JP2020167362A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 第１の絶縁層、第２の絶縁層、半導体層、及び第１の導電層を有し、
   前記第１の絶縁層上に、前記半導体層、前記第２の絶縁層、金属酸化物層、及び前記第１の導電層が、この順で積層されており、
   前記第２の絶縁層は、第１の絶縁膜、第２の絶縁膜、及び第３の絶縁膜が、この順で積層された積層構造を有し、
   前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜、及び前記第３の絶縁膜は、それぞれ酸化物を含み、
   前記第１の絶縁膜は、前記半導体層と接する部分を有し、
   前記半導体層は、インジウムと、酸素と、を含み、
   前記金属酸化物層は、インジウムを含み、
   前記金属酸化物層と、前記第１の半導体層とは、インジウムの含有率が等しい又は概略等しい、
   半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記半導体層は、ガリウムを含まない、
   半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記半導体層は、亜鉛を含む、
   半導体装置。
4. 第１の絶縁層、第２の絶縁層、半導体層、及び第１の導電層を有し、
   前記第１の絶縁層上に、前記半導体層、前記第２の絶縁層、金属酸化物層、及び前記第１の導電層が、この順で積層されており、
   前記第２の絶縁層は、第１の絶縁膜、第２の絶縁膜、及び第３の絶縁膜が、この順で積層された積層構造を有し、且つ、前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜、及び前記第３の絶縁膜は、それぞれ酸化物を含み、
   前記第１の絶縁膜は、前記半導体層と接する部分を有し、
   前記半導体層は、インジウムと、ガリウムと、酸素と、を含み、
   前記半導体層は、インジウムの含有率が、ガリウムの含有率よりも高い領域を有し、
   前記金属酸化物層は、インジウムを含み、
   前記金属酸化物層と、前記第１の半導体層とは、インジウムの含有率が等しい又は概略等しい、
   半導体装置。
5. 請求項４において、
   前記半導体層は、亜鉛を含み、
   前記半導体層は、亜鉛の含有率が、ガリウムの含有率よりも高い領域を有する、
   半導体装置。
6. 第１の絶縁層、第２の絶縁層、第１の半導体層、第２の半導体層、及び第１の導電層を有し、
   前記第１の絶縁層上に、前記第２の半導体層、前記第１の半導体層、前記第２の絶縁層、金属酸化物層、及び前記第１の導電層が、この順で積層されており、
   前記第２の絶縁層は、第１の絶縁膜、第２の絶縁膜、及び第３の絶縁膜が、この順で積層された積層構造を有し、且つ、前記第１の絶縁膜、前記第２の絶縁膜、及び前記第３の絶縁膜は、それぞれ酸化物を含み、
   前記第１の絶縁膜は、前記第１の半導体層と接する部分を有し、
   前記第１の半導体層は、インジウムと、酸素と、を含み、
   前記第２の半導体層は、インジウムと、亜鉛と、ガリウムと、酸素と、を含み、
   前記第１の半導体層は、前記第２の半導体層と比較して、インジウムの含有率が高い領域を有し、
   前記金属酸化物層は、インジウムを含み、
   前記金属酸化物層と、前記第１の半導体層とは、インジウムの含有率が等しい又は概略等しい、
   半導体装置。
7. 請求項６において、
   前記第１の半導体層は、亜鉛と、ガリウムと、を有し、
   前記第１の半導体層は、ガリウムの含有率がインジウムの含有率よりも低く、且つ、亜鉛の含有率がガリウムの含有率よりも高い領域を有し、
   前記第１の半導体層は、亜鉛の含有率が前記第２の半導体層と等しい領域、または亜鉛の含有率が前記第２の半導体層よりも高い領域を有する、
   半導体装置。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
   前記第１の絶縁膜は、前記第２の絶縁膜よりも成膜速度の低い条件で形成された膜である、
   半導体装置。
9. 請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
   第２の導電層を有し、
   前記第２の導電層は、前記第１の絶縁層を介して前記第１の半導体層と重なる領域を有し、
   前記第１の絶縁層は、第４の絶縁膜、第５の絶縁膜、第６の絶縁膜、及び第７の絶縁膜がこの順に積層された積層構造を有し、
   前記第７の絶縁膜は、酸素を含み、
   前記第４の絶縁膜、前記第５の絶縁膜、及び前記第６の絶縁膜は、それぞれ窒素を含む、
   半導体装置。
10. 請求項９において、
    前記第７の絶縁膜は、酸化シリコンを含み、
    前記第４の絶縁膜、前記第５の絶縁膜、及び前記第６の絶縁膜は、それぞれ窒化シリコンを含む、
    半導体装置。