JP7077112B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
10:半導体基板
11:ドレイン領域
12:ドリフト領域
13:ボディ領域
14:ボディコンタクト領域
15:ソース領域
16:ゲート分離領域
17;接続領域
22:ドレイン電極
24:ソース電極
30:絶縁ゲート部
30T:トレンチ
32:ゲート絶縁膜
34:ゲート電極
34a:第1ゲート部分領域
34b:第2ゲート部分領域
Claims (7)
- 第1導電型の第1半導体領域と第2導電型の第2半導体領域と第1導電型の第3半導体領域と第2導電型のゲート分離領域を有しており、前記第1半導体領域と前記第2半導体領域と前記第3半導体領域が第1方向に沿ってこの順で並んでいる半導体基板と、
前記第3半導体領域に接する第1主電極と、
前記第1方向に沿って前記第1主電極から離れて設けられている第2主電極と、
絶縁ゲート部と、を備えており、
前記絶縁ゲート部は、
前記第1半導体領域と前記第2半導体領域と前記第3半導体領域に接するゲート絶縁膜と、
少なくとも前記第1半導体領域と前記第3半導体領域の間に位置する前記第2半導体領域の部分に前記ゲート絶縁膜を介して対向するゲート電極と、を有しており、
前記ゲート電極は、
第2導電型の第1ゲート部分領域と、
前記第1方向において、前記第1ゲート部分領域よりも前記第2主電極側に配置されているとともに前記第1ゲート部分領域に接している第1導電型の第2ゲート部分領域と、を有しており、
前記ゲート分離領域は、前記ゲート絶縁膜よりも前記第2主電極側に配置されている部分を少なくとも有しており、前記第1半導体領域と前記第2ゲート部分領域に接しており、前記第1半導体領域と前記第2ゲート部分領域を隔てており、前記第1主電極に電気的に接続されている、半導体装置。 - 前記第2ゲート部分領域は、不純物濃度が相対的に低濃度な低濃度領域と不純物濃度が相対的に高濃度な高濃度領域を有しており、
前記高濃度領域は、前記低濃度領域によって前記ゲート分離領域から隔てられるように配置されている、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記高濃度領域は、前記第1方向において、前記第2半導体領域よりも前記ゲート分離領域側に配置されている、請求項2に記載の半導体装置。
- 前記第1方向は、前記半導体基板の厚み方向であり、
前記第1主電極が前記半導体基板の表面に設けられており、
前記第2主電極が前記半導体基板の裏面に設けられており、
前記絶縁ゲート部が、前記半導体基板の前記表面から前記第3半導体領域及び前記第2半導体領域を貫通して前記第1半導体領域に侵入して設けられており、
前記ゲート絶縁膜は、前記ゲート電極の側面を被覆しており、
前記ゲート分離領域が、前記ゲート電極の底面に露出する前記第2ゲート部分領域に接する、請求項1~3のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記半導体基板の前記厚み方向に沿って伸びており、前記ゲート分離領域に接する接続領域をさらに有しており、
前記接続領域は、前記半導体基板の前記表面に直交する方向から観測したときに、前記絶縁ゲート部の長手方向の端部よりも外側に配置されており、
前記ゲート分離領域は、前記接続領域を介して前記第1主電極に電気的に接続されている、請求項4に記載の半導体装置。 - 前記接続領域は、第2導電型の半導体である、請求項5に記載の半導体装置。
- 前記第1半導体領域がドリフト領域であり、前記第2半導体領域がボディ領域であり、前記第3半導体領域がソース領域であり、前記第1主電極がソース電極であり、前記第2主電極がドレイン電極である、請求項1~6のいずれか一項に記載の半導体装置。
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2018075404A JP7077112B2 (ja) | 2018-04-10 | 2018-04-10 | 半導体装置 |
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JP2019186382A JP2019186382A (ja) | 2019-10-24 |
JP7077112B2 true JP7077112B2 (ja) | 2022-05-30 |
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Family Applications (1)
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JP2018075404A Active JP7077112B2 (ja) | 2018-04-10 | 2018-04-10 | 半導体装置 |
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JP2011176077A (ja) | 2010-02-24 | 2011-09-08 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2012049499A (ja) | 2010-07-27 | 2012-03-08 | Denso Corp | 半導体装置およびその制御方法 |
JP2017174961A (ja) | 2016-03-23 | 2017-09-28 | トヨタ自動車株式会社 | スイッチング素子の製造方法 |
JP2017174840A (ja) | 2016-03-18 | 2017-09-28 | 株式会社豊田中央研究所 | 半導体装置 |
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