JP2019033253A5 - 半導体装置 - Google Patents
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Claims (6)
- 酸化物と、
前記酸化物上の第１の導電体、および第２の導電体と、
前記酸化物上の第３の導電体と、
前記酸化物と、前記第３の導電体の間に配置され、かつ前記第３の導電体の側面を覆うように配置された第１の絶縁体と、
前記第３の導電体、および前記第１の絶縁体上の第２の絶縁体と、
前記第１の導電体上と、前記第２の絶縁体の側面と、前記第１の絶縁体を介して、前記第３の導電体の側面と、に配置された第３の絶縁体と、
前記第２の導電体上と、前記第２の絶縁体の側面と、前記第１の絶縁体を介して、前記第３の導電体の側面と、に配置された第４の絶縁体と、
前記第３の絶縁体の上面、および側面に接し、かつ前記第１の導電体と電気的に接続する第４の導電体と、
前記第４の絶縁体の上面、および側面に接し、かつ前記第２の導電体と電気的に接続する第５の導電体と、を有する半導体装置。 - 請求項１において、
前記第１の絶縁体は、前記酸化物と、前記第３の導電体の間において、第１の膜厚を有し、かつ、前記第１の導電体または前記第２の導電体と、前記第３の導電体の間において、第２の膜厚を有し、
前記第１の膜厚は、前記第２の膜厚より薄い半導体装置。 - 請求項１または請求項２において、
前記第１の絶縁体は、前記酸化物と前記第３の導電体の間において、第５の絶縁体を有し、
前記第１の導電体または前記第２の導電体と、前記第３の導電体の間において、前記第５の絶縁体、および第６の絶縁体を有する半導体装置。 - 請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記第２の絶縁体は、アルミニウムおよびハフニウムの少なくとも一方を含む酸化物、またはシリコンを含む窒化物を含む半導体装置。 - 請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記第３の絶縁体、および前記第４の絶縁体は、アルミニウムおよびハフニウムの少なくとも一方を含む酸化物、またはシリコンを含む窒化物を含む半導体装置。 - 請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記酸化物は、Ｉｎと、元素Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）と、Ｚｎと、を有する半導体装置。
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