JP2016502763A5 - - Google Patents

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  1. 前記複数の接合バリア要素が前記バッファ領域内に存在する、請求項1〜7のいずれか一項に記載のショットキーダイオード。
  2. ショットキーダイオードであって、
    第1の導電型のドーピング材料によって主にドープされ、かつ、活性領域と関連付けられる第1の表面を有する、ドリフト層と、
    ショットキー接合を形成するための前記第1の表面の前記活性領域の上方に設けられた、低いバリア高さを有する金属のショットキー層と、
    前記ショットキー接合の下方で前記ドリフト層に形成される複数の接合バリア要素と、
    前記複数の接合バリア要素の深さよりも浅い深さにて、前記ショットキー接合の下方で前記ドリフト層に形成される複数の中央インプラントと
    を備え、
    前記複数の中央インプラントのうち少なくとも1つは、前記複数の接合バリア要素の隣接する対の間に、かつ、該隣接する対から離間して設けられ
    前記ドリフト層の前記第1の表面は、前記活性領域内に複数の接合バリア要素凹部を備え、それにより、前記複数の接合バリア要素のうち少なくとも特定の接合バリア要素は、前記複数の接合バリア要素凹部のうち対応する接合バリア要素凹部の周りで前記ドリフト層内へと延在するドープ領域であり、前記ドープ領域は、前記第1の導電型と逆である第2の導電型のドーピング材料でドープされる、ショットキーダイオード。
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