形態１で説明した変更と同様の変更を行うことで、ｐ型ＭＩＳＦＥＴに適用可能である。単結晶Ｓｉチャネルへのしきい値電圧調整用のドーパントの導入時期についても、実施形態１の製造方法で説明したように、図３１の固相エピタキシャル成長後イオン注入する代わりに、図２５で成膜する非晶質Ｓｉ膜６、図２８で成膜する非晶質Ｓｉ膜６に、それぞれ、しきい値電圧調整用の同じｐ型のドーパント（ｎ型ＭＩＳＦＥＴの場合）もしくはｎ型のドーパント（ｐ型ＭＩＳＦＥＴの場合）を同量ドーピングしてもよい。半導体基板１についても、実施形態１の製造方法と同様なものが使用可能で、図２５で成膜され、図２６で側壁となる非晶質半導体と、図２８で孔９の残りの部分に埋め込まれる非晶質半導体６は、半導体基板１の単結晶材料と同じにする。
以上のように、本実施形態の製造方法では、図２４での積層膜のエッチングがやや複雑になるものの、図２７の孔９の底面の絶縁膜１１の除去時の、上側のＰＳＧ膜４の膜減りを防止することができる。これにより、デバイス設計の確実さが向上する。
＜実施形態３＞
＜実施形態３＞
本実施形態の半導体装置の製造方法は、実施形態１、２を基本とし、さらに、絶縁膜形成工程Ｓ３０は、ＣＶＤ法により絶縁膜２５を形成する工程である。これにより、目的に応じて、多様な絶縁膜をゲート絶縁膜として使用できるようになる。
以下、図３３から図４１を用いて、本実施形態の半導体装置の製造方法の一例についてより詳細に説明する。図３３から図４１は、本発明の縦型ＭＩＳＦＥＴの製造工程の各段階の状態を示す上面図及び断面図の一例である。各断面図は、各上面図のＡ−Ａ'線に沿った断面を示している。本実施形態の製造方法は、ｎ型ＭＩＳＦＥＴにも、ｐ型ＭＩＳＦＥＴにも適用可能であるが、ここでは、図３３から図４１を用い、ｎ型ＭＩＳＦＥＴの製造方法を一例として説明する。
まず、実施形態１の製造方法と同様に、図１、図２の製造工程を行う。次に、例えば、実施形態２の製造方法と同様に、図２１から図２３の製造工程を行う。
次に、本実施形態の製造方法では、図３３に示すように、ゲート絶縁膜２５を孔９にコンフォーマルに成膜する。例えば、ゲート絶縁膜２５として、Ｓｉ酸化膜をＣＶＤ法によって成膜する。その他のゲート絶縁膜２５の例としては、Ｓｉ窒化膜や、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、ＺｒＯＮ、ＨｆＯＮ、ＨｆＡｌＯＮ、ＨｆＳｉＯＮ、ＨｆＡｌＳｉＯＮなどのいわゆるＨｉｇｈ−ｋ膜を用いてもよい。また、これらの積層膜であってもかまわない。以下では、ゲート絶縁膜２５を、ＣＶＤ法によって成膜されたＳｉ酸化膜として、説明を行う。
次に、図３４に示すように、ドーピングされていない非晶質Ｓｉ膜６を、孔９の側壁にそって、コンフォーマルに成膜する。例えば、減圧ＣＶＤ法で非晶質Ｓｉ膜６を成膜する。非晶質Ｓｉ膜６の成膜後、図３５に示すように、ドライエッチングで非晶質Ｓｉ膜６を異方性エッチングし、孔９の側壁にそって、非晶質Ｓｉ膜６の側壁を形成する。孔９の底面には、ゲート絶縁膜２５から連なる絶縁膜が露出した状態となる。
この状態で、図３６に示すように、孔９の底面に露出した、ゲート絶縁膜２５から連なる絶縁膜を除去する。ゲート絶縁膜２５が、ＣＶＤ法によって成膜されたＳｉ酸化膜であれば、実施形態１の製造方法、実施形態２の製造方法で説明したように、希フッ酸処理を行う。フッ酸処理は、孔９底の絶縁膜２５を除去するとともに、後工程の非晶質Ｓｉ膜成膜の前処理を兼ねる。なお、この際、孔９の側面で上側付近のゲート絶縁膜２５もエッチングされるが、基本的には、ゲート電極となる多結晶Ｓｉ膜７近傍のゲート絶縁膜が残存していれば問題ない。ゲート絶縁膜２５がＨｉｇｈ−ｋ膜であれば、膜種に応じたウエット処理を行って、孔９の底面に露出した部分の絶縁膜を除去する。さらに、次工程の非晶質Ｓｉ膜成膜の前処理として、自然酸化膜の除去のため、希フッ酸処理を行う。
図３６の希フッ酸処理の後、図３７に示すように、直ちに、ＵＨＶ−ＣＶＤ法で非晶質Ｓｉ膜６を成膜し、孔９を非晶質Ｓｉ膜６で埋める。半導体基板１に縦型ＭＩＳＦＥＴを同時に複数個作製し、孔９の断面形状や断面積が異なるものが混在する場合、非晶質Ｓｉ膜６は、最も断面積が大きい孔９が十分埋まる膜厚で成膜する。実施形態１の製造方法で説明したように、図３６で気相ＨＦ処理を実施し、その後、大気にふれさせることなく超高真空中を搬送して、図３７でＵＨＶ−ＣＶＤ法で非晶質Ｓｉ膜６を成膜してもよい。
非晶質Ｓｉ膜６の成膜後は、図３８に示すように、ＣＭＰ法により、非晶質Ｓｉ膜６を平坦化する。この際、Ｓｉ窒化膜１９は、ＣＭＰ時のストッパー膜になる。それから、図３９に示すように、Ｓｉ窒化膜１９をリン酸処理で除去する。
Ｓｉ窒化膜１９の除去後、図４０に示すように、窒素雰囲気、６００度で熱処理することで、孔９に埋まった非晶質Ｓｉ膜６を固相エピタキシャル成長させ、非晶質Ｓｉ膜６を単結晶Ｓｉ膜１２に変化させる。なお、ゲート絶縁膜２５がＳｉ窒化膜やＨｉｇｈ−ｋ膜の場合には、固相エピタキシャル成長時の熱処理温度は、ゲート絶縁膜２５の膜種によって、変化させる（低温にする）必要がある。これは、ゲート絶縁膜２５の膜種によっては、ゲート絶縁膜２５に接する非晶質膜６に結晶核が生成し、この結晶核が種結晶となって、ここから多結晶Ｓｉの成長が始まり、意図する単結晶Ｓｉの成長ができない場合があるからである。単結晶Ｓｉ膜１２の形成後、縦型ＭＩＳＦＥＴのしきい値電圧調整のため、単結晶Ｓｉ膜１２に、ｐ型のドーパントをイオン注入する。例えば、１価のＢをイオン注入する。この後、減圧ＣＶＤ法で多結晶Ｓｉ膜７を成膜し、表面をＣＭＰ法で平坦化すると、図４１のような形状となる。なお、多少の段差はつくが、後工程のプロセスで問題なければ、多結晶Ｓｉ膜７成膜後のＣＭＰは行わなくてもかまわない。
これから後の工程は、実施形態１の製造方法の図１４からの工程に準じて実現される。よって、ここでの詳細な説明は省略する。
なお、本実施形態の場合も、実施形態１で説明した変更と同様の変更を行うことで、ｐ型ＭＩＳＦＥＴに適用可能である。単結晶Ｓｉチャネルへのしきい値電圧調整用のドーパントの導入時期についても、実施形態１の製造方法で説明したように、図４０の固相エピタキシャル成長後イオン注入する代わりに、図３４で成膜する非晶質Ｓｉ膜６、図３７で成膜する非晶質Ｓｉ膜６に、それぞれ、しきい値電圧調整用の同じｐ型のドーパント（ｎ型ＭＩＳＦＥＴの場合）もしくはｎ型のドーパント（ｐ型ＭＩＳＦＥＴの場合）を同量ドーピングしてもよい。半導体基板１についても、実施形態１の製造方法と同様なものが使用可能で、図３４で成膜され、図３５で側壁となる非晶質半導体と、図３７で孔９の残りの部分に埋め込まれる非晶質半導体は、基板の単結晶材料と同じにする。
なお、上記の説明では、まず、実施形態１の製造方法と同様に、図１、図２の製造工程を行い、次に実施形態２の製造方法と同様に、図２１から図２３の製造工程を行った後で、図３３の製造工程を行う例を説明した。しかし、本実施形態の半導体装置の製造方法はこれに限定されず、その他の例として、まず、実施形態１の製造方法と同様に、図１、図２の製造工程を行い、次に実施形態２の製造方法と同様に、図２１から図２４の製造工程を行った後で、図３３の製造工程を行ってもよい。この場合、縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜は、酸化膜、ないしは酸窒化膜と、ＣＶＤ法で形成された絶縁膜の積層膜となる。
また、前記製造方法はあくまで一例であり、実施形態１および２で説明した製造方法をあらゆる形で組み合わせ、実現することができる。
以上の説明のように、本実施形態の製造方法を用いれば、ゲート絶縁膜として、孔９にコンフォーマルに成膜される膜を用いることができる。コンフォーマルに成膜されるゲート絶縁膜としては、ＣＶＤ法によって形成される絶縁膜などがあり、ゲート絶縁膜としてＨｉｇｈ−ｋ膜を用いる縦型ＭＩＳＦＥＴに適用可能である。
＜実施形態４＞
＜実施形態４＞
本実施形態の半導体装置の製造方法は、実施形態１から３を基本とし、さらに、図４９に示すように、半導体膜形成工程Ｓ４０で形成され、後工程で単結晶化された半導体膜２１と接する半導体部１２を構成する半導体と、前記半導体と接する半導体膜２１と、は、ドーピングの有無、ドーピングの型、ドーピング濃度、ドーパントの種類、材料のうち、少なくとも一つが異なる。
本実施形態の半導体装置は、図４２に示すように、半導体基板１または半導体層に形成された下部電極となる不純物領域８の上に、第一絶縁層４、５と、ゲート電極となるゲート電極層７と、第二絶縁層５、４と、をこの順に積層した積層体と、前記積層体を半導体基板１と略垂直方向に貫通し、不純物領域８と接するチャネル部１２、２１と、前記積層体の上方に、チャネル部１２、２１の不純物領域８と接する面の反対側の面に接して形成される上部電極層と、ゲート電極層７とチャネル部１２、２１との間に、チャネル部１２、２１の周囲を囲むように形成されるゲート絶縁膜１０と、を有する縦型ＭＩＳＦＥＴであって、ゲート電極７と上部電極との間の第二絶縁層５、４の厚さ、および、ゲート電極７と下部電極８との間の第一絶縁層４、５の厚さは、ゲート絶縁膜１０の膜厚より厚く、ゲート絶縁膜１０に周囲を囲まれたチャネル部１２、２１は、半導体基板１に垂直な方向に均一な複数の半導体１２、２１で構成されている。
また、本実施形態の半導体装置のゲート絶縁膜１０は、酸化膜、窒化膜、酸窒化膜、酸化膜と窒化膜の積層膜（ＯＮＯ膜）の中のいずれかであってもよい。
また、本実施形態の半導体装置のゲート絶縁膜１０は、ＣＶＤ法により形成されてもよい。
また、本実施形態の半導体装置のチャネル部１２、２１を構成する半導体は、不純物領域８を形成した半導体基板１または半導体層を構成する単結晶半導体と同じ材料の単結晶半導体を含んでもよい。
また、本実施形態の半導体装置のチャネル部１２、２１を構成する複数の半導体の隣り合う半導体どうしは、ドーピングの有無、ドーピングの型、ドーピング濃度、ドーパントの種類、材料のうち、少なくとも一つが異なってもよい。
また、本実施形態の半導体装置のチャネル部１２、２１は、上部電極およびゲート電極７および下部電極８と、異なる型のドーパントでドーピングされており、そのドーピング濃度は、ゲート絶縁膜１０と接する側面からチャネル部１２、２１の略中心軸に向かって高くなっていてもよい。
また、本実施形態の半導体装置のチャネル部１２、２１は、ゲート絶縁膜１０と接する部分は真性半導体で構成され、前記真性半導体と隣接する部分は、上部電極およびゲート電極７および下部電極８と、異なる型のドーパントでドーピングされた半導体で構成されてもよい。
また、本実施形態の半導体装置のチャネル部１２、２１は、ゲート絶縁膜１０に接するＳｉＧｅと、前記ＳｉＧｅに接するＳｉと、から構成されてもよい。
図４２は、本実施形態の半導体装置の上面図（図４２（ａ））及び断面図（図４２（ｂ））の一例である。断面図は、上面図のＡ−Ａ'線に沿った断面を示している。本実施形態の半導体装置は、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴもしくはｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴであるが、図４２では、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを一例として示している。
本実施形態の半導体装置の構造上の第１の特徴は、縦型ＭＩＳＦＥＴを構成するチャネル部１２、２１のうち、ゲート絶縁膜１０で周囲を囲まれた部分が、半導体基板１に垂直な方向に均一な複数層の半導体１２、２１から構成されていることである。すなわち、チャネル部分１２、２１のうち、ゲート絶縁膜１０に接する部分は第１の単結晶半導体２１で構成され、第１の単結晶半導体２１で周囲を囲まれるように、単結晶Ｓｉ１２が形成されている。図４２のように、縦型ＭＩＳＦＥＴの断面形状が円であれば、ゲート絶縁膜１０、第１の単結晶半導体２１、単結晶Ｓｉ１２が、この順番に外側から同心円状に構成される。
第１の単結晶半導体２１は、単結晶Ｓｉ１２と、ドーピングの有無（真性半導体か否か）、型（ｎ型もしくはｐ型）、濃度、ドーパントの種類（Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂ、Ｉｎなど）、材料（Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅＣなど）のうち、少なくとも１つが異なるものである。例えば、第１の単結晶半導体２１と単結晶Ｓｉ１２が、ともにｐ型Ｓｉであるが、ドーピング濃度が異なる（例として、第１の単結晶半導体２１のドーピング濃度が、単結晶Ｓｉ１２のドーピング濃度より薄い）場合がある。あるいは別の場合として、第１の単結晶半導体２１がドーピングされていない真性半導体の単結晶Ｓｉで、単結晶Ｓｉ１２がｐ型Ｓｉである場合がある。また別の場合には、第１の単結晶半導体２１と単結晶Ｓｉ１２のドーピングの有無、型、濃度、ドーパントの種類は同じだが、第１の単結晶半導体２１がＳｉ以外の材料（ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅＣなど）である場合がある。ただし、第１の単結晶半導体２１がＳｉ以外の材料（ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅＣなど）である場合には、後で述べるように、固相エピタキシャル成長で第１の単結晶半導体２１を作製するため、Ｇｅ、Ｃの含有率は高くなく、第１の単結晶半導体２１の膜厚は臨界膜厚よりずっと薄い場合に限定される。このように、第１の単結晶半導体２１は、単結晶Ｓｉ１２と、ドーピングの有無、型、濃度、ドーパントの種類、材料のうち、少なくとも１つが異なるものであり、２つ以上のものが異なっていてもよい。
本実施形態の半導体装置の構造上の第２の特徴は、縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極と上部電極の間の絶縁膜（第二絶縁層５、４）の膜厚と、縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極と下部電極の間の絶縁膜（第一絶縁層４、５）の膜厚が、ゲート絶縁膜１０の膜厚より厚いことである。
本実施形態の半導体装置の第１の特徴を備えた半導体装置は、例えば、特許文献４にも記載されている。しかしながら、特許文献４の例も含めて、構造上の第１の特徴を備えたこれまでの半導体装置は、縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極と上部電極の間の絶縁膜の膜厚と、縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極と下部電極の間の絶縁膜の膜厚のどちらか、もしくはその両方が、ゲート絶縁膜の膜厚と同じであった。このため、ゲート電極と上部電極の間のリークとゲート電極と下部電極の間のリークのどちらか、もしくはその両方が大きくならざるをえなかった（あるいは、ゲート絶縁膜を薄くすることはできなかった）。そのほかにも、ゲート電極と上部電極の間の付加容量、ゲート電極と下部電極の間の付加容量のどちらか、もしくはその両方が大きくなり、高速動作に適さなかった。
本実施形態の半導体装置は、第１の構造上の特徴を備えながらも、第２の構造上の特徴を同時に備えることによって、リークの問題や、付加容量の問題を改善する。また、ゲート絶縁膜と独立に、縦型ＭＩＳＦＥＴのゲートと上部電極の間の絶縁膜の膜厚と、縦型ＭＩＳＦＥＴのゲートと下部電極の間の絶縁膜の膜厚を決定できるので、デバイス設計の自由度が増す。
ここで、本実施形態の半導体装置の具体的構成について説明する。図４２において、ゲート絶縁膜１０に接する多結晶Ｓｉ７がゲート電極である。下部電極は、半導体基板１に形成されたｎ型拡散層８であり、素子分離膜２に囲まれている。上部電極は、単結晶Ｓｉ１２の上部と、これに接する多結晶Ｓｉ７（ゲート電極となる多結晶Ｓｉ７と同じ模様を付してある）である。なお、多結晶Ｓｉ７もｎ型にドーピングされている。上部電極とゲート電極の間はＮＳＧ膜５とＰＳＧ膜４の絶縁層（第二絶縁層５、４）が形成され、下部電極とゲート電極の間は、ＰＳＧ膜４とＮＳＧ膜５の絶縁層（第一絶縁層４、５）が形成されている。そして、第一絶縁層４、５、第二絶縁層５、４ともに、ＰＳＧ膜４とＮＳＧ膜５の膜厚の和が、ゲート絶縁膜１０の膜厚より厚くなっている。ＮＳＧ膜５とＰＳＧ膜４の役割は、実施形態１と同様であり、ＮＳＧ膜５は、オフセットスペーサーで、ゲートとエクステンションの重なりを調整している。ＰＳＧ膜４は、単結晶Ｓｉ１２にエクステンション１３を作製する際の、ｎ型ドーパントの供給源である。
半導体基板１は、実施形態１ないし実施形態３と同様に、単結晶半導体基板もしくは単結晶半導体が表面に設けられた基板であり、最も一般的なものはｐ型のバルクＳｉ（１００）基板である。しかしながら、バルクＳｉ基板で（１１０）、（１１１）などの他の面方位の基板を用いてもかまわず、面方位に制限されない。また基板のオリフラ（ノッチ）方向にも制限されない。また、ドーピングの型や量にも制限されない。半導体基板１としてはバルクＳｉ基板でなくてもかまわず、半導体単結晶が表面に設けられた基板として、ＳＯＩ基板を用いてもよい。図４２では、半導体基板１として、ｐ型のバルクＳｉ（１００）基板を想定して図示している。
また、実施形態１ないし実施形態３と同様に、半導体基板１の基板表面の単結晶半導体材料はＳｉに限定されるわけではなく、他の半導体材料が用いられている基板でもかまわない。例えば、Ｇｅ基板、ＳｉＣ基板、ＳＧＯＩ基板でもよい。また、半導体基板１としてはＧａＡｓ、ＧａＮ、ＩｎＡｓのようなＩＩＩ−Ｖ族化合物単結晶半導体基板、ＺｎＳｅのようなＩＩ−ＶＩ族化合物単結晶半導体基板であってもよい。この場合、図４２で縦型ＭＩＳＦＥＴのチャネル部を構成する単結晶Ｓｉ１２は、基板の単結晶材料と同じ材料になる。例えば、単結晶半導体基板がＧｅ基板であれば、縦型ＭＩＳＦＥＴのチャネル部を構成する単結晶Ｓｉ１２は単結晶Ｇｅに置き換わる。このとき、第１の単結晶半導体２１は、チャネル部の中心を構成する単結晶Ｇｅと、ドーピングの有無（真性半導体か否か）、型（ｎ型もしくはｐ型）、濃度、ドーパントの種類（Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂ、Ｉｎなど）、材料（Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅＣなど）のうち、少なくとも１つが異なるものとなる。また別の場合には、単結晶半導体が表面に設けられた基板としてＳＧＯＩ基板を用いれば、縦型ＭＩＳＦＥＴのチャネル部を構成する単結晶Ｓｉ１２は単結晶ＳｉＧｅに置き換わり、ＳｉＧｅのＧｅ含有率は、ＳＧＯＩ基板のＧｅ含有率と同じものとなる。このとき、第１の単結晶半導体２１は、チャネル部の中心を構成する単結晶ＳｉＧｅと、ドーピングの有無（真性半導体か否か）、型（ｎ型もしくはｐ型）、濃度、ドーパントの種類（Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂ、Ｉｎなど）、材料（Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅＣなど）のうち、少なくとも１つが異なるものとなる。
ゲート絶縁膜１０は、図４２では、Ｓｉ酸化膜もしくは、Ｓｉ酸窒化膜を想定している。ゲート絶縁膜として、実施形態３で示したような、Ｓｉ窒化膜や、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、ＺｒＯＮ、ＨｆＯＮ、ＨｆＡｌＯＮ、ＨｆＳｉＯＮ、ＨｆＡｌＳｉＯＮなどのいわゆるＨｉｇｈ−ｋ膜を用いてもよい。また、これらの積層膜であってもかまわない。このとき、ゲート絶縁膜の形状は、例えば、実施形態３で示した図４１のゲート絶縁膜２５のような形状となる。
図４２において、ゲート電極は、多結晶Ｓｉ７でつくられている。しかしながら、ゲート電極の半導体材料は、多結晶Ｓｉに限定されるわけではなく、また基板の単結晶半導体材料と同じにする必要もない。ゲート電極の半導体材料は、多結晶Ｓｉでも、多結晶Ｇｅでも、多結晶ＳｉＧｅでも、そのほかの材料でもかまわない。また半導体に限らず、金属ゲートでもよい。金属ゲートの例として、多結晶ＳｉからなるゲートをＮｉシリサイドですべてシリサイド化したものがあげられる。
図４２において、ゲート電極となる多結晶Ｓｉ７の表面、上部電極となる多結晶Ｓｉ７の表面、半導体基板１に作られる下部電極となるｎ型拡散層８の表面には、シリサイド層１５が形成されている。シリサイド層１５としては、Ｎｉシリサイド、Ｔｉシリサイド、Ｃｏシリサイド、Ｐｄシリサイド、Ｐｔシリサイド、Ｅｒシリサイドなどが用いられるが、これらのシリサイドに限定されるものではない。また、金属合金のシリサイドでもよい。金属合金シリサイドとしては、例えばＮｉＰｔシリサイドがある。なお、サイドウォール絶縁膜１４が、ゲートの端や上部電極の端に形成されているが、これは、シリサイド層１５の形成時、シリサイド層１５によって、ゲートと上部電極間、ゲートと下部電極間を短絡させないためのものである。
シリサイド層に接して、ストッパー絶縁膜１６が形成されている。ストッパー絶縁膜１６は、コンタクト１８形成の工程で、層間絶縁膜１７にコンタクトホールを形成するエッチング時、エッチングを停止させるためのものである。
次に、図４３から図５０を用いて、本実施形態の半導体装置の製造方法の一例についてより詳細に説明する。図４３から図５０は、本実施形態の縦型ＭＩＳＦＥＴの製造工程の各段階の状態を示す上面図及び断面図の一例である。各断面図は、各上面図のＡ−Ａ'線に沿った断面を示している。本実施形態の製造方法は、ｎ型ＭＩＳＦＥＴにも、ｐ型ＭＩＳＦＥＴにも適用可能であるが、ここでは、図４３から図５０を用い、ｎ型ＭＩＳＦＥＴの製造方法を一例として説明する。
まず、実施形態１の製造方法と同様に、図１、図２の製造工程を行う。次に、実施形態２の製造方法と同様に、図２１から図２４の製造工程を行う。
この後、図４３に示すように、第１の非晶質半導体２０を、孔９の側壁にそって、コンフォーマルに成膜する。例えば、減圧ＣＶＤ法で、第１の非晶質半導体２０を成膜する。第１の非晶質半導体２０の成膜後、図４４に示すように、ドライエッチングで第１の非晶質半導体２０を異方性エッチングし、孔９の側壁にそって、第１の非晶質半導体２０の側壁を形成する。孔９の底面には、ゲート絶縁膜１０と同時に形成された絶縁膜１１が露出した状態となる。
この状態で、図４５に示すように、希フッ酸処理を行う。希フッ酸処理は、孔９底の絶縁膜１１を除去するとともに、後工程の非晶質Ｓｉ成膜の前処理を兼ねる。希フッ酸処理を行うと、絶縁膜１１は除去されるが、ゲート絶縁膜１０は、第１の非晶質半導体２０の側壁に保護されて、エッチングされない。すなわち、孔９の底面の絶縁膜１１を除去する際に、ゲート絶縁膜１０は損傷を受けない。
図４５の希フッ酸処理の後、図４６に示すように、直ちに、ＵＨＶ−ＣＶＤ法で非晶質Ｓｉ膜６を成膜し、孔９を非晶質Ｓｉ膜６で埋める。半導体基板１に縦型ＭＩＳＦＥＴを同時に複数個作製し、孔９の断面形状や断面積が異なるものが混在する場合、非晶質Ｓｉ膜６は、最も断面積が大きい孔９が十分埋まる膜厚で成膜する。実施形態１の製造方法で説明したように、図４５で気相ＨＦ処理を実施し、その後、大気にふれさせることなく超高真空中を搬送して、図４６でＵＨＶ−ＣＶＤ法で非晶質Ｓｉ膜６を成膜してもよい。
