JP2016502763A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016502763A5 JP2016502763A5 JP2015545101A JP2015545101A JP2016502763A5 JP 2016502763 A5 JP2016502763 A5 JP 2016502763A5 JP 2015545101 A JP2015545101 A JP 2015545101A JP 2015545101 A JP2015545101 A JP 2015545101A JP 2016502763 A5 JP2016502763 A5 JP 2016502763A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- junction
- junction barrier
- schottky
- drift layer
- barrier elements
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000007943 implant Substances 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
Claims (2)
- 前記複数の接合バリア要素が前記バッファ領域内に存在する、請求項1〜7のいずれか一項に記載のショットキーダイオード。
- ショットキーダイオードであって、
第1の導電型のドーピング材料によって主にドープされ、かつ、活性領域と関連付けられる第1の表面を有する、ドリフト層と、
ショットキー接合を形成するための前記第1の表面の前記活性領域の上方に設けられた、低いバリア高さを有する金属のショットキー層と、
前記ショットキー接合の下方で前記ドリフト層に形成される複数の接合バリア要素と、
前記複数の接合バリア要素の深さよりも浅い深さにて、前記ショットキー接合の下方で前記ドリフト層に形成される複数の中央インプラントと
を備え、
前記複数の中央インプラントのうち少なくとも1つは、前記複数の接合バリア要素の隣接する対の間に、かつ、該隣接する対から離間して設けられ、
前記ドリフト層の前記第1の表面は、前記活性領域内に複数の接合バリア要素凹部を備え、それにより、前記複数の接合バリア要素のうち少なくとも特定の接合バリア要素は、前記複数の接合バリア要素凹部のうち対応する接合バリア要素凹部の周りで前記ドリフト層内へと延在するドープ領域であり、前記ドープ領域は、前記第1の導電型と逆である第2の導電型のドーピング材料でドープされる、ショットキーダイオード。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/686,119 | 2012-11-27 | ||
US13/686,119 US9318624B2 (en) | 2012-11-27 | 2012-11-27 | Schottky structure employing central implants between junction barrier elements |
PCT/US2013/070994 WO2014085159A1 (en) | 2012-11-27 | 2013-11-20 | Schottky diodes and method of manufacturing the same |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016502763A JP2016502763A (ja) | 2016-01-28 |
JP2016502763A5 true JP2016502763A5 (ja) | 2017-01-19 |
JP6425659B2 JP6425659B2 (ja) | 2018-11-21 |
Family
ID=49725372
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015545101A Active JP6425659B2 (ja) | 2012-11-27 | 2013-11-20 | ショットキーダイオード及びショットキーダイオードの製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9318624B2 (ja) |
EP (2) | EP2926377A1 (ja) |
JP (1) | JP6425659B2 (ja) |
KR (1) | KR101764038B1 (ja) |
WO (1) | WO2014085159A1 (ja) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8680587B2 (en) * | 2011-09-11 | 2014-03-25 | Cree, Inc. | Schottky diode |
JP2013232564A (ja) * | 2012-04-27 | 2013-11-14 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US9991399B2 (en) * | 2012-10-04 | 2018-06-05 | Cree, Inc. | Passivation structure for semiconductor devices |
KR20140089639A (ko) * | 2013-01-03 | 2014-07-16 | 삼성전자주식회사 | 가변 저항 메모리 장치 및 그 형성 방법 |
JP2014236171A (ja) * | 2013-06-05 | 2014-12-15 | ローム株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2015032627A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP6058170B2 (ja) * | 2014-01-28 | 2017-01-11 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置 |
JP6347999B2 (ja) * | 2014-06-25 | 2018-06-27 | シナプティクス・ジャパン合同会社 | ジャンクションバリアショットキーダイオード及びその製造方法 |
KR102329192B1 (ko) * | 2015-04-29 | 2021-11-18 | 한국전기연구원 | 순방향 특성이 향상된 실리콘 카바이드 쇼트키 다이오드 및 그 제조방법 |
DE112015006098T5 (de) * | 2015-05-15 | 2017-11-30 | Hitachi, Ltd. | Leistungshalbleiterelement und Leistungshalbleitermodul, welches dieses verwendet |
US9960247B2 (en) * | 2016-01-19 | 2018-05-01 | Ruigang Li | Schottky barrier structure for silicon carbide (SiC) power devices |
WO2017135940A1 (en) * | 2016-02-03 | 2017-08-10 | Microsemi Corporation | Sic transient voltage suppressor |
CN107293601B (zh) * | 2016-04-12 | 2021-10-22 | 朱江 | 一种肖特基半导体装置及其制备方法 |
CN105826399A (zh) * | 2016-05-25 | 2016-08-03 | 上海安微电子有限公司 | 一种多混合结构的软快恢复二极管及其制备方法 |
KR102430498B1 (ko) | 2016-06-28 | 2022-08-09 | 삼성전자주식회사 | 쇼트키 다이오드를 갖는 전자 소자 |
JP6673174B2 (ja) * | 2016-12-12 | 2020-03-25 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
US10411108B2 (en) * | 2017-03-29 | 2019-09-10 | QROMIS, Inc. | Vertical gallium nitride Schottky diode |
CN109473482A (zh) * | 2017-09-08 | 2019-03-15 | 创能动力科技有限公司 | 肖特基器件及其制造方法 |
JP6929254B2 (ja) * | 2018-08-23 | 2021-09-01 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
CN110459592A (zh) * | 2019-07-11 | 2019-11-15 | 瑞能半导体科技股份有限公司 | 半导体器件及其制造方法 |
US11866928B2 (en) * | 2019-09-03 | 2024-01-09 | Dannie Lew Deans | EAZY supporting holding and clamping system |
