JP6720818B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
12:化合物半導体基板
22:第1トレンチ
23:第2トレンチ
24:ゲート絶縁膜
26:ゲート電極
28:層間絶縁膜
30:ソース領域
32:ボディ領域
34:ドリフト領域
35:ドレイン領域
36:底部領域
70:ソース電極
80:ドレイン電極
Claims (1)
- 化合物半導体基板と、
前記化合物半導体基板の上面に設けられた第1トレンチと、
前記化合物半導体基板の上面に設けられ、前記第1トレンチの深さより深い第2トレンチと、
前記第1トレンチの内面を覆うゲート絶縁膜と、
前記第1トレンチ内に配置されており、前記ゲート絶縁膜によって前記化合物半導体基板から絶縁されているゲート電極と、
前記第2トレンチ内に配置されるとともに前記化合物半導体基板の上面を覆っており、前記ゲート電極から絶縁されているソース電極と、
を備えており、
前記化合物半導体基板が、
前記ゲート絶縁膜と前記ソース電極に接しているn型のソース領域と、
前記ソース電極に接するとともに、前記ソース領域の下側で前記ゲート絶縁膜に接しているp型のボディ領域と、
前記第2トレンチの底面において前記ソース電極にオーミック接触しているp型の底部領域と、
前記ボディ領域の下端に接する位置から前記底部領域よりも深い位置まで伸びており、前記ボディ領域によって前記ソース領域から分離されているn型のドリフト領域、
を備えており、
前記ドリフト領域が、前記底部領域の下端よりも上側に分布する第1領域と、前記底部領域の下端よりも下側に分布する第2領域を有し、
前記第1領域が、高濃度領域と、前記高濃度領域よりもn型不純物濃度が低い低濃度領域を有しており、
前記低濃度領域が、前記ボディ領域と前記底部領域の間の範囲で前記第2トレンチ内の前記ソース電極にショットキー接触しており、
前記高濃度領域が、前記ボディ領域に接する位置から前記第2領域に接する位置まで伸びており、前記ボディ領域の下側で前記ゲート絶縁膜に接しており、前記第1トレンチの下端を覆っており、前記低濃度領域の側面と前記底部領域の側面に接している、
半導体装置。
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