JP3689419B1 - 半導体装置、半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置、半導体装置の製造方法 Download PDF

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Abstract


【課題】高耐圧の半導体装置を提供する。
【解決手段】細長の主溝部26と、主溝部の長手方向側面に接続された副溝部27とで活性溝22aを構成させ、主溝部26の底面上に、第二導電型のベース拡散領域32aの底面よりも高さが低い第二導電型の埋込領域24を配置し、副溝部27内にベース拡散領域32aと接触する第二導電型の活性溝充填領域25を配置する。埋込領域24は活性溝充填領域25を介してベース拡散領域32aと接触される。1個の活性溝22a内では、埋込領域24よりも上の部分で1個のゲート溝83が形成されるから、ゲート電極プラグ48が分断されず、電極パターンが簡単になる。
【選択図】 図1

Description

本発明は半導体装置にかかり、特に、溝内に半導体充填物が配置された半導体装置に関する。
図41は、従来技術のトランジスタ102の断面図を示している。
このトランジスタ102は、トレンチ型パワーMOSFETであり、n+型不純物がシリコン単結晶中に高濃度にドープされた半導体基板111と、該半導体基板111上にエピタキシャル成長法によって形成されたn-型のシリコンエピタキシャル層から成るドレイン層112とを有している。
符号110は、半導体基板111とドレイン層112とを有する処理基板を示しており、この処理基板110に半導体製造プロセスが施された結果、ドレイン層112内部の表面側に、p型のボディ層113が形成されており、該ボディ層113内部の表面近傍に、p+型のオーミック拡散領域116と、n+型のソース拡散領域130とが複数形成されている。
ソース拡散領域130の間の位置では、処理基板110表面が帯状にエッチングされ、細溝120が形成されている。
細溝120の内周面には、ゲート絶縁膜124が形成されており、その細溝120の内部には、そのゲート絶縁膜によって処理基板110とは非接触の状態で、ポリシリコンが充填され、そのポリシリコンによってゲート電極プラグ127が形成されている。
各細溝120内のゲート電極プラグ127は、金属薄膜から成る不図示のゲート電極膜によって互いに接続されている。
ソース拡散領域130とオーミック拡散領域116の表面には、金属薄膜から成るソース電極膜137が形成されている。細溝120上には層間絶縁膜131が形成されており、この層間絶縁膜131により、ソース電極膜137とゲート電極プラグ127とは電気的に絶縁されている。
処理基板110の裏面、即ち、半導体基板111の表面にはドレイン電極膜139が形成されている。
ソース電極膜137を接地電位に接続し、ドレイン電極膜139に正電圧を印加した状態で、ゲート電極膜にしきい値電圧以上の正電圧を印加すると、ゲート絶縁膜124とボディ層113の界面にn型の反転層が形成され、その反転層によって、ソース拡散領域130とドレイン層112とが接続され、反転層を通って、ドレイン層112からソース拡散領域130に向けて電流が流れる。この状態は、トランジスタ102が導通した状態であり、細溝120を用いないパワーMOSFETに存在するJFET領域が存在しないため、通常のパワーMOSFETに比べて導通抵抗が小さくなっている。
そして、導通した状態からゲート電極膜の電位がソース電極膜137と同じ電位に変わると、反転層は消滅し、電流は流れなくなる。
この状態では、ボディ層113とドレイン層112との間のpn接合は逆バイアスされており、そのpn接合のアバランシェ耐圧がトランジスタ102の耐圧と等しくなっている。
一般に、pn接合のアバランシェ耐圧は、逆バイアスされたときの空乏層の形状によって異なるが、上記のようなトランジスタ102では、ドレイン層112内に広がる空乏層内の電界強度が不均一であるため、電界強度が強くなる部分でアバランシェ耐圧が決定され、耐圧が低くなってしまっている。
そこで図42のような構造の半導体装置103が提案されており、細溝120の下側にドレイン層112とは異なる導電型の埋込領域122を形成し、ドレイン層112内に広がる空乏層の電界強度を緩和する試みが成されている。
埋込領域122は、一旦細溝120を深く掘削し、細溝120の内部の底部と側壁に充填物を成長させることで形成しており、充填物としては半導体単結晶や半導体多結晶を用いることができる。
しかしながら、埋込領域122が浮遊電位の場合には、耐圧が安定しない。シミュレーションによって耐圧を求めたところ、埋込領域122をソース電極膜137と短絡させれば耐圧が高くなると分かったため、そのための具体的な構造が求められている。
特開2003−069017
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、高耐圧の半導体装置を提供することにある。
上記課題を解決するため、請求項1記載の発明は、第一導電型の導電層を有する処理基板と、前記導電層の内部表面に形成された第二導電型のベース拡散領域と、前記導電層の前記ベース拡散領域が配置された位置に形成され、底部が前記ベース拡散領域の底面よりも深くされた活性溝とを有し、前記活性溝は、細長の主溝部と、前記主溝部の長手方向側面に接続された副溝部とを有し、前記主溝部の底面上には、上部が前記ベース拡散領域よりも低い第2導電型の埋込領域が配置され、前記主溝部の前記埋込領域よりも上の部分でゲート溝が構成され、前記ゲート溝の側面にはゲート絶縁膜が配置され、前記ゲート溝内には前記ゲート絶縁膜と接触し前記埋込領域とは電気的に絶縁された導電性のゲート電極プラグが配置され、前記ベース拡散領域の内部表面の前記ゲート絶縁膜と接触する位置には、前記ベース拡散領域によって前記導電層から分離された第一導電型のソース拡散領域が配置され、前記副溝部の底面上には、上部が前記ベース拡散領域と接触し、下部が前記埋込領域と接触した第二導電型の活性溝充填領域が配置された半導体装置である。
請求項2記載の発明は、請求項1記載の半導体装置であって、前記活性溝充填領域の上端は、前記導電層表面よりも高くされた半導体装置である。
請求項3記載の発明は、請求項1又は請求項2のいずれか1項記載の半導体装置であって、前記ソース拡散領域表面に形成されたソース電極膜を有し、前記ソース電極膜は前記活性溝充填領域の表面と接触された半導体装置である。
請求項4記載の発明は、請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載の半導体装置であって、前記活性溝充填領域の表面の前記ソース電極膜と接触する部分には、第二導電型の不純物層が拡散によって形成された半導体装置である。
請求項5記載の発明は、請求項1乃至請求項4のいずれか1項記載の半導体装置であって、前記ソース電極膜は前記ベース拡散領域に接触され、前記活性溝充填領域は、前記ベース拡散領域に接触された半導体装置である。
請求項6記載の発明は、請求項1乃至請求項5のいずれか1項記載の半導体装置であって、前記活性溝を同心状に取り囲み、所定間隔で互いに離間された複数本のリング状のガード溝と、前記ガード溝内に配置された第二導電型のガード溝充填領域とを有する半導体装置である。
請求項7記載の発明は、請求項1乃至請求項6のいずれか1項記載の半導体装置であって、前記処理基板の裏面には、前記導電層に電気的に接続されたドレイン電極膜が配置された半導体装置である。
