JP2018026564A5 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018026564A5 JP2018026564A5 JP2017152908A JP2017152908A JP2018026564A5 JP 2018026564 A5 JP2018026564 A5 JP 2018026564A5 JP 2017152908 A JP2017152908 A JP 2017152908A JP 2017152908 A JP2017152908 A JP 2017152908A JP 2018026564 A5 JP2018026564 A5 JP 2018026564A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide
- conductor
- semiconductor device
- gate insulator
- contact
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 8
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 4
Claims (1)
- 第1のゲート電極と、
前記第1のゲート電極上の第1のゲート絶縁体と、
前記第1のゲート絶縁体上の第1の酸化物と、
前記第1の酸化物上の第2の酸化物及び第3の酸化物と、
前記第2の酸化物上の第1の導電体と、
前記第3の酸化物上の第2の導電体と、
前記第1の酸化物、前記第1の導電体、及び前記第2の導電体上の第4の酸化物と、
前記第4の酸化物上の第2のゲート絶縁体と、
前記第2のゲート絶縁体上の第2のゲート電極と、を有し、
前記第1の導電体は、前記第2の酸化物の上面と、前記第2の酸化物の前記第3の酸化物と対向する側面と、前記第1の酸化物の上面の一部と、に接し、
前記第2の導電体は、前記第3の酸化物の上面と、前記第3の酸化物の前記第2の酸化物と対向する側面と、前記第1の酸化物の上面の一部と、に接し、
前記第4の酸化物は、前記第1の導電体と前記第2の導電体の間に位置する前記第1の酸化物の上面の一部と接することを特徴とする半導体装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016155376 | 2016-08-08 | ||
JP2016155376 | 2016-08-08 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018026564A JP2018026564A (ja) | 2018-02-15 |
JP2018026564A5 true JP2018026564A5 (ja) | 2020-09-17 |
JP6999325B2 JP6999325B2 (ja) | 2022-01-18 |
Family
ID=61071820
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017152908A Active JP6999325B2 (ja) | 2016-08-08 | 2017-08-08 | 半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10504925B2 (ja) |
JP (1) | JP6999325B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102583770B1 (ko) * | 2016-09-12 | 2023-10-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 메모리 트랜지스터 및 이를 갖는 표시장치 |
KR20180055701A (ko) * | 2016-11-17 | 2018-05-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
WO2019162807A1 (ja) * | 2018-02-23 | 2019-08-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、および半導体装置の作製方法 |
WO2020136464A1 (ja) * | 2018-12-28 | 2020-07-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | メモリデバイス、当該メモリデバイスを有する半導体装置 |
DE102019200810B4 (de) * | 2019-01-23 | 2023-12-07 | Technische Universität Dresden | Organischer dünnschicht-transistor und verfahren zur herstellung desselben |
US11929436B2 (en) * | 2021-02-02 | 2024-03-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Thin transistor including a hydrogen-blocking dielectric barrier and methods for forming the same |
US12113115B2 (en) | 2021-02-09 | 2024-10-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Thin film transistor including a compositionally-graded gate dielectric and methods for forming the same |
US12040409B2 (en) * | 2021-02-09 | 2024-07-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Thin film transistor including a dielectric diffusion barrier and methods for forming the same |
JP2022126268A (ja) * | 2021-02-18 | 2022-08-30 | キオクシア株式会社 | 半導体記憶装置及び半導体記憶装置の製造方法 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5497417B2 (ja) | 2009-12-10 | 2014-05-21 | 富士フイルム株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びにその薄膜トランジスタを備えた装置 |
JP2011138934A (ja) | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Sony Corp | 薄膜トランジスタ、表示装置および電子機器 |
CN103069717B (zh) | 2010-08-06 | 2018-01-30 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体集成电路 |
JP6246549B2 (ja) | 2012-10-17 | 2017-12-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
TWI624949B (zh) * | 2012-11-30 | 2018-05-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
KR102442752B1 (ko) | 2013-05-20 | 2022-09-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US9343579B2 (en) | 2013-05-20 | 2016-05-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
DE112014002485T5 (de) | 2013-05-20 | 2016-03-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung |
JP6400336B2 (ja) | 2013-06-05 | 2018-10-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6018607B2 (ja) | 2013-07-12 | 2016-11-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6322503B2 (ja) | 2013-07-16 | 2018-05-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP6401977B2 (ja) | 2013-09-06 | 2018-10-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9397153B2 (en) | 2013-09-23 | 2016-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9882014B2 (en) | 2013-11-29 | 2018-01-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
TWI666770B (zh) | 2013-12-19 | 2019-07-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
JP6444714B2 (ja) | 2013-12-20 | 2018-12-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP6488124B2 (ja) | 2013-12-27 | 2019-03-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9401432B2 (en) | 2014-01-16 | 2016-07-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
TWI772799B (zh) | 2014-05-09 | 2022-08-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
TWI672804B (zh) | 2014-05-23 | 2019-09-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
KR102437450B1 (ko) | 2014-06-13 | 2022-08-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 및 반도체 장치를 포함하는 전자 기기 |
US9455337B2 (en) | 2014-06-18 | 2016-09-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US9461179B2 (en) | 2014-07-11 | 2016-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor device (TFT) comprising stacked oxide semiconductor layers and having a surrounded channel structure |
US9705004B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-07-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6647846B2 (ja) | 2014-12-08 | 2020-02-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US10115741B2 (en) | 2016-02-05 | 2018-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
US9954003B2 (en) | 2016-02-17 | 2018-04-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
WO2017187301A1 (en) | 2016-04-28 | 2017-11-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor, semiconductor device, and electronic device |
US10615187B2 (en) | 2016-07-27 | 2020-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor, semiconductor device, and electronic device |
-
2017
- 2017-08-03 US US15/667,863 patent/US10504925B2/en active Active
- 2017-08-08 JP JP2017152908A patent/JP6999325B2/ja active Active
-
2019
- 2019-12-06 US US16/705,304 patent/US20200111817A1/en not_active Abandoned
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2018026564A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2016201541A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2017005277A5 (ja) | ||
JP2015188064A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2017050530A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2017028289A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2015144271A5 (ja) | ||
JP2015053477A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2016213452A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2015181151A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2014195063A5 (ja) | ||
JP2014017477A5 (ja) | ||
JP2015035590A5 (ja) | ||
JP2014199406A5 (ja) | ||
JP2014241404A5 (ja) | ||
JP2014199921A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2015179810A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2015130487A5 (ja) | ||
JP2015156477A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2018195814A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2016139800A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2014030012A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2015043415A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2014039019A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2014195049A5 (ja) | 半導体装置 |