JP6293688B2 - ダイオード及びそのダイオードを内蔵する逆導通igbt - Google Patents
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Description
10:半導体層
11:カソード領域
12:バッファ領域
13:ドリフト領域
14:バリア領域
14a:高濃度バリア領域
14b:低濃度バリア領域
15:アノード領域
15a:アノードコンタクト領域
15b:アノードメイン領域
16:ピラー領域
17:電界進展防止領域
22:カソード電極
24:アノード電極
Claims (4)
- 半導体層と、
前記半導体層の一方の主面を被膜するアノード電極と、を備え、
前記半導体層は、
第1導電型のドリフト領域と、
前記ドリフト領域と前記アノード電極の間に設けられている第2導電型のアノード領域と、
前記ドリフト領域と前記アノード領域の間に設けられており、前記半導体層の前記主面から伸びるピラー部を介して前記アノード電極と電気的に接続されており、前記ドリフト領域の不純物濃度よりも濃い不純物濃度を有する第1導電型のバリア領域と、を有し、
前記バリア領域は、前記半導体層の面方向において不純物濃度が変化するように構成されており、
前記ピラー部は、前記アノード電極とショットキー接触する半導体領域である、ダイオード。 - 前記バリア領域は、
不純物濃度が相対的に濃い複数の高濃度バリア領域と、
不純物濃度が相対的に薄い複数の低濃度バリア領域と、を含み、
前記高濃度バリア領域と前記低濃度バリア領域が、少なくとも一方向において交互に配置される、請求項1に記載のダイオード。 - 前記バリア領域と前記ドリフト領域の間に設けられている第2導電型の電界進展防止領域をさらに備える、請求項1又は2に記載のダイオード。
- 請求項1〜3のいずれか一項に記載のダイオードを内蔵する逆導通IGBT。
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