JP2019033253A5 - 半導体装置 - Google Patents
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Claims (6)
- 酸化物と、
前記酸化物上の第１の導電体、および第２の導電体と、
前記酸化物上の第３の導電体と、
前記酸化物と、前記第３の導電体の間に配置され、かつ前記第３の導電体の側面を覆うように配置された第１の絶縁体と、
前記第３の導電体、および前記第１の絶縁体上の第２の絶縁体と、
前記第１の導電体上と、前記第２の絶縁体の側面と、前記第１の絶縁体を介して、前記第３の導電体の側面と、に配置された第３の絶縁体と、
前記第２の導電体上と、前記第２の絶縁体の側面と、前記第１の絶縁体を介して、前記第３の導電体の側面と、に配置された第４の絶縁体と、
前記第３の絶縁体の上面、および側面に接し、かつ前記第１の導電体と電気的に接続する第４の導電体と、
前記第４の絶縁体の上面、および側面に接し、かつ前記第２の導電体と電気的に接続する第５の導電体と、を有する半導体装置。 - 請求項１において、
前記第１の絶縁体は、前記酸化物と、前記第３の導電体の間において、第１の膜厚を有し、かつ、前記第１の導電体または前記第２の導電体と、前記第３の導電体の間において、第２の膜厚を有し、
前記第１の膜厚は、前記第２の膜厚より薄い半導体装置。 - 請求項１または請求項２において、
前記第１の絶縁体は、前記酸化物と前記第３の導電体の間において、第５の絶縁体を有し、
前記第１の導電体または前記第２の導電体と、前記第３の導電体の間において、前記第５の絶縁体、および第６の絶縁体を有する半導体装置。 - 請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記第２の絶縁体は、アルミニウムおよびハフニウムの少なくとも一方を含む酸化物、またはシリコンを含む窒化物を含む半導体装置。 - 請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記第３の絶縁体、および前記第４の絶縁体は、アルミニウムおよびハフニウムの少なくとも一方を含む酸化物、またはシリコンを含む窒化物を含む半導体装置。 - 請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記酸化物は、Ｉｎと、元素Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）と、Ｚｎと、を有する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022112457A JP7573570B2 (ja) | 2017-08-04 | 2022-07-13 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017151412 | 2017-08-04 | ||
| JP2017151412 | 2017-08-04 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022112457A Division JP7573570B2 (ja) | 2017-08-04 | 2022-07-13 | 半導体装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019033253A JP2019033253A (ja) | 2019-02-28 |
| JP2019033253A5 true JP2019033253A5 (ja) | 2021-08-05 |
| JP7106383B2 JP7106383B2 (ja) | 2022-07-26 |
Family
ID=65232472
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018141005A Active JP7106383B2 (ja) | 2017-08-04 | 2018-07-27 | 半導体装置 |
| JP2022112457A Active JP7573570B2 (ja) | 2017-08-04 | 2022-07-13 | 半導体装置 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022112457A Active JP7573570B2 (ja) | 2017-08-04 | 2022-07-13 | 半導体装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11101386B2 (ja) |
| JP (2) | JP7106383B2 (ja) |
| KR (2) | KR20240014625A (ja) |
| CN (2) | CN117276339A (ja) |
| TW (2) | TWI787312B (ja) |
| WO (1) | WO2019025912A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11289487B2 (en) * | 2018-02-23 | 2022-03-29 | Micron Technology, Inc. | Doped titanium nitride materials for DRAM capacitors, and related semiconductor devices, systems, and methods |
| US11515873B2 (en) | 2018-06-29 | 2022-11-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
| US10924090B2 (en) * | 2018-07-20 | 2021-02-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising holding units |
| US11211461B2 (en) | 2018-12-28 | 2021-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and memory device |
| US20220189766A1 (en) * | 2019-04-10 | 2022-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| CN110192269A (zh) * | 2019-04-15 | 2019-08-30 | 长江存储科技有限责任公司 | 三维nand存储器件与多个功能芯片的集成 |
| US12068198B2 (en) | 2019-05-10 | 2024-08-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US11183242B1 (en) * | 2020-05-18 | 2021-11-23 | Micron Technology, Inc. | Preventing parasitic current during program operations in memory |
Family Cites Families (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6333229B1 (en) | 2000-03-13 | 2001-12-25 | International Business Machines Corporation | Method for manufacturing a field effect transitor (FET) having mis-aligned-gate structure |
| US6660598B2 (en) | 2002-02-26 | 2003-12-09 | International Business Machines Corporation | Method of forming a fully-depleted SOI ( silicon-on-insulator) MOSFET having a thinned channel region |