請求項8記載の発明は、請求項1乃至請求項6のいずれか1項記載の半導体装置であって、前記処理基板の裏面には、前記導電層と接触してpn接合を形成する第二導電型のコレクタ層と、前記コレクタ層と電気的に接続されたコレクタ電極膜が配置された半導体装置である。
請求項9記載の発明は、請求項1乃至請求項6のいずれか1項記載の半導体装置であって、前記処理基板の裏面には、前記導電層とショットキー接合を形成するショットキー電極膜が配置された半導体装置である。
請求項10記載の発明は、第一導電型の導電層を有する処理基板と、前記導電層の内部表面に形成された第二導電型のベース拡散領域と、前記導電層の前記ベース拡散領域が配置された位置に形成され、底部が前記ベース拡散領域の底面よりも深くされた活性溝とを有し、前記活性溝は、細長の主溝部と、前記主溝部の長手方向側面に接続された副溝部とを有し、前記主溝部の底面上には、上部が前記ベース拡散領域よりも低い第2導電型の埋込領域が配置され、前記活性溝の前記埋込領域よりも上の部分でゲート溝が構成され、前記ゲート溝の側面にはゲート絶縁膜が配置され、前記ゲート溝内には前記ゲート絶縁膜と接触し前記埋込領域とは電気的に絶縁された導電性のゲート電極プラグが配置され、前記ベース拡散領域の内部表面の前記ゲート絶縁膜と接触する位置には、前記ベース拡散領域によって前記導電層から分離された第一導電型のソース拡散領域が配置され、前記副溝部の底面上には、上部が前記ベース拡散領域と接触し、下部が前記埋込領域と接触した第二導電型の活性溝充填領域が配置された半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、前記活性溝は、前記ベース拡散領域を形成した後、上部側面に前記ベース拡散領域が露出し、下部側面に前記導電層が露出するように形成し、前記活性溝内に第二導電型の半導体充填物を成長させた後、前記副溝部内の前記半導体充填物表面にマスク膜を配置した状態でエッチングし、前記主溝部内に位置する前記半導体充填物の上部を前記ベース拡散領域の底面よりも低い位置まで除去し、残された下部によって前記埋込領域を形成し、前記半導体充填物が除去された部分によって前記ゲート溝を構成させる半導体装置の製造方法である。
高耐圧の半導体装置が得られる。
ゲート電極膜の配置が簡単になるため、寄生容量や抵抗値が小さくなる。
本発明の実施例について説明する。
各実施例では、p型又はn型のうちのいずれか一方を第一導電型とし、他方を第二導電型とする。従って、第一導電型がn型であれば第二導電型はp型であり、逆に、第一導電型がp型であれば第二導電型はn型であり、本発明にはその両方が含まれる。
<構造の説明>
図1の符号1は、本発明の第一の実施例の半導体装置を示している。この図1は、半導体装置1の拡散構造を説明するための平面図である。
半導体装置1の中央部分である活性領域には、後述するベース拡散領域32aやソース拡散領域64が配置され、該活性領域の周辺の領域であって、活性領域を取り囲む耐圧領域には、後述するガード溝充填領域23b1〜23b3や内周側補助拡散領域331〜333や外周側補助拡散領域341〜343が配置されている。
図1のWa−Wa線とWb−Wb線に沿った活性領域の切断面図を図26(a)、(b)に示す。また、図1のWc−Wc線に沿った耐圧領域の切断面図を図26(c)に示す。図1は、図26(a)〜(c)のG−G線切断面図である。
図1と図26(a)〜(c)を参照し、この半導体装置1は、半導体単結晶層11と該半導体単結晶層11と接触した導電層12とを有している。
半導体単結晶層11は、第一導電型のシリコン単結晶で構成されており、導電層12は、該半導体単結晶層11表面にエピタキシャル法によって成長された第一導電型のシリコンエピタキシャル層で構成されている。半導体単結晶層11の濃度に比べ導電層12は低濃度であり、空乏層が広がりやすくされている。
導電層12のうち、活性領域に位置する部分の内部表面には、第二導電型のベース拡散領域32aが半導体単結晶層11に達しない深さに形成されている。
ここで図26(a)〜(c)の符号10は、プロセス処理の対象となる処理基板を示しており、導電層12やベース拡散領域32a等の拡散層を含んでいる。
図1に示すように、ベース拡散領域32aの平面形状は四隅が丸められた四角形であり、その縁よりも内側の領域に、活性溝22aが複数本互いに等間隔で平行に配置されている。
各活性溝22aは、幅が狭く細長い主溝部26と、主溝部26の長手方向側面の中央部分に接続された副溝部27とで構成されている。各活性溝22aは、ベース拡散領域32aの縁よりも内側に配置されており、ベース拡散領域32aからはみ出さないようになっている。
図26(a)、(b)に示すように、各活性溝22aのうち、主溝部26の底面上には、第二導電型の半導体単結晶(ここではシリコン単結晶)から成る第二導電型の埋込領域24が配置されている。埋込領域24の高さはベース拡散領域32aの底面よりも低く、埋込領域24はベース拡散領域32aに接触しないようになっている。
主溝部26のベース拡散領域32aよりも上の部分をゲート溝83とすると、ゲート溝83の側面にはゲート絶縁膜45が配置され、ゲート絶縁膜45で囲まれた領域内には、ゲート電極プラグ48が配置されている。ゲート電極プラグ48は、埋込領域24やベース拡散領域32aやソース拡散領域64や導電層12や活性溝充填領域23aとは絶縁されている。
他方、副溝部27の底面上には、埋込領域と同じ材料から成る第二導電型の活性溝充填領域25が形成されている。この活性溝充填領域25の上部は、少なくともベース拡散領域32aの底面よりも高く、ベース拡散領域32aと接触するようになっている。ここでは活性溝充填領域25の上端は導電層12の表面、即ちベース拡散領域32aの表面よりも高くなっている。
各活性溝22aの主溝部26の長手方向の側面に沿った位置には、第一導電型の細長のソース拡散領域64が配置されている。ソース拡散領域64はゲート絶縁膜45と接触している。ソース拡散領域64の深さはベース拡散領域32aよりも浅くされており、また、横方向はベース拡散領域32aの外周からはみ出さないようにされており、従って、ソース拡散領域64は導電層12から電気的に分離されている。
隣接するソース拡散領域64の間の位置には、第二導電型のオーミック拡散領域63が配置されている。
このオーミック拡散領域63の表面濃度は、ベース拡散領域32aの表面濃度よりも高濃度であり、アルミニウム等の金属とオーミック接触するように構成されている。
他方、耐圧領域には、複数本(ここでは三本)の四角リング形状のガード溝22b1〜22b3が同心状に形成されており、ベース拡散領域32aは、最内周のガード溝22b1よりも内側に配置されている。従って、ベース拡散領域32aはガード溝22b1〜22b3によって同心状に取り囲まれている。
ガード溝22b1〜22b3は、底面が導電層12の内部に位置する深さであり、上部の開口は導電層12表面のフィールド絶縁膜43に位置している。
各ガード溝22b1〜22b3の底面上には、埋込領域24や活性溝充填領域25と同じ材料から成る第二導電型のガード溝充填領域23b1〜23b3が配置されている。
導電層12内部の表面付近であって、各ガード溝充填領域23b1〜23b3の内周側と外周側には、ガード充填領域23b1〜23b3の全周と接触して第二導電型の内周側補助拡散領域331〜333と外周側補助拡散領域341〜343がそれぞれ配置されている。内周側及び外周側の各補助拡散領域331〜333、341〜343は四隅部分が丸められた四角リング形状である。
