JP2013055347A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1導電型の不純物を有する第1半導体領域と、第1半導体領域上に配置された、第1導電型と異なる第2導電型の第2半導体領域とを有する半導体基体には、コレクタ電極若しくはドレイン電極を有するスイッチング素子が形成された素子領域と、上方から見て半導体基体の最外周部に形成された、第2半導体領域の上面から第1半導体領域に達する終端トレンチと、終端トレンチの側壁および底面に形成された絶縁膜と、絶縁膜を介して溝の内側に埋め込まれた電極とを有し、溝の内側に埋め込まれた電極が第1半導体領域又はコレクタ領域若しくはドレイン電極と接続された等電位リングである。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の素子領域51の模式的断面構造図を示す。また、図2は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の接合終端領域52の模式的断面構造図を示す。上記において、素子領域51、接合終端領域52は一部分を拡大して模式的に示したものであり、紙面左右方向および表裏方向に連続して形成され、配置されている。また、上面から見て、素子領域51を取り囲むように、接合終端領域52は配置されている。
C3,C4>>C1,C2 …(1)
の関係が成立していることが望ましい。
C1:C2:C3:C4=1:1.5:79:79 …(2)
の結果が得られている。すなわち、(1)式の関係が成立している。
本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置において、外周構造は、以下の複数の構成を複数組み合わせて実施して、最適化し調整することができる。
上記のように、本発明は第1の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述および図面はこの発明を限定するものでないと理解すべきである。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
3…n型バッファ層
4、34…p型ベース層(第2半導体領域)
5a…一方の主面
5b…他方の主面
8…ゲート電極(第1導電層、第2導電層)
10…n型エミッタ(ソース)領域(第3半導体領域)
12…ゲート絶縁膜
14、18…層間絶縁膜
16…エミッタ(ソース)電極
20…フィールドプレート電極
22…取り出し電極
31…n型ベース層
35…トレンチ
51…素子領域
52…接合終端領域
55…終端トレンチ
Claims (4)
- 第1導電型の不純物を有する第1半導体領域と、
前記第1半導体領域上に配置された、第1導電型と異なる第2導電型の第2半導体領域と、
を有する半導体基体には、
コレクタ電極若しくはドレイン電極を有するスイッチング素子が形成された素子領域と、
上方から見て前記半導体基体の最外周部に形成された、前記第2半導体領域の上面から前記第1半導体領域に達する終端トレンチと、
前記終端トレンチの側壁および底面に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜を介して前記溝の内側に埋め込まれた電極と
を有し、
前記電極が、前記第1半導体領域又は前記コレクタ電極若しくは前記ドレイン電極と接続された等電位リングであることを特徴とする半導体装置。 - 前記最外周部に拡散により形成された高不純物密度層を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記素子領域を取り囲むように形成された終端領域と、
前記終端領域上に配置された層間絶縁膜と、
前記終端領域上に前記層間絶縁膜を介して配置されたフィールドプレートと
を更に有し、前記フィールドプレートが前記素子領域側に延伸していることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。 - 前記素子領域を取り囲むように形成された終端領域と、
前記終端領域上に配置された層間絶縁膜と、
前記終端領域上に前記層間絶縁膜を介して配置され、前記層間絶縁膜に設けられた開口部において複数の前記電極と接続する取り出し電極を更に有することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
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