非晶質Ｓｉ膜６の成膜後は、図４７に示すように、ＣＭＰ法により、非晶質Ｓｉ膜６を平坦化する。この際、Ｓｉ窒化膜１９は、ＣＭＰ時のストッパー膜になる。それから、図４８に示すように、Ｓｉ窒化膜１９をリン酸処理で除去する。Ｓｉ窒化膜１９の除去後、図４９に示すように、窒素雰囲気で熱処理することで、孔９側壁の第１の非晶質半導体２０と残りの孔９に埋まった非晶質Ｓｉ膜６を固相エピタキシャル成長させ、孔９側壁の第１の非晶質半導体２０は第１の単結晶半導体２１に、残りの孔９に埋まった非晶質Ｓｉ膜６は単結晶Ｓｉ膜１２に、それぞれ変化させる。
縦型ＭＩＳＦＥＴのしきい値電圧調整のためのドーパントを、図４３の第１の非晶質半導体２０の成膜時、もしくは、図４６の非晶質Ｓｉ成膜時に導入していない場合は、固相エピタキシャル成長後、第１の単結晶半導体２１と単結晶Ｓｉ膜１２に、ｐ型のドーパントをイオン注入する。例えば、１価のＢをイオン注入する。
この後、減圧ＣＶＤ法で多結晶Ｓｉ膜７を成膜し、表面をＣＭＰ法で平坦化すると、図５０のような形状となる。なお、多少の段差はつくが、後工程のプロセスで問題なければ、多結晶Ｓｉ膜７成膜後のＣＭＰは行わなくてもかまわない。
これから後の工程は、実施形態１の製造方法の図１４からの工程に準じて実現される。よって、ここでの詳細な説明は省略する。
なお、本実施形態の場合も、実施形態１の製造方法と同様な変更を行うことで、ｐ型ＭＩＳＦＥＴに適用可能である。また、前記製造方法はあくまで一例であり、実施形態１ないし３で説明した製造方法をあらゆる形で組み合わせ、実現することができる。
＜実施形態５＞
＜実施形態５＞
本実施形態の半導体装置の製造方法は、実施形態１から４を基本とし、さらに、図５３に示すように、半導体膜形成工程Ｓ４０は、ゲート電極層７の前記露出部分の上に形成された絶縁膜１０の上に、複数の半導体膜２０、２２を重ねて形成する工程であって、さらに、図５８に示すように、半導体膜形成工程Ｓ４０で形成され、後工程で単結晶化された半導体膜２３と接する半導体部１２を構成する半導体と、前記半導体と接する半導体膜２３、前記半導体膜２３と接する半導体膜２１の３つのうち、隣り合う半導体膜どうしは、ドーピングの有無、ドーピングの型、ドーピング濃度、ドーパントの種類、材料のうち、少なくとも一つが異なる。
図５１は、本実施形態の半導体装置の上面図（図５１（ａ））及び断面図（図５１（ｂ））の一例である。断面図は、上面図のＡ−Ａ'線に沿った断面を示している。本実施形態の半導体装置は、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴもしくはｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴであるが、図５１では、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを一例として示している。
本実施形態の半導体装置は、実施形態４の半導体装置の一部を変更したものであり、実施形態４の半導体装置と同様に、２つの構造上の特徴を有する。２つの構造上の特徴とは、（１）チャネル部１２、２１、２３のうち、ゲート絶縁膜１０で周囲を囲まれた部分が、半導体基板１に垂直な方向に均一な複数層の半導体１２、２１、２３から構成されており、隣接する半導体どうしは、ドーピングの有無（真性半導体か否か）、型（ｎ型もしくはｐ型）、濃度、ドーパントの種類（Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂ、Ｉｎなど）、材料（Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅＣなど）のうち、少なくとも１つが異なること、（２）縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極と上部電極の間の絶縁膜（第二絶縁層５、４）の膜厚と、縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極と下部電極の間の絶縁膜（第一絶縁層４、５）の膜厚が、ゲート絶縁膜１０の膜厚より厚いこと、である。
本実施形態の半導体装置と、実施形態４の半導体装置との違いは、縦型ＭＩＳＦＥＴを構成するチャネル部１２、２１、２３の構造である。具体的には、チャネル部１２、２１、２３のうちの、ゲート絶縁膜１０で周囲を囲まれた部分の構造である。図４２に示す実施形態４の半導体装置では、ゲート絶縁膜１０に接する部分が第１の単結晶半導体２１で構成され、第１の単結晶半導体２１で周囲を囲まれるように単結晶Ｓｉ１２が形成されている。それに対し、本実施形態の半導体装置は、図５１に示すように、ゲート絶縁膜１０に接する部分が第１の単結晶半導体２１で構成され、第１の単結晶半導体２１で周囲を囲まれるように、第２の単結晶半導体２３が形成され、さらに第２の単結晶半導体２３で周囲を囲まれるように、単結晶Ｓｉ１２が形成されている。図５１に示すように、縦型ＭＩＳＦＥＴの断面形状が円であれば、ゲート絶縁膜１０、第１の単結晶半導体２１、第２の単結晶半導体２３、単結晶Ｓｉ１２が、この順番に外側から同心円状に構成される。
第１の単結晶半導体２１と第２の単結晶半導体２３、第２の単結晶半導体２３と単結晶Ｓｉ１２のように、互いに接する単結晶半導体は、ドーピングの有無（真性半導体か否か）、型（ｎ型もしくはｐ型）、濃度、ドーパントの種類（Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂ、Ｉｎなど）、材料（Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅＣなど）のうち、少なくとも１つが異なる。第１の単結晶半導体２１と単結晶Ｓｉ１２のように、互いに接しない単結晶半導体については、特に制限はない。ドーピングの有無（真性半導体か否か）、型（ｎ型もしくはｐ型）、濃度、ドーパントの種類（Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂ、Ｉｎなど）、材料（Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅＣなど）がすべて同じでもよいし、いくつかのものが異なっていてもかまわない。
例えば、第１の単結晶半導体２１、第２の単結晶半導体２３、単結晶Ｓｉ１２が、すべてｐ型Ｓｉであるが、ドーピング濃度が異なる場合がある。あるいは別の場合として、第１の単結晶半導体２１がドーピングされていない真性半導体の（もしくはドーピング濃度が薄い）単結晶Ｓｉで、第２の単結晶半導体２３が、ドーピング濃度が高いｐ型Ｓｉでハローの役目を果たし、単結晶Ｓｉ１２が、ドーピング濃度が薄いｐ型Ｓｉである場合がある（この場合、第１の単結晶半導体２１の膜厚は、縦型ＭＩＳＦＥＴのエクステンション深さとほぼ同等にする）。また別の場合には、第１の単結晶半導体２１、第２の単結晶半導体２３、単結晶Ｓｉ１２のドーピングの有無、型、濃度、ドーパントの種類は同じだが、第１の単結晶半導体２１がＳｉで、第２の単結晶半導体２３がＳｉ以外の材料（ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅＣなど）である場合がある。さらにまた別の場合には、第１の単結晶半導体２１、第２の単結晶半導体２３、単結晶Ｓｉ１２のドーピングの有無、型、濃度、ドーパントの種類は同じだが、第１の単結晶半導体２１がＳｉＧｅで、第２の単結晶半導体２３がＳｉＧｅで、第１の単結晶半導体２１と第２の単結晶半導体２３のＧｅ濃度が異なる（例として、第１の単結晶半導体２１のＧｅ濃度が、第２の単結晶半導体２３のＧｅ濃度より高い）場合がある。ただし、実施形態４と同様、第１の単結晶半導体２１、第２の単結晶半導体２３がＳｉ以外の材料（ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅＣなど）である場合には、後で述べるように、第１の単結晶半導体２１と第２の単結晶半導体２３を同時に固相エピタキシャル成長で作製するため、Ｇｅ、Ｃの含有率は高くなく臨界膜厚よりずっと薄い場合に限定される。このように、第１の単結晶半導体２１、第２の単結晶半導体２３、チャネル部の中心を構成する単結晶Ｓｉ１２は、その隣り合うもので、ドーピングの有無、型、濃度、ドーパントの種類、材料のうち、少なくとも１つが異なるものであり、２つ以上のものが異なっていてもよい。
また、図５１では、縦型ＭＩＳＦＥＴを構成するチャネル部１２、２１、２３のうち、ゲート絶縁膜１０で周囲を囲まれた部分が、第１の単結晶半導体２１、第２の単結晶半導体２３、単結晶Ｓｉ１２で構成されているが、さらに多くの単結晶半導体で構成されていてもかまわない。すなわち、第１の単結晶半導体２１、第２の単結晶半導体２３、第３の単結晶半導体、...、第ｎ（ｎは自然数）の単結晶半導体、単結晶Ｓｉ１２という形で、複数の半導体膜をリング形状に重ねた構成としてもかまわない。ただし、この場合も、互いに接する単結晶半導体は、ドーピングの有無（真性半導体か否か）、型（ｎ型もしくはｐ型）、濃度、ドーパントの種類（Ｐ、Ａｓ、Ａｂ、Ｂ、Ｉｎなど）、材料（Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅＣなど）のうち、少なくとも１つが異なるようにする。例えば、第１の単結晶半導体２１、第２の単結晶半導体２３、第３の単結晶半導体、...、第ｎ（ｎは自然数）の単結晶半導体、単結晶Ｓｉ１２という形で、第１の単結晶半導体２１から第ｎ（ｎは自然数）の単結晶半導体までが、すべてＳｉＧｅであり、前記ＳｉＧｅのＧｅ濃度は、ゲート絶縁膜１０とチャネル部との界面からチャネル部の略中心軸に向かって低くなってもよい。
また、別の場合には、第１の単結晶半導体２１、第２の単結晶半導体２３、第３の単結晶半導体、...、第ｎ（ｎは自然数）の単結晶半導体、単結晶Ｓｉ１２という形で、第１の単結晶半導体２１から第ｎ（ｎは自然数）の単結晶半導体と単結晶Ｓｉ１２が、上部電極およびゲート電極７および下部電極８と、異なる型のドーパントでドーピングされているか、もしくはノンドープであって、チャネル部の第一絶縁層４、５および第二絶縁層５、４との界面沿いには、前記界面からチャネル部の略中心軸に向かう方向を深さ方向とするエクステンション１３が形成され、チャネル部の前記ドーピング濃度は、エクステンション１３の最深部より、チャネル部の略中心軸側に濃度ピークを有してもよい。
なお、図５１に示す半導体装置は、図４２に示す実施形態４の半導体装置と同様、半導体基板１として、ｐ型のバルクＳｉ（１００）基板を想定して図示している。本実施形態においても、実施形態４の半導体装置と同様に、半導体基板１として種々のものが利用可能であるが、半導体基板１を変えたときの半導体装置の変更は、実施形態４の半導体装置と同様である。
本実施形態の半導体装置のその他の構造については、実施形態４の半導体装置と変わらない。よって、ここでの詳細な説明は省略する。
次に、図５２から図５９を用いて、本実施形態の半導体装置の製造方法の一例についてより詳細に説明する。図５２から図５９は、本実施形態の縦型ＭＩＳＦＥＴの製造工程の各段階の状態を示す上面図及び断面図の一例である。各断面図は、各上面図のＡ−Ａ'線に沿った断面を示している。本実施形態の製造方法は、ｎ型ＭＩＳＦＥＴにも、ｐ型ＭＩＳＦＥＴにも適用可能であるが、ここでは、図５２から図５９を用い、ｎ型ＭＩＳＦＥＴの製造方法を一例として説明する。
まず、実施形態１の製造方法と同様に、図１、図２の製造工程を行う。次に、実施形態２の製造方法と同様に、図２１から図２４の製造工程を行う。さらに、実施形態４の製造方法と同様に、図４３、図４４の製造工程を行う。
この後、図５２に示すように、第２の非晶質半導体２２を、孔９に形成された第１の非晶質半導体２０の側壁にそって、コンフォーマルに成膜する。例えば、減圧ＣＶＤ法で、第２の非晶質半導体２２を成膜する。第２の非晶質半導体２２の成膜後、図５３に示すように、ドライエッチングで第２の非晶質半導体２２を異方性エッチングし、第２の非晶質半導体２２の側壁を形成する。このとき、孔９の底面には、ゲート絶縁膜１０と同時に形成された絶縁膜１１が露出した状態となる。なお、チャネル部を第１の単結晶半導体、第２の単結晶半導体、第３の単結晶半導体、...、第ｎ（ｎは自然数）の単結晶半導体、単結晶Ｓｉという形で構成する場合、第ｋ（ｋは自然数、２＜ｋ≦ｎ）の非晶質半導体のコンフォーマル成膜、エッチングによる側壁形成を繰り返す。
この状態で、図５４に示すように、希フッ酸処理を行う。希フッ酸処理は、孔９底の絶縁膜１１を除去するとともに、後工程の非晶質Ｓｉ成膜の前処理を兼ねる。希フッ酸処理を行うと、絶縁膜１１は除去されるが、ゲート絶縁膜１０は、第１の非晶質半導体２０の側壁と第２の非晶質半導体２２の側壁に保護されて、エッチングされない。すなわち、孔９の底面の絶縁膜１１を除去する際に、ゲート絶縁膜１０は損傷を受けない。
図５４の希フッ酸処理の後、図５５に示すように、直ちに、ＵＨＶ−ＣＶＤ法で非晶質Ｓｉ膜６を成膜し、孔９の残りの部分を非晶質Ｓｉ膜６で埋める。半導体基板１に縦型ＭＩＳＦＥＴを同時に複数個作製し、孔９の断面形状や断面積が異なるものが混在する場合、非晶質Ｓｉ膜６は、最も断面積が大きい孔９が十分埋まる膜厚で成膜する。実施形態１の製造方法で説明したように、図５４で気相ＨＦ処理を実施し、その後、大気にふれさせることなく超高真空中を搬送して、図５５でＵＨＶ−ＣＶＤ法で非晶質Ｓｉ膜６を成膜してもよい。
非晶質Ｓｉ膜６の成膜後は、図５６に示すように、ＣＭＰ法により、非晶質Ｓｉ膜６を平坦化する。この際、Ｓｉ窒化膜１９は、ＣＭＰ時のストッパー膜になる。それから、図５７に示すように、Ｓｉ窒化膜１９をリン酸処理で除去する。Ｓｉ窒化膜１９の除去後、図５８に示すように、窒素雰囲気で熱処理することで、孔９側壁の第１の非晶質半導体２０、第２の非晶質半導体２２、残りの孔９に埋まった非晶質Ｓｉ膜６を固相エピタキシャル成長させ、孔９側壁の第１の非晶質半導体２０は第１の単結晶半導体２１に、第２の非晶質半導体２２は第２の単結晶半導体２３に、残りの孔９に埋まった非晶質Ｓｉ膜６は単結晶Ｓｉ膜１２に、それぞれ変化させる。
縦型ＭＩＳＦＥＴのしきい値電圧調整のためのドーパントを、図４３の第１の非晶質半導体２０の成膜時、図５２の第２の非晶質半導体２２の成膜時、もしくは、図５５の非晶質Ｓｉ成膜時、に導入していない場合は、固相エピタキシャル成長後、第１の単結晶半導体２１と第２の単結晶半導体２３と単結晶Ｓｉ膜１２に、ｐ型のドーパントをイオン注入する。例えば、１価のＢをイオン注入する。
この後、減圧ＣＶＤ法で多結晶Ｓｉ膜７を成膜し、表面をＣＭＰ法で平坦化すると、図５９のような形状となる。なお、多少の段差はつくが、後工程のプロセスで問題なければ、多結晶Ｓｉ膜７成膜後のＣＭＰは行わなくてもかまわない。
これから後の工程は、実施形態１の製造方法の図１４からの工程に準じて実現される。よって、ここでの詳細な説明は省略する。
なお、本実施形態の場合も、実施形態１の製造方法と同様な変更を行うことで、ｐ型ＭＩＳＦＥＴに適用可能である。また、前記製造方法はあくまで一例であり、実施形態１ないし４で説明した製造方法をあらゆる形で組み合わせ、実現することができる。
＜実施形態６＞
＜実施形態６＞
本実施形態の半導体装置の製造方法は、実施形態１から５を基本とし、さらに、図６６に示すように、半導体部形成工程Ｓ６０は、孔９（図示せず）を、孔９（図示せず）の側壁沿いにリング状に形成した半導体部１２、２１と、前記リング状の中央開口空間を埋める絶縁体２４と、で埋める工程である。
また、半導体部形成工程Ｓ６０は、図６４に示すように、孔９（図示せず）の側壁沿いに非晶質の半導体部６を形成後、孔９（図示せず）を絶縁体２４で埋め、その後、非晶質の半導体部６を、半導体膜形成工程Ｓ４０で形成した非晶質半導体膜２０とともに加熱処理し単結晶半導体に結晶化する工程（図６６参照）であってもよい。
本実施形態の半導体装置は、実施形態４または５を基本とし、さらに、図６０に示すように、チャネル部１２、２１は、半導体膜を複数重ねたリング形状であり、前記リング形状の中心の開口空間には絶縁体２４が埋められている。
図６０は、本実施形態の半導体装置の上面図（図６０（ａ））及び断面図（図６０（ｂ））の一例である。断面図は、上面図のＡ−Ａ'線に沿った断面を示している。本実施形態の半導体装置は、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴもしくはｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴであるが、図６０では、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを一例として示している。
本実施形態の半導体装置は、実施形態４の半導体装置もしくは実施形態５の半導体装置の一部を変更したもので、実施形態４の半導体装置や実施形態５の半導体装置と同様に、２つの構造上の特徴を有する。２つの構造上の特徴とは、（１）チャネル部１２、２１のうち、ゲート絶縁膜１０で周囲を囲まれた部分が、半導体基板１に垂直な方向に均一な複数層の半導体１２、２１から構成されており、隣接する半導体どうしは、ドーピングの有無（真性半導体か否か）、型（ｎ型もしくはｐ型）、濃度、ドーパントの種類（Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂ、Ｉｎなど）、材料（Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅＣなど）のうち、少なくとも１つが異なること、（２）縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極と上部電極の間の絶縁膜（第二絶縁層５、４）の膜厚と、縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極と下部電極の間の絶縁膜（第一絶縁層４、５）の膜厚が、ゲート絶縁膜１０の膜厚より厚いこと、である。
本実施形態の半導体装置と、実施形態４および実施形態５の半導体装置との違いは、縦型ＭＩＳＦＥＴを構成するチャネル部１２、２１の構造である。具体的には、本実施形態のチャネル部１２、２１は、孔９の側壁沿いにリング状に形成されている。そして、リング状のチャネル部１２、２１の中央開口空間は絶縁体２４が埋められている。
本実施形態の半導体装置は、図６０に示すように、縦型ＭＩＳＦＥＴを構成するチャネル部１２、２１のうち、ゲート絶縁膜１０に接する部分が第１の単結晶半導体２１で構成され、第１の単結晶半導体２１で周囲を囲まれるように、単結晶Ｓｉ１２が形成されている。そして、チャネル部１２、２１に周囲を囲まれるように、絶縁体２４が形成されている。図６０に示すように、縦型ＭＩＳＦＥＴの断面形状が円であれば、ゲート絶縁膜１０、第１の単結晶半導体２１、単結晶Ｓｉ１２、絶縁体２４が、この順番に外側から同心円状に構成される。第１の単結晶半導体２１は、第１の単結晶半導体２１に接する単結晶Ｓｉ１２と、ドーピングの有無（真性半導体か否か）、型（ｎ型もしくはｐ型）、濃度、ドーパントの種類（Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂ、Ｉｎなど）、材料（Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅＣなど）のうち、少なくとも１つが異なるものである。第１の単結晶半導体２１と単結晶Ｓｉ１２の具体例については、実施形態４と同様なものが考えられる。絶縁体２４については、後述するように、ＣＭＰを行って、Ｓｉ窒化膜で停止させるので、ＣＭＰ時にＳｉ窒化膜とレートが大きく異なるものが好ましい。そのような絶縁体２４の例として、Ｓｉ酸化膜があげられる。
本実施形態の半導体装置のその他の構造については、実施形態４または５の半導体装置と変わらない。よって、ここでの詳細な説明は省略する。なお、本実施形態の一例を示す図６０は、実施形態４の半導体装置の一部を変更した半導体装置であるが、本実施形態は、第１の単結晶半導体２１と単結晶Ｓｉ１２の間に、第２の単結晶半導体を設けることで、実施形態５の半導体装置の一部を変更した半導体装置とすることができる。
ここで、縦型ＭＩＳＦＥＴの中心部に絶縁体２４が設けられた半導体装置は、例えば、非特許文献１や特許文献５に記載されている。しかしながら、本実施形態の半導体装置は、上述した２つの構造上の特徴を同時に有するため、新規な半導体装置となる。
次に、図６１から図６７を用いて、本実施形態の半導体装置の製造方法の一例についてより詳細に説明する。図６１から図６７は、本実施形態の縦型ＭＩＳＦＥＴの製造工程の各段階の状態を示す上面図及び断面図の一例である。各断面図は、各上面図のＡ−Ａ'線に沿った断面を示している。本実施形態の製造方法は、ｎ型ＭＩＳＦＥＴにも、ｐ型ＭＩＳＦＥＴにも適用可能であるが、ここでは、図６１から図６７を用い、ｎ型ＭＩＳＦＥＴの製造方法を一例として説明する。
まず、実施形態１の製造方法と同様に、図１、図２の製造工程を行う。次に、実施形態２の製造方法と同様に、図２１から図２４の製造工程を行う。さらに、実施形態４の製造方法と同様に、図４３から図４５の製造工程を行う。
図４５の希フッ酸処理の後、図６１に示すように、直ちに、ＵＨＶ−ＣＶＤ法で非晶質Ｓｉ膜６を成膜する。実施形態１の製造方法で説明したように、図４５で気相ＨＦ処理を実施し、その後、大気にふれされることなく超高真空中を搬送して、図６１でＵＨＶ−ＣＶＤ法で非晶質Ｓｉ膜６を成膜してもよい。実施形態４の半導体装置の製造方法では、このとき、非晶質Ｓｉ６で孔９の残りをすべて埋めていたのに対し、本実施形態の半導体装置の製造方法では、孔９の残りを非晶質Ｓｉ６ですべて埋めない点が異なる。非晶質Ｓｉ６の成膜後、図６２に示すように、異方性エッチング（ドライエッチング）を行い、Ｓｉ窒化膜１９上の非晶質Ｓｉ６と、孔９底の非晶質Ｓｉ６を除去する。
その後、図６３に示すように、孔９の残りの部分を絶縁膜２４で埋める。例えば、減圧ＣＶＤ法で、Ｓｉ酸化膜を成膜して孔９の残りの部分を埋める。半導体基板１に縦型ＭＩＳＦＥＴを同時に複数個作製し、孔９の断面形状や断面積が異なるものが混在する場合、絶縁膜２４は、最も断面積が大きい孔９が十分埋まる膜厚で成膜する。
絶縁膜２４の成膜後は、図６４に示すように、ＣＭＰ法により、絶縁膜２４を平坦化する。この際、Ｓｉ窒化膜１９は、ＣＭＰ時のストッパー膜になる。それから、図６５に示すように、Ｓｉ窒化膜１９をリン酸処理で除去する。Ｓｉ窒化膜１９の除去後、図６６に示すように、窒素雰囲気で熱処理することで、孔９側壁の第１の非晶質半導体２０と非晶質Ｓｉ膜６を固相エピタキシャル成長させ、孔９側壁の第１の非晶質半導体２０は第１の単結晶半導体２１に、非晶質Ｓｉ膜６は単結晶Ｓｉ膜１２に、それぞれ変化させる。
縦型ＭＩＳＦＥＴのしきい値電圧調整のためのドーパントを、図４３の第１の非晶質半導体２０の成膜時、もしくは、図６１の非晶質Ｓｉ６の成膜時に導入していない場合は、固相エピタキシャル成長後、第１の単結晶半導体２１と単結晶Ｓｉ膜１２に、ｐ型のドーパントをイオン注入する。例えば、１価のＢをイオン注入する。
この後、減圧ＣＶＤ法で多結晶Ｓｉ膜７を成膜し、表面をＣＭＰ法で平坦化すると、図６７のような形状となる。なお、多少の段差はつくが、後工程のプロセスで問題なければ、多結晶Ｓｉ膜７成膜後のＣＭＰは行わなくてもかまわない。
これから後の工程は、実施形態１の製造方法の図１４からの工程に準じて実現される。よって、ここでの詳細な説明は省略する。
なお、本実施形態の場合も、実施形態１の製造方法と同様な変更を行うことで、ｐ型ＭＩＳＦＥＴに適用可能である。また、前記製造方法はあくまで一例であり、実施形態１ないし５で説明した製造方法をあらゆる形で組み合わせ、実現することができる。