内周側補助拡散領域331〜333と外周側補助拡散領域341〜343はいずれか1個のガード溝充填領域23b1〜23b3に接触し、且つ、内周側補助拡散領域331〜333と外周側補助拡散領域341〜343とは接触しないようにされており、従って、ガード溝充填領域23b1〜23b3同士は互いに電気的に分離されている。
各補助拡散領域331〜333、341〜343はベース拡散領域32aと一緒に形成されるため、ベース拡散領域32aと同じ深さである。
ガード溝充填領域23b1〜23b3の形状はガード溝22b1〜22b3の形状と同じであり、ガード溝充填領域23b1〜23b3とガード溝22b1〜22b3とは、四隅部分がそれぞれ直角(90deg)に交わっている。
ガード溝充填領域23b1〜23b3の上部には、外周側及び内周側補助拡散領域331〜333、341〜343が配置されているから、ガード溝充填領域23b1〜23b3の少なくとも四隅の上部は、導電層12とpn接合を形成せず、内周側及び外周側補助拡散領域331〜333、341〜343と導電層12とがpn接合を形成する。
外周側補助拡散領域341〜343の角部分は、半径0.7μm以上の四分の一円に形成されており、従って、ガード溝充填領域23b1〜23b3の上部のpn接合は、シリンドリカル接合よりもプレーナ接合に近くなっている。
最内周のガード溝充填領域23b1に接続された内周側補助拡散領域331は、ベース拡散領域32aから一定距離だけ離間しており、従って、最内周のガード溝充填領域23b1はベース拡散領域32aから電気的に分離されている。
ベース拡散領域32aとソース拡散領域64や導電層12は外部端子に接続されているのに対し、ガード溝充填領域23b1〜23b3や内周側及び外周側補助拡散領域331〜333、341〜343は外部端子に接続されておらず、ベース拡散領域32aや導電層12に電圧が印加されても、各ガード溝充填領域23b1〜23b3と内周側及び外周側補助拡散領域331〜333、341〜343は浮遊電位に置かれる。
なお、最内周のガード溝充填領域23b1はベース拡散領域32aに接続されていてもよい。この場合は、最内周のガード溝充填領域23b1はベース拡散領域32aと同じ電位になり、他のガード溝充填領域23b2、23b3が浮遊電位に置かれる。
半導体単結晶層11及び導電層12がシリコン単結晶で構成されている場合、半導体単結晶層11と導電層12の表面の面方位は{1 0 0}にされている。本明細書では、{1 0 0}は、下記面方位の全てを含むものとする。
Figure 0003689419
各ガード溝22b1〜22b3の平面形状は、正方形又は長方形の四角リング状であり、ガード溝22b1〜22b3同士の隣接する二辺は平行に配置されている。
そして、各ガード溝22b1〜22b3の辺の向きは導電層12の面方位に対して位置合わせがされており、各ガード溝22b1〜22b3のリング内周側の側面や外周側の側面には導電層12の{1 0 0}面が露出するようにされている。
また、各活性溝22aは細長の長方形形状であり、互いに平行であり、且つ、長手方向がガード溝22b1〜22b3の平行な二辺に対して平行に配置され、各活性溝22aの四側面にも、導電層12の{1 0 0}面が露出されている。
ガード溝22b1〜22b3や活性溝22aの底面は導電層12の表面と平行であるから{1 0 0}面である。
このように、ガード溝22b1〜22b3や活性溝22a内に露出する導電層12の表面の面方位は全て等しく{1 0 0}面であるから、活性溝22aとガード溝22bの内部にシリコン単結晶を成長させる場合、そのシリコン単結晶は均一に成長する。
活性溝充填領域23aとガード溝充填領域23bと埋込領域24は、活性溝22aとガード溝22b1〜22b3内にエピタキシャル成長されたシリコン単結晶でそれぞれ構成されている。従って、均一に成長された場合には内部にボイドは生じない。
<製造工程の説明>
上記のような半導体装置1の製造工程を説明する。
図2〜図26の(a)は活性溝22aの主溝部26を横断する切断面図であり、(b)は副溝部27を横断する切断面図、(c)はガード溝22b1〜22b3を横断する切断面図である。
図2(a)〜(c)を参照し、符号10は、処理基板を示している。この処理基板10は、上述したように、第一導電型のシリコン単結晶から成る半導体単結晶層11と、該半導体単結晶層11上にシリコンのエピタキシャル成長によって形成された第一導電型の導電層12とを有している。
処理基板10は、直径数インチ〜十数インチのウェーハであり、一枚のウェーハ中には同じパターンが複数個形成され、各パターンが下記の工程を経てそれぞれ一個の半導体装置1になる。下記は、1個の半導体装置1に着目してその製造工程を説明する。
先ず、熱酸化処理によって形成されたシリコン酸化膜から成る第一の絶縁膜が導電層12上に配置され、該第一の絶縁膜がパターニングされ、第一のマスク層41が形成される。この第一のマスク層41は、正方形又は長方形のベース拡散用開口80aと、複数本(ここでは3本)の四角リング状の補助拡散用開口80b1〜80b3を有している。
ベース拡散用開口80aは、中央位置に配置されており、補助拡散用開口80b1〜80b3は、ベース拡散用開口80aを同心状に取り囲むように、ベース拡散用開口80aの周囲に配置されている。ベース拡散用開口80aと補助拡散用開口80b1〜80b3の底面には、導電層12表面が露出している。
ベース拡散用開口80aの四隅と補助拡散用開口80b1〜80b3の内周側四隅及び外周側四隅は直角ではなく、半径0.7μm以上の四分の一円の丸みが付されている。
次に、処理基板10の導電層12側の表面に第二導電型の不純物を照射すると、第一のマスク層41が遮蔽物(マスク)となり、図3(a)〜(c)に示すように、各開口80a、80b1〜80b3底面の導電層12の内部表面に第二導電型の高濃度不純物層31a、31b1〜31b3がそれぞれ形成される。
次に、熱処理によって高濃度不純物層31a、31b1〜31b3(に含まれる第二導電型の不純物)を拡散させると、図4(a)〜(c)に示すように、ベース拡散用開口80aの底面にベース拡散領域32aが形成され、補助拡散用開口80b1〜80b3底面に、補助拡散領域32b1〜32b3がそれぞれ形成される。ベース拡散領域32aと補助拡散領域32b1〜32b3は第二導電型である。
ベース拡散領域32aや補助拡散領域32b1〜32b3を形成するときは、その熱処理によって導電層12表面に熱酸化物薄膜が形成される。
図4(a)〜(c)の符号43は、その熱酸化物薄膜と、上記第一のマスク層41とが一体になったフィールド絶縁膜を示している。
図29は、図4(a)〜(c)のA−A線切断面図である。ベース拡散領域32aの四隅や補助拡散領域32b1〜32b3の外周及び内周の四隅は、ベース拡散用開口80aや補助拡散用開口80b1〜80b3の形状を反映し、半径0.7μm以上の四分の一円に形成される。
図4(a)〜(c)は、それぞれ図29のPa−Pa線、Pb−Pb線、Pc−Pc線切断面図に相当する。
次に、フィールド絶縁膜43をパターニングし、図5(a)〜(c)に示すように、ベース拡散領域32aの上に活性溝用窓開部81aを複数個形成し、また、各補助拡散領域32b1〜32b3の幅方向中央位置に、ガード溝用窓開部81b1〜81b3を一本ずつ形成する。ガード溝用窓開部81b1〜81b3はリング形状になる。
