JP2018195814A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (1)

1. トランジスタを有する半導体装置であって、
   前記トランジスタは、
   酸化物と、
   前記酸化物上の第１の絶縁体と、
   前記第１の絶縁体上の導電体と、
   前記第１の絶縁体の側面、及び前記導電体の側面に設けられる第２の絶縁体と、を有し、
   前記酸化物は、
   第１の領域と、第２の領域と、前記第１の領域および前記第２の領域の間に位置する第３の領域と、を有し、
   前記第１の絶縁体は、前記第１の領域上に設けられ、
   前記第３の領域は、前記第２の絶縁体と重畳する領域を有し、
   前記第２の領域は、前記第１の領域及び前記第３の領域よりも酸素濃度が小さく、
   前記第３の領域は、前記第１の領域の酸素濃度と、前記第２の領域の酸素濃度との間の酸素濃度となる部分を有する、ことを特徴とする半導体装置。