| JP2004152790A (ja) | 2002-10-28 | 2004-05-27 | Toshiba Corp | 半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 |
| US6673683B1 (en) | 2002-11-07 | 2004-01-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Damascene gate electrode method for fabricating field effect transistor (FET) device with ion implanted lightly doped extension regions |
| WO2011068028A1 (en) * | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing the same |
| KR20230130758A (ko) * | 2009-12-25 | 2023-09-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| KR101809105B1 (ko) | 2010-08-06 | 2017-12-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 집적 회로 |
| US8659015B2 (en) | 2011-03-04 | 2014-02-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US8809854B2 (en) | 2011-04-22 | 2014-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP6087672B2 (ja) * | 2012-03-16 | 2017-03-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9153699B2 (en) | 2012-06-15 | 2015-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor with multiple oxide semiconductor layers |
| CN106104772B (zh) * | 2014-02-28 | 2020-11-10 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置以及具有该半导体装置的显示装置 |
| TWI663726B (zh) * | 2014-05-30 | 2019-06-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 半導體裝置、模組及電子裝置 |
| CN105528967B (zh) * | 2014-10-24 | 2018-02-23 | 环视先进数字显示无锡有限公司 | 一种复合led玻璃基板显示模组的制备方法 |
| CN113793872A (zh) * | 2014-12-10 | 2021-12-14 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及其制造方法 |
| US9660100B2 (en) * | 2015-02-06 | 2017-05-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP2016154225A (ja) | 2015-02-12 | 2016-08-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
| JP6683503B2 (ja) * | 2015-03-03 | 2020-04-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP6736321B2 (ja) | 2015-03-27 | 2020-08-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の製造方法 |
| US10056497B2 (en) * | 2015-04-15 | 2018-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US10181531B2 (en) * | 2015-07-08 | 2019-01-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including transistor having low parasitic capacitance |
| JP6584196B2 (ja) * | 2015-07-31 | 2019-10-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US20170062192A1 (en) | 2015-08-28 | 2017-03-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Film forming apparatus |
| JP6864456B2 (ja) * | 2015-10-15 | 2021-04-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US10096631B2 (en) | 2015-11-30 | 2018-10-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Signal processing circuit and semiconductor device including the signal processing circuit |
| KR102613318B1 (ko) | 2015-12-28 | 2023-12-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| JP6845692B2 (ja) * | 2016-01-15 | 2021-03-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US10147681B2 (en) * | 2016-12-09 | 2018-12-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
-
2018
- 2018-07-26 US US16/634,493 patent/US11101386B2/en active Active
- 2018-07-26 KR KR1020247002894A patent/KR20240014625A/ko not_active Application Discontinuation
- 2018-07-26 CN CN202310664561.0A patent/CN117276339A/zh active Pending
- 2018-07-26 CN CN201880050765.2A patent/CN110998809B/zh active Active
- 2018-07-26 WO PCT/IB2018/055581 patent/WO2019025912A1/en active Application Filing
- 2018-07-26 KR KR1020207001017A patent/KR102631152B1/ko active IP Right Grant
- 2018-07-27 JP JP2018141005A patent/JP7106383B2/ja active Active
- 2018-07-31 TW TW107126439A patent/TWI787312B/zh active
- 2018-07-31 TW TW111145849A patent/TWI847397B/zh active
-
2022
- 2022-07-13 JP JP2022112457A patent/JP7573570B2/ja active Active
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