JP2016039375A5 - 半導体装置、デバイス - Google Patents
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Claims (3)
- 第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタ上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の第２のトランジスタと、
前記第２のトランジスタ上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の電気二重層キャパシタと、を有し、
前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ及び前記電気二重層キャパシタは、１つの基板に設けられ、
前記第１のトランジスタは、チャネル領域にシリコンを有し、
前記第２のトランジスタは、チャネル領域に酸化物半導体を有し、
前記電気二重層キャパシタは固体電解質を有し、
前記第１のトランジスタと、前記第２のトランジスタと、前記電気二重層キャパシタとは、互いに電気的に接続していることを特徴とする半導体装置。 - 第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタ上の電気二重層キャパシタと、
前記第１のトランジスタ上及び前記電気二重層キャパシタ上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ及び前記電気二重層キャパシタは、１つの基板に設けられ、
前記第１のトランジスタは、チャネル領域にシリコンを有し、
前記第２のトランジスタは、チャネル領域に酸化物半導体を有し、
前記電気二重層キャパシタはイオン液体を含み
前記第１のトランジスタと、前記第２のトランジスタと、前記電気二重層キャパシタとは、互いに電気的に接続していることを特徴とする半導体装置。 - 制御モジュールと表示モジュールと通信モジュールとを有するデバイスであって、
各モジュールは、請求項１または請求項２に記載の半導体装置を有することを特徴とするデバイス。
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