活性溝用窓開部81aは細長の長方形の部分と、その長手方向略中央に位置し、細長の長方形の部分に接続された四角形の部分で構成されている。各活性溝用窓開部81aは、ベース拡散領域32aの縁よりも内側に配置されている。従って、各活性溝用窓開部81aの底面には、ベース拡散領域32aの表面が露出されており、導電層12の表面は露出していない。
活性溝用窓開部81aは長手方向が互いに平行にされ、ベース拡散領域32aの縁に対して平行か、又は直角に配置されている。
ガード溝用窓開部81b1〜81b3のリングは四角形状であり、リングを構成する四辺が互いに垂直に交差し、四隅は丸みを有していない。ガード溝用窓開部81b1〜81b3の幅は補助拡散領域32b1〜32b3の幅よりも狭く、補助拡散領域32b1〜32b3の幅方向中央に位置しており、ガード溝用窓開部81b1〜81b3の底面には、各補助拡散領域32b1〜32b3の表面が露出している。
各補助拡散領域32b1〜32b3はガード溝用窓開部81b1〜81b3の両側にはみ出ており、ガード溝用窓開部81b1〜81b3の底面には導電層12の表面は露出していない。
次に、フィールド絶縁膜43をマスクとしてドライエッチング法によって、活性溝用窓開部81aとガード溝用窓開部81b1〜81b3の底面に露出する処理基板10を構成する半導体材料をエッチングすると、図6(a)〜(c)に示すように、活性溝22aとガード溝22b1〜22b3とがそれぞれ形成される。
活性溝22aとガード溝22b1〜22b3は同じ深さであり、エッチング時間を調節することにより、それらの底面は、ベース拡散領域32aや補助拡散領域32b1〜32b3の底部と半導体単結晶層11の表面との間に配置される。
活性溝22aとガード溝22bの断面形状は、深さが幅よりも大きい細長の長方形形状である。
活性溝用窓開部81aは活性溝22aの上部を構成しており、活性溝22aの下部は、処理基板10に形成された溝で構成されている。同様に、ガード溝22b1〜22b3の上部は、ガード溝用窓開部81b1〜81b3で構成されており、下部は処理基板10に形成された溝で構成されている。
従って、活性溝22aとガード溝22b1〜22b3の上部の内周には、フィールド絶縁膜43が露出されており、各溝の底部は導電層12内に位置しているため、下端部の内周には導電層12が露出されている。その間の内周には、ベース拡散領域32aや補助拡散領域32b1〜32b3が露出されている。
ガード溝22b1〜22b3の深さは補助拡散領域32b1〜32b3よりも深いので、補助拡散領域32b1〜32b3は、ガード溝22b1〜22b3によって内周側補助拡散領域331〜333と外周側補助拡散領域341〜343にそれぞれ分離される。
活性溝22aはベース拡散領域32aの縁よりも内側に位置しており、ベース拡散領域32aは活性溝22aによって分離されていない。
図30は、図6(a)〜(c)のB−B線切断面図である。逆に、図6(a)〜(c)は、図30のQa−Qa線、Qb−Qb線、Qc−Qc線切断面図に相当する。
活性溝22aの平面形状は活性溝用窓開部81aの平面形状が反映され、細長の長方形の主溝部26と、その長手方向中央部分の両側に接続された副溝部27で構成されている。主溝部26と副溝部27の内部はつながっている。
ガード溝22b1〜22b3の平面形状は、ガード溝用窓開部81b1〜81b3の平面形状が反映され、内周側と外周側の四隅が両方とも直角な四角リング形状になっている。
活性溝22aは互いに平行になっており、ガード溝22b1〜22b3の二辺に対して平行にされている。
主溝部26の幅と、ガード溝22b1〜22b3の幅は等しくされており、隣接する主溝部26間の距離と、隣接するガード溝22b1〜22b3間の距離と、最内周のガード溝22b1とそれに隣接する主溝部26の長辺との距離は等しくされている。
活性溝22aの両端と最内周のガード溝22b1との間の距離は、最内周のガード溝22b1と隣接する主溝部26の長辺との間の距離の半分になっている。
活性溝22aの主溝部26がのびる方向と、ガード溝22b1〜22b3の四辺の向きは導電層12の結晶方向に対して位置合わせされており、{1 0 0}方向に伸びるようにされている。
各溝22a、22b1〜22b3の断面形状は長方形であり、各溝22a、22b1〜22b3の側面は導電層12の表面に対して垂直であるから、各溝22a、22b1〜22b3の側面には{1 0 0}面が露出されている。また、各溝22a、22b1〜22b3の底面は導電層12の表面に対して平行であるから、底面にも{1 0 0}面が露出されている。
図6(a)〜(c)の状態では、各溝22a、22b1〜22b3内に処理基板10を構成する半導体単結晶が露出し、処理基板10の表面はフィールド絶縁膜43によって覆われている。
次に、エピタキシャル成長法によって、各溝22a、22b1〜22b3内の底面及び側面に露出する半導体単結晶の表面に、第二導電型の不純物が添加された半導体単結晶を成長させると、各溝22a、22b1〜22b3の内部は、成長された第二導電型の半導体単結晶によって充填される。
図7(a)〜(c)の符号23aは、活性溝22a内に成長した半導体単結晶から成る活性溝充填領域を示しており、符号23b1〜23b3はガード溝22b1〜22b3内に成長した半導体単結晶から成るガード溝充填領域を示している。ここでは、半導体単結晶としてシリコン単結晶が用いられている。
図31は、図7(a)〜(c)のC−C線切断面図である。逆に、図7(a)〜(c)は、図31のRa−Ra線、Rb−Rb線、Rc−Rc線切断面図に相当する。
半導体単結晶の成長直後の状態では、各充填領域23a、23b1〜23bの上端部は、マスクとして用いられたフィールド絶縁膜43の表面よりも上に盛り上がっており、その盛り上がり部分をエッチングによって除去し、図8(a)〜(c)に示すように、各充填領域23a、23b1〜23b3の高さをフィールド絶縁膜43の高さと略一致させる。各充填領域23a、23b1〜23b3の上部を、フィールド絶縁膜43の表面よりも少し下方に位置させてもよい。
次に、図9(a)〜(b)に示すように、各充填領域23a、23b1〜23b3の上部やフィールド絶縁膜43の表面に、CVD法等により、シリコン酸化膜等の絶縁膜から成る第二のマスク層44を形成し、図10(a)〜(c)に示すように、第二のマスク層44をパターニングし、主溝部26上の位置に開口82を形成し、その開口82の底面に、主溝部26内の活性溝充填領域23aの表面を露出させる。副溝部27内の活性溝充填領域23aの表面と、ガード溝22b1〜22b3内のガード溝充填領域23b1〜23b3の表面は第二のマスク層44で覆っておく。
その状態で、第二のマスク層44をマスクとし、開口82底面の活性溝充填領域23aの上部をエッチングすると、図11(a)、(b)に示すように、主溝部26底面上に活性溝充填領域23aの下部から成る埋込領域24が形成される。符号83は、活性溝充填領域23aが除去された部分によって形成されたゲート溝を示している。
活性溝充填領域23aの第二のマスク層44で保護された部分はエッチングされないから、副溝部27内には活性溝充填領域25が残る。図11(b)の符号25は、副溝部27内の活性溝充填領域を示している。
また、同図(c)に示すように、ガード溝充填領域23b1〜23b3もエッチングされずに残る。
埋込領域24は活性溝充填領域25に接触しており、活性溝充填領域25はベース拡散領域32aに接触している。従って、埋込領域24は、活性溝充填領域25によってベース拡散領域32aに電気的に接続されている。
活性溝充填領域25の上端部の表面やガード溝充填領域23b1〜23b3の上端部の表面は、フィールド絶縁膜43の表面と略同じ高さに位置しており、従って、少なくとも導電層12表面よりも高くなっている。