また、以上では、図６０に示すような実施形態４の半導体装置の一部を変更した半導体装置の製造方法について説明したが、実施形態５の半導体装置の一部を変更した半導体装置を製造するには、以下のようにすればよい。まず、実施形態１の製造方法と同様に、図１、図２の製造工程を行う。次に、実施形態２の製造方法と同様に、図２１から図２４の製造工程を行う。さらに、実施形態４の製造方法と同様に、図４３、図４４の製造工程を行う。そして、実施形態５の製造方法と同様に、図５２から図５４の製造工程を行う。この後、本実施形態の図６１からの製造工程を行う。
＜実施形態７＞
＜実施形態７＞
本実施形態の半導体装置の製造方法は、実施形態１から６を基本とし、さらに、図７３に示すように、半導体部形成工程Ｓ６０は、孔９の側壁沿いに複数の半導体膜１２、２３を重ねて半導体部１２、２３、２１を形成する工程であって、前記複数の半導体膜の隣り合う半導体膜どうしは、ドーピングの有無、ドーピングの型、ドーピング濃度、ドーパントの種類、材料のうち、少なくとも一つが異なる。
このような製造方法によれば、チャネル部１２、２１、２３を構成する半導体のうち、二つの半導体１２、２３が不純物領域８に接する半導体装置が得られる。
また、図７３では、縦型ＭＩＳＦＥＴを構成するチャネル部１２、２１、２３のうち、ゲート絶縁膜１０で周囲を囲まれた部分が、第１の単結晶半導体２１、第２の単結晶半導体２３、単結晶Ｓｉ１２で構成されているが、さらに多くの単結晶半導体で構成されていてもかまわない。すなわち、第１の単結晶半導体２１、第２の単結晶半導体２３、第３の単結晶半導体、...、第ｎ（ｎは自然数）の単結晶半導体、単結晶Ｓｉ１２という形で、複数の半導体膜をリング形状に重ねた構成としてもかまわない。この場合、第２の単結晶半導体２３、第３の単結晶半導体、...、第ｎ（ｎは自然数）の単結晶半導体、単結晶Ｓｉ１２が、不純物領域８に接する。ただし、この場合も、互いに接する単結晶半導体は、ドーピングの有無（真性半導体か否か）、型（ｎ型もしくはｐ型）、濃度、ドーパントの種類（Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂ、Ｉｎなど）、材料（Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅＣなど）のうち、少なくとも１つが異なるようにする。
なお、本実施形態の半導体装置の製造方法は、半導体部形成工程Ｓ６０において、孔９の底面に露出している不純物領域８に接するよう、孔９の側壁沿いに重ねて形成された複数の半導体膜１２、２３の中の少なくとも一つは、不純物領域８を形成した半導体基板１または半導体層を構成する単結晶半導体と同じ材料であってもよい。
以下、図６８から図７４を用いて、本実施形態の半導体装置の製造方法の一例についてより詳細に説明する。図６８から図７４は、本実施形態の縦型ＭＩＳＦＥＴの製造工程の各段階の状態を示す上面図及び断面図の一例である。各断面図は、各上面図のＡ−Ａ'線に沿った断面を示している。本実施形態の製造方法は、ｎ型ＭＩＳＦＥＴにも、ｐ型ＭＩＳＦＥＴにも適用可能であるが、ここでは、図６８から図７４を用い、ｎ型ＭＩＳＦＥＴの製造方法を一例として説明する。
まず、実施形態１の製造方法と同様に、図１、図２の製造工程を行う。次に、実施形態２の製造方法と同様に、図２１から図２４の製造工程を行う。さらに、実施形態４の製造方法と同様に、図４３から図４５の製造工程を行う。
図４５の希フッ酸処理の後、図６８に示すように、直ちに、ＵＨＶ−ＣＶＤ法で第２の非晶質半導体２２を成膜する。実施形態１の製造方法で説明したように、図４５で気相ＨＦ処理を実施し、その後、大気にふれされることなく超高真空中を搬送して、図６８でＵＨＶ−ＣＶＤ法で第２の非晶質半導体２２を成膜してもよい。実施形態６の半導体装置の製造方法では、このとき、非晶質Ｓｉ６を成膜していたのに対し、本実施形態の半導体装置の製造方法では、非晶質Ｓｉ６の代わりに第２の非晶質半導体２２を成膜する点が異なる。第２の非晶質半導体２２の成膜後、図６９に示すように、異方性エッチング（ドライエッチング）を行い、Ｓｉ窒化膜１９上の第２の非晶質半導体２２と、孔９底の第２の非晶質半導体２２を除去する。なお、チャネル部を第１の単結晶半導体２１、第２の単結晶半導体２３、第３の単結晶半導体、...、第ｎ（ｎは自然数）の単結晶半導体、単結晶Ｓｉ１２という形で構成する場合、第ｋ（ｋは自然数、２＜ｋ≦ｎ）の非晶質半導体のコンフォーマル成膜、エッチングによる側壁形成を繰り返す。
その後、図７０に示すように、孔９の残りの部分を非晶質Ｓｉ６で埋める。例えば、成膜の前処理として希フッ酸処理、もしくは気相ＨＦ処理を行い、ただちにＵＨＶ−ＣＶＤ法で非晶質Ｓｉ６を成膜して孔９の残りの部分を埋める。半導体基板１に縦型ＭＩＳＦＥＴを同時に複数個作製し、孔９の断面形状や断面積が異なるものが混在する場合、非晶質Ｓｉ６は、最も断面積が大きい孔９が十分埋まる膜厚で成膜する。
非晶質Ｓｉ６の成膜後は、図７１に示すように、ＣＭＰ法により、非晶質Ｓｉ６を平坦化する。この際、Ｓｉ窒化膜１９は、ＣＭＰ時のストッパー膜になる。それから、図７２に示すように、Ｓｉ窒化膜１９をリン酸処理で除去する。Ｓｉ窒化膜１９の除去後、図７３に示すように、窒素雰囲気で熱処理することで、孔９側壁の第１の非晶質半導体２０、第２の非晶質半導体２２、非晶質Ｓｉ膜６を固相エピタキシャル成長させ、孔９側壁の第１の非晶質半導体２０は第１の単結晶半導体２１に、第２の非晶質半導体２２は第２の単結晶半導体２３に、非晶質Ｓｉ膜６は単結晶Ｓｉ膜１２に、それぞれ変化させる。このように、本実施形態の製造方法では、固相エピタキシャル成長させる際に、非晶質Ｓｉ膜６だけでなく、第２の非晶質半導体２２も半導体基板１の表面の単結晶に接触させる点が特徴的であり、結晶品質を向上させられる。
縦型ＭＩＳＦＥＴのしきい値電圧調整のためのドーパントを、図４３の第１の非晶質半導体２０の成膜時、図６８の第２の非晶質半導体２２の成膜時、もしくは、図７０の非晶質Ｓｉ６の成膜時に導入していない場合は、固相エピタキシャル成長後、第１の単結晶半導体２１、第２の単結晶半導体２３と単結晶Ｓｉ膜１２に、ｐ型のドーパントをイオン注入する。例えば、１価のＢをイオン注入する。
この後、減圧ＣＶＤ法で多結晶Ｓｉ膜７を成膜し、表面をＣＭＰ法で平坦化すると、図７４のような形状となる。なお、多少の段差はつくが、後工程のプロセスで問題なければ、多結晶Ｓｉ膜７成膜後のＣＭＰは行わなくてもかまわない。
これから後の工程は、実施形態１の製造方法の図１４からの工程に準じて実現される。よって、ここでの詳細な説明は省略する。
なお、本実施形態の場合も、実施形態１の製造方法と同様な変更を行うことで、ｐ型ＭＩＳＦＥＴに適用可能である。また、前記製造方法はあくまで一例であり、実施形態１ないし６で説明した製造方法をあらゆる形で組み合わせ、実現することができる。
＜実施形態８＞
＜実施形態８＞
本実施形態の半導体装置の製造方法は、実施形態１から７のいずれか一の製造方法を利用して製造される半導体装置を、半導体基板１の同一平面上に複数製造する方法である。
本実施形態の半導体装置は、実施形態１から７のいずれか一の製造方法を利用して製造される半導体装置を、半導体基板１の同一平面上に複数製造した半導体装置である。
なお、製造される半導体装置は、ｎ型であってもよいし、ｐ型であってもよい。すなわち、半導体基板１の同一平面上にｎ型の半導体装置を複数製造してもよいし、ｐ型の半導体装置を複数製造してもよいし、ｎ型とｐ型が混在するよう複数の半導体装置を製造してもよい。
さらに具体的には、例えば、実施形態２の製造方法を利用して、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴと、ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを、半導体基板１の同一平面上に複数製造してもよい。または、実施形態４の製造方法を利用して、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴと、ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを、半導体基板１の同一平面上に複数製造してもよい。または、実施形態５の製造方法を利用して、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを、半導体基板１の同一平面上に複数製造してもよい。
このように、本実施形態の製造方法では、実施形態１から７の製造方法のいずれか一を利用し、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴおよび／またはｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを半導体基板１の同一平面上に複数製造する。
ただし、実施形態１から７の製造方法で、固相エピタキシャル成長前に、チャネル部にドーピングする場合があったが、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴとｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴでは、チャネル部のドーピングは異なるので、チャネル部へのドーピングは、固相エピタキシャル成長後に行うとする。これにより、実施形態４から７の製造方法を利用する場合、実施形態４から７の製造方法の説明では、第１の単結晶半導体２１、第２の単結晶半導体２３、単結晶Ｓｉ１２は、互いにとなりあうものについて、ドーピングの有無（真性半導体か否か）、型（ｎ型もしくはｐ型）、濃度、ドーパントの種類（Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂ、Ｉｎなど）、材料（Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅＣなど）のうち、少なくとも１つが異なるとしたが、本実施形態では、異なるものは、材料に限定される。
図７５は、本実施形態の半導体装置の上面図（図７５（ａ））及び断面図（図７５（ｂ））の一例である。断面図は、上面図のＡ−Ａ'線に沿った断面を示している。図７５は、ＣＭＯＳトランジスタでインバータを構成する例を示し、図７５の右側にｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴ、左側にｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴが作製されている。また、図７５は、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴ、ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴともに、実施形態４の半導体装置にもとづいている。したがって、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴ、ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを構成する各部は、実施形態４の半導体装置を構成する場合と同様である。
半導体基板１としては、ｐ型のバルクＳｉ（１００）基板を想定して図示している。図示するように、不純物領域として、半導体基板１のｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを形成する領域にはｎ型拡散層８が、ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを形成する領域にはｐ型拡散層２９が、それぞれ形成されている。ｎ型拡散層８とｐ型拡散層２９は、素子分離膜２によって隔てられている。ｎ型拡散層８は、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの下部電極でもあり、下部電極へのコンタクトをとるために、ｎ型拡散層８の一部にシリサイド層１５が形成され、シリサイド層１５はコンタクトプラグ１８と接続している。同様に、ｐ型拡散層２９は、ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの下部電極でもあり、下部電極へのコンタクトをとるために、ｐ型拡散層２９の一部にシリサイド層１５が形成され、シリサイド層１５はコンタクトプラグ１８と接続している。シリサイド層１５の種類については、実施形態４と同様である。
ゲート絶縁膜１０は、Ｓｉ酸化膜、または、Ｓｉ酸窒化膜である。ただし、実施形態４で説明したようにＨｉｇｈ−Ｋ材料も可能である。
縦型ＭＩＳＦＥＴを構成するチャネル部１２、２１のうち、ゲート絶縁膜１０に周囲を囲まれた部分は、第１の単結晶半導体２１と、単結晶Ｓｉ１２で構成されている。第１の単結晶半導体２１は、単結晶Ｓｉ１２と異なる材料で、ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅＣなどである。実施形態４と同様、第１の単結晶半導体２１は、固相エピタキシャル成長で作製されるため、Ｇｅ、Ｃの含有率は高くない、または／および、第１の単結晶半導体２１の膜厚が薄い、のが望ましい。なお、半導体基板１の変更に伴う、チャネル部１２、２１の材料の変更については、実施形態４と同様である。
ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極７と、ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極７は、ともに多結晶Ｓｉ７で構成され、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極７はｎ型に、ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極７はｐ型に、それぞれドーピングされている。そして、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極７と、ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極７は、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴとｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴとで挟まれた領域において、互いにつながっている。また双方のゲート電極７がつながる部分には、シリサイド層１５が形成され、シリサイド層１５は、コンタクトプラグ１８と接続している。なお、ゲート電極の材料は、実施形態４と同様に変更可能である。
上部電極は、多結晶Ｓｉ７、チャネル部を構成する第１の単結晶半導体２１、単結晶Ｓｉ１２の上部の一部からなり、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴにはｎ型拡散層８、ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴにはｐ型拡散層２９がそれぞれ形成されている。上部電極のｎ型拡散層８、ｐ型拡散層２９の一部には、シリサイド層１５が形成され、コンタクトプラグ１８と接続している。上部電極とゲート電極、ゲート電極と下部電極の間には、ＮＳＧ膜５が形成され、実施形態４から６と同様、ゲート絶縁膜１０より厚くなっている。またゲート電極と上部電極端、ゲート電極端と下部電極に接するように、サイドウォール絶縁膜１４が形成され、サイドウォール絶縁膜１４とシリサイド層１５に接するようにストッパー絶縁膜１６が形成され、ストッパー絶縁膜１６に接するように、層間絶縁膜１７が形成されている。
なお、実施形態１から６と異なり、エクステンションが図７５に示されていないのは、図７５の縦型ＭＩＳＦＥＴでは、チャネル部１２、２１の上部と下部のイオン注入層からの拡散だけで、ゲート近傍の電極層を形成するためである。
次に、図７６から図８６を用いて、本実施形態の半導体装置の製造方法の一例についてより詳細に説明する。図７６から図８６は、本実施形態の縦型ＭＩＳＦＥＴの製造工程の各段階の状態を示す上面図及び断面図の一例である。各図の右側にｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴ、左側にｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの製造工程の各段階を示す。
まず、図７６に示すように、半導体基板１に素子分離絶縁膜２を形成する。素子分離絶縁膜２の形成は、ＳＴＩ法を用いる。また、ＳＴＩ法の代わりに、ＬＯＣＯＳ法を用いてもよい。
次に、レジスト塗布、露光、現像という一連のリソグラフィー工程を行って、ｐ型ＭＩＳＦＥＴを作製する領域にレジストが残らないようなパターンを作製する。そして、ｐ型ＭＩＳＦＥＴを作製する領域に、ｎ型のドーパント（Ｐ、Ａｓなど）をイオン注入し、ｎウェルとなる注入層を作製する（図示せず）。次に、ｐ型のドーパント（Ｂなど）をイオン注入し、ｐ型ドーパント注入層２８を作製する。その後、レジストを剥離する。
さらに、レジスト塗布、露光、現像という一連のリソグラフィー工程を行って、ｎ型ＭＩＳＦＥＴを作製する領域にレジストが残らないようなパターンを作製し、ｎ型ＭＩＳＦＥＴを作製する領域に、ｐ型のドーパント（Bなど）をイオン注入し、ｐウェルとなる注入層を作製する（図示せず）。次に、ｎ型のドーパント（Ｐ、Ａｓなど）をイオン注入し、ｎ型ドーパント注入層３を作製する。その後、レジストを剥離する。こうして図７７のような状態になる。
それから、半導体基板１上に、ＮＳＧ膜５、非晶質Ｓｉ膜６、ＮＳＧ膜５、Ｓｉ窒化膜１９を順に成膜する。一連の積層膜を成膜した後、半導体基板１のｎ型ドーパント注入層３、ｐ型ドーパント注入層２８のドーパントの活性化のために、熱処理を行う。例えば、窒素雰囲気もしくは、窒素雰囲気に微量の酸素が混入された雰囲気でスパイクアニールを行う。このとき、ｎ型ドーパント注入層３のドーパントが活性化され、ｎ型ドーパント注入層３はｎ型拡散層８になり、ｐ型ドーパント注入層２８のドーパントが活性化され、ｐ型ドーパント注入層２８はｐ型拡散層２９になる。また同時に、非晶質Ｓｉ膜６が多結晶Ｓｉ膜７に変化する。こうして、図７８のような状態になる。
この後、実施形態４の製造方法と同様の工程を行うことで、ゲート絶縁膜１０を形成し、また、第１の単結晶半導体２１、単結晶Ｓｉ１２からなるチャネル部１２、２１が形成される。チャネル部１２、２１の形成時には、ＭＩＳＦＥＴのしきい値電圧調整用のドーピングは行わず、チャネル部１２、２１の形成後に、しきい値電圧調整用のドーピングを行う。このため、レジスト塗布、露光、現像という一連のリソグラフィー工程を行って、ｐ型ＭＩＳＦＥＴを作製する領域にレジストが残らないようなパターンを作製し、ｐ型ＭＩＳＦＥＴを作製する領域に、ｎ型のドーパント（Ｐ、Ａｓなど）をイオン注入する。その後、レジストを剥離する。再度、レジスト塗布、露光、現像という一連のリソグラフィー工程を行って、ｎ型ＭＩＳＦＥＴを作製する領域にレジストが残らないようなパターンを作製し、ｎ型ＭＩＳＦＥＴを作製する領域に、ｐ型のドーパント（Ｂなど）をイオン注入する。その後、レジストを剥離する。こうして、図７９のような状態となる。
この後、減圧ＣＶＤ法で多結晶Ｓｉ膜７を成膜し、表面をＣＭＰ法で平坦化すると、図８０のような形状となる。なお、多少の段差はつくが、後工程のプロセスで問題なければ、多結晶Ｓｉ膜７成膜後のＣＭＰは行わなくてもかまわない。
それから、レジスト塗布、露光、現像という一連のリソグラフィー工程を行って、縦型ＭＩＳＦＥＴの上部電極となる領域にレジストが残るようなレジストパターンの形成を行い、このレジストパターンをマスクに、多結晶Ｓｉ膜７、ＮＳＧ膜５を上から順にエッチングし、ゲートとなる多結晶Ｓｉ膜７面で、エッチングを停止させる。エッチング後、レジストを除去すると、図８１のような形状が得られる。
次に、レジスト塗布、露光、現像という一連のリソグラフィー工程を行って、ｐ型ＭＩＳＦＥＴを作製する領域にレジストが残らないようなパターンを作製し、ｐ型ＭＩＳＦＥＴを作製する領域に、ｐ型のドーパント（Ｂなど）をイオン注入する。その後、レジストを剥離する。再度、レジスト塗布、露光、現像という一連のリソグラフィー工程を行って、ｎ型ＭＩＳＦＥＴを作製する領域にレジストが残らないようなパターンを作製し、ｎ型ＭＩＳＦＥＴを作製する領域に、ｎ型のドーパント（Ａｓ、Ｐなど）をイオン注入する。その後、レジストを剥離する。
イオン注入後、導入したドーパントの活性化のために、窒素雰囲気、もしくは窒素雰囲気にわずかな酸素が混入された雰囲気で、１０５０℃のスパイクアニールを行う。この際、しきい値電圧調整用のためにイオン注入されたドーパントと、上部電極とゲートの多結晶Ｓｉ膜７にイオン注入されたドーパントの活性化が行われる。こうして、図８２のような状態となる。
さらに、レジスト塗布、露光、現像という一連のリソグラフィー工程を行って、縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極となる領域にレジストが残るようなレジストパターンの形成を行い、このレジストパターンをマスクに、多結晶Ｓｉ膜７、ＮＳＧ膜５を上から順にエッチングし、半導体基板１の表面で停止させる。エッチング後、レジストを剥離すると、図８３のような形状が得られる。
それから、後工程のシリサイド形成時に、ゲート電極と上部電極、ゲート電極と半導体基板に形成される下部電極との短絡をふせぐため、サイドウォールを形成する。このために、まずサイドウォール絶縁膜１４を成膜し、エッチバックする。すると、図８４のような形状が得られる。この後、図８５に示すように、上部電極の多結晶Ｓｉ膜７、ゲートの多結晶Ｓｉ膜７、下部電極の半導体基板１に、シリサイド層１５を形成する。シリサイド層１５の形成後、ストッパー絶縁膜１６を成膜する。例えば、ストッパー絶縁膜１６として、Ｓｉ窒化膜を成膜する。ストッパー絶縁膜１６の成膜後は、層間絶縁膜１７を成膜し、ＣＭＰ法を用いて、表面を平坦化する。例えば、層間絶縁膜として、プラズマＣＶＤ法により、プラズマ酸化膜を成膜し、その後、ＣＭＰ法を用いて、表面を平坦化する。こうして、図８６のような形状が得られる。
それから、レジスト塗布、露光、現像という一連のリソグラフィー工程を行って、縦型ＭＩＳＦＥＴのコンタクトとなる領域にレジストが残らないようなレジストパターンの形成を行い、このレジストパターンをマスクに、層間絶縁膜１７をエッチングし、ストッパー絶縁膜１６で一度停止させる。その後、ストッパー絶縁膜１６のエッチングを行い、レジストを剥離する。この後、金属を孔に埋め込んで、コンタクト１８を形成する。具体的には、ＴｉとＴｉＮをスパッタして熱処理し、その後、ＣＶＤ法によりＷを埋め込んで、ＣＭＰを行う。このようにして、図７５のような形状が得られる。その後、必要に応じて、従来からの方法で配線層や電極パッドがさらに形成される。
以上の説明では、図７５に示した半導体装置、すなわち、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴ、ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴともに、実施形態４の半導体装置の製造方法にもとづいたＣＭＯＳトランジスタの製造方法について説明したが、上述の通り、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴ、ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴともに、他の実施形態の半導体装置の製造方法を用いることも可能である。
