JP2018041932A5 - - Google Patents
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- TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N nitride(3-) Chemical compound [N-3] TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 38
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- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 3
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- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 1
Claims (9)
- 第１の窒化物半導体層と、
前記第１の窒化物半導体層の上に設けられ、前記第１の窒化物半導体層よりもバンドギャップの大きい第２の窒化物半導体層と、
前記第１の窒化物半導体層の上に設けられたゲート電極と、
前記第１の窒化物半導体層に電気的に接続された第１の電極と、
前記第１の電極との間に前記ゲート電極が位置し、前記第１の窒化物半導体層に電気的に接続された第２の電極と、
前記ゲート電極と前記第２の電極との間に設けられ、前記第１の窒化物半導体層との間に前記第２の窒化物半導体層が位置し、シリコンに対する酸素の原子比（Ｏ／Ｓｉ）が１．５０以上１．８５以下の酸化シリコンを含む第１の絶縁層と、
を備える半導体装置。 - 前記第１の絶縁層と前記第２の電極との間に設けられ、前記第１の窒化物半導体層との間に前記第２の窒化物半導体層が位置し、シリコンに対する酸素の原子比が前記第１の絶縁層よりも大きい酸化シリコンを含む第２の絶縁層を、更に備える請求項１記載の半導体装置。
- 前記第２の窒化物半導体層との間に前記ゲート電極及び前記第１の絶縁層が位置し、前記第１の電極に電気的に接続された第３の電極を、更に備える請求項１又は請求項２記載の半導体装置。
- 前記第２の窒化物半導体層と前記第３の電極との間に設けられ、前記第２の電極の側の端部が前記ゲート電極と前記第３の電極の前記第２の電極の側の端部との間に位置し、前記ゲート電極に電気的に接続された第４の電極を、更に備える請求項３記載の半導体装置。
- 前記第２の窒化物半導体層と前記第４の電極との間に設けられ、シリコンに対する酸素の原子比（Ｏ／Ｓｉ）が１．５０以上１．８５以下の酸化シリコンを含む第３の絶縁層を、更に備える請求項４記載の半導体装置。
- 第１の窒化物半導体層と、
前記第１の窒化物半導体層の上に設けられ、前記第１の窒化物半導体層よりもバンドギャップの大きい第２の窒化物半導体層と、
前記第１の窒化物半導体層の上に設けられたゲート電極と、
前記第１の窒化物半導体層に電気的に接続された第１の電極と、
前記第１の電極との間に前記ゲート電極が位置し、前記第１の窒化物半導体層に電気的に接続された第２の電極と、
前記ゲート電極と前記第２の電極との間に設けられ、前記第１の窒化物半導体層との間に前記第２の窒化物半導体層が位置し、窒素を含む酸化シリコンを含む第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層と前記第２の電極との間に設けられ、前記第１の絶縁層に含まれる酸化シリコンよりも窒素密度が低い酸化シリコンを含む第２の絶縁層と、
を備える半導体装置。 - 前記第２の窒化物半導体層との間に前記ゲート電極及び前記第１の絶縁層が位置し、前記第１の電極に電気的に接続された第３の電極を、更に備える請求項６記載の半導体装置。
- 第１の窒化物半導体層と、
前記第１の窒化物半導体層の上に設けられ、前記第１の窒化物半導体層よりもバンドギャップの大きい第２の窒化物半導体層と、
前記第１の窒化物半導体層の上に設けられたゲート電極と、
前記第１の窒化物半導体層に電気的に接続された第１の電極と、
前記第１の電極との間に前記ゲート電極が位置し、前記第１の窒化物半導体層に電気的に接続された第２の電極と、
前記ゲート電極と前記第２の電極との間に設けられ、前記第１の窒化物半導体層との間に前記第２の窒化物半導体層が位置し、正電荷を含む第１の絶縁層と、
前記１の絶縁層と前記第２の電極との間に設けられ、前記第１の窒化物半導体層との間に前記第２の窒化物半導体層が位置し、正電荷密度が前記第１の絶縁層よりも低い第２の絶縁層と、
を備える半導体装置。 - 前記第２の窒化物半導体層との間に前記ゲート電極及び前記第１の絶縁層が位置し、前記第１の電極に電気的に接続された第３の電極を、更に備える請求項８記載の半導体装置。
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