図32は、図11(a)〜(c)のD−D線切断面図であり、逆に、図11(a)〜(c)は、それぞれ図32のSa−Sa線、Sb−Sb線、Sc−Sc線切断面図である。
第二のマスク層44の開口82の幅は主溝部26の幅よりも広くなっており、主溝部26の両側にはフィールド絶縁膜43が僅かに露出している。開口82の幅は一定であり、副溝部27上では主溝部26の幅よりも幅広になり、開口82底面には活性溝充填領域23aの表面だけが露出している。
活性溝充填領域23aをエッチングするときにフィールド絶縁膜43はエッチングされないから、ゲート溝83の幅は、副溝部27では幅広の開口82の幅となり、主溝部26では、主溝部26の幅となる。従って、ゲート溝83の幅は、副溝部27の部分で幅広になっている。
次に、第二のマスク層44をエッチングによって全部除去した後、フィールド絶縁膜43を部分的にエッチングし、図12(a)〜(c)に示すように、活性溝充填領域25とガード溝充填領域23b1〜23b3の表面や、ベース拡散領域32aの縁から一定距離だけ内側の表面を露出させる。
その状態で処理基板10を熱酸化処理すると、図13(a)〜(c)に示すように、ゲート溝83の側面と底面を含む処理基板10の表面にゲート絶縁膜45が形成される。ゲート溝83の底面や側面はこのゲート絶縁膜45により覆われる。ゲート絶縁膜45は、ゲート溝83の長手方向に伸びる側面部分でベース拡散領域32aと導電層12に接触しており、中央部分では活性溝充填領域25に接触している。
図33は、図13(a)〜(c)のE−E線切断面図である。逆に、図13(a)〜(c)は、図33のTa−Ta線、Tb−Tb線、Tc−Tc線切断面図である。
なお、ここでは、ゲート絶縁膜45は、熱酸化法によって形成したシリコン酸化膜であるが、他の種類の絶縁膜、例えばCVD法等によって形成したシリコン窒化膜等も用いることができる。
次いで、図14(a)〜(c)に示すように、CVD法等によってゲート絶縁膜45表面に導電性材料を堆積させ、導電性薄膜46を形成すると、ゲート溝83の内部は導電性薄膜46で充填される。導電性薄膜46を構成する導電性材料は、ここでは不純物が添加されたポリシリコンで構成されている。
次いで、導電性薄膜46をエッチングし、図15(a)〜(c)に示すように、ゲート溝83の内部の部分を残し、他の部分を除去すると、ゲート溝83の内部に残った部分によってゲート電極プラグ48が形成される。
図34は、図15(a)〜(c)のF−F線切断面図である。逆に、図15(a)〜(c)は、図34のUa−Ua線、Ub−Ub線、Uc−Uc線切断面図である。
なお、ここでは各ゲート溝83内部に形成されたゲート電極プラグ48は互いに分離されているが、導電性薄膜46をエッチングする際に、パターニングしたレジスト膜を用い、ゲート溝83の外部の導電性薄膜46を部分的に残して配線膜を構成させ、各ゲート電極プラグ48を配線膜で相互に接続してもよい。
次に、ゲート絶縁膜45をエッチングし、図16(a)に示すようにベース拡散領域32aの表面の少なくとも一部を露出させた後、熱酸化処理を行い、図17(a)に示すように、ベース拡散領域32aの表面にシリコン酸化膜から成る緩和層50を形成する。
このとき、図16(b)、(c)に示すように、活性溝充填領域25やガード溝充填領域23b1〜23b3の表面も一旦露出され、その表面にも、図17(b)、(c)に示すように、緩和層50が形成される。
次に、図18(a)〜(c)に示すように、緩和層50の表面にパターニングされたレジスト膜51を配置する。
このレジスト膜51は、互いに隣接するゲート溝83の間の位置に開口52を有しており、開口52の底面には緩和層50が露出されている。
その状態で第二導電型の不純物イオンを照射すると、不純物イオンは開口52底面に位置する緩和層50を透過し、ベース拡散領域32aや活性溝充填領域25の内部表面に第二導電型の高濃度不純物層が形成される。図18(a)、(b)の符号61は、ベース拡散領域32aの内部表面に形成された第二導電型の高濃度不純物層を示しており、活性溝充填領域25の内部表面に形成された高濃度不純物層は図示を省略する。第二導電型の高濃度不純物層61は、隣接するゲート溝83の間の位置に配置されている。耐圧領域側には、第二導電型の高濃度不純物層は形成されない(図18(c))
次に、レジスト膜51を除去して緩和層50表面を露出させた後、図19(a)に示すように、主溝部26の長手方向に沿った位置に開口54を有するレジスト膜53を配置する。
開口54底面には緩和層50の表面が露出しており、第一導電型の不純物を照射すると、開口54底面の緩和層50を透過し、開口54の底面の直下位置に第一導電型の高濃度不純物層62が形成される。
開口54は、活性溝充填領域25の表面から一定距離だけ離間されており、また、副溝部27と副溝部27の間や、副溝部27の側面近くには開口54は配置せず、高濃度不純物層62は形成しない。従って、第一導電型の高濃度不純物層62は活性溝充填領域25と接触しない。
また、図19(c)に示すように、ガード溝充填領域23b1〜23b3上やガード溝充填領域23b1〜23b3の間には第一導電型の高濃度不純物層は形成しない。
次に、レジスト膜53を剥離し、緩和層50表面を露出させた後、図20(a)〜(c)に示すように、CVD法等により、緩和層50上に絶縁性の層間絶縁膜55を形成する。
次いで熱処理を行い、高濃度不純物層61、62中の第一導電型の不純物と第二導電型の不純物を拡散させると、図21(a)に示すように、ベース拡散領域32a内に第一導電型のソース拡散領域64と、表面濃度が高い第二導電型のオーミック拡散領域63が形成される。
ソース拡散領域64は活性溝充填領域25とは接触しておらず、ゲート絶縁膜45と接触している。
このとき、活性溝充填領域25の内部にも第二導電型の高濃度不純物層からオーミック拡散領域が形成される。
次に、層間絶縁膜55をパターニングし、図22(a)に示すように、オーミック拡散領域63やソース拡散領域64の上の位置と、ゲート電極プラグ48の上の位置に、ソース開口56aとゲート開口56bをそれぞれ形成する。
ソース開口56a底面にはソース拡散領域64とオーミック拡散領域63とが露出されており、ゲート開口56b底面にはゲート電極プラグ48の上端部が露出されている。
ソース開口56aとゲート開口56bの間には層間絶縁膜55が残されており、ソース開口56aとゲート開口56bは分離されている。
また、ソース開口56aやゲート開口56bを形成するときに、同図(b)に示すように、底面に活性溝充填領域25の表面が露出する接地開口56cが形成されている。この接地開口56cは、ゲート開口56bとは分離されており、ソース開口56aとはつながっている。ガード溝充填領域23b1〜23b3上には開口は形成しない(同図(c))。
次に、図23(a)〜(c)に示すように、処理基板10のソース開口56aやゲート開口56bが形成された側の表面に金属薄膜58を形成すると、金属薄膜58は、ソース拡散領域64と、ベース拡散領域32a内のオーミック拡散領域63と、ゲート電極プラグ48と、活性溝充填領域25内のオーミック拡散領域に接触する。
金属薄膜58は、例えばスパッタリング法により形成されたアルミニウムを主成分とする薄膜を用いることができる。
ソース拡散領域64とオーミック拡散領域63とゲート電極プラグ48の表面濃度は高く、それらと金属薄膜58とはオーミック接合を形成する。