＜実施形態９＞
＜実施形態９＞
本実施形態の半導体装置の製造方法は、実施形態１から７のいずれか一以上の製造方法を利用して製造される二種以上の半導体装置を、半導体基板１の同一平面上に複数製造する方法である。
本実施形態の半導体装置は、実施形態１から７のいずれか一以上の製造方法を利用して製造される二種以上の半導体装置を、半導体基板１の同一平面上に複数製造した半導体装置である。
ただし、実施形態１の製造方法は、チャネル部を埋め込むときにＳｉ窒化膜を使用せず、他の実施形態の製造方法とは組み合わせにくいので、実施形態２から７のいずれか二以上の製造方法を組合せるのが望ましい。
なお、製造される半導体装置は、ｎ型であってもよいし、ｐ型であってもよい。すなわち、半導体基板１の同一平面上にｎ型の半導体装置を複数製造してもよいし、ｐ型の半導体装置を複数製造してもよいし、ｎ型とｐ型が混在するよう複数の半導体装置を製造してもよい。
さらに具体的には、例えば、実施形態２の製造方法を利用してｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを製造し、実施形態４の製造方法を利用してｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを製造してもよい。または、実施形態３の製造方法を利用してｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを製造し、実施形態５の製造方法を利用してｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを製造してもよい。このように、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの製造方法とｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの製造方法をそれぞれ変えて製造することができる。
また、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴもｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴも、実施形態４の製造方法で作製するが、図４２の第１の単結晶半導体２１に相当する半導体材料が、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴとｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴで異なるように製造することもできる。また別の場合には、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴのチャネル部もｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴのチャネル部も、実施形態４の製造方法で作製するが、図４２の単結晶Ｓｉ１２のドーピングの型、濃度、ドーパントの種類をｎ型のＭＩＳＦＥＴ、ｐ型のＭＩＳＦＥＴにそれぞれ適したものにして、製造することもできる。
さらに、ｎ型のＭＩＳＦＥＴ、ｐ型のＭＩＳＦＥＴによるつくりわけだけでなく、回路で使用される用途に応じて、複数の実施形態の製造方法を用いて作製してもよい。例えば、同一基板上に複数のｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを作製する場合、必ずしもすべてのｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを同一の実施形態の製造方法で作製する必要はなく、回路で使用される用途に応じて、複数の実施形態の製造方法を用いて作製してもよい。ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴにおいても同様である。
図８７は、本実施形態の半導体装置の上面図（図８７（ａ））及び断面図（図８７（ｂ））の一例である。断面図は、上面図のＡ−Ａ'線に沿った断面を示している。図８７は、ＣＭＯＳトランジスタでインバータを構成する例を示し、図８７の右側にｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴ、左側にｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴが作製されている。また、図８７は、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴ、ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴともに、実施形態４の半導体装置にもとづいている。したがって、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴ、ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを構成する各部は、実施形態４の半導体装置を構成する場合と同様である。
この場合の具体例としては、例えば、次のような場合が考えられる。図８７の右側のｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴでは、第１の単結晶半導体２１として真性半導体のＳｉが用いられ、チャネル部１２、２１の中心部は、単結晶Ｓｉ１２がｐ型にドーピングされている。図８７の左側のｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴでは、第２の単結晶半導体２３としてｎ型のＳｉＧｅが用いられ、チャネル部１２、２３の中心部は、単結晶Ｓｉ１２がｎ型にドーピングされている。
次に、図８８から図９４および図１６９を用いて、本実施形態の半導体装置の製造方法の一例についてより詳細に説明する。図８８から図９４および図１６９は、本実施形態の縦型ＭＩＳＦＥＴの製造工程の各段階の状態を示す上面図及び断面図の一例である。各図の右側にｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴ、左側にｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの製造工程の各段階を示す。
まず、実施形態８の製造方法と同様に、図７６から図７８の製造工程を行う。この後、実施形態４の方法と同様の工程を行って、図８８のように、ゲート絶縁膜１０、および、チャネル部１２、２１となる第１の非晶質半導体２０、非晶質Ｓｉ６が形成される。実施形態４で説明したように、第１の非晶質半導体２０と、非晶質Ｓｉ６は、ドーピングの有無（真性半導体か否か）、型（ｎ型もしくはｐ型）、濃度、ドーパントの種類（Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂ、Ｉｎなど）、材料（Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅＣなど）のうち、少なくとも１つが異なるものである。後工程の固相エピタキシャル成長後に、縦型ＭＩＳＦＥＴのチャネル部分にしきい値電圧調整用のイオン注入を行うのでなければ、第１の非晶質半導体２０、もしくは非晶質Ｓｉ６のどちらか、あるいは両方に、しきい値電圧調整用のドーピングを行っておく。
次に、図８９のように、窒素雰囲気で熱処理を行い、固相エピタキシャル成長させ、第１の非晶質半導体２０を第１の単結晶半導体２１に、非晶質Ｓｉ６を単結晶Ｓｉ１２に変化させる。このとき、実施形態４の製造方法では、最上面のＳｉ窒化膜１９を除去してから、固相エピタキシャル成長したが、本実施形態では、最上面のＳｉ窒化膜１９を除去せずに、固相エピタキシャル成長を行う。これは、後工程で、ＣＭＰを行う際の表面の平坦性を確保するためである。このため、固相エピタキシャル成長時には、Ｓｉ窒化膜１９に接している非晶質部分が多結晶化しないような低い温度で熱処理を行う。
次に、図９０に示すように、Ｓｉ窒化膜１９を成膜する。その後、上述したｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴ（図中、右側）の製造方法に準じた処理を行い、ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴが形成される領域（図中、左側の領域）に、ゲート絶縁膜１０、および、チャネル部１２、２３となる第２の非晶質半導体２２、非晶質Ｓｉ６が形成される（図９１）。ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴと同様に、第２の非晶質半導体２２と、非晶質Ｓｉ６は、ドーピングの有無（真性半導体か否か）、型（ｎ型もしくはｐ型）、濃度、ドーパントの種類（Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂ、Ｉｎなど）、材料（Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅＣなど）のうち、少なくとも１つが異なるものである。後工程の固相エピタキシャル成長後に、縦型ＭＩＳＦＥＴのチャネル部分にしきい値電圧調整用のイオン注入を行うのでなければ、第２の非晶質半導体２２、もしくは非晶質Ｓｉ６のどちらか、あるいは両方に、しきい値電圧調整用のドーピングを行っておく。
その後、図９２に示すように、リン酸処理を行ってＳｉ窒化膜１９を除去した後、図９３のように、窒素雰囲気で熱処理を行い、固相エピタキシャル成長させ、第２の非晶質半導体２２を第２の単結晶半導体２３に、非晶質Ｓｉ６を単結晶Ｓｉ１２に変化させる。この後、減圧ＣＶＤ法で多結晶Ｓｉ膜７を成膜し、表面をＣＭＰ法で平坦化すると、図９４のような形状となる。なお、多少の段差はつくが、後工程のプロセスで問題なければ、多結晶Ｓｉ膜７成膜後のＣＭＰは行わなくてもかまわない。
この後の工程は、実施形態８の製造方法と同様である。よって、ここでの詳細な説明は省略する。
なお、上記例では、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴ（図中右側）のチャネル部をまず固相エピタキシャル成長して単結晶化した後、ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴ（図中左側）のチャネル部を固相エピタキシャル成長して単結晶化させる例を説明した。しかし、このような工程に限定されず、例えば、図８８の状態の後、非晶質半導体２０および非晶質Ｓｉ６を結晶化する前に、図１６９に示すようにｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴ（図中左側）のゲート絶縁膜１０、および、チャネル部１２、２３となる第２の非晶質半導体２２、非晶質Ｓｉ６を形成し、その後、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴ（図中右側）のチャネル部およびｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴ（図中左側）のチャネル部を同一の処理により、固相エピタキシャル成長して単結晶化させることで、図９３に示すような状態となるようにしてもよい。ただし、このようにする場合には、ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴ（図中左側）のゲート絶縁膜１０を熱酸化により形成する際の熱負荷を十分小さくして、あるいは、実施形態３のように、ＣＶＤ法を用いて、ゲート絶縁膜１０を低温で形成して、ゲート絶縁膜１０形成時にｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴ（図中右側）のチャネル部１２、２１となる非晶質半導体６、２０が多結晶化しないようにする必要がある。
また、上記の説明では、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴとｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴで異なる構造をもつ場合を示したが、同様に、最上面のＳｉ窒化膜１９を残したまま固相エピタキシャル成長させることで、複数種類の構造をもつ縦型ＭＩＳＦＥＴを同一半導体基板１上に集積可能である。この際には、各縦型ＭＩＳＦＥＴは実施形態１から７の製造方法のいずれかにもとづくが、仮に同じ実施形態の製造方法にもとづいていたとしても、ゲート絶縁膜１０の膜厚や種類、膜組成を変えることも可能である。
さらに、上記の説明では、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴのチャネル部を作製した後、ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴのチャネル部を作製する例について説明したが、この順序は特段限定されず、逆にすることも可能である。
＜実施形態１０＞
＜実施形態１０＞
本実施形態の半導体装置の製造方法は、実施形態１から７のいずれか一の製造方法を利用して製造される半導体装置を、半導体基板１の垂直方向に重ねて複数製造する方法である。
また、本実施形態の半導体装置の製造方法は、実施形態１から７のいずれか一以上の製造方法を利用して製造される二種以上の半導体装置を、半導体基板１の垂直方向に重ねて複数製造する方法であってもよい。
本実施形態の半導体装置は、実施形態１から７のいずれか一の製造方法を利用して製造される半導体装置を、半導体基板１の垂直方向に重ねて複数製造した半導体装置である。
また、本実施形態の半導体装置は、実施形態１から７のいずれか一以上の製造方法を利用して製造される二種以上の半導体装置を、半導体基板１の垂直方向に重ねて複数製造した半導体装置であってもよい。
なお、製造される半導体装置は、ｎ型であってもよいし、ｐ型であってもよい。すなわち、半導体基板１の垂直方向にｎ型の半導体装置を重ねて複数製造してもよいし、ｐ型の半導体装置を重ねて複数製造してもよいし、ｎ型とｐ型が混在するよう複数の半導体装置を重ねて製造してもよい。そして、各半導体装置は、同じ製造方法により製造されてもよいし、異なる製造方法により製造されてもよい。
さらに具体的には、例えば、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを実施形態１の製造方法を利用して製造し、その上に、ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを実施形態４の製造方法を利用して製造してもよい。または、ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを実施形態３の製造方法を利用して製造し、その上に、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを実施形態５の製造方法を利用して製造してもよい。このように、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの製造方法とｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの製造方法をそれぞれ変えて、上下に重ねるように製造してもよい。上下の順序は、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの上に、ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを製造してもよいし、この逆でもかまわない。もちろん、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの上に、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを製造してもよいし、ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの上に、ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを製造してもよい。
また、実施形態４の製造方法を利用してｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを製造し、その上に、実施形態４の製造方法を利用してｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを製造し、そして、図４２の第１の単結晶半導体２１に相当する半導体材料を、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴとｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴで異なるように製造することもできる。また別の場合には、実施形態４の製造方法を利用してｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを製造し、その上に、実施形態４の製造方法を利用してｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを製造し、そして、図４２の単結晶Ｓｉ１２のドーピングの型、濃度、ドーパントの種類をｎ型のＭＩＳＦＥＴ、ｐ型のＭＩＳＦＥＴにそれぞれ適したものにして、製造することもできる。
当然のことながら、縦型ＭＩＳＦＥＴを積層する層数は、２に限られるわけではなく、さらに多くてもかまわない。
図９５は、本実施形態の半導体装置の上面図（図９５（ａ））及び断面図（図９５（ｂ））の一例である。断面図は、上面図のＡ−Ａ'線に沿った断面を示している。図９５は、ＣＭＯＳトランジスタでインバータを構成した例を示してあり、図９５（ｂ）の下側にｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴ、上側にｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴが作製されている。また、図９５は、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴ、ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴともに、実施形態４の半導体装置にもとづいている。したがって、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴ、ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを構成する各部は、実施形態４の半導体装置を構成する場合と同様である。
半導体基板１としては、これまでの実施形態と同様に、ｐ型のバルクＳｉ（１００）基板を想定して図示している（半導体基板１の変更に伴う、縦型ＭＩＳＦＥＴの柱状半導体材料の変更については、実施形態４と同様である）。半導体基板１のｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを形成する領域に不純物領域として、ｎ型拡散層８が素子分離膜２に囲まれるように形成されている。ｎ型拡散層８は、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの下部電極の一部でもあり、ｎ型拡散層８の一部に、シリサイド層１５が形成され、シリサイド層１５はコンタクトプラグ１８と接続している。シリサイド層１５の種類については、実施形態４と同様である。
ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを構成するチャネル部１２、２１のうち、ゲート絶縁膜１０に周囲を囲まれた部分は、第１の単結晶半導体２１と、単結晶Ｓｉ１２で構成されている。第１の単結晶半導体２１と、単結晶Ｓｉ１２とは、ドーピングの有無（真性半導体か否か）、型（ｎ型もしくはｐ型）、濃度、ドーパントの種類（Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂ、Ｉｎなど）、材料（Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅＣなど）のうち、少なくとも１つが異なる。例えば、第１の単結晶半導体２１が真性半導体のＳｉで、単結晶Ｓｉ１２がｐ型にドーピングされていてもよい。チャネル部１２、２１のゲート電極近傍には、上部電極と下部電極に接続されたエクステンション１３が形成される。ゲート絶縁膜１０は、Ｓｉ酸化膜、または、Ｓｉ酸窒化膜である。ただし、実施形態４に記載したようなＨｉｇｈ−Ｋ材料も利用可能である。ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極は、多結晶Ｓｉ７で構成され、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極はｎ型にドーピングされている。ゲート電極の一部には、シリサイド層１５が形成され、シリサイド層１５はコンタクトプラグ１８と接続している。ゲート電極の上下には、ＮＳＧ膜５が形成され（図示せず）、そのＮＳＧ膜５に接して、ＰＳＧ膜４が形成されている。なお、ゲート材料変更については、実施形態４と同様である。
ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの上部電極の一部として、ＰＳＧ膜４の上に、ｎ型拡散層８が形成されている。さらに、ｎ型拡散層８の上には、ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの下部電極の一部として、ｐ型拡散層２９が形成されている。このｎ型拡散層８とｐ型拡散層２９は、シリサイド層１５によって短絡され、このシリサイド層１５は、コンタクトプラグ１８と接続している。なお、本実施形態の半導体装置では、縦型ＭＩＳＦＥＴを半導体基板１に垂直な方向に積層していくために、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの上部電極の一部となっているｎ型拡散層８と、ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの下部電極の一部となっているｐ型拡散層２９は、多結晶Ｓｉでなく、単結晶Ｓｉで構成されている。
ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを構成するチャネル部１２、２３のうち、ゲート絶縁膜１０に周囲を囲まれた部分は、第２の単結晶半導体２３と、単結晶Ｓｉ１２で構成されている（１層目のｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの第１の単結晶半導体２１と区別するため、本実施形態では、第２の単結晶半導体２３とする）。第２の単結晶半導体２３は、単結晶Ｓｉ１２とは、ドーピングの有無（真性半導体か否か）、型（ｎ型もしくはｐ型）、濃度、ドーパントの種類（Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂ、Ｉｎなど）、材料（Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅＣなど）のうち、少なくとも１つが異なるものである。例えば、第２の単結晶半導体２３がｎ型のＳｉＧｅで、単結晶Ｓｉ１２がｎ型にドーピングされていてもよい。チャネル部１２、２３のゲート電極近傍には、上部電極と下部電極に接続されたエクステンション１３が形成される。ゲート絶縁膜１０は、Ｓｉ酸化膜、または、Ｓｉ酸窒化膜である。ただし、実施形態４に記載したようなＨｉｇｈ−Ｋ材料も可能である。ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極は、多結晶Ｓｉ７で構成され、ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極はｐ型にドーピングされている。ゲート電極の一部には、シリサイド層１５が形成され、シリサイド層１５はコンタクトプラグ１８と接続している。ゲート電極の上下には、ＮＳＧ膜５が形成され（図示せず）、そのＮＳＧ膜５に接して、ＢＳＧ膜３０が形成されている。なお、ゲート電極の材料変更についても、実施形態４と同様である。ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの上部電極は、多結晶Ｓｉ７、チャネル部１２、２３を構成する第２の単結晶半導体２３、単結晶Ｓｉ１２の上部の一部からなり、ｐ型拡散層２９が形成されている。上部電極のｐ型拡散層２９の一部には、シリサイド層１５が形成され、コンタクトプラグ１８と接続している。
また、ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極と上部電極端、ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極端と下部電極、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極と上部電極端、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極端と下部電極にそれぞれ接するように、サイドウォール絶縁膜１４が形成され、サイドウォール絶縁膜１４とシリサイド層１５に接するようにストッパー絶縁膜１６が形成され、ストッパー絶縁膜１６に接するように、層間絶縁膜１７が形成されている。
なお、図９５では、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの上に、ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴが形成されている。図９５では、両者のゲート長は同じように図示されているが、積層される縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート長は任意であり、必ずしも同じゲート長にしなくてもよい。ゲート絶縁膜１０についても、膜厚や膜種、膜組成が積層される縦型ＭＩＳＦＥＴごとに異なっていてもよい。
また、図９５では、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴのチャネル部１２、２１と、ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴのチャネル部１２、２３の直径は同じになっているが、積層される縦型ＭＩＳＦＥＴのチャネル部の大きさ、形状は任意であり、図９５に示してあるように、必ずしも、断面形状が円で、その直径を同じにする必要もない。
さらに、図９５では、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴのチャネル部１２、２１の位置と、ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴのチャネル部１２、２３の位置が平面的に同じになっているが、積層される縦型ＭＩＳＦＥＴのチャネル部の位置は任意であり、図９５に示してあるように、その位置を必ずしも同じにする必要はない。ただし、位置に関しては、できるだけ同じ位置にする方が好ましい。その理由は、下層の縦型ＭＩＳＦＥＴのチャネル部は、横方向に単結晶を成長させるときの種結晶の役割を果たしており、一般に、横方向の結晶成長では、種結晶からの距離が遠くなるにつれ、欠陥や転位などの密度が増し、結晶品質が低下する傾向があるからである。
次に、図９６から図１０６を用いて、本実施形態の半導体装置の製造方法の一例についてより詳細に説明する。図９６から図１０６は、本実施形態の縦型ＭＩＳＦＥＴの製造工程の各段階の状態を示す上面図及び断面図の一例である。各図の下側にｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴ、上側にｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの製造工程の各段階を示す。本実施形態の半導体装置の製造方法では、縦型ＭＩＳＦＥＴを１層ずつ重ねるように形成していく。
まず、実施形態１の製造方法と同様に、図１、図２の製造工程を行う。次に、実施形態２の製造方法と同様に、図２１から図２４の製造工程を行う（ただし、図２１で最上面のＳｉ窒化膜の成膜は行わずに、同様の工程を行う）。この後、実施形態４の製造方法と同様に、図４３から図４６の製造工程を行う。
図４６の工程の後、ＣＭＰで表面の非晶質Ｓｉを平坦化し、窒素雰囲気で熱処理を行うことによって、実施形態４と同様に、固相エピタキシャル成長を行い、孔内の非晶質半導体６、２０を単結晶化させる。本実施形態では、孔内のみならず、ＰＳＧ膜４上の非晶質Ｓｉ６も、横方向に固相エピタキシャル成長させることで、単結晶化させる。このようにして、図９６のように、孔内の中心部と、ＰＳＧ膜４上に単結晶Ｓｉ１２が形成される。また、チャネル部１２、２１を構成する第１の単結晶半導体２１、単結晶Ｓｉ１２が形成される。
次に、イオン注入を行い、ＰＳＧ膜４上の単結晶Ｓｉ１２にｎ型のドーパントをイオン注入する。これは、図９５の下側に位置するｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの上部電極形成のためである。さらに、イオン注入を行い、ＰＳＧ膜４上の単結晶Ｓｉ１２上部にｐ型のドーパントをイオン注入する。これは、図９５の上側に位置するｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの上部電極形成のためである。この後、イオン注入されたドーパントの活性化と、イオン注入によって非晶質になった結晶を回復させて単結晶にもどすために、アニールを行う。この時点で、ＰＳＧ膜４上の結晶を回復させて単結晶にもどすのは、後工程で、この単結晶を種結晶として、固相エピタキシャル成長を行うからである。このとき、ＰＳＧ膜４からチャネル部１２、２１内にドーパントが拡散し、活性化することも同時に起こる。アニールを行うと、図９７に示すように、ＰＳＧ膜４上にｎ型拡散層８とｐ型拡散層２９が形成される。
この後、実施形態４の製造方法を利用して、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの上に、ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜１０、第２の単結晶半導体２３、単結晶Ｓｉ１２が形成される。またそのわきに、ＢＳＧ膜３０、ＮＳＧ膜５（図示せず）、ゲート電極となる多結晶Ｓｉ７が形成され、チャネル部１２、２３の上部には、ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの上部電極を構成する多結晶Ｓｉ７が形成される（図９８）。なお、ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜１０の形成においては、大きな熱負荷を与えると、下側のｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴのドーピングプロファイルが大きく変動することになるので、できるだけ、熱負荷を小さくすることが好ましい。したがって、実施形態３で説明したようなＣＶＤ法によって形成される絶縁膜の方が好ましい。
それから、レジスト塗布、露光、現像の一連のリソグラフィー工程を行って、上側のｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの上部電極となる部分が残るようなレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクにして、多結晶Ｓｉ７、ＢＳＧ膜３０、ＮＳＧ膜５（図示せず）を順にエッチングし、ゲート電極となる多結晶Ｓｉ７上でエッチングを停止させ、レジストを剥離することで、図９９に示す形状が得られる。この状態で、イオン注入を行い、上部電極の多結晶Ｓｉ７、ゲート電極となる多結晶Ｓｉ７にｐ型のドーパントを導入する。
さらに、レジスト塗布、露光、現像の一連のリソグラフィー工程を行って、上側のｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極となる部分が残るようなレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクにして、多結晶Ｓｉ７、ＮＳＧ膜５（図示せず）、ＢＳＧ膜３０を順にエッチングし、ｐ型拡散層２９上でエッチングを停止させ、レジストを剥離することで、図１００に示す形状が得られる。
この後、レジスト塗布、露光、現像の一連のリソグラフィー工程を行って、上側のｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの下部電極で、下側のｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの上部電極となる部分が残るようなレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクにして、ｐ型拡散層２９、ｎ型拡散層８、ＰＳＧ膜４、ＮＳＧ膜５（図示せず）を順にエッチングし、多結晶Ｓｉ７上でエッチングを停止させる。さらに、レジストを剥離しないまま、イオン注入を行い、下側のｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極となる多結晶Ｓｉ７に、ｎ型のドーパントを導入する。イオン注入後、レジストを剥離する。このような一連の工程を経て、図１０１のような形状が得られる。
さらに、レジスト塗布、露光、現像の一連のリソグラフィー工程を行って、下側のｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極となる部分が残るようなレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクにして、多結晶Ｓｉ７、ＮＳＧ膜５（図示せず）、ＰＳＧ膜４を順にエッチングし、ｎ型拡散層８上でエッチングを停止させ、レジストを剥離することで、図１０２のような形状が得られる。
この後、アニールを行うことで、イオン注入によって導入した不純物を活性化させる。また同時に、上側のｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴでは、ＢＳＧ膜３０からＢをチャネル内に拡散させ、活性化させることで、エクステンション１３を形成する。下側のｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴでも、さらにＰＳＧ膜４からＰがチャネル内に拡散し、活性化することで、最終的なエクステンション１３が得られる（図１０３）。下側のｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴでは、このように２回のアニール工程や上側のゲート絶縁膜１０の形成工程を経るので、これらの熱負荷を含めて、エクステンション１３を設計する必要がある。
それから、絶縁膜を成膜し、エッチバックすることで、図１０４のように、サイドウォール絶縁膜１４を形成する。サイドウォール絶縁膜１４の形成後、図１０５に示すように、シリサイド層１５を形成する。シリサイド層１５の形成後、ストッパー絶縁膜１６を成膜し、さらに層間絶縁膜１７を成膜し、表面をＣＭＰで平坦化することで、図１０６に示すような形状が得られる。
この後、レジスト塗布、露光、現像という一連のリソグラフィー工程を行って、コンタクトとなる領域にレジストが残らないようなレジストパターンの形成を行い、このレジストパターンをマスクに、層間絶縁膜１７をエッチングし、ストッパー絶縁膜１６で一度停止させる。その後、ストッパー絶縁膜１６のエッチングを行い、レジストを剥離する。この後、金属を孔に埋め込んで、コンタクト１８を形成する。具体的には、ＴｉとＴｉＮをスパッタして熱処理し、その後、ＣＶＤ法によりＷを埋め込んで、ＣＭＰを行う。このようにして、図９５のような形状が得られる。その後、必要に応じて、従来からの方法で配線層や電極パッドがさらに形成される。
＜実施形態１１＞
＜実施形態１１＞
本実施形態の半導体装置の製造方法は、実施形態１から１０のいずれか一を基本とし、さらに、図１１１に示すように、積層工程Ｓ１０は、半導体基板１または半導体層に形成された不純物領域８の上に第一絶縁層４を形成し、その上に、配線パターンにパターニングしたゲート電極層７を形成し、第一絶縁層４またはゲート電極層７の上に、第二絶縁層４を形成した積層体を形成する工程である。
本実施形態の半導体装置の製造方法は、実施形態１０で説明したように、複数の半導体装置を基板と垂直方向に重ねて複数製造する場合に、特に優れた効果を有する。
実施形態１０の半導体装置の製造方法では、上から順に、電極層（ゲート、ソース、ドレイン）をパターンニングして作製する。このため、下部になるほど、電極層を大きな面積で作製しなければならなかった。本実施形態の半導体装置の製造方法では、電極層を最初に積層していく段階でパターンニングしておくことによって、この制限をなくすものである。このため、本実施形態の半導体装置では、電極層の面積は、下部になるほど大きな面積で作製しなければならないという制約はなく、チャネル部より大きければ任意である。
本実施形態の半導体装置は、上記の点をのぞき、実施形態１から１０の半導体装置と同じである。
図１０７は、本実施形態の半導体装置の上面図（図１０７（ａ））及び断面図１（図１０７（ｂ））、断面図２（（図１０７（ｃ））の一例である。断面図１は、上面図のＡ−Ａ'線に沿った断面を示しており、断面図２は、上面図のＣ−Ｃ'線に沿った断面を示している。図１０７は、ＣＭＯＳトランジスタでインバータを構成したもので、図１０７（ｂ）の下側にｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴ、上側にｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴが作製されている。図１０７に示す半導体装置は、図９５に示す実施形態１０の半導体装置に対して、本実施形態の製造方法を用いることにより、電極層７の面積を小さくしたものである。したがって、図１０７のｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴ、ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴともに、図９５と同様に、実施形態４の半導体装置にもとづいていて、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴ、ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを構成する各部は、実施形態４の半導体装置を構成する場合と同様である。
本発明の半導体装置の特徴は、図１０７（ｃ）に現れている。図１０７（ａ）、（ｂ）については、それぞれ図９５（ａ）、（ｂ）と同じである。図１０７（ｃ）に示されるように、電極層のＣ−Ｃ'方向の幅は、チャネル部１２、２１（または、１２、２３）より大きく、許容される電極層の抵抗値と、所要面積を考慮して決定される。すなわち、チャネル部１２、２１（または、１２、２３）より大きくすればするほど電極層の抵抗は低下するが、所要面積は増加してしまうので、そのバランスをみて決定される。下側のｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの下部電極を構成するｎ型拡散層８の幅、下側のｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極の多結晶Ｓｉ７の幅、下側のｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの上部電極を構成し、上側のｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの下部電極を構成する、ｎ型拡散層８とｐ型拡散層２９の幅、上側のｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴのゲートの多結晶Ｓｉ７の幅、上側のｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの上部電極を構成する多結晶Ｓｉ７の幅は、任意であり、それぞれ異なっていてもかまわない。しかしながら、図１０７（ｃ）に示すように、すべて同じである方が面積的に小さくなるので好ましい。図１０７（ｃ）は、各電極層を形作るリソグラフィーの重ね合わせのずれがなく、理想的に重なった場合を示している。
次に、図１０８から図１２３を用いて、本実施形態の半導体装置の製造方法の一例についてより詳細に説明する。図１０８から図１２３は、図１０７に示す本発明の縦型ＭＩＳＦＥＴの製造工程の各段階の状態を示す上面図及び断面図である。各断面図（ｂ）は、各上面図のＡ−Ａ'線に沿った断面を示しており、各断面図（ｃ）は、各上面図のＣ−Ｃ'線に沿った断面を示している。
まず、図１０８に示すように、半導体基板１にＳＴＩ法もしくはＬＯＣＯＳ法を用いて、素子分離絶縁膜２を形成する。半導体基板１は、これまでの実施形態と同様にｐ型のバルクＳｉ（１００）基板とする。次に、ｎ型のドーパント（Ｐ、Ａｓなど）をイオン注入し、その後、アニールを行って活性化させ、ｎ型拡散層８を形成する。ここで図１０８（ａ）に示すように、ｎ型拡散層８の面積は、実施形態１０の半導体装置に比較して小さくなっている。
それから、図１０９に示すように、ＰＳＧ膜４、ＮＳＧ膜５（図示せず）、ｎ型の多結晶Ｓｉ７を順に成膜する。多結晶Ｓｉ７には、後からｎ型のドーパントを導入することが困難なので、この時点でｎ型のドーパントをいれる。
この後、本実施形態の製造方法では、多結晶Ｓｉ７をパターンニングする。すなわち、レジスト塗布、露光、現像の一連のリソグラフィー工程を行って、下側のｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極となる部分が残るようなレジストパターンを作製し、このレジストパターンをマスクに多結晶Ｓｉ７をエッチングし、エッチング後レジストを剥離する。そうすると、図１１０に示すような形状が得られる。この後、図１１１に示すように、ＮＳＧ膜５（図示せず）、ＰＳＧ膜４を成膜し、表面をＣＭＰで平坦化する。
さらに、実施形態１０の図９６、図９７に示す工程と同様の工程を行うことで、図１１２に示すように、下側のｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜１０、チャネル部１２、２１となる第１の単結晶半導体２１、単結晶Ｓｉ１２が形成され、また、ＰＳＧ膜４上に単結晶のｎ型拡散層８とｐ型拡散層２９が形成される。
次に、レジスト塗布、露光、現像の一連のリソグラフィー工程を行って、下側のｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの上部電極で、上側のｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの下部電極となる部分が残るようなレジストパターンを作製し、ＰＳＧ膜４上の単結晶のｎ型拡散層８とｐ型拡散層２９をエッチングし、ＰＳＧ膜４でエッチングを停止させ、レジストを剥離する。そうすると図１１３のような形状が得られる。
さらに、図１１４に示すように、ＢＳＧ膜３０、ＮＳＧ膜５（図示せず）を成膜し、表面をＣＭＰで平坦化する。この上に、図１１５に示すように、多結晶Ｓｉ７を成膜する。
この後、レジスト塗布、露光、現像の一連のリソグラフィー工程を行って、上側のｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極となる部分が残るようなレジストパターンを作製し、多結晶Ｓｉ７をエッチングし、レジストを剥離すると、図１１６のような形状が得られる。この後、図１１７に示すように、ＮＳＧ膜５（図示せず）、ＢＳＧ膜３０を順に成膜し、表面をＣＭＰで平坦化する。それから、図１１８に示すように、Ｓｉ窒化膜１９を成膜する。
この後、実施形態４の製造方法と同様に、上側のｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜１０、チャネル部１２、２３となる第２の単結晶半導体２３、単結晶Ｓｉ１２を形成し、チャネル部１２、２３の上部に、多結晶Ｓｉ７を成膜し、ＣＭＰで表面を平坦化する（図１１９）。
この後、レジスト塗布、露光、現像の一連のリソグラフィー工程を行って、上側のｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの上部電極となる部分が残るようなレジストパターンを作製し、多結晶Ｓｉ７、ＢＳＧ膜３０、ＮＳＧ膜５（図示せず）を順にエッチングし、レジストを剥離すると、図１２０のような形状が得られる。なお、このエッチングの際には、上側のｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの多結晶Ｓｉ７が露出した段階でエッチングを停止させるが、エッチング時、この信号を検出するためには、図１０７に示した本実施形態の半導体装置が、半導体基板１の面内に、ある程度多数あることが必要である。単独であったり、半導体装置の密度が小さかったりすると、この信号がうまく検出できないため、ここでエッチングを停止できない。
レジスト剥離後は、イオン注入を行い、ｐ型のドーパントを、上側のｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの上部電極とゲート電極に導入する。
それから、多結晶Ｓｉや単結晶Ｓｉとの選択比が大きくとれる条件で、上側のｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極横のＢＳＧ膜３０、これらの下のＮＳＧ膜５（図示せず）、ＢＳＧ膜３０をエッチングする（図１２１）。さらにエッチングを継続し、ｎ型拡散層８とｐ型拡散層２９横のＢＳＧ膜３０、これらの下のＰＳＧ膜４、ＮＳＧ膜５（図示せず）をエッチングする（図１２２）。さらに、エッチングを継続し、下側のｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート横のＰＳＧ膜４、これらの下のＮＳＧ膜５（図示せず）、ＰＳＧ膜４エッチングし、半導体基板１に形成されたｎ型拡散層８でエッチングを停止させる（図１２３）。
この後は、実施形態１０の製造方法の図１０４からの工程と同じ工程を行うことによって、図１０７に示す半導体装置が完成する。
なお、上記の説明において、縦型ＭＩＳＦＥＴを重ねる場合について、電極層をパターンニングしながら積層していく製造方法を示したが、上述の通り、この手法は、縦型ＭＩＳＦＥＴを重ねない場合においても適用可能である。
