JPWO2020157554A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (6)

1. トランジスタを有する半導体装置であって、
   前記トランジスタは、
   基板上の第１の導電体と、
   前記第１の導電体上の第１の絶縁体と、
   前記第１の絶縁体上に位置し、且つ、溝部を有する酸化物半導体と、
   前記酸化物半導体上に位置し、且つ、前記溝部との重なりを有しない第２の導電体と、
   前記酸化物半導体上に位置し、且つ、前記溝部との重なりを有しない第３の導電体と、
   前記第２の導電体の側面と接する領域と、前記第３の導電体の側面と接する領域と、前記溝部の底面において前記酸化物半導体と接する領域と、を有する第２の絶縁体と、
   前記第２の絶縁体上に位置し、且つ前記溝部との重なりを有する第４の導電体と、を有し、
   前記基板の上面から前記第４の導電体の底面までの距離は、前記基板の上面から前記第２の導電体の底面までの距離よりも小さく、且つ、前記基板の上面から前記第３の導電体の底面までの距離よりも小さく、
   前記トランジスタのチャネル長方向の断面視において、前記溝部の底面の端部は、曲率を有する、半導体装置。
2. トランジスタを有する半導体装置であって、
   前記トランジスタは、
   基板上の第１の導電体と、
   前記第１の導電体上の第１の絶縁体と、
   前記第１の絶縁体上の第１の酸化物半導体と、
   前記第１の酸化物半導体上に位置し、且つ、溝部を有する第２の酸化物半導体と、
   前記第２の酸化物半導体上に位置し、且つ、前記溝部との重なりを有しない第２の導電体と、
   前記第２の酸化物半導体上に位置し、且つ、前記溝部との重なりを有しない第３の導電体と、
   前記第２の導電体の側面と接する領域と、前記第３の導電体の側面と接する領域と、前記溝部の底面において前記第２の酸化物半導体と接する領域と、を有する第２の絶縁体と、
   前記第２の絶縁体上に位置し、且つ前記溝部との重なりを有する第４の導電体と、を有し、
   前記基板の上面から前記第４の導電体の底面までの距離は、前記基板の上面から前記第２の導電体の底面までの距離よりも小さく、且つ、前記基板の上面から前記第３の導電体の底面までの距離よりも小さく、
   前記トランジスタのチャネル長方向の断面視において、前記溝部の底面の端部は、曲率を有する、半導体装置。
3. トランジスタを有する半導体装置であって、
   前記トランジスタは、
   基板上の第１の導電体と、
   前記第１の導電体上の第１の絶縁体と、
   前記第１の絶縁体上の、第１の酸化物半導体と、
   前記第１の酸化物半導体上に位置し、且つ溝部を有する、第２の酸化物半導体と、
   前記第２の酸化物半導体上に位置し、且つ、前記溝部との重なりを有しない第２の導電体と、
   前記第２の酸化物半導体上に位置し、且つ、前記溝部との重なりを有しない第３の導電体と、
   前記第２の導電体上及び前記第３の導電体上に位置し、且つ前記溝部と重なる領域に開口部を有する第２の絶縁体と、
   前記開口部の内壁と接する領域と、前記第２の導電体の側面と接する領域と、前記第３の導電体の側面と接する領域と、前記溝部において前記第２の酸化物半導体の上面と接する領域と、を有する第３の酸化物半導体と、
   前記第３の酸化物半導体上に位置し、且つ前記開口部及び前記溝部との重なりを有する第３の絶縁体と、
   前記第３の絶縁体上に位置し、且つ前記トランジスタのゲート電極としての機能を有する第４の導電体と、を有し、
   前記基板の上面から前記第４の導電体の底面までの距離は、前記基板の上面から前記第２の導電体の底面までの距離よりも小さく、且つ、前記基板の上面から前記第３の導電体の底面までの距離よりも小さく、
   前記トランジスタのチャネル長方向の断面視において、前記溝部の底面の端部は、曲率を有する、半導体装置。
4. 請求項２または３のいずれか一において、
   前記第１の酸化物半導体の上面から前記溝部の底面までの距離は、前記溝部の底面から前記第２の酸化物半導体の上面までの距離よりも小さい、半導体装置。
5. 請求項３または請求項４において、
   前記第２の酸化物半導体は、インジウムを有し、
   前記第３の酸化物半導体は、インジウムと、元素Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、イットリウム、
   または錫）と、亜鉛と、を有する、半導体装置。
6. 請求項５において、
   前記第２の酸化物半導体において、主成分である金属元素に対する前記インジウムの原子数比は、前記第３の酸化物半導体における、主成分である金属元素に対する前記インジウムの原子数比より大きい、半導体装置。