次に、その金属薄膜58をパターニングし、図24(a)、(b)に示すように、ソース拡散領域64とベース拡散領域32a内のオーミック拡散領域63及び活性溝充填領域25内のオーミック拡散領域とに接触する部分と、ゲート電極プラグ48に接触する部分とを分離し、ソース拡散領域64やオーミック拡散領域63に接続された部分でソース電極膜58aを構成させ、ゲート電極プラグ48に接触する部分でゲート電極膜58bを構成させる。
金属薄膜58のパターニングの際、同図(c)に示すように、ガード溝充填領域23b1〜23b3上部は除去され、層間絶縁膜55表面が露出される。
次に、図25(a)〜(c)に示すように、CVD法等によって処理基板10の表面にパターニングされた絶縁性の保護膜68を形成した後、図26(a)〜(c)に示すように、処理基板10の裏面に露出する半導体単結晶層11の表面に、ドレイン電極膜71を形成すると本発明の半導体装置1が得られる。ドレイン電極膜71の構成材料は、半導体単結晶層11とオーミック接合を形成する金属を選択する。
図26(a)〜(c)のG−G線切断面図は、図1に示した通りである。
この半導体装置1は、一枚の処理基板10に複数個形成されており、ドレイン電極膜71を形成する工程の後工程となるダイシング工程において、処理基板10を切断し、複数の半導体装置1を互いに分離させた後、低融点の金属や導電性ペースト材によってドレイン電極膜71をリードフレーム上に固定する。
そして、ゲート電極膜58bの一部分から成るゲートパッドの表面と、ソース電極膜58aの一部分から成るソースパッドの表面を、ワイヤーボンド等によって別のリードフレームに接続し、半導体装置1をモールドする。
最後に、リードフレームを切断し、ドレイン電極膜71に接続されたリードと、ゲートパッドに接続されたリードと、ソースパッドに接続されたリードとを分離させると、樹脂封止された半導体装置1が得られる。
樹脂封止された半導体装置1は、そのリードが電気回路に接続され、使用されるときに、ソース電極膜58aが接地電位に接続され、ドレイン電極膜71に正電圧が印加された状態で、ゲート電極プラグ48にしきい値電圧以上の電圧が印加されると、ベース拡散領域32aのうちの、ソース拡散領域64と導電層12との間に位置し、ゲート絶縁膜45に接触する部分が第一導電型に反転し、それによって形成された反転層でソース拡散領域64と導電層12とが接続され、ドレイン電極膜71からソース電極膜58aに電流が流れる。
導通させるときの電圧の極性は、第一導電型がn型、第二導電型がp型の場合は、ソース電極膜58aは接地電位、ドレイン電極膜71とゲート電極プラグ48は正電圧であり、しきい値電圧は正電圧である。第一導電型がp型、第二導電型がn型の場合は、ドレイン電極膜71とゲート電極プラグ48が接地電位であり、ソース電極膜58aが正電圧であり、しきい値電圧は負電圧である。
次に、ゲート電極プラグ48に印加される電圧の大きさがしきい値電圧以下になると、反転層は消滅し、半導体装置1は遮断状態に転じ、電流は流れなくなる。
半導体装置1が導通状態にあるときと遮断状態にあるときの両方とも、ベース拡散領域32aと導電層12との間のpn接合は逆バイアスされており、pn接合からベース拡散領域32a内部と導電層12内部に向けて空乏層が広がっている。
本発明の半導体装置1では、埋込領域24は活性溝充填領域25を介してソース電極膜58aに電気的に接続されており、埋込領域24は浮遊電位にならず、ソース拡散領域64やベース拡散領域32aと同電位になるようにされている。
ベース拡散領域32aと導電層12との間に、そのpn接合が逆バイアスされる極性の電圧が印加された場合、埋込領域24と導電層12の間のpn接合も逆バイアスされる。従って、導電層12の内部には、ベース拡散領域32aと埋込領域24の両方から空乏層が広がる。その結果、ベース拡散領域32aの真下であって、埋込領域24の底部よりも上の部分の導電層12の内部は容易に全部空乏化する。
そして、導電層12や埋込領域24の不純物濃度や、埋込領域24間の距離と幅等を最適値に設定することにより、ベース拡散領域32aの底面と、埋込領域24の底部との間の部分の導電層12が全部空乏化したとき、埋込領域24の内部も全部空乏化しているようにすると、ベース拡散領域32aの真下位置の電界強度が緩和され、活性領域の耐圧が向上する。
他方、耐圧領域内では、ガード溝充填領域23b1〜23b3と内周側及び外周側の各補助拡散領域331〜333、341〜343は浮遊電位に置かれており、ベース拡散領域32aや埋込領域24等から横方向に広がった空乏層は、先ず、最内周の内周側補助拡散領域331に到達する。
そして、空乏層が到達することにより、最内周の内周側補助拡散領域331や、それに接続された最内周のガード溝充填領域23b1、及び外周側補助拡散領域341の電位が安定し、それらからも空乏層が広がり始める。
こうして、空乏層は、内側から外側に向け、順次ガード溝充填領域23b1〜23b3や内周側及び外周側の各補助拡散領域331〜333、341〜343に到達しながら広がる。
これにより、ガード溝充填領域23b1〜23b3が配置された領域の電界強度が緩和され、耐圧領域の耐圧が向上する。
ここで、各ガード溝充填領域23b1〜23b3の四辺は略直角に交わっており、四隅に丸みは付されていないが、丸みを有する外周側補助拡散領域341〜343が四隅の上部に接続されており、導電層12は、浅い領域ではガード溝充填領域23b1〜23b3とはpn接合を形成せず、外周側補助拡散領域341〜343との間にpn接合が形成されている。
従って、pn接合の形状は、球状接合よりも円筒接合やプレーナ接合に近くなり、電界強度が大幅に緩和される。
なお、各活性溝22aやガード溝22b1〜22b3の底面や側面には、処理基板10の{1 0 0}面が露出されており、活性溝充填領域23aやガード溝充填領域23b1〜23b3はその面から成長する。従って、埋込領域24やガード溝充填領域23bには欠陥が無く、耐圧が低下しないようになっている。
ガード溝22b1〜22b3の四隅は直角に交わっているから、{1 1 1}面等の{1 0 0}面以外の面が露出せず、四隅にボイドが生じないようになっている。
また、本発明の半導体装置は、ガード溝充填領域23b1〜23b3の上部は、処理基板10表面(導電層12や内周側及び外周側補助拡散領域331〜333、341〜343の表面)よりも高く、フィールド絶縁膜43の内部に配置されている。この構造により、ガード溝充填領域の上端が処理基板10の表面と同じ高さの場合に比べ、耐圧領域での電界強度が緩和され、耐圧が高くなる。
なお、以上は第一導電型をn型、第二導電型をp型として説明したが、上記実施例や後述する各実施例において、第一導電型をp型、第二導電型をn型としても良い。
<他の例>
また、上記実施形態の半導体装置1はMOSFETであったが、本発明の半導体装置はこれに限られるものではなく、例えば、pn接合型のIGBT(Insulated gate bipolar transistor)やショットキー接合型のIGBTも含まれる。
図27(a)〜(c)の符号2は、本発明の半導体装置のうちのpn接合型のIGBTを示している。
この半導体装置2は、上記実施例ではドレイン層として用いた第1導電型の半導体単結晶層11に替え、半導体単結晶層11とは反対の導電型(第二導電型)の半導体単結晶から成るコレクタ層11’が用いられている。それ以外の構成は、上記実施例の半導体装置1と同じ構造である。