EP3933934A1 (en) | 2020-07-01 | 2022-01-05 | Xiamen Sanan Integrated Circuit Co., Ltd | Silicon carbide power diode device and fabrication method thereof |
US11437525B2 (en) | 2020-07-01 | 2022-09-06 | Hunan Sanan Semiconductor Co., Ltd. | Silicon carbide power diode device and fabrication method thereof |
CN112038393B (zh) * | 2020-07-01 | 2023-05-05 | 湖南三安半导体有限责任公司 | 一种碳化硅功率二极管器件及其制备方法 |
CN112186029A (zh) * | 2020-10-20 | 2021-01-05 | 杭州中瑞宏芯半导体有限公司 | 一种高浪涌电流型SiC二极管及其制造方法 |
US11677023B2 (en) * | 2021-05-04 | 2023-06-13 | Infineon Technologies Austria Ag | Semiconductor device |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3420698B2 (ja) | 1998-03-24 | 2003-06-30 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP3616258B2 (ja) | 1998-08-28 | 2005-02-02 | 株式会社ルネサステクノロジ | ショットキーダイオードおよびそれを用いた電力変換器 |
JP3943749B2 (ja) * | 1999-02-26 | 2007-07-11 | 株式会社日立製作所 | ショットキーバリアダイオード |
JP4872158B2 (ja) * | 2001-03-05 | 2012-02-08 | 住友電気工業株式会社 | ショットキーダイオード、pn接合ダイオード、pin接合ダイオード、および製造方法 |
JP3708057B2 (ja) * | 2001-07-17 | 2005-10-19 | 株式会社東芝 | 高耐圧半導体装置 |
JP4123913B2 (ja) * | 2001-11-26 | 2008-07-23 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2005191227A (ja) | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
US7199442B2 (en) * | 2004-07-15 | 2007-04-03 | Fairchild Semiconductor Corporation | Schottky diode structure to reduce capacitance and switching losses and method of making same |
JP4764003B2 (ja) * | 2004-12-28 | 2011-08-31 | 日本インター株式会社 | 半導体装置 |
JP4814533B2 (ja) * | 2005-02-25 | 2011-11-16 | ローム株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP4921880B2 (ja) * | 2006-07-28 | 2012-04-25 | 株式会社東芝 | 高耐圧半導体装置 |
JP5175872B2 (ja) * | 2010-01-21 | 2013-04-03 | 株式会社東芝 | 半導体整流装置 |
US20130140584A1 (en) * | 2010-06-02 | 2013-06-06 | Norifumi Kameshiro | Semiconductor device |
WO2011161906A1 (ja) * | 2010-06-21 | 2011-12-29 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体素子の製造方法と製造装置 |
JP2012174895A (ja) * | 2011-02-22 | 2012-09-10 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 高耐圧半導体装置 |
US9318623B2 (en) * | 2011-04-05 | 2016-04-19 | Cree, Inc. | Recessed termination structures and methods of fabricating electronic devices including recessed termination structures |
JP5926893B2 (ja) * | 2011-04-26 | 2016-05-25 | 株式会社 日立パワーデバイス | 炭化珪素ダイオード |
JPWO2012157679A1 (ja) * | 2011-05-18 | 2014-07-31 | ローム株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2012
- 2012-11-27 US US13/686,119 patent/US9318624B2/en active Active
-
2013
- 2013-11-20 KR KR1020157016845A patent/KR101764038B1/ko active IP Right Grant
- 2013-11-20 JP JP2015545101A patent/JP6425659B2/ja active Active
- 2013-11-20 EP EP13802179.5A patent/EP2926377A1/en not_active Withdrawn
- 2013-11-20 WO PCT/US2013/070994 patent/WO2014085159A1/en active Application Filing
- 2013-11-20 EP EP23167450.8A patent/EP4235803A3/en active Pending
-
2016
- 2016-03-28 US US15/082,888 patent/US9831355B2/en active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2016502763A5 (ja) | ||
EP4235803A3 (en) | Schottky structure employing central implants between junction barrier elements | |
EP2879189A3 (en) | Solar cell and method of manufacturing the same | |
JP2012199534A5 (ja) | ||
USD767757S1 (en) | Saliva collector and isolator | |
JP2012009811A5 (ja) | ||
JP2017045949A5 (ja) | ||
JP2010171221A5 (ja) | ||
EP2615643A3 (en) | Field-effect transistor and manufacturing method thereof | |
JP2014064005A5 (ja) | ||
JP2012235098A5 (ja) | 半導体装置 | |
JP2013152981A5 (ja) | ||
JP2012064849A5 (ja) | ||
JP2015201557A5 (ja) | ||
JP2015103606A5 (ja) | ||
JP2015512562A5 (ja) | ||
USD746419S1 (en) | Double bowl sink with arced bowl back walls | |
EP3267471A3 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JP2015153787A5 (ja) | ||
JP2015225872A5 (ja) | ||
FR3003396B1 (fr) | Structures semi-conductrices dotees de regions actives comprenant de l'ingan | |
TW201613099A (en) | Silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, and method for designing silicon carbide semiconductor device | |
JP2019054070A5 (ja) | ||
JP2016187018A5 (ja) | ||
JP2015153785A5 (ja) |