＜実施形態１２＞
＜実施形態１２＞
本実施形態の半導体装置の製造方法は、実施形態１から１１のいずれか一を基本とし、さらに、図１３０に示すように、積層工程Ｓ１０は、半導体基板１または半導体層に形成された不純物領域８の上に第一絶縁層４、５（第一絶縁層５については図示せず）を形成し、その上に、配線パターンにパターニングしたゲート電極層７を形成し、第一絶縁層４、５（第一絶縁層５については図示せず）またはゲート電極層７の上に第二絶縁層５、４、５（第二絶縁層５については図示せず）を形成した後、さらに第二絶縁層５、４、５（第二絶縁層５については図示せず）の上に、配線パターンにパターニングしたゲート電極層７と第二絶縁層５、４、５（第二絶縁層５については図示せず）とを一セットとして、複数セット積層する工程である。
実施の形態１０、１１の半導体装置の製造方法では、縦型ＭＩＳＦＥＴを１層ずつ重ねるように形成していたが、本実施形態の半導体装置の製造方法では、複数層の縦型ＭＩＳＦＥＴを一度に形成する。本実施の形態の半導体装置は、複数層の縦型ＭＩＳＦＥＴを一度で形成できるように、縦型ＭＩＳＦＥＴを複数層、最も単純に積層したものである。
本実施形態の半導体装置は、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを複数層積層したもの、もしくはｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを複数層積層したものであり、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの上にｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを積層したり、ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの上にｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを積層したりすることはない。
また、本実施形態の半導体装置の複数層の縦型ＭＩＳＦＥＴは、実施形態１から７のいずれかの製造方法で作製される。例えば、実施形態４の製造方法で製造される場合、上下に重ねられる複数の縦型ＭＩＳＦＥＴにおいて、チャネル部を構成する第１の単結晶半導体と単結晶Ｓｉの、ドーピングの有無（真性半導体か否か）、型（ｎ型もしくはｐ型）、濃度、ドーパントの種類（Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂ、Ｉｎなど）、材料（Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅＣなど）のうち、少なくとも１つが異なる。ただし、その異なり方について、積層されるある縦型ＭＩＳＦＥＴでは材料だけが異なっていて、積層される別の縦型ＭＩＳＦＥＴではドーピング濃度だけが異なっている、というようなことはない。積層される縦型ＭＩＳＦＥＴは、すべて同じ異なり方をする。
このような構造になる理由は、以下の製造方法の説明により明らかとなる。
なお、本実施形態の半導体装置は、積層する複数の縦型ＭＩＳＦＥＴの、各縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート長は任意である。すなわち、すべての縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート長を同じにしてもよいし、異なるようにしてもよい。オフセットスペーサーや、エクステンションの長さも任意である。また、縦型ＭＩＳＦＥＴを積層する層数は、いくつでもよく、上限はない。
本実施形態の半導体装置の最大の特徴は、積層される縦型ＭＩＳＦＥＴに対して、その一番下に位置する縦型ＭＩＳＦＥＴの下部電極と、一番上に位置する縦型ＭＩＳＦＥＴの上部電極をのぞいて、各縦型ＭＩＳＦＥＴのソースおよびドレインのコンタクトを設けないことである。この分、構造が簡略化され、作製しやすくなっている。
図１２４は、本実施形態の半導体装置の上面図（図１２４（ａ））及び断面図１（図１２４（ｂ））、断面図２（（図１２４（ｃ））の一例である。断面図１は、上面図のＡ−Ａ'線に沿った断面を示しており、断面図２は、上面図のＣ−Ｃ'線に沿った断面を示している。図１２４は、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを３層積層したもので、各縦型ＭＩＳＦＥＴのチャネル部１２、２１は、実施形態４の半導体装置にもとづいている。したがって、縦型ＭＩＳＦＥＴを構成する各部は、実施形態４の半導体装置を構成する場合と同様である。
図１２４では、３層のｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを積層しているが、上段のｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの下部電極、中段のｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの上部電極、下部電極、下段のｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの上部電極は、コンタクトが設けられていない。コンタクトが設けられているのは、上段のｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの上部電極、下段のｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの下部電極、各縦型ＭＩＳＦＥＴのゲートだけである。
図１２４では、３層積層した縦型ＭＩＳＦＥＴのうち、真ん中の縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート長が小さくなっている。各縦型ＭＩＳＦＥＴのチャネル部１２、２１は同じ構造をしていて、ゲート絶縁膜１０に、第１の単結晶半導体２１が接しており、第１の単結晶半導体２１に単結晶Ｓｉ１２が接している。第１の単結晶半導体２１と単結晶Ｓｉ１２は、ドーピングの有無（真性半導体か否か）、型（ｎ型もしくはｐ型）、濃度、ドーパントの種類（Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂ、Ｉｎなど）、材料（Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅＣなど）のうち少なくとも１つが異なっており、例えば、第１の単結晶半導体が真性半導体のＳｉで、単結晶Ｓｉ１２がｐ型Ｓｉであってもよい。ゲート絶縁膜１０は、後述するように、積層されるすべての縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜１０を同時に形成するので、その膜厚、膜種、膜組成は同じである。
各縦型ＭＩＳＦＥＴ間には、エクステンション１３が形成されている。エクステンション１３は、ＰＳＧ膜４からドーパントの供給を受けて形成される。エクステンション１３と各縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極との重なりは、オフセットスペーサーの役割をするＮＳＧ膜５（図示せず）の膜厚で制御され、ＮＳＧ膜５は、ＰＳＧ膜４と各縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極となる多結晶Ｓｉ７の間に形成されている。各縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極となる多結晶Ｓｉ７の一部には、シリサイド層１５が形成され、シリサイド層１５は、コンタクトプラグ１８が接続する。またコンタクトプラグ１８は、積層する縦型ＭＩＳＦＥＴのうち、最も下に位置する縦型ＭＩＳＦＥＴの下部電極の一部となっている半導体基板１のｎ型拡散層８に形成されたシリサイド層１５や、最も上に位置する縦型ＭＩＳＦＥＴの上部電極の一部となっている多結晶Ｓｉ７のｎ型拡散層８に形成されたシリサイド層１５にも接続している。また各シリサイド層１５は、短絡しないようにサイドウォール絶縁膜１４によって分離されており、さらに各シリサイド層１５上にはストッパー絶縁膜１６が形成されている。ストッパー絶縁膜１６は、層間絶縁膜１７にコンタクトホールを形成するエッチングの際に、エッチングストッパーとなるものである。なお、図１２４（ｃ）に示すように、実施形態１１の半導体装置同様、本実施形態の半導体装置も、各電極層をパターンニングしながら形成される。
次に、図１２５から図１４１を用いて、本実施形態の半導体装置の製造方法の一例についてより詳細に説明する。図１２５から図１４１は、図１２４に示す本発明の縦型ＭＩＳＦＥＴの製造工程の各段階の状態を示す上面図及び断面図である。各断面図（ｂ）は、各上面図のＡ−Ａ'線に沿った断面を示しており、各断面図（ｃ）は、各上面図のＣ−Ｃ'線に沿った断面を示している。
まず、実施形態１１の半導体装置の製造方法と同様に、図１１１に示す工程までを行う。次に、図１２５に示すように、ＮＳＧ膜５（図示せず）、多結晶Ｓｉ７を順に成膜する。多結晶Ｓｉ７の成膜後、レジスト塗布、露光、現像の一連のリソグラフィー工程を行って、図１２４（ｂ）に示す真ん中の縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極となる部分が残るようなレジストパターンを作製し、このレジストパターンをマスクに、多結晶Ｓｉ７をエッチングし、エッチング後、レジストを剥離する。そうすると、図１２６に示す形状が得られる。
この後、図１２７に示すように、ＮＳＧ膜５（図示せず）、ＰＳＧ膜４を順に成膜し、表面をＣＭＰで平坦化する。さらに、図１２８に示すように、ＮＳＧ膜５（図示せず）、多結晶Ｓｉ７を順に成膜する。多結晶Ｓｉ７の成膜後、レジスト塗布、露光、現像の一連のリソグラフィー工程を行って、図１２４（ｂ）に示す一番上の縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極となる部分が残るようなレジストパターンを作製し、このレジストパターンをマスクに、多結晶Ｓｉ７をエッチングし、エッチング後、レジストを剥離する。そうすると、図１２９に示す形状が得られる。それから、図１３０に示すように、ＮＳＧ膜５（図示せず）、ＰＳＧ膜４を順に成膜し、表面をＣＭＰで平坦化し、図１３１に示すように、Ｓｉ窒化膜１９を成膜する。
図１３１に示す工程の後、レジスト塗布、露光、現像の一連のリソグラフィー工程を行って、図１２４の縦型ＭＩＳＦＥＴのチャネル部１２、２１となる領域のパターンがなくなるようなレジストパターンを作製し、このレジストパターンをマスクに、Ｓｉ窒化膜１９、ＰＳＧ膜４、ＮＳＧ膜５（図示せず）、多結晶Ｓｉ７、ＮＳＧ膜５（図示せず）、ＰＳＧ膜４、ＮＳＧ膜５（図示せず）、多結晶Ｓｉ７、ＮＳＧ膜５（図示せず）、ＰＳＧ膜４、ＮＳＧ膜５（図示せず）、多結晶Ｓｉ７、ＮＳＧ膜５（図示せず）、ＰＳＧ膜４をこの順にエッチングし、半導体基板１のｎ型拡散層８でエッチングを停止させる。この後、レジストを剥離すると、図１３２に示すように、一連の積層膜を貫き、半導体基板１にいたる孔９ができる。
孔９の作成後、図１３３に示すように、ゲート絶縁膜１０を作製する。ここでは、孔９に、各縦型ＭＩＳＦＥＴのゲートとなる多結晶Ｓｉ７が露出しており、酸化もしくは酸窒化することで、ゲート酸化膜もしくはゲート酸窒化膜を形成する。なお、このように、各縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜１０を同時に同じ条件で作成することから、各縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜１０は、膜厚、膜種、膜組成が同じものになる。また、このとき、ゲート絶縁膜１０と同じ種類の絶縁膜１１が、孔９の底面に形成される。
ゲート絶縁膜１０の作製後、図１３４に示すように、第１の非晶質半導体２０をＣＶＤ法によりコンフォーマルに成膜し、これをエッチバックすることで、孔９に第１の非晶質半導体２０からなる側壁を形成する。
第１の非晶質半導体２０からなる側壁の形成後、孔９の底面の絶縁膜１１の除去と、後工程の結晶成長の前処理をかねて、希フッ酸処理を行う（図１３５）。また希フッ酸処理の代わりに、気相ＨＦ処理でもよい。この際、これまでの実施形態と同様に、第１の非晶質半導体２０からなる側壁が、ゲート絶縁膜１０を保護する。第１の非晶質半導体２０からなる側壁は、図１２４に示す３つの縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜１０を覆っているので、これらすべてを保護する。
希フッ酸処理もしくは、気相ＨＦ処理の後、ただちに非晶質Ｓｉ６をＵＨＶ−ＣＶＤ法で成膜し、孔９の残りの部分を非晶質Ｓｉ６で充填する。この際、気相ＨＦ処理後、真空中を搬送し、大気にふれさせることなく、非晶質Ｓｉ６の成膜を始めるのが好ましい。非晶質６の成膜後は、ＣＭＰを行い、Ｓｉ窒化膜１９で停止させることにより、図１３６に示す形状が得られる。
この後、リン酸でＳｉ窒化膜１９を除去し、窒素雰囲気で熱処理することで固相エピタキシャル成長させ、図１３７に示すように、第１の非晶質半導体２０を第１の単結晶半導体２１、非晶質Ｓｉ６を単結晶Ｓｉ１２に変化させる。
固相エピタキシャル成長後、図１３８に示すように、多結晶Ｓｉ７を成膜し、表面をＣＭＰで平坦化する。後工程で段差が問題にならない場合は、ＣＭＰは行わなくても良い。この後、レジスト塗布、露光、現像の一連のリソグラフィー工程を行って、上部電極のパターンが残るようなレジストパターンを作製し、このレジストパターンをマスクに多結晶Ｓｉ７をエッチングする。エッチング後、レジストを剥離すると、図１３９に示す形状が得られる。
この後、多結晶Ｓｉや、単結晶Ｓｉに対して、エッチングレートが大きいエッチング条件を用いて、ＰＳＧ膜４、ＮＳＧ膜５（図示せず）を上から順にエッチングしていき、半導体基板１のｎ型拡散層８で停止させる。そうすると、多結晶Ｓｉ７が上部に存在するＰＳＧ膜４、ＮＳＧ膜５（図示せず）が残存し、図１４０に示す形状が得られる。この状態で、イオン注入を行い、ｎ型のドーパントを、上部電極の多結晶Ｓｉ７と、各縦型ＭＩＳＦＥＴのゲートとなる多結晶Ｓｉ７に導入する。
イオン注入後、これらのドーパントを拡散させ活性化するために、アニールを行う。例えば、窒素に微量の酸素が混入された雰囲気で、１０５０℃のスパイクアニールを行う。この際、ＰＳＧ膜４内のドーパントがチャネル部１２、２１に拡散し、活性化することも同時におこり、エクステンション１３が形成される（図１４１）。
この後は、実施形態１０の製造方法の図１０４からの工程と同じ工程を行うことによって、図１２４に示す半導体装置が完成する。なお、半導体基板１に形成するｎ型拡散層８をｐ型拡散層に、ＰＳＧ膜をＢＳＧ膜に、ゲート電極と上部電極へイオン注入するドーパントをｎ型のドーパントからｐ型のドーパントへ変更することで、ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを複数積層したものに変更可能である。
なお、図１３２に示す工程で複数の孔を作製し同様の工程を経ることで、同一の処理により、同一平面上に縦型ＭＩＳＦＥＴを３層積層した半導体装置を複数製造することができる。この際、チャネル部１２、２１の断面形状や大きさを変えることも、そろえることも可能である。また、前記複数の半導体装置は、すべて同一の製造方法により製造される必要がなく、回路での役割の違いなどに応じて、実施形態９を用い、異なる製造方法により、異なる構造の縦型ＭＩＳＦＥＴを３層積層した半導体装置を製造してもよい。さらに、実施形態１１の製造方法を用いることで、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを複数積層した半導体装置を製造し、その上に、ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを複数積層した半導体装置またはｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを複数積層した半導体装置を製造してもよい（前記ｐ型とｎ型を逆にした構成も可能）。
＜実施形態１３＞
＜実施形態１３＞
本実施形態の半導体装置の製造方法は、実施形態１から１２のいずれか一を基本とし、さらに、図１４６、図１４９に示すように、積層工程Ｓ１０は、半導体基板１または半導体層に形成された不純物領域８の上に第一絶縁層４、５（第一絶縁層５については図示せず）を形成し、その上に、配線パターンにパターニングしたゲート電極層７を形成し、第一絶縁層４、５（第一絶縁層５については図示せず）またはゲート電極層７の上に第二絶縁層５、４（第二絶縁層５については図示せず）を形成した後、さらに第二絶縁層５、４（第二絶縁層５については図示せず）の上に、置換層１９を挟んで、第一絶縁層４、１９およびゲート電極層７および第二絶縁層１９、４、１９をこの順に形成する工程であり、さらに、図１６０に示すように、半導体部形成工程Ｓ６０の後、置換層１９をエッチングにより取り除き、置換層１９が存在した位置に、電極層を形成する置換工程Ｓ７０を有する。すなわち、図１６８のフローチャート図に示すように、半導体部形成工程Ｓ６０の後に、置換工程Ｓ７０を有する。
実施形態１２の半導体装置の製造方法では、複数層の縦型ＭＩＳＦＥＴのチャネル部を一度に形成していた。本実施形態の半導体装置の製造方法では、複数層の縦型ＭＩＳＦＥＴのチャネル部を一度に形成する点にかわりはないが、複数層重ねた縦型ＭＩＳＦＥＴの間のソース、ドレインへの配線が形成され、コンタクトをとる点に特徴がある。すなわち、本実施形態の半導体装置は、複数層に重ねた縦型ＭＩＳＦＥＴの間に配線層が形成されたものである。
本実施形態の半導体装置は、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを複数層積層したもの、もしくはｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを複数層積層したもので、実施形態１０や、実施形態１１の半導体装置のように、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの上に、ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを積層したり、ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの上に、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを積層したりすることはない。なお、プロセス的に前記構成は不可能でないが、その場合、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴのソースもしくはドレインをｐ型の拡散層にするか、ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴのソースもしくはドレインをｎ型の拡散層にしなければならないので、好ましくない。
また、本実施形態の半導体装置の複数層の縦型ＭＩＳＦＥＴは、実施形態１から７のいずれかの製造方法で作製される。例えば、実施形態４の製造方法で製造される場合、上下に重ねられる複数の縦型ＭＩＳＦＥＴにおいて、チャネル部を構成する第１の単結晶半導体と単結晶Ｓｉの、ドーピングの有無（真性半導体か否か）、型（ｎ型もしくはｐ型）、濃度、ドーパントの種類（Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂ、Ｉｎなど）、材料（Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅＣなど）のうち、少なくとも１つが異なる。ただし、その異なり方について、積層されるある縦型ＭＩＳＦＥＴでは材料だけが異なっていて、積層される別の縦型ＭＩＳＦＥＴではドーピング濃度だけが異なっている、というようなことはない。積層される縦型ＭＩＳＦＥＴは、すべて同じ異なり方をする。
このような構造になる理由は、以下の製造方法の説明により明らかとなる。
なお、本実施形態の半導体装置は、積層する複数の縦型ＭＩＳＦＥＴの、各縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート長は任意である。すなわち、すべての縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート長を同じにしてもよいし、異なるようにしてもよい。オフセットスペーサーや、エクステンションの長さも任意である。また、縦型ＭＩＳＦＥＴを積層する層数は、いくつでもよく、上限はない。
本実施形態の半導体装置の特徴は、積層される縦型ＭＩＳＦＥＴに対して、縦型ＭＩＳＦＥＴの間の電極層（ソースないしドレイン）から配線層をのばし、その配線にコンタクト１８を形成することである。縦型ＭＩＳＦＥＴの間の電極層（ソースないしドレイン）は、チャネル部１２、２１を固相エピタキシャル成長した後に作製する。すなわち、前記固相エピタキシャル成長時には、置換膜となる絶縁膜１９でダミーの電極層を形成しておき、固相エピタキシャル成長後、絶縁膜１９で形成されたダミーの配線を、伝導体の配線に置き換える。
図１４２は、本実施形態の半導体装置の上面図（図１４２（ａ））及び断面図１（図１４２（ｂ））、断面図２（（図１４２（ｃ））の一例である。断面図１は、上面図のＡ−Ａ'線に沿った断面を示しており、断面図２は、上面図のＣ−Ｃ'線に沿った断面を示している。図１４２は、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを２層積層したもので、各縦型ＭＩＳＦＥＴのチャネル部１２、２１は、実施形態４の半導体装置にもとづいている。したがって、縦型ＭＩＳＦＥＴを構成する各部は、実施形態４の半導体装置を構成する場合と同様である。
図１４２では、２層のｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを積層しているが、上段のｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの下部電極、下段のｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴの上部電極が共通化されて、この部分から多結晶Ｓｉ７の配線層が横に伸びている。この多結晶Ｓｉ７の配線層の一部にはシリサイド層１５が設けられており、シリサイド層１５は、コンタクトプラグ１８に接続している。実施形態１２の半導体装置は、チャネル部１２、２１の上下にしかコンタクトをとらなかったが、本実施形態の半導体装置では、チャネル部１２、２１の途中に電極層を設け、そこに電気的に接続できるような構造になっている。
図１４２に示す２つのｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜１０やチャネル部分の構成（第１の単結晶半導体２１と単結晶Ｓｉ１２）は、実施形態１２と同様に、同一の処理により形成されるので、その構成は略同一である。しかしながら、上部のｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴは、電極層の置換プロセスを行うため、ゲートの多結晶Ｓｉ７が、ＮＳＧ膜にはさまれる構造ではなくて、Ｓｉ窒化膜１９にはさまれる構造になっている。Ｓｉ窒化膜１９は、これまでのＮＳＧ膜と同様、ゲートとエクステンション１３の重なりを調整するオフセットスペーサーの役割を果たす。これに対して、下側のｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴは、これまでどおり、ゲートの多結晶Ｓｉ７がＮＳＧ膜（図示せず）にはさまれる構造になっている。
