JP6304221B2 - Igbt - Google Patents
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Description
20:半導体基板
22:エミッタ領域
24:ボディコンタクト領域
26:表層ボディ領域
27:分離ボディ領域
28:ピラー領域
30:バリア領域
32:下部ボディ領域
34:ドリフト領域
36:コレクタ領域
50:エミッタ電極
60:コレクタ電極
78:層間絶縁膜
80:ゲート電極
82:ゲート絶縁膜
91:トレンチ
92:トレンチ
Claims (2)
- IGBTであって、
半導体基板と、
前記半導体基板の上面に配置されているエミッタ電極と、
前記半導体基板の下面に配置されているコレクタ電極と、
前記上面において矩形状に延びる矩形トレンチと、
前記矩形トレンチ内に配置されており、絶縁膜によって前記半導体基板及び前記エミッタ電極から絶縁されているゲート電極、
を備えており、
前記矩形トレンチが、
・前記上面において直線状に伸びる第1トレンチと、
・前記上面において前記第1トレンチと異なる方向に直線状に伸びており、第1接続部で前記第1トレンチと接続されている第2トレンチと、
・前記上面において前記第2トレンチと異なる方向に直線状に伸びており、第2接続部で前記第2トレンチと接続されている第3トレンチと、
・前記上面において前記第1トレンチ及び前記第3トレンチと異なる方向に直線状に伸びており、第3接続部で前記第3トレンチと接続されており、第4接続部で前記第1トレンチと接続されている第4トレンチ、
を備えており、
前記ゲート電極が、前記第1トレンチの内部、前記第2トレンチの内部、前記第3トレンチの内部及び前記第4トレンチの内部に跨って配置されており、
前記半導体基板が、
・前記矩形トレンチに囲まれた矩形領域内に配置されており、前記エミッタ電極に接しているn型のエミッタ領域と、
・前記矩形領域内に配置されており、前記エミッタ電極に接しているp型のボディコンタクト領域と、
・前記矩形領域内に配置されており、前記エミッタ電極に接しており、前記ボディコンタクト領域よりもp型不純物濃度が低いp型の表層ボディ領域と、
・前記エミッタ領域、前記ボディコンタクト領域及び前記表層ボディ領域に対して下側から接しており、前記第1〜第4トレンチに接しており、前記ボディコンタクト領域よりもp型不純物濃度が低いp型の分離ボディ領域と、
・前記矩形領域内に配置されており、前記分離ボディ領域に対して下側から接しているn型のバリア領域と、
・前記矩形領域内に配置されており、前記バリア領域に対して下側から接しているp型の下部ボディ領域と、
・前記分離ボディ領域の下側に配置されており、前記分離ボディ領域によって前記エミッタ領域から分離されており、前記第1〜第4トレンチの下端に接しており、前記下部ボディ領域に対して下側から接しているn型のドリフト領域と、
・前記ドリフト領域の下側に配置されており、前記ドリフト領域によって前記分離ボディ領域から分離されており、前記コレクタ電極に接しているp型のコレクタ領域、
を備えており、
前記エミッタ領域が、
・前記第1トレンチに接している第1エミッタ領域と、
・前記第3トレンチに接している第2エミッタ領域、
を備えており、
前記ボディコンタクト領域が、
・前記第2トレンチに接している第1ボディコンタクト領域と、
・前記第4トレンチに接している第2ボディコンタクト領域、
を備えており、
前記表層ボディ領域が、
・前記第1接続部から前記第1エミッタ領域に至る範囲において前記第1トレンチに接している第1表層ボディ領域と、
・前記第2接続部から前記第2エミッタ領域に至る範囲において前記第3トレンチに接している第2表層ボディ領域と、
・前記第3接続部から前記第2エミッタ領域に至る範囲において前記第3トレンチに接している第3表層ボディ領域と、
・前記第4接続部から前記第1エミッタ領域に至る範囲において前記第1トレンチに接している第4表層ボディ領域、
を備えている、
IGBT。 - IGBTであって、
半導体基板と、
前記半導体基板の上面に配置されているエミッタ電極と、
前記半導体基板の下面に配置されているコレクタ電極と、
前記上面において矩形状に延びる矩形トレンチと、
前記矩形トレンチ内に配置されており、絶縁膜によって前記半導体基板及び前記エミッタ電極から絶縁されているゲート電極、
を備えており、
前記矩形トレンチが、
・前記上面において直線状に伸びる第1トレンチと、
・前記上面において前記第1トレンチと異なる方向に直線状に伸びており、第1接続部で前記第1トレンチと接続されている第2トレンチと、
・前記上面において前記第2トレンチと異なる方向に直線状に伸びており、第2接続部で前記第2トレンチと接続されている第3トレンチと、
・前記上面において前記第1トレンチ及び前記第3トレンチと異なる方向に直線状に伸びており、第3接続部で前記第3トレンチと接続されており、第4接続部で前記第1トレンチと接続されている第4トレンチ、
を備えており、
前記ゲート電極が、前記第1トレンチの内部、前記第2トレンチの内部、前記第3トレンチの内部及び前記第4トレンチの内部に跨って配置されており、
前記半導体基板が、
・前記矩形トレンチに囲まれた矩形領域内に配置されており、前記エミッタ電極に接しているn型のエミッタ領域と、
・前記矩形領域内に配置されており、前記エミッタ電極に接しているp型のボディコンタクト領域と、
・前記矩形領域内に配置されており、前記エミッタ電極に接しており、前記ボディコンタクト領域よりもp型不純物濃度が低いp型の表層ボディ領域と、
・前記エミッタ領域、前記ボディコンタクト領域及び前記表層ボディ領域に対して下側から接しており、前記第1〜第4トレンチに接しており、前記ボディコンタクト領域よりもp型不純物濃度が低いp型の分離ボディ領域と、
・前記分離ボディ領域の下側に配置されており、前記分離ボディ領域によって前記エミッタ領域から分離されており、前記第1〜第4トレンチの下端に接しているn型のドリフト領域と、
・前記ドリフト領域の下側に配置されており、前記ドリフト領域によって前記分離ボディ領域から分離されており、前記コレクタ電極に接しているp型のコレクタ領域、
を備えており、
前記エミッタ領域が、
・前記第1トレンチに接している第1エミッタ領域と、
・前記第3トレンチに接している第2エミッタ領域、
を備えており、
前記ボディコンタクト領域が、
・前記第2トレンチに接している第1ボディコンタクト領域と、
・前記第4トレンチに接している第2ボディコンタクト領域、
を備えており、
前記表層ボディ領域が、
・前記第1接続部から前記第1エミッタ領域に至る範囲において前記第1トレンチに接している第1表層ボディ領域と、
・前記第2接続部から前記第2エミッタ領域に至る範囲において前記第3トレンチに接している第2表層ボディ領域と、
・前記第3接続部から前記第2エミッタ領域に至る範囲において前記第3トレンチに接している第3表層ボディ領域と、
・前記第4接続部から前記第1エミッタ領域に至る範囲において前記第1トレンチに接している第4表層ボディ領域、
を備えており、
前記上面において前記矩形領域の外側に配置されており、前記第2トレンチに接続されている第5トレンチをさらに有し、
前記第1ボディコンタクト領域が、前記第2トレンチと前記第5トレンチの接続部の両側において前記第2トレンチに接している、
IGBT。
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