JP2017168839A5 - 半導体装置、半導体ウエハ、モジュールおよび電子機器 - Google Patents

Claims (9)

1. 第１乃至第４の導電体と、第１乃至第３の酸化物と、第１および第２のバリア膜と、第１および第２の絶縁体を有し、
   前記第１の絶縁体は、前記第１の導電体と重なる領域を有し、
   前記第１の酸化物は、前記第１の絶縁体上にあり、
   前記第２の酸化物は、前記第１の酸化物上にあり、
   前記第２の酸化物は、第１乃至第３の領域を有し、
   前記第２の領域は、前記第１の領域と前記第３の領域の間に挟まれ、
   前記第２の導電体は、前記第２の酸化物上にあり、
   前記第１のバリア膜は、前記第２の導電体上にあり、前記第２の導電体と接する領域を有し、
   前記第２の導電体および前記第１のバリア膜は、前記第１の領域と重なる領域を有し、
   前記第３の導電体は、前記第２の酸化物上にあり、
   前記第２のバリア膜は、前記第３の導電体上にあり、前記第３の導電体と接する領域を有し、
   前記第３の導電体および前記第２のバリア膜は、前記第３の領域と重なる領域を有し、
   前記第３の酸化物は、前記第１のバリア膜と重なる領域と、前記第２のバリア膜と重なる領域と、前記第２の領域と重なる領域と、を有し、
   前記第２の絶縁体は、前記第３の酸化物上にあり、
   前記第４の導電体は、前記第２の絶縁体上にあり、前記第２の領域と重なる領域を有する半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記第１乃至前記第３の酸化物は、酸化物半導体を含む半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第１のバリア膜および前記第２のバリア膜は、金属および酸素を含む半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記第３の酸化物は、前記第１の酸化物の側面と接する領域と、前記第２の酸化物の側面と接する領域と、を有する半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   チャネル幅方向において、前記第４の導電体は、前記第１の酸化物の側面と面する領域と、前記第２の酸化物の側面と面する領域と、を有する半導体装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
   第３の絶縁体を有し、
   前記第３の絶縁体は、前記第４の導電体上にあり、前記第３の酸化物の上面を接する領域を有する半導体装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の半導体装置およびプリント基板を有するモジュール。
8. 請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の半導体装置、請求項７に記載のモジュール、およびスピーカーまたは操作キーを有する電子機器。
9. 請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の半導体装置を複数個有し、ダイシング用の領域を有する半導体ウエハ。