図１４２に示すｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴのチャネル部１２、２１は、実施形態４の半導体装置にもとづいているので、ゲート絶縁膜１０に、第１の単結晶半導体２１が接しており、第１の単結晶半導体２１に単結晶Ｓｉ１２が接している。第１の単結晶半導体２１と単結晶Ｓｉ１２は、ドーピングの有無（真性半導体か否か）、型（ｎ型もしくはｐ型）、濃度、ドーパントの種類（Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂ、Ｉｎなど）、材料（Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅＣなど）のうち少なくとも１つが異なっており、例えば、第１の単結晶半導体が真性半導体のＳｉで、単結晶Ｓｉ１２がｐ型Ｓｉであってもよい。
ゲート絶縁膜１０は、実施形態１２と同様、積層するすべての縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜１０を同時に形成するので、その膜厚、膜種、膜組成は略同一である。また、各縦型ＭＩＳＦＥＴ間には、エクステンション１３が形成されている。エクステンション１３は、ＰＳＧ膜４からドーパントの供給を受けて形成される。
各縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極となる多結晶Ｓｉ７の一部には、シリサイド層１５が形成され、シリサイド層１５には、コンタクトプラグ１８が接続している。またコンタクトプラグ１８は、下側の縦型ＭＩＳＦＥＴの下部電極の一部となっている半導体基板１のｎ型拡散層８に形成されたシリサイド層１５や、上側の縦型ＭＩＳＦＥＴの上部電極の一部となっている多結晶Ｓｉ７の型拡散層８に形成されたシリサイド層１５にも接続している。また各シリサイド層１５は、短絡しないようにサイドウォール絶縁膜１４によって分離されており、さらに各シリサイド層１５上にはストッパー絶縁膜１６が形成されている。ストッパー絶縁膜１６は、層間絶縁膜１７にコンタクトホールを形成するエッチングの際に、エッチングストッパーとなるものである。なお、図１４２（ｃ）に示すように、実施形態１１の半導体装置同様、本実施形態の半導体装置も、各電極層をパターンニングしながら形成されてもよい。
次に、図１４３から図１６５を用いて、本実施形態の半導体装置の製造方法の一例についてより詳細に説明する。図１４３から図１６５は、図１４２に示す本発明の縦型ＭＩＳＦＥＴの製造工程の各段階の状態を示す上面図及び断面図である。各断面図（ｂ）は、各上面図のＡ−Ａ'線に沿った断面を示しており、各断面図（ｃ）は、各上面図のＣ−Ｃ'線に沿った断面を示している。
まず、実施形態１１の半導体装置の製造方法と同様に、図１０９に示す工程までを行う。次に、図１４３に示すように、ＮＳＧ膜５（図示せず）、ＰＳＧ膜４、Ｓｉ窒化膜１９を順に成膜する。Ｓｉ窒化膜１９の成膜後、レジスト塗布、露光、現像の一連のリソグラフィー工程を行って、図１４２（ｂ）に示す下側の縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極となる部分が残るようなレジストパターンを作製し、このレジストパターンをマスクに、Ｓｉ窒化膜１９、ＰＳＧ膜４、ＮＳＧ膜５（図示せず）、多結晶Ｓｉ７をエッチングし、エッチング後、レジストを剥離する。そうすると、図１４４に示す形状が得られる。この後、図１４５に示すように、ＮＳＧ膜５（もしくはプラズマ酸化膜）を成膜し、ＣＭＰで平坦化する。このとき、最上面のＳｉ窒化膜１９は、ＣＭＰ時のストッパー膜となる。
それから、図１４６に示すように、Ｓｉ窒化膜１９、ＰＳＧ膜４、Ｓｉ窒化膜１９を順に成膜する。先に成膜するＳｉ窒化膜１９は、ダミーの電極層を作製するためのもので、その厚さがおおよそ電極層の厚さとなる。また後に成膜するＳｉ窒化膜１９は、図１４２（ｂ）に示す上側のｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴのオフセットスペーサーである。これらの膜の成膜後、レジスト塗布、露光、現像の一連のリソグラフィー工程を行って、図１４２（ｂ）に示す２つの縦型ＭＩＳＦＥＴの間の電極層となる部分が残るようなレジストパターンを作製し、このレジストパターンをマスクに、Ｓｉ窒化膜１９、ＰＳＧ膜４、Ｓｉ窒化膜１９をエッチングする。下側のＳｉ窒化膜１９のエッチングは、特にＮＳＧ膜５とのエッチング選択比が大きい条件で行い、ＮＳＧ膜５が露出した時点でエッチングを停止させる。エッチング後、レジストを剥離すると、図１４７に示す形状が得られる。この後、図１４８に示すように、ＮＳＧ膜５（もしくはプラズマ酸化膜）を成膜し、ＣＭＰで平坦化する。このとき、最上面のＳｉ窒化膜１９は、ＣＭＰ時のストッパー膜となる。
さらに、図１４９に示すように、多結晶Ｓｉ７、Ｓｉ窒化膜１９、ＰＳＧ膜４、Ｓｉ窒化膜１９を順に成膜する。多結晶Ｓｉ７は、図１４２（ｂ）に示す上側の縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極であり、その厚みがゲート長になる。多結晶Ｓｉ７の次に成膜するＳｉ窒化膜１９は、オフセットスペーサーである。これらの膜の成膜後、レジスト塗布、露光、現像の一連のリソグラフィー工程を行って、図１４２（ｂ）に示す上側の縦型ＭＩＳＦＥＴの間のゲート電極となる部分が残るようなレジストパターンを作製し、このレジストパターンをマスクに、Ｓｉ窒化膜１９、ＰＳＧ膜４、Ｓｉ窒化膜１９、多結晶Ｓｉ７をエッチングする。多結晶Ｓｉ７のエッチングは、特にＮＳＧ膜５やＳｉ窒化膜１９とのエッチング選択比が大きい条件で行い、ＮＳＧ膜５やＳｉ窒化膜１９が露出した時点でエッチングを停止させる。エッチング後、レジストを剥離すると、図１５０に示す形状が得られる。この後、図１５１に示すように、ＮＳＧ膜５（もしくはプラズマ酸化膜）を成膜し、ＣＭＰで平坦化する。このとき、最上面のＳｉ窒化膜１９は、ＣＭＰ時のストッパー膜となる。
図１５１に示す工程の後、レジスト塗布、露光、現像の一連のリソグラフィー工程を行って、図１４２の縦型ＭＩＳＦＥＴのチャネル部１２、２１となる領域のパターンがなくなるようなレジストパターンを作製し、このレジストパターンをマスクに、Ｓｉ窒化膜１９、ＰＳＧ膜４、Ｓｉ窒化膜１９、多結晶Ｓｉ７、Ｓｉ窒化膜１９、ＰＳＧ膜４、Ｓｉ窒化膜１９、ＰＳＧ膜４、ＮＳＧ膜５（図示せず）、多結晶Ｓｉ７、ＮＳＧ膜５（図示せず）、ＰＳＧ膜４を順にエッチングし、半導体基板１のｎ型拡散層８でエッチングを停止させる。この後、レジストを剥離すると、図１５２に示すように、一連の積層膜を貫き、半導体基板１にいたる孔９ができる。
孔９の作成後、図１５３に示すように、ゲート絶縁膜１０を作製する。ここでは、孔９に、各縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極となる多結晶Ｓｉ７が露出しており、酸化もしくは酸窒化することで、ゲート酸化膜もしくはゲート酸窒化膜を形成する。なお、このように、各縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜１０を同一処理により同じ条件で作成することから、各縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜１０は、膜厚、膜種、膜組成が略同一となる。また、このとき、ゲート絶縁膜１０と同じ種類の絶縁膜１１が、孔９の底面に形成される。
ゲート絶縁膜１０の作製後、図１５４に示すように、第１の非晶質半導体２０をＣＶＤ法によりコンフォーマルに成膜し、これをエッチバックすることで、孔９に第１の非晶質半導体２０からなる側壁を形成する。
側壁の形成後、孔９の底面の絶縁膜１１の除去と、後工程の結晶成長の前処理をかねて、希フッ酸処理を行う（図１５５）。また希フッ酸処理の代わりに、気相ＨＦ処理でもよい。この際、これまでの実施形態と同様に、第１の非晶質半導体２０からなる側壁が、ゲート絶縁膜１０を保護する。第１の非晶質半導体２０からなる側壁は、図１４２に示す２つの縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜１０を覆っているので、これらすべてを保護する。
希フッ酸処理もしくは、気相ＨＦ処理の後、ただちに非晶質Ｓｉ６をＵＨＶ−ＣＶＤ法で成膜し、孔９の残りの部分を非晶質Ｓｉ６で充填する。この際、気相ＨＦ処理後、真空中を搬送し、大気にふれさせることなく、非晶質Ｓｉ６の成膜を始めるのが好ましい。非晶質６の成膜後は、ＣＭＰを行い、Ｓｉ窒化膜１９で停止させることにより、図１５６に示す形状が得られる。
この後、窒素雰囲気で熱処理することで固相エピタキシャル成長させ、図１５７に示すように、第１の非晶質半導体２０を第１の単結晶半導体２１、非晶質Ｓｉ６を単結晶Ｓｉ１２に変化させる。なお、この固相エピタキシャル成長時の熱処理温度は、Ｓｉ窒化膜１９に接している部分に結晶核が生成され、ここから多結晶半導体の成長がおきないような、十分低い温度で行う。また、本実施形態の場合、最上層のＳｉ窒化膜１９は、後工程のエッチングでストッパー膜として用いるので、除去しない。
固相エピタキシャル成長後、図１５８に示すように、多結晶Ｓｉ７、ＮＳＧ膜５を成膜する。この後、レジスト塗布、露光、現像の一連のリソグラフィー工程を行って、上部電極のパターンが残るようなレジストパターンを作製し、このレジストパターンをマスクにＮＳＧ膜５、多結晶Ｓｉ７をエッチングする。さらに、Ｓｉ窒化膜１９に対して、エッチング選択比が大きく取れる条件で、図１５１の工程で埋めこんだＮＳＧ膜５、図１４８の工程で埋めこんだＮＳＧ膜５をエッチングし、エッチングを停止させる。この後、レジストを剥離すると、図１５９に示す形状が得られる。
この後、リン酸で置換膜であるＳｉ窒化膜１９をウエットエッチングする。なお、ウエットエッチングに用いるリン酸は粘性の高い液体なので、オフセットスペーサーのＳｉ窒化膜１９や、上側の縦型ＭＩＳＦＥＴの上部電極の多結晶Ｓｉ下にあるＳｉ窒化膜１９の厚さを薄く設定しておくことで、これらのＳｉ窒化膜１９は除去せず、ダミー電極となっている置換膜のＳｉ窒化膜１９のみを除去し、図１６０に示すように、空隙３１を形成することができる。
この後、図１６１に示すように、多結晶Ｓｉ７をＣＶＤ法でコンフォーマルに成膜し、空隙３１を多結晶Ｓｉ７で充填する。図１６１に示す多結晶Ｓｉ７の成膜後、今度は、空隙３１部分に充填された多結晶Ｓｉ７以外の多結晶Ｓｉ７を除去するために、ＰＳＧ膜４やＮＳＧ膜５とのエッチング選択比が大きくとれる条件で、多結晶Ｓｉ７をエッチングする。そうすると、図１６２に示す形状が得られる。
それから、図１４５の工程でうめこんだＮＳＧ膜５やＰＳＧ膜４を、多結晶Ｓｉや単結晶Ｓｉに対して大きなエッチング選択比がとれる条件でエッチングし、半導体基板１のｎ型拡散層８上でエッチングを停止させる。このとき、上側に露出されている他の部分のＮＳＧ膜５やＰＳＧ膜４もあわせてエッチングされ、図１６３に示す形状となる。さらに、図１６４に示すように、リン酸で上側の縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極上にあるＳｉ窒化膜１９を除去する。Ｓｉ窒化膜１９の除去後、イオン注入を行い、ｎ型のドーパントを、上部電極の多結晶Ｓｉ７、各縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極となる多結晶Ｓｉ７、２つの縦型ＭＩＳＦＥＴの間の電極層となる多結晶Ｓｉ７に導入する。
イオン注入後、これらのドーパントを拡散させ活性化するために、アニールを行う。例えば、窒素に微量の酸素が混入された雰囲気で、１０５０℃のスパイクアニールを行う。この際、ＰＳＧ膜４内のドーパントがチャネル部１２、２１に拡散し、活性化することも同時におこり、エクステンション１３が形成される。また２つの縦型ＭＩＳＦＥＴの間の電極層の多結晶Ｓｉ７内のドーパントは、ゲート絶縁膜１０にさえぎられないので、チャネル部１２、２１内まで拡散して、活性化する（図１６５）。
この後は、実施形態１０の製造方法の図１０４から後の工程と同じ工程を行うことによって、図１４２に示す半導体装置が完成する。なお、半導体基板１に形成するｎ型拡散層８をｐ型拡散層に、ＰＳＧ膜をＢＳＧ膜に、ゲート電極と上部電極、２つの縦型ＭＩＳＦＥＴの間の電極層へイオン注入するドーパントをｎ型のドーパントからｐ型のドーパントへ変更することで、ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを複数積層したものに変更可能である。
なお、図１３２に示す工程で複数の孔を作製し同様の工程を経ることで、同一の処理により、同一平面上に縦型ＭＩＳＦＥＴを２層積層した半導体装置を複数製造することができる。この際、チャネル部１２、２１の断面形状や大きさを変えることも、そろえることも可能である。また、前記複数の半導体装置は、すべて同一の製造方法により製造される必要がなく、回路での役割の違いなどに応じて、実施形態９を用い、異なる製造方法により、異なる構造の縦型ＭＩＳＦＥＴを２層積層した半導体装置を製造してもよい。さらに、実施形態１１の製造方法を用いることで、ｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを複数積層した半導体装置を製造し、その上に、ｐ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを複数積層した半導体装置またはｎ型の縦型ＭＩＳＦＥＴを複数積層した半導体装置を製造してもよい（前記ｐ型とｎ型を逆にした構成も可能）。
最後に、これまでに説明してきたすべての実施形態に対して、ゲート絶縁膜１０をＯＮＯ膜（Ｓｉ酸化膜―Ｓｉ窒化膜―Ｓｉ酸化膜）に置き換えることにより、本発明の半導体装置を記憶素子とすることができる。記憶素子に本発明を適用した場合、チャネル部の材料が単結晶となり移動度が向上することで、読み出し速度の向上という効果がもたらされる。また、これまで、説明してきたすべての実施形態に対して、半導体基板１と同じ材料の非晶質半導体材料を半導体基板１に接触させ（通常はバルクＳｉ基板なので、非晶質ＳｉをバルクＳｉ基板に接触させ）固相エピタキシャル成長させてきたが、原理的には、半導体基板１と異なる材料の非晶質半導体材料を半導体基板１に接触させ、固相エピタキシャル成長させることも可能である。この場合は、孔９内の半導体基板１に接触する非晶質Ｓｉ６を、他の半導体材料に置き換えればよい（例えば、バルクＳｉ基板に対して、非晶質Ｓｉ６の代わりにＧｅ濃度の低い非晶質ＳｉＧｅを用いる）。ただし、結晶性の観点からは、各実施形態で説明してきたように、半導体基板１に接触させて固相エピタキシャル成長させる非晶質半導体材料は、半導体基板１と同じ材料が好ましい。
１ 半導体基板
２ 素子分離絶縁膜
３ ｎ型ドーパント注入層
４ ＰＳＧ膜
５ ＮＳＧ膜
６ 非晶質Ｓｉ
７ 多結晶Ｓｉ
８ ｎ型拡散層
９ 孔
１０ ゲート絶縁膜
１１ 絶縁膜
１２ 単結晶Ｓｉ
１３ エクステンション層
１４ サイドウォール絶縁膜
１５ シリサイド
１６ ストッパー絶縁膜
１７ 層間絶縁膜
１８ コンタクトプラグ
１９ Ｓｉ窒化膜
２０ 第１の非晶質半導体
２１ 第１の単結晶半導体
２２ 第２の非晶質半導体
２３ 弟２の単結晶半導体
２４ Ｓｉ酸化膜
２５ ゲート絶縁膜（ＣＶＤ膜）
２８ ｐ型ドーパント注入層
２９ ｐ型拡散層
３０ ＢＳＧ膜
３１ 空隙
２ 素子分離絶縁膜
３ ｎ型ドーパント注入層
４ ＰＳＧ膜
５ ＮＳＧ膜
６ 非晶質Ｓｉ
７ 多結晶Ｓｉ
８ ｎ型拡散層
９ 孔
１０ ゲート絶縁膜
１１ 絶縁膜
１２ 単結晶Ｓｉ
１３ エクステンション層
１４ サイドウォール絶縁膜
１５ シリサイド
１６ ストッパー絶縁膜
１７ 層間絶縁膜
１８ コンタクトプラグ
１９ Ｓｉ窒化膜
２０ 第１の非晶質半導体
２１ 第１の単結晶半導体
２２ 第２の非晶質半導体
２３ 弟２の単結晶半導体
２４ Ｓｉ酸化膜
２５ ゲート絶縁膜（ＣＶＤ膜）
２８ ｐ型ドーパント注入層
２９ ｐ型拡散層
３０ ＢＳＧ膜
３１ 空隙
Claims (41)
- 単結晶半導体基板または単結晶半導体層に形成された不純物領域の上に、第一絶縁層と、ゲート電極層と、第二絶縁層と、をこの順に積層した積層体を形成する積層工程と、
前記積層体に、前記不純物領域が露出する孔を形成する孔形成工程と、
少なくとも、前記孔の側壁に露出している前記ゲート電極層、および、前記孔の底面に露出している前記不純物領域、の上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記ゲート電極層の前記露出部分の上に形成された前記絶縁膜の上に半導体膜を重ねて形成する半導体膜形成工程と、
前記不純物領域の上に形成された前記絶縁膜を除去する除去工程と、
前記孔に、前記孔の底面に露出している前記不純物領域に接し、前記底面から前記孔の開口部までつながる半導体部を形成する半導体部形成工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 前記半導体膜形成工程は、
前記ゲート電極層の前記露出部分の上に形成された前記絶縁膜の上に非晶質半導体膜を重ねて形成する工程であり、
前記半導体部形成工程は、
前記孔に、前記孔の底面に露出している前記不純物領域に接し、前記底面から前記孔の開口部までつながる非晶質の半導体部を形成した後、前記非晶質の半導体部を、前記半導体膜形成工程で形成した前記非晶質半導体膜とともに加熱処理し単結晶半導体に結晶化する工程である、
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体部形成工程は、
前記孔が埋まるよう、前記第二絶縁層の上に半導体層を形成し、その後、前記第二絶縁層をストッパーとして前記半導体層をＣＭＰすることで前記半導体部を形成する請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体部形成工程は、
前記孔を、前記孔の側壁沿いにリング状に形成した前記半導体部と、前記リング状の中央開口空間を埋める絶縁体と、で埋める工程である請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体部形成工程は、
前記孔の側壁沿いに前記非晶質の半導体部を形成後、前記孔を絶縁体で埋め、その後、前記非晶質の半導体部を、前記半導体膜形成工程で形成した前記非晶質半導体膜とともに加熱処理し単結晶半導体に結晶化する工程である請求項２に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体膜形成工程は、
前記ゲート電極層の前記露出部分の上に形成された前記絶縁膜の上に、単一の半導体膜を重ねて形成する工程である請求項１から５のいずれか一に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体膜形成工程は、
前記ゲート電極層の前記露出部分の上に形成された前記絶縁膜の上に、複数の半導体膜を重ねて形成する工程であって、
前記複数の半導体膜の隣り合う半導体膜どうしは、
ドーピングの有無、ドーピングの型、ドーピング濃度、ドーパントの種類、材料のうち、少なくとも一つが異なる請求項１から５のいずれか一に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体部形成工程は、
単一の半導体で前記半導体部を形成する工程である請求項１から７のいずれか一に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体部形成工程は、
前記孔の側壁沿いに複数の半導体膜を重ねて前記半導体部を形成する工程であって、
前記複数の半導体膜の隣り合う半導体膜どうしは、
ドーピングの有無、ドーピングの型、ドーピング濃度、ドーパントの種類、材料のうち、少なくとも一つが異なる請求項１から７のいずれか一に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体部形成工程において、前記半導体部を形成する前記単一の半導体は、前記不純物領域を形成した基板または半導体層を構成する単結晶半導体と同じ材料である請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体部形成工程において、前記孔の底面に露出している前記不純物領域に接するよう、前記孔の側壁沿いに重ねて形成された前記複数の半導体膜の中の少なくとも一つは、前記不純物領域を形成した基板または半導体層を構成する単結晶半導体と同じ材料である請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記積層工程の後であって、前記孔形成工程の前に、
前記除去工程における処理で除去されない材料で構成される保護膜を、前記積層体の上に成膜する保護膜成膜工程をさらに有する請求項１から１１のいずれか一に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記絶縁膜形成工程は、
前記絶縁膜として、酸化膜、窒化膜、酸窒化膜、酸化膜と窒化膜の積層膜（ＯＮＯ膜）の中のいずれかを形成する工程である請求項１から１２のいずれか一に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記絶縁膜形成工程は、
ＣＶＤ法により絶縁膜を形成する工程である請求項１から１３のいずれか一に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記ゲート電極層の前記露出部分の上に形成された前記絶縁膜は、縦型ＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜となる請求項１から１４のいずれか一に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体膜形成工程で形成される前記半導体膜と接する、前記半導体部を構成する半導体と、前記半導体と接する前記半導体膜と、は、ドーピングの有無、ドーピングの型、ドーピング濃度、ドーパントの種類、材料のうち、少なくとも一つが請求項１から１５のいずれか一に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記積層工程は、
前記基板または前記半導体層に形成された前記不純物領域の上に前記第一絶縁層を形成し、その上に、配線パターンにパターニングした前記ゲート電極層を形成し、前記第一絶縁層または前記ゲート電極層の上に、前記第二絶縁層を形成した積層体を形成する工程である請求項１から１６のいずれか一に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記積層工程は、
前記基板または前記半導体層に形成された前記不純物領域の上に前記第一絶縁層を形成し、その上に、配線パターンにパターニングした前記ゲート電極層を形成し、前記第一絶縁層または前記ゲート電極層の上に前記第二絶縁層を形成した後、
さらに前記第二絶縁層の上に、配線パターンにパターニングしたゲート電極層と前記第二絶縁層とを一セットとして、複数セット積層する工程である請求項１から１７のいずれか一に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記積層工程は、