このコレクタ層11’は導電層12とpn接合を形成しており、半導体装置2が導通するときに、そのpn接合が順バイアスされ、コレクタ層11’から導電層12内に少数キャリアが注入され、導電層12の導通抵抗が低下するようになっている。
図27(a)〜(c)の符号71'はコレクタ層11’とオーミック接合を形成するコレクタ電極膜である。
次に図28(a)〜(c)の符号3は、ショットキーバリア型のIGBTの場合の本発明の半導体装置を示している。
この半導体装置3では、研磨工程等によって第1の実施例の半導体単結晶層11が除去され、半導体単結晶層11よりも低濃度の導電層12が露出され、その表面にショットキー電極膜72が形成されている。
ショットキー電極膜72の少なくとも導電層12と接触する部分は、導電層12とショットキー接合を形成する材料であり、例えばクロム等である。他の構造は、第一例の半導体装置1と同じである。
ショットキー接合の極性は、導電層12とベース拡散領域32aの間のpn接合が逆バイアスされるときに順バイアスされる極性であり、従って、各電極膜58a、58b、72に半導体装置3が導通する極性の電圧が印加されるとショットキー接合は順バイアスされ、ショットキー電極膜72から導電層12内に少数キャリアが注入され、導電層12の導通抵抗が低減される。
なお、半導体単結晶層11が低濃度であり、ショットキー電極膜72とショットキー接合を形成できる場合、半導体単結晶層11表面にショットキー電極膜を形成することもできる。この場合も導通抵抗を小さくするために半導体単結晶層11を研磨して厚みを薄くすることができる。
次に、図36(a)〜(c)の符号4は、低導通抵抗型の半導体装置を示している。
この半導体装置4は、第一の実施例の半導体装置1のベース拡散領域32aの下に、導電層12よりも高濃度の第一導電型の低抵抗領域29を有している。他の構造は、第一の実施例の半導体装置1と同じである。
低抵抗領域29とベース拡散領域32aの位置関係を説明するために、この半導体装置4の製造工程を簡単に説明すると、先ず、導電層12への第一導電型の不純物の注入と拡散により、活性領域の導電層12の内部に、ベース拡散領域よりも小面積で、導電層12よりも高濃度の第一導電型の低抵抗領域を形成する。図37(a)、(b)の符号28は、その低抵抗領域を示しており、低抵抗領域28は、耐圧領域内には形成しない(同図(c))。図37(a)〜(c)は、低抵抗領域28を含む導電層12の表面を露出させた状態を示している。
次に、図38(a)〜(c)に示すように、処理基板10表面に形成された第一のマスク層41に正方形又は長方形のベース拡散用開口80aを形成し、ベース拡散用開口80aの底面に、低抵抗領域28表面と、低抵抗領域28から一定距離内にある導電層12表面を露出させる。
また、ベース拡散用開口80aを同心状に取り囲む複数本(ここでは3本)の四角リング状の補助拡散用開口80b1〜80b3を形成し、底面に導電層12表面を露出させる。
その状態で第二導電型の不純物を打ち込むと、各開口80a、80b1〜80b3の底面下に位置する低抵抗領域28や導電層12の内部表面に第二導電型の不純物が注入される。
注入した第二導電型の不純物濃度は高く、低抵抗領域28の表面は第二導電型になり、その結果、図39(a)〜(b)に示すように、ベース拡散用開口80aと補助拡散用開口80b1〜80b3の底面下には、第二導電型の高濃度不純物層31a、31b1〜31b3がそれぞれ形成される。
そして、熱処理を行い、低抵抗領域29よりも浅い位置まで第二導電型の高濃度不純物層31a、31b1〜31b3を拡散すると、図40(a)〜(c)に示すように、ベース拡散領域32aは低抵抗領域29上に形成され、それと同じ深さに補助拡散領域32b1〜32b3が形成される。
このように、低抵抗領域28の上部はベース拡散領域32aによって第二導電型の拡散領域に置換されており、ベース拡散領域32aの直下位置に、低抵抗領域28の残部から成る低抵抗領域29が配置される。
この低抵抗領域29の外周は、ベース拡散領域32aの縁よりも内側に位置しており、低抵抗領域29は導電層12の表面には露出していない。低抵抗領域29は、補助拡散領域32b1〜32b3の下方には配置されない。
この半導体装置4(図36(a)〜(c))が導通したときには、電流は低抵抗領域29を通って流れるため、導通抵抗が小さくなる。
図40(a)〜(c)以降の工程は、第一の実施例のベース拡散領域32aを形成した後の工程と同じであり、説明は省略する。
なお、上記各実施例では、主溝部26の中央位置の両側に副溝部27が配置され、活性溝充填領域25が主溝部26の中央位置の両側に配置されていたが、主溝部の端部に配置してもよいし、1つの主溝部26に対し複数個配置してもよい。
また、上記各実施例では、各活性溝22aは分離されていたが、各活性溝22aの副溝部27を長くし、図35に示す半導体装置5のように、隣接する主溝部26同士を副溝部27で接続してもよい。
また、上記実施例では主溝部26の両側に副溝部27が配置されていたが、主溝部26のどちらか片側に副溝部27を配置してもよい。
要するに、本発明の半導体装置1〜4では、1個の活性溝22a内に配置されるゲート電極プラグ48を分断しないように活性溝充填領域25が配置されている。1個の活性溝22a内に複数個のゲート溝83が形成され、1個の活性溝22a内のゲート電極プラグ48が活性溝充填領域25によって分断されると、各ゲート電極プラグ48間を接続するゲート電極膜58bのパターンが複雑になるが、本発明では、ゲート電極膜58bとソース電極膜58aのパターンを櫛状にし、櫛の歯部分をかみ合わせるように交互に配置することができる。
また、上記各実施では、ガード溝22b1〜22b3は四辺が直角に交わっていたが、本発明はそれに限定されるものではなく、ガード溝22b1〜22b3の四隅に丸みが付されたものも含まれる。また、多角形形状のものも含まれる。
なお、上記の活性溝充填領域23aとガード溝充填領域23bは、活性溝22aやガード溝22b1〜22b3内にエピタキシャル成長させたシリコン単結晶で構成したが、単結晶ではなく、第二導電型の半導体の多結晶を成長させ、多結晶で構成された充填領域も本発明に含まれる。
本発明の一例の半導体装置の拡散構造を示す平面図であり、図26のG−G線切断面図である (a)〜(c):本発明の半導体装置の製造工程図を説明するための図(1) (a)〜(c):本発明の半導体装置の製造工程図を説明するための図(2) (a)〜(c):本発明の半導体装置の製造工程図を説明するための図(3) (a)〜(c):本発明の半導体装置の製造工程図を説明するための図(4) (a)〜(c):本発明の半導体装置の製造工程図を説明するための図(5) (a)〜(c):本発明の半導体装置の製造工程図を説明するための図(6) (a)〜(c):本発明の半導体装置の製造工程図を説明するための図(7) (a)〜(c):本発明の半導体装置の製造工程図を説明するための図(8) (a)〜(c):本発明の半導体装置の製造工程図を説明するための図(9) (a)〜(c):本発明の半導体装置の製造工程図を説明するための図(10) (a)〜(c):本発明の半導体装置の製造工程図を説明するための図(11) (a)〜(c):本発明の半導体装置の製造工程図を説明するための図(12) (a)〜(c):本発明の半導体装置の製造工程図を説明するための図(13) (a)〜(c):本発明の半導体装置の製造工程図を説明するための図(14) (a)〜(c):本発明の半導体装置の製造工程図を説明するための図(15) (a)〜(c):本発明の半導体装置の製造工程図を説明するための図(16) (a)〜(c):本発明の半導体装置の製造工程図を説明するための図(17) (a)〜(c):本発明の半導体装置の製造工程図を説明するための図(18) (a)〜(c):本発明の半導体装置の製造工程図を説明するための図(19) (a)〜(c):本発明の半導体装置の製造工程図を説明するための図(20) (a)〜(c):本発明の半導体装置の製造工程図を説明するための図(21) (a)〜(c):本発明の半導体装置の製造工程図を説明するための図(22) (a)〜(c):本発明の半導体装置の製造工程図を説明するための図(23) (a)〜(c):本発明の半導体装置の製造工程図を説明するための図(24) (a)〜(c):本発明がMOSFETである場合の構造を説明するための図 (a)〜(c):本発明がpn接合型のIGBTである場合の構造を説明するための断面図 (a)〜(c):本発明がショットキー接合型のIGBTである場合の構造を説明するための断面図 本発明の半導体装置の拡散構造を示す平面図であり、図4(a)〜(c)のA−A線切断面図 本発明の半導体装置の拡散構造を示す平面図であり、図6(a)〜(c)のB−B線切断面図 本発明の第一例の半導体装置の拡散構造を示す平面図であり、図7(a)〜(c)のC−C線切断面図 本発明の半導体装置の拡散構造を示す平面図であり、図11(a)〜(c)のD−D線切断面図 本発明の半導体装置の拡散構造を示す平面図であり、図13(a)〜(c)のE−E線切断面図 本発明の半導体装置の拡散構造を示す平面図であり、図15(a)〜(c)のF−F線切断面図 隣接する主溝部が副溝部で接続された本発明の半導体装置の平面図 (a)〜(c):本発明が低抵抗領域を有する半導体装置である場合の拡散構造を説明するための断面図 (a)〜(c):その製造工程を説明するための断面図(1) (a)〜(c):その製造工程を説明するための断面図(2) (a)〜(c):その製造工程を説明するための断面図(3) (a)〜(c):その製造工程を説明するための断面図(4) 従来技術のMOSFETの拡散構造を説明するための断面図 従来技術のMOSFETを改良した場合の拡散構造を説明するための断面図
符号の説明
1〜5……半導体装置
10……処理基板
11……半導体単結晶層(ドレイン層)
11’……コレクタ層
12……導電層
22a……活性溝
22b1〜22b3……ガード溝
23a、25……活性溝充填領域
23b1〜23b3……ガード溝充填領域
24……埋込領域
26……主溝部
27……副溝部
32a……ベース拡散領域
43……フィールド絶縁膜
45……ゲート絶縁膜
48……ゲート電極プラグ
58a……ソース電極膜
58b……ゲート電極膜
64……ソース拡散領域
71……ドレイン電極膜
71'……コレクタ電極膜
72……ショットキー電極膜
83……ゲート溝

Claims (10)

  1. 第一導電型の導電層を有する処理基板と、
    前記導電層の内部表面に形成された第二導電型のベース拡散領域と、
    前記導電層の前記ベース拡散領域が配置された位置に形成され、底部が前記ベース拡散領域の底面よりも深くされた活性溝とを有し、
    前記活性溝は、細長の主溝部と、前記主溝部の長手方向側面に接続された副溝部とを有し、
    前記主溝部の底面上には、上部が前記ベース拡散領域よりも低い第2導電型の埋込領域が配置され、
    前記主溝部の前記埋込領域よりも上の部分でゲート溝が構成され、
    前記ゲート溝の側面にはゲート絶縁膜が配置され、
    前記ゲート溝内には前記ゲート絶縁膜と接触し前記埋込領域とは電気的に絶縁された導電性のゲート電極プラグが配置され、
    前記ベース拡散領域の内部表面の前記ゲート絶縁膜と接触する位置には、前記ベース拡散領域によって前記導電層から分離された第一導電型のソース拡散領域が配置され、
    前記副溝部の底面上には、上部が前記ベース拡散領域と接触し、下部が前記埋込領域と接触した第二導電型の活性溝充填領域が配置された半導体装置。
  2. 前記活性溝充填領域の上端は、前記導電層表面よりも高くされた請求項1記載の半導体装置。
  3. 前記ソース拡散領域表面に形成されたソース電極膜を有し、
    前記ソース電極膜は前記活性溝充填領域の表面と接触された請求項1又は請求項2のいずれか1項記載の半導体装置。
  4. 前記活性溝充填領域の表面の前記ソース電極膜と接触する部分には、第二導電型の不純物層が拡散によって形成された請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載の半導体装置。
  5. 前記ソース電極膜は前記ベース拡散領域に接触され、
    前記活性溝充填領域は、前記ベース拡散領域に接触された請求項1乃至請求項4のいずれか1項記載の半導体装置。
  6. 前記活性溝を同心状に取り囲み、所定間隔で互いに離間された複数本のリング状のガード溝と、
    前記ガード溝内に配置された第二導電型のガード溝充填領域とを有する請求項1乃至請求項5のいずれか1項記載の半導体装置。
  7. 前記処理基板の裏面には、前記導電層に電気的に接続されたドレイン電極膜が配置された請求項1乃至請求項6のいずれか1項記載の半導体装置。
  8. 前記処理基板の裏面には、前記導電層と接触してpn接合を形成する第二導電型のコレクタ層と、
    前記コレクタ層と電気的に接続されたコレクタ電極膜が配置された請求項1乃至請求項6のいずれか1項記載の半導体装置。
  9. 前記処理基板の裏面には、前記導電層とショットキー接合を形成するショットキー電極膜が配置された請求項1乃至請求項6のいずれか1項記載の半導体装置。
  10. 第一導電型の導電層を有する処理基板と、
    前記導電層の内部表面に形成された第二導電型のベース拡散領域と、
    前記導電層の前記ベース拡散領域が配置された位置に形成され、底部が前記ベース拡散領域の底面よりも深くされた活性溝とを有し、
    前記活性溝は、細長の主溝部と、前記主溝部の長手方向側面に接続された副溝部とを有し、
    前記主溝部の底面上には、上部が前記ベース拡散領域よりも低い第2導電型の埋込領域が配置され、
    前記活性溝の前記埋込領域よりも上の部分でゲート溝が構成され、
    前記ゲート溝の側面にはゲート絶縁膜が配置され、
    前記ゲート溝内には前記ゲート絶縁膜と接触し前記埋込領域とは電気的に絶縁された導電性のゲート電極プラグが配置され、
    前記ベース拡散領域の内部表面の前記ゲート絶縁膜と接触する位置には、前記ベース拡散領域によって前記導電層から分離された第一導電型のソース拡散領域が配置され、
    前記副溝部の底面上には、上部が前記ベース拡散領域と接触し、下部が前記埋込領域と接触した第二導電型の活性溝充填領域が配置された半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、
    前記活性溝は、前記ベース拡散領域を形成した後、上部側面に前記ベース拡散領域が露出し、下部側面に前記導電層が露出するように形成し、
    前記活性溝内に第二導電型の半導体充填物を成長させた後、前記副溝部内の前記半導体充填物表面にマスク膜を配置した状態でエッチングし、前記主溝部内に位置する前記半導体充填物の上部を前記ベース拡散領域の底面よりも低い位置まで除去し、残された下部によって前記埋込領域を形成し、前記半導体充填物が除去された部分によって前記ゲート溝を構成させる半導体装置の製造方法。
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