JP2016225602A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (7)

1. 基板上の第１の絶縁体と、
   前記第１の絶縁体上の第２の絶縁体と、
   前記第２の絶縁体上の半導体と、
   前記半導体上の第１の導電体および第２の導電体と、
   前記半導体上の第３の絶縁体と、
   前記第３の絶縁体上の第４の絶縁体と、
   前記第４の絶縁体上の第３の導電体と、
   前記第１の絶縁体、前記第１の導電体および前記第２の導電体上の第５の絶縁体と、を有し、
   前記第２の絶縁体および前記第３の絶縁体は、前記半導体の有する、酸素以外の元素の少なくとも一を有し、
   前記半導体は、炭素濃度が３×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である領域を有することを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記第３の絶縁体は、２層以上の積層構造を有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第１の導電体乃至前記第３の導電体は、２層以上の積層構造を有することを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記基板と、前記第１の絶縁体と、の間に、さらに第４の導電体を有することを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   前記第２の絶縁体は、炭素濃度が３×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である領域を有することを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
   前記第３の絶縁体は、炭素濃度が３×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である領域を有することを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
   前記半導体は、ＣＡＡＣ−ＯＳを有することを特徴とする半導体装置。