前記基板または前記半導体層に形成された前記不純物領域の上に前記第一絶縁層を形成し、その上に、配線パターンにパターニングした前記ゲート電極層を形成し、前記第一絶縁層または前記ゲート電極層の上に前記第二絶縁層を形成した後、さらに前記第二絶縁層の上に、置換層を挟んで、前記第一絶縁層および前記ゲート電極層および前記第二絶縁層を形成する工程であり、
前記半導体部形成工程の後、さらに、
前記置換層をエッチングにより取り除き、前記置換層が存在した位置に、電極層を形成する置換工程を有する請求項１から１７のいずれか一に記載の半導体装置の製造方法。 - 請求項１から１９のいずれか一の半導体装置の製造方法を利用して製造される半導体装置を、前記基板の同一平面上に複数製造する半導体装置の製造方法。
- 請求項１から１９のいずれか一以上の半導体装置の製造方法を利用して製造される二種以上の半導体装置を、前記基板の同一平面上に複数製造する半導体装置の製造方法。
- 請求項１から１９のいずれか一の半導体装置の製造方法を利用して製造される半導体装置を、前記基板の垂直方向に重ねて複数製造する半導体装置の製造方法。
- 請求項１から１９のいずれか一以上の半導体装置の製造方法を利用して製造される二種以上の半導体装置を、前記基板の垂直方向に重ねて複数製造する半導体装置の製造方法。
- 製造される前記半導体装置はＰ型とＮ型の両方を含む請求項２０から２３のいずれか一に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板または半導体層に形成された下部電極となる不純物領域の上に、第一絶縁層と、ゲート電極となるゲート電極層と、第二絶縁層と、をこの順に積層した積層体と、
前記積層体を前記基板と略垂直方向に貫通し、前記不純物領域と接するチャネル部と、
前記積層体の上方に、前記チャネル部の前記不純物領域と接する面の反対側の面に接して形成される上部電極層と、
前記ゲート電極層と前記チャネル部との間に、前記チャネル部の周囲を囲むように形成されるゲート絶縁膜と、
を有する縦型ＭＩＳＦＥＴであって、
前記ゲート電極と前記上部電極との間の前記第二絶縁層の厚さ、および、前記ゲート電極と前記下部電極との間の前記第一絶縁層の厚さは、前記ゲート絶縁膜の膜厚より厚く、
前記ゲート絶縁膜に周囲を囲まれた前記チャネル部は、基板に垂直な方向に均一な複数の半導体で構成されている半導体装置。 - 前記チャネル部は、半導体膜を複数重ねたリング形状であり、
前記リング形状の中心の開口空間には絶縁体が埋められている請求項２５に記載の半導体装置。 - 前記ゲート絶縁膜は、
酸化膜、窒化膜、酸窒化膜、酸化膜と窒化膜の積層膜（ＯＮＯ膜）の中のいずれかである請求項２５または２６に記載の半導体装置。 - 前記ゲート絶縁膜は、ＣＶＤ法により形成される請求項２５から２７のいずれか一に記載の半導体装置。
- 前記チャネル部を構成する前記半導体は、
前記不純物領域を形成した基板または半導体層を構成する単結晶半導体と同じ材料の単結晶半導体を含む請求項２５から２８のいずれか一に記載の半導体装置。 - 前記チャネル部を構成する前記複数の半導体の隣り合う半導体どうしは、
ドーピングの有無、ドーピングの型、ドーピング濃度、ドーパントの種類、材料のうち、少なくとも一つが異なる請求項２５から２９のいずれか一に記載の半導体装置。 - 前記チャネル部は、
前記上部電極および前記ゲート電極および前記下部電極と、異なる型のドーパントでドーピングされており、
そのドーピング濃度は、前記ゲート絶縁膜と接する側面から前記チャネル部の略中心軸に向かって高くなっている請求項２５から３０のいずれか一に記載の半導体装置。 - 前記チャネル部の前記第一絶縁層および前記第二絶縁層との界面沿いには、前記界面から前記チャネル部の略中心軸に向かう方向を深さ方向とするエクステンションが形成され、
前記チャネル部の前記ドーピング濃度は、
前記エクステンションの最深部より、前記チャネル部の略中心軸側に濃度ピークを有する請求項３１に記載の半導体装置。 - 前記チャネル部は、
前記ゲート絶縁膜と接する部分は真性半導体で構成され、
前記真性半導体と隣接する部分は、前記上部電極および前記ゲート電極および前記下部電極と、異なる型のドーパントでドーピングされた半導体で構成される請求項２５から３２のいずれか一に記載の半導体装置。 - 前記チャネル部は、
前記ゲート絶縁膜に接するＳｉＧｅと、前記ＳｉＧｅに接するＳｉと、から構成される請求項２５から３３のいずれか一に記載の半導体装置。 - 前記チャネル部は、
前記ゲート絶縁膜に接するＳｉと、前記Ｓｉに接するＳｉＧｅと、前記ＳｉＧｅに接するＳｉと、から構成される請求項２５から３３のいずれか一に記載の半導体装置。 - 前記ＳｉＧｅのＧｅ濃度は、
前記ゲート絶縁膜と前記チャネル部との界面から前記チャネル部の略中心軸に向かって低くなる請求項３５に記載の半導体装置。 - 請求項２５から３６のいずれか一に記載の縦型ＭＩＳＦＥＴを、前記基板の同一平面上に複数形成した半導体装置。
- 請求項２５から３６のいずれか一に記載の縦型ＭＩＳＦＥＴを、前記基板の垂直方向に重ねて複数形成した半導体装置。
- 請求項２５から３６のいずれか二種以上の縦型ＭＩＳＦＥＴを、前記基板の同一平面上に複数形成した半導体装置。
- 請求項２５から３６のいずれか二種以上の縦型ＭＩＳＦＥＴを、前記基板の垂直方向に重ねて複数形成した半導体装置。
- 前記縦型ＭＩＳＦＥＴは、Ｐ型とＮ型の両方を含む請求項３７から４０のいずれか一に記載の半導体装置。
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Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012174836A (ja) * | 2011-02-21 | 2012-09-10 | Fujitsu Ltd | 縦型電界効果トランジスタとその製造方法及び電子機器 |
| JP2014216402A (ja) * | 2013-04-24 | 2014-11-17 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置、電気光学装置、半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 |
| JP5692884B1 (ja) * | 2014-08-19 | 2015-04-01 | ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． | Ｓｇｔを有する半導体装置の製造方法 |
| WO2016009473A1 (ja) * | 2014-07-14 | 2016-01-21 | ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド | 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 |
| WO2016021020A1 (ja) * | 2014-08-07 | 2016-02-11 | ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド | 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 |
| WO2016031014A1 (ja) * | 2014-08-28 | 2016-03-03 | ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド | 半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 |
| JP2016119341A (ja) * | 2014-12-18 | 2016-06-30 | 猛英 白土 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2016119342A (ja) * | 2014-12-18 | 2016-06-30 | 猛英 白土 | 半導体装置及びその製造方法 |
| CN105810681A (zh) * | 2015-01-16 | 2016-07-27 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 堆叠器件以及相关的布局结构 |
| JP2016157969A (ja) * | 2016-04-21 | 2016-09-01 | ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． | 半導体装置 |
| WO2017104066A1 (ja) * | 2015-12-18 | 2017-06-22 | ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド | Ｓｇｔを有する半導体装置及びその製造方法 |
| JPWO2017061139A1 (ja) * | 2015-04-06 | 2017-11-16 | ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． | 柱状半導体装置の製造方法 |
| JP2020532856A (ja) * | 2017-08-29 | 2020-11-12 | マイクロン テクノロジー，インク． | 高バンド・ギャップ材料を含むストリング・ドライバを備えたデバイス及びシステム、並びに形成の方法 |
| JP2020191470A (ja) * | 2012-02-29 | 2020-11-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US10964716B2 (en) | 2018-09-13 | 2021-03-30 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing same |
| JP2022118178A (ja) * | 2017-06-16 | 2022-08-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| KR20230036507A (ko) * | 2021-09-07 | 2023-03-14 | 매크로닉스 인터내셔널 컴퍼니 리미티드 | 삼차원 반도체 구조들 |
-
2009
- 2009-07-15 JP JP2009167285A patent/JP2011023543A/ja active Pending
Cited By (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012174836A (ja) * | 2011-02-21 | 2012-09-10 | Fujitsu Ltd | 縦型電界効果トランジスタとその製造方法及び電子機器 |
| US11133330B2 (en) | 2012-02-29 | 2021-09-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US11923372B2 (en) | 2012-02-29 | 2024-03-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2020191470A (ja) * | 2012-02-29 | 2020-11-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP2014216402A (ja) * | 2013-04-24 | 2014-11-17 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置、電気光学装置、半導体装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 |
| WO2016009473A1 (ja) * | 2014-07-14 | 2016-01-21 | ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド | 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 |
| US10483366B2 (en) | 2014-07-14 | 2019-11-19 | Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. | Semiconductor device |
| US9780179B2 (en) | 2014-07-14 | 2017-10-03 | Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. | Method for producing semiconductor device and semiconductor device |
| JPWO2016009473A1 (ja) * | 2014-07-14 | 2017-04-27 | ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． | 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 |
| JP5990843B2 (ja) * | 2014-07-14 | 2016-09-14 | ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． | 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 |
| JP5928658B1 (ja) * | 2014-08-07 | 2016-06-01 | ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． | 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 |
| US20160329404A1 (en) * | 2014-08-07 | 2016-11-10 | Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. | Method for producing a semiconductor device |
| US9431501B2 (en) | 2014-08-07 | 2016-08-30 | Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. | Method for producing semiconductor device and semiconductor device |
| WO2016021020A1 (ja) * | 2014-08-07 | 2016-02-11 | ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド | 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 |
| US9741801B2 (en) * | 2014-08-07 | 2017-08-22 | Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. | Method for producing a semiconductor device |
| JP2016046271A (ja) * | 2014-08-19 | 2016-04-04 | ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． | Ｓｇｔを有する半導体装置の製造方法 |
| JP5692884B1 (ja) * | 2014-08-19 | 2015-04-01 | ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． | Ｓｇｔを有する半導体装置の製造方法 |
| JPWO2016031014A1 (ja) * | 2014-08-28 | 2017-04-27 | ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． | 半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 |
| US10340184B2 (en) | 2014-08-28 | 2019-07-02 | Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. | Method for producing a semiconductor device |
| JP5989238B2 (ja) * | 2014-08-28 | 2016-09-07 | ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． | 半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 |
| WO2016031014A1 (ja) * | 2014-08-28 | 2016-03-03 | ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド | 半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 |
| US10217665B2 (en) | 2014-08-28 | 2019-02-26 | Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. | Semiconductor device and method for producing semiconductor device |
| JP2016119341A (ja) * | 2014-12-18 | 2016-06-30 | 猛英 白土 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2016119342A (ja) * | 2014-12-18 | 2016-06-30 | 猛英 白土 | 半導体装置及びその製造方法 |
| CN105810681A (zh) * | 2015-01-16 | 2016-07-27 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 堆叠器件以及相关的布局结构 |
| DE102015115939B4 (de) | 2015-01-16 | 2021-11-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Gestapeltes Bauelement und zugehörige Layoutstruktur |
| JPWO2017061139A1 (ja) * | 2015-04-06 | 2017-11-16 | ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． | 柱状半導体装置の製造方法 |
| US11211488B2 (en) | 2015-12-18 | 2021-12-28 | Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. | Method for producing a pillar-shaped semiconductor device |
| US11282958B2 (en) | 2015-12-18 | 2022-03-22 | Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. | Semiconductor device including SGT |
| US10644151B2 (en) | 2015-12-18 | 2020-05-05 | Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. | Semiconductor device including SGT |
| JPWO2017104066A1 (ja) * | 2015-12-18 | 2017-12-21 | ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． | Ｓｇｔを有する半導体装置及びその製造方法 |
| WO2017104066A1 (ja) * | 2015-12-18 | 2017-06-22 | ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド | Ｓｇｔを有する半導体装置及びその製造方法 |
| US10553715B2 (en) | 2015-12-18 | 2020-02-04 | Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. | Semiconductor device including SGT and method for producing the same |
| JP2016157969A (ja) * | 2016-04-21 | 2016-09-01 | ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ． | 半導体装置 |
| JP2022118178A (ja) * | 2017-06-16 | 2022-08-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US11943929B2 (en) | 2017-06-16 | 2024-03-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| JP2020532856A (ja) * | 2017-08-29 | 2020-11-12 | マイクロン テクノロジー，インク． | 高バンド・ギャップ材料を含むストリング・ドライバを備えたデバイス及びシステム、並びに形成の方法 |
| JP7097952B2 (ja) | 2017-08-29 | 2022-07-08 | マイクロン テクノロジー，インク． | 高バンド・ギャップ材料を含むストリング・ドライバを備えたデバイス及びシステム、並びに形成の方法 |
| US10964716B2 (en) | 2018-09-13 | 2021-03-30 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing same |
| KR20230036507A (ko) * | 2021-09-07 | 2023-03-14 | 매크로닉스 인터내셔널 컴퍼니 리미티드 | 삼차원 반도체 구조들 |
| JP2023038897A (ja) * | 2021-09-07 | 2023-03-17 | 旺宏電子股▲ふん▼有限公司 | ３次元半導体構造 |
| KR102707926B1 (ko) * | 2021-09-07 | 2024-09-23 | 매크로닉스 인터내셔널 컴퍼니 리미티드 | 삼차원 반도체 구조들 |
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