JP2018026564A5 - 半導体装置 - Google Patents

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  1. 第1のゲート電極と、
    前記第1のゲート電極上の第1のゲート絶縁体と、
    前記第1のゲート絶縁体上の第1の酸化物と、
    前記第1の酸化物上の第2の酸化物及び第3の酸化物と、
    前記第2の酸化物上の第1の導電体と、
    前記第3の酸化物上の第2の導電体と、
    前記第1の酸化物、前記第1の導電体、及び前記第2の導電体上の第4の酸化物と、
    前記第4の酸化物上の第2のゲート絶縁体と、
    前記第2のゲート絶縁体上の第2のゲート電極と、を有し、
    前記第1の導電体は、前記第2の酸化物の上面と、前記第2の酸化物の前記第3の酸化物と対向する側面と、前記第1の酸化物の上面の一部と、に接し、
    前記第2の導電体は、前記第3の酸化物の上面と、前記第3の酸化物の前記第2の酸化物と対向する側面と、前記第1の酸化物の上面の一部と、に接し、
    前記第4の酸化物は、前記第1の導電体と前記第2の導電体の間に位置する前記第1の酸化物の上面の一部と接することを特徴とする半導体装置。
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