JP2020113566A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
複数のボディコンタクト領域17が配置されている。このため、マスクずれによってコンタクトホール36aが位置ずれして形成されたとしても、コンタクトホール36aの形成範囲に露出する複数のボディコンタクト領域17の面積が急激に変動することが抑えられ、複数のボディコンタクト領域17とソース電極24のコンタクト抵抗が急激に変動することが抑えられる。
上記実施形態では、コンタクトホール36aの形成範囲に含まれる面積が隣り合うボディコンタクト領域17の間で異なるように、複数のボディコンタクト領域17が配置されていた。この例に代えて、図5に示されるように、コンタクトホール36aの形成範囲に含まれる面積が、隣り合うボディコンタクト領域17の間で一致するグループと、隣り合うボディコンタクト領域17の間で異なるグループが存在していてもよい。コンタクトホール36aの形成範囲に含まれる面積が隣り合うボディコンタクト領域17の間で一致するグループは、コンタクトホール36aを形成するためのマスクのマスクずれが生じないときのコンタクトホール36aの形成範囲に含まれるように配置されている。この例でも、上記実施形態と同様の作用効果を奏することができる。また、この例では、コンタクトホール36aを形成するためのマスクのマスクずれが生じないときに、複数のボディコンタクト領域17とソース電極24の接触面積を大きく確保することができるので、これらの間のコンタクト抵抗を低くすることができる。
10 :半導体基板
11 :ドレイン領域
12 :ドリフト領域
13 :電界緩和領域
14 :JFET抵抗低減領域
15 :ボディ領域
16 :ソース領域
17 :ボディコンタクト領域
22 :ドレイン電極
24 :ソース電極
30 :トレンチゲート
32 :ゲート絶縁膜
34 :ゲート電極
Claims (1)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の一方の主面に設けられており、前記一方の主面に対して直交する方向から見たときに、少なくとも一方向に沿って伸びている複数のトレンチゲートと、を備えており、
前記半導体基板は、
隣り合う前記トレンチゲートの間であって前記一方の主面に設けられている第1導電型のソース領域と、
隣り合う前記トレンチゲートの間であって前記一方の主面に設けられており、前記ソース領域に隣接して配置されている第2導電型の複数のボディコンタクト領域と、を有しており、
前記複数のボディコンタクト領域の少なくとも一部は、前記一方の主面に対して直交する方向から見たときに、前記トレンチゲートの側面に向けて先細りとなる形態を有しており、
前記一方の主面に対して直交する方向から見たときに、前記一方の主面のコンタクトホールの形成範囲に含まれる面積が、前記複数のボディコンタクト領域の少なくとも一部と前記複数のボディコンタクト領域の他の少なくとも一部の間で異なっている、半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2019000956A JP7192504B2 (ja) | 2019-01-08 | 2019-01-08 | 半導体装置 |
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JP2019000956A JP7192504B2 (ja) | 2019-01-08 | 2019-01-08 | 半導体装置 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023119693A1 (ja) * | 2021-12-20 | 2023-06-29 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006059940A (ja) * | 2004-08-19 | 2006-03-02 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置 |
JP2011003609A (ja) * | 2009-06-16 | 2011-01-06 | Toshiba Corp | 電力用半導体素子 |
JP2011071161A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Toshiba Corp | 半導体素子及びその製造方法 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2023119693A1 (ja) * | 2021-12-20 | 2023-06-29 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
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Publication number | Publication date |
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JP7192504B2 (ja) | 2022-12-20 |
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