JP2017168839A5 - 半導体装置、半導体ウエハ、モジュールおよび電子機器 - Google Patents
半導体装置、半導体ウエハ、モジュールおよび電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017168839A5 JP2017168839A5 JP2017045992A JP2017045992A JP2017168839A5 JP 2017168839 A5 JP2017168839 A5 JP 2017168839A5 JP 2017045992 A JP2017045992 A JP 2017045992A JP 2017045992 A JP2017045992 A JP 2017045992A JP 2017168839 A5 JP2017168839 A5 JP 2017168839A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- oxide
- conductor
- barrier film
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 12
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 1
Claims (9)
- 第1乃至第4の導電体と、第1乃至第3の酸化物と、第1および第2のバリア膜と、第1および第2の絶縁体を有し、
前記第1の絶縁体は、前記第1の導電体と重なる領域を有し、
前記第1の酸化物は、前記第1の絶縁体上にあり、
前記第2の酸化物は、前記第1の酸化物上にあり、
前記第2の酸化物は、第1乃至第3の領域を有し、
前記第2の領域は、前記第1の領域と前記第3の領域の間に挟まれ、
前記第2の導電体は、前記第2の酸化物上にあり、
前記第1のバリア膜は、前記第2の導電体上にあり、前記第2の導電体と接する領域を有し、
前記第2の導電体および前記第1のバリア膜は、前記第1の領域と重なる領域を有し、
前記第3の導電体は、前記第2の酸化物上にあり、
前記第2のバリア膜は、前記第3の導電体上にあり、前記第3の導電体と接する領域を有し、
前記第3の導電体および前記第2のバリア膜は、前記第3の領域と重なる領域を有し、
前記第3の酸化物は、前記第1のバリア膜と重なる領域と、前記第2のバリア膜と重なる領域と、前記第2の領域と重なる領域と、を有し、
前記第2の絶縁体は、前記第3の酸化物上にあり、
前記第4の導電体は、前記第2の絶縁体上にあり、前記第2の領域と重なる領域を有する半導体装置。 - 請求項1において、
前記第1乃至前記第3の酸化物は、酸化物半導体を含む半導体装置。 - 請求項1または請求項2において、
前記第1のバリア膜および前記第2のバリア膜は、金属および酸素を含む半導体装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
前記第3の酸化物は、前記第1の酸化物の側面と接する領域と、前記第2の酸化物の側面と接する領域と、を有する半導体装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
チャネル幅方向において、前記第4の導電体は、前記第1の酸化物の側面と面する領域と、前記第2の酸化物の側面と面する領域と、を有する半導体装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、
第3の絶縁体を有し、
前記第3の絶縁体は、前記第4の導電体上にあり、前記第3の酸化物の上面を接する領域を有する半導体装置。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一に記載の半導体装置およびプリント基板を有するモジュール。
- 請求項1乃至請求項6のいずれか一に記載の半導体装置、請求項7に記載のモジュール、およびスピーカーまたは操作キーを有する電子機器。
- 請求項1乃至請求項6のいずれか一に記載の半導体装置を複数個有し、ダイシング用の領域を有する半導体ウエハ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016048267 | 2016-03-11 | ||
JP2016048267 | 2016-03-11 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017168839A JP2017168839A (ja) | 2017-09-21 |
JP2017168839A5 true JP2017168839A5 (ja) | 2020-04-16 |
JP7083598B2 JP7083598B2 (ja) | 2022-06-13 |
Family
ID=59788497
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017045992A Active JP7083598B2 (ja) | 2016-03-11 | 2017-03-10 | 半導体装置、半導体ウエハ、モジュールおよび電子機器 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10741587B2 (ja) |
JP (1) | JP7083598B2 (ja) |
TW (1) | TW201738978A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7200121B2 (ja) | 2017-11-09 | 2023-01-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW202316486A (zh) * | 2015-03-30 | 2023-04-16 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
JP6884569B2 (ja) * | 2015-12-25 | 2021-06-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその作製方法 |
JP2017162852A (ja) * | 2016-03-07 | 2017-09-14 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置および表示装置 |
WO2018020350A1 (en) | 2016-07-26 | 2018-02-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9978879B2 (en) | 2016-08-31 | 2018-05-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US10685983B2 (en) | 2016-11-11 | 2020-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor, semiconductor device, and electronic device |
US10910407B2 (en) | 2017-01-30 | 2021-02-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6957294B2 (ja) * | 2017-09-28 | 2021-11-02 | キヤノン株式会社 | 表示装置、電子機器、及び表示装置の製造方法 |
US10833078B2 (en) * | 2017-12-04 | 2020-11-10 | Tokyo Electron Limited | Semiconductor apparatus having stacked gates and method of manufacture thereof |
CN111542914A (zh) | 2017-12-27 | 2020-08-14 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置以及半导体装置的制造方法 |
WO2020152524A1 (ja) * | 2019-01-25 | 2020-07-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、および半導体装置の作製方法 |
KR20210120017A (ko) * | 2019-01-29 | 2021-10-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
US11437283B2 (en) * | 2019-03-15 | 2022-09-06 | Intel Corporation | Backside contacts for semiconductor devices |
JP7315661B2 (ja) * | 2019-04-12 | 2023-07-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、および半導体装置の作製方法 |
US10734979B1 (en) * | 2019-07-03 | 2020-08-04 | Globalfoundries Inc. | Analog-to-digital inverter circuit structure with FDSOI transistors |
