JP5315638B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の素子領域51の模式的断面構造図を示す。また、図2は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の接合終端領域52の模式的断面構造図を示す。上記において、素子領域51、接合終端領域52は一部分を拡大して模式的に示したものであり、紙面左右方向および表裏方向に連続して形成され、配置されている。また、上面から見て、素子領域51を取り囲むように、接合終端領域52は配置されている。
C3,C4>>C1,C2 …(1)
の関係が成立していることが望ましい。
C1:C2:C3:C4=1:1.5:79:79 …(2)
の結果が得られている。すなわち、(1)式の関係が成立している。
本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置において、外周構造は、以下の複数の構成を複数組み合わせて実施して、最適化し調整することができる。
上記のように、本発明は第1の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述および図面はこの発明を限定するものでないと理解すべきである。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
3…n型バッファ層
4、34…p型ベース層(第2半導体領域)
5a…一方の主面
5b…他方の主面
8…ゲート電極(第1導電層、第2導電層)
10…n型エミッタ(ソース)領域(第3半導体領域)
12…ゲート絶縁膜
14、18…層間絶縁膜
16…エミッタ(ソース)電極
20…フィールドプレート電極
22…取り出し電極
31…n型ベース層
35…トレンチ
51…素子領域
52…接合終端領域
55…終端トレンチ
Claims (9)
- 第1導電型の不純物を有する第1半導体領域と、
前記第1半導体領域の上面と接し、かつ第1導電型と異なる第2導電型の第2半導体領域と、
を有する半導体基体には、
スイッチング素子が形成された素子領域と、
上方から見て、前記素子領域を取り囲むように形成された終端領域と、
前記終端領域の前記第2半導体領域の上面から深さ方向に形成された溝と、
前記溝の側壁および底面に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜を介して前記溝の内側に埋め込まれた第1導電層と
を有し、
前記第2半導体領域の上面から前記溝の底面までの溝の深さが前記第2半導体領域の厚みの0.9〜2.0倍であり、
上方から見て、前記終端領域には前記素子領域側から半導体装置の終端側に向かって複数からなる前記溝が横切るように形成されており、隣り合う前記溝の間隔は、前記素子領域側に比べて前記終端側が狭い
ことを特徴とする半導体装置。 - 半導体基体には一方の主面と他方の主面を有し、
前記半導体基体には、スイッチング素子が形成された素子領域と、上方から見て、前記素子領域を取り囲むように形成された終端領域と
を備え、
前記素子領域は、
第1導電型の不純物を有する第1半導体領域と、
前記第1半導体領域の上面と接し、前記一方の主面において一部が露出し、かつ第1導電型と異なる第2導電型の第2半導体領域と、
前記第2半導体領域の上面と接し、前記一方の主面において一部が露出し、かつ第1導電型の第3半導体領域と、
前記一方の主面から前記第2半導体領域および第3半導体領域を貫通し、底面が前記第1半導体領域に達するトレンチと、
前記トレンチの側面および底面に形成された第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜の内側に埋め込まれた第1導電層と、
前記第1導電層と電気的に接続された制御電極と、
前記第1半導体領域と電気的に接続された第1の電極と、
前記第3半導体領域と電気的に接続された第3の電極と
を有し、
前記終端領域は、
前記素子領域を取り囲むように前記第2半導体領域が露出した上面から深さ方向に形成された溝と、
前記溝の側壁および底面に形成された第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜を介して前記溝の内側に埋め込まれた第2導電層と
を有し、
前記第2半導体領域の上面から前記溝の底面までの溝の深さが前記第2半導体領域の厚みの0.9〜2.0倍であり、
前記第2半導体領域と前記第1半導体領域間のキャパシタンスをC1、前記トレンチにおける前記第1導電層と前記第1半導体領域間のキャパシタンスをC2、前記トレンチの両側壁部における前記第1導電層と前記第2半導体領域間のキャパシタンスをそれぞれC3,C4とすると、C1,C2はC3,C4の10分の1以下であり、
上方から見て、前記終端領域には前記素子領域側から半導体装置の終端側に向かって複数からなる前記溝が横切るように形成されており、隣り合う前記溝の間隔は、前記素子領域側に比べて前記終端側が狭い
ことを特徴とする半導体装置。 - 前記第2絶縁膜の前記溝の側面における厚みは、前記素子領域側に比べて前記終端側が厚いことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 隣り合う前記溝の間隔は前記溝の深さよりも大きいことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 少なくとも前記素子領域近傍の前記終端領域上に配置された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に延在して配置されたフィールドプレート電極と
をさらに備えることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。 - 前記フィールドプレート電極は、前記第3の電極と等電位になされていることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 前記フィールドプレート電極は、前記制御電極と等電位になされていることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 前記終端領域上に配置された層間絶縁膜と、
前記終端領域上に前記層間絶縁膜を介して配置され、前記第2導電層と接続する取り出し電極と、
前記層間絶縁膜上に延在して配置され、前記取り出し電極と接続されたフィールドプレート電極と
を備えることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。 - 前記終端領域上に配置された層間絶縁膜と、
前記終端領域上に前記層間絶縁膜を介して配置され、複数の前記第2導電層と接続する取り出し電極と
を備え、前記取り出し電極はフローティング状態になされていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
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