JP7052315B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
12 :半導体基板
14 :トレンチ
14a:第1部分
14b:第2部分
14c:接続部
16 :ゲート絶縁膜
18 :ゲート電極
20 :層間絶縁膜
22 :上部電極
26 :下部電極
30 :エミッタ領域
32 :上部ボディ領域
34 :バリア領域
36 :下部ボディ領域
38 :ドリフト領域
39 :バッファ領域
40 :コレクタ領域
44 :ガードリング
46 :絶縁保護膜
50 :区画領域
60 :素子領域
62 :外周領域
Claims (2)
- 半導体装置であって、
素子領域と前記素子領域の周囲の外周領域を備える半導体基板と、
前記素子領域内において前記半導体基板の上面に接している上部電極と、
前記半導体基板の下面に接している下部電極と、
前記素子領域内の前記上面に設けられており、前記上面において格子状に伸びるトレンチと、
前記トレンチ内に配置されているゲート絶縁膜と、
前記トレンチ内に配置されており、前記ゲート絶縁膜によって前記半導体基板から絶縁されているゲート電極、
を備えており、
前記素子領域が、
格子状に伸びる前記トレンチに囲まれた複数の区画領域のそれぞれの内部に配置されており、前記上部電極に接しており、前記ゲート絶縁膜に接するn型のエミッタ領域と、
複数の前記区画領域のそれぞれの内部に配置されており、前記上部電極に接しており、前記エミッタ領域の下側で前記ゲート絶縁膜に接するp型のボディ領域と、
複数の前記区画領域の下部と前記外周領域に跨る範囲に分布しており、前記ボディ領域の下側及び前記トレンチの下端で前記ゲート絶縁膜に接するn型のドリフト領域、
を有しており、
前記トレンチが、前記上面において異なる方向に直線状に伸びる複数の直線部分と、複数の前記直線部分を接続する接続部を有しており、
前記接続部が複数の前記直線部分の延長範囲よりも外側まで伸びる拡大部分を有することによって前記接続部の幅が前記各直線部分の幅よりも広く、
前記接続部の深さが、前記各直線部分の深さよりも深い、
半導体装置。 - 複数の前記直線部分が、第1方向に伸びる第1直線部分と、前記上面において前記第1方向とは異なる方向に伸びる第2直線部分を有しており、
前記接続部で接続されている複数の前記直線部分が、前記第1直線部分と前記第2直線部分のみである、
請求項1に記載の半導体装置。
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JP2017224737A JP7052315B2 (ja) | 2017-11-22 | 2017-11-22 | 半導体装置 |
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Family Applications (1)
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