JP6754310B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Description
10:半導体基板
11:ドレイン領域
12:ドリフト領域
13:ボディ領域
14:ボディコンタクト領域
15:ソース領域
22:ドレイン電極
24:ソース電極
30:絶縁ゲート部
30T:トレンチ
32:ゲート絶縁膜
34:ゲート電極
40:ゲート分離半導体層
42:接続部
Claims (7)
- 第1導電型の第1半導体領域と第2導電型の第2半導体領域と第1導電型の第3半導体領域を有しており、前記第1半導体領域と前記第2半導体領域と前記第3半導体領域が第1方向に沿ってこの順で並んでいる半導体基板と、
前記第3半導体領域に接する第1主電極と、
前記第1方向に沿って前記第1主電極から離れている第2主電極と、
絶縁ゲート部と、
ゲート分離半導体層と、を備えており、
前記絶縁ゲート部は、
前記第1半導体領域と前記第2半導体領域と前記第3半導体領域に接するゲート絶縁膜と、
少なくとも前記第1半導体領域と前記第3半導体領域の間に位置する前記第2半導体領域の部分に前記ゲート絶縁膜を介して対向する半導体のゲート電極と、を有しており、
前記ゲート分離半導体層は、前記ゲート絶縁膜よりも前記第2主電極側に配置されている部分を少なくとも有しており、前記第1半導体領域と前記ゲート電極に接しており、前記第1半導体領域と前記ゲート電極を隔てており、前記第1半導体領域及び前記ゲート電極よりも大きい電子親和力を有する、半導体装置。 - 前記ゲート分離半導体層は、前記第1主電極に電気的に接続されている、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記半導体基板が炭化珪素であり、
前記ゲート電極がポリシリコンであり、
前記ゲート分離半導体層がゲルマニウムである、請求項1又は2に記載の半導体装置。 - 前記ゲート電極は、不純物濃度が相対的に高濃度な高濃度ゲート電極と不純物濃度が相対的に低濃度な低濃度ゲート電極を有しており、
前記高濃度ゲート電極が、前記第1半導体領域と前記第3半導体領域の間に位置する前記第2半導体領域の部分の全範囲に前記ゲート絶縁膜を介して対向しており、
前記低濃度ゲート電極が、前記ゲート分離半導体層と前記高濃度ゲート電極の間に設けられている、請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記第1方向は、前記半導体基板の厚み方向であり、
前記第1主電極が前記半導体基板の表面に設けられており、
前記第2主電極が前記半導体基板の裏面に設けられており、
前記絶縁ゲート部が、前記半導体基板の前記表面から前記第3半導体領域及び前記第2半導体領域を貫通して前記第1半導体領域に侵入するトレンチ内に設けられており、
前記ゲート絶縁膜は、前記トレンチの側面を被覆しており、
前記ゲート電極は、前記トレンチの底面に露出しており、
前記ゲート分離半導体層が、前記トレンチの底面に露出する前記ゲート電極に接する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記半導体基板の前記厚み方向に沿って伸びており、前記ゲート分離半導体層に接する接続部をさらに有しており、
前記接続部は、前記半導体基板の前記表面に直交する方向から観測したときに、前記絶縁ゲート部の長手方向の端部よりも外側に配置されており、
前記ゲート分離半導体層は、前記接続部を介して前記第1主電極に電気的に接続されている、請求項5に記載の半導体装置。 - 前記第1半導体領域がドリフト領域であり、前記第2半導体領域がボディ領域であり、前記第3半導体領域がソース領域であり、第1主電極がソース電極であり、第2主電極がドレイン電極である、請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体装置。
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