US11450671B2 (en) * | 2019-08-07 | 2022-09-20 | Tokyo Electron Limited | Semiconductor apparatus having stacked devices and method of manufacture thereof |
JPWO2021070007A1 (ja) * | 2019-10-11 | 2021-04-15 | ||
CN110828379A (zh) * | 2019-10-15 | 2020-02-21 | 深圳大学 | 一种薄膜晶体管的制造方法、薄膜晶体管及显示面板 |
CN110993657B (zh) * | 2019-11-28 | 2023-11-24 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板、装置及显示面板的制备方法 |
WO2021130600A1 (ja) * | 2019-12-27 | 2021-07-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、半導体装置の作製方法 |
KR20220006679A (ko) * | 2020-07-08 | 2022-01-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103069717B (zh) | 2010-08-06 | 2018-01-30 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体集成电路 |
KR101979758B1 (ko) | 2010-08-27 | 2019-05-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 기억 장치, 반도체 장치 |
JP6224931B2 (ja) | 2012-07-27 | 2017-11-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9076825B2 (en) | 2013-01-30 | 2015-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device |
KR102290247B1 (ko) | 2013-03-14 | 2021-08-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치와 그 제작 방법 |
KR102290801B1 (ko) * | 2013-06-21 | 2021-08-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
US9666697B2 (en) | 2013-07-08 | 2017-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device including an electron trap layer |
US9269822B2 (en) | 2013-09-12 | 2016-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
KR102306200B1 (ko) | 2014-01-24 | 2021-09-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP6615490B2 (ja) | 2014-05-29 | 2019-12-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び電子機器 |
TWI663726B (zh) | 2014-05-30 | 2019-06-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 半導體裝置、模組及電子裝置 |
US9461179B2 (en) * | 2014-07-11 | 2016-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor device (TFT) comprising stacked oxide semiconductor layers and having a surrounded channel structure |
JP6647846B2 (ja) * | 2014-12-08 | 2020-02-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
WO2016092427A1 (en) * | 2014-12-10 | 2016-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9847406B2 (en) | 2015-08-27 | 2017-12-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, storage device, resistor circuit, display device, and electronic device |
JP6851166B2 (ja) | 2015-10-12 | 2021-03-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US10868045B2 (en) * | 2015-12-11 | 2020-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor, semiconductor device, and electronic device |
JP6811084B2 (ja) | 2015-12-18 | 2021-01-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
-
2017
- 2017-03-06 US US15/450,220 patent/US10741587B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2017-03-09 TW TW106107849A patent/TW201738978A/zh unknown
- 2017-03-10 JP JP2017045992A patent/JP7083598B2/ja active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7200121B2 (ja) | 2017-11-09 | 2023-01-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2017168839A5 (ja) | 半導体装置、半導体ウエハ、モジュールおよび電子機器 | |
JP2022031711A5 (ja) | 表示装置、電子機器 | |
JP2020194966A5 (ja) | ||
JP2021168394A5 (ja) | 表示装置 | |
JP2018163356A5 (ja) | ||
JP2017005282A5 (ja) | ||
JP2019179924A5 (ja) | トランジスタ | |
JP2017010052A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2018085508A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2015188064A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2016006857A5 (ja) | 半導体装置および電子機器 | |
JP2017143239A5 (ja) | 半導体装置及び電子機器 | |
CN107658345B (zh) | 氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置 | |
JP2021119628A5 (ja) | 半導体装置、電子機器、携帯型情報端末 | |
JP2016224437A5 (ja) | ||
JP2017120908A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2019033253A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2010028109A5 (ja) | ||
DK1956647T3 (da) | Strömkredsarrangement med forbindelsesindretning og fremgangsmåde til fremstilling deraf | |
JP2018190976A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2018022713A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2016039375A5 (ja) | 半導体装置、デバイス | |
JP2016181695A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2015075720A5 (ja) | ||
JP2016157943A5 (ja) |