JP2020102623A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (5)

1. 第１の絶縁体と、
   前記第１の絶縁体上の第１の導電体と、
   前記第１の導電体上の第２の絶縁体と、
   前記第２の絶縁体上の第１の酸化物と、
   前記第１の酸化物上の第２の導電体および第３の導電体と、
   前記第２の導電体および前記第３の導電体上の第３の絶縁体と、
   前記第１の酸化物上で、前記第２の導電体と前記第３の導電体の間に配置される第２の酸化物と、
   前記第２の酸化物上の第４の絶縁体と、
   前記第４の絶縁体上の第４の導電体と、
   前記第３の絶縁体の上面に接し、側面が前記第２の酸化物に接する、第５の絶縁体と、
   前記第５の絶縁体の上面および側面と、前記第３の絶縁体の側面と、前記第２の絶縁体の側面と、前記第１の絶縁体の上面に接し、側面が前記第２の酸化物に接する、第６の絶縁体と、
   前記第６の絶縁体の上面、前記第２の酸化物の上面、前記第４の絶縁体の上面、および前記第４の導電体の上面に接する、第７の絶縁体と、を有し、
   前記第１の絶縁体、前記第６の絶縁体、および前記第７の絶縁体は、シリコンを含む窒化物であり、
   前記第５の絶縁体は、アルミニウムを含む酸化物である、半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記第１の絶縁体は、第１の層と、前記第１の層の上に設けられる第２の層と、を有し、
   前記第２の層は、前記第１の層より水素濃度が低い、半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   さらに、第８の絶縁体と、を有し、
   前記第８の絶縁体は、前記第１の絶縁体と前記第１の導電体の間に配置され、
   前記第８の絶縁体は、アルミニウムを含む酸化物である、半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   さらに、第９の絶縁体と、第１０の絶縁体と、を有し、
   前記第９の絶縁体は、前記第２の絶縁体、前記第１の酸化物、前記第２の導電体、および前記第３の導電体と、前記第３の絶縁体の間に配置され、
   前記第１０の絶縁体は、前記第９の絶縁体と、前記第３の絶縁体の間に配置され、
   前記第９の絶縁体は、アルミニウムを含む酸化物であり、
   前記第１０の絶縁体は、シリコンを含む窒化物である、半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   前記第１の酸化物、および前記第２の酸化物は、インジウムと、元素Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、イットリウム、および錫の中から選ばれる一または複数）と、亜鉛と、を有する、半導体装置。