JPWO2020008296A5 - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims 1
Claims (7)
- 第１の絶縁体と、
前記第１の絶縁体上の第１の酸化物と、
前記第１の酸化物上の第２の酸化物と、
前記第２の酸化物上の第３の酸化物および第４の酸化物と、
前記第３の酸化物上の第１の導電体と、
前記第４の酸化物上の第２の導電体と、
前記第２の酸化物上の第５の酸化物と、
前記第５の酸化物上の第２の絶縁体と、
前記第２の絶縁体上の第３の導電体と、を有し、
前記第５の酸化物は、前記第２の酸化物の上面、前記第１の導電体の側面、前記第２の導電体の側面、前記第３の酸化物の側面および前記第４の酸化物の側面と、それぞれ接し、
前記第２の酸化物は、Ｉｎと、元素Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）と、Ｚｎと、を有し、
前記第１の酸化物、および前記第５の酸化物は、それぞれ、前記第２の酸化物が有する構成元素の少なくとも一を有し、
前記第３の酸化物、および前記第４の酸化物は、それぞれ、元素Ｍを有し、
前記第３の酸化物、および前記第４の酸化物は、前記第２の酸化物よりも前記元素Ｍの濃度が高い領域を有する、半導体装置。 - 請求項１において、
前記第３の酸化物および前記第４の酸化物は、それぞれ膜厚が０．５ｎｍ以上５ｎｍ以下の領域を有する、半導体装置。 - 請求項１または請求項２において、
前記第３の酸化物および前記第４の酸化物は、それぞれ膜厚が１ｎｍ以上３ｎｍ以下の領域を有する、半導体装置。 - 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第３の酸化物および前記第４の酸化物は、それぞれガリウムを含む、半導体装置。 - 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第３の酸化物および前記第４の酸化物は、それぞれ結晶性を有する、半導体装置。 - 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第２の酸化物は、結晶性を有する、半導体装置。 - 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第１の酸化物、前記第３の酸化物、前記第４の酸化物、および前記第５の酸化物は、概略同じ組成である、半導体装置。
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