JP5175872B2 - 半導体整流装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 195
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 137
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 37
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical group [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 31
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 7
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 33
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 33
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 20
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004166 TaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic System
- H01L29/1608—Silicon carbide
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0684—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape, relative sizes or dispositions of the semiconductor regions or junctions between the regions
- H01L29/0692—Surface layout
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/872—Schottky diodes
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
- H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
- H01L29/0619—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE] with a supplementary region doped oppositely to or in rectifying contact with the semiconductor containing or contacting region, e.g. guard rings with PN or Schottky junction
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- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
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Description
の関係を充足し、前記第3のワイドギャップ半導体領域が直線形状であり、MPS(Merged PiN−diode Schottky−diode)であることを特徴とする。ここで、前記第2のワイドバンドギャップ半導体領域が略一定の幅を有することが望ましい。
本実施の形態の半導体整流装置は、第1導電型のワイドバンドギャップ半導体基板と、このワイドバンドギャップ半導体基板の上面に形成され、不純物濃度が1E+14atoms/cm3以上5E+16atoms/cm3以下、厚さが20μm以上の第1導電型のワイドバンドギャップ半導体層と、ワイドバンドギャップ半導体層表面に形成される第1導電型の第1のワイドバンドギャップ半導体領域と、第1のワイドバンドギャップ半導体領域に挟まれて形成される第2導電型の第2のワイドバンドギャップ半導体領域と、第1および第2のワイドバンドギャップ半導体領域上に形成される第1の電極と、ワイドバンドギャップ半導体基板の下面に形成される第2の電極と、を備え、第2のワイドバンドギャップ半導体領域の幅が15μm以上である。
Vlat=0.3×Vdrift
の関係が成立する。
Vlat=0.89×Vdrift
の関係が成立する。
Vlat≧0.3×Vdrift
の関係を充足することが必要であり、
Vlat≧0.89×Vdrift
の関係を充足することが望ましい。
図12は、第1の実施の形態の変形例の半導体整流装置の模式的な断面図である。このMPSは、第1の電極24が、異なる材料で形成されるオーミック電極24aとショットキー電極24bで構成されること以外は第1の実施の形態と同様である。したがって、第1の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。
本実施の形態の半導体整流装置は、第1の実施の形態の半導体整流装置の構成に加え、少なくとも一部が第2のワイドバンドギャップ半導体領域に接続され、第2のワイドバンドギャップ半導体領域より幅の狭い第2導電型の第3のワイドバンドギャップ半導体領域を有する。この第3のワイドバンドギャップ半導体領域を備えること以外は、第1の実施の形態と同様である。したがって、第1の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。
12 SiC基板
14 n−型SiC層
16 n型不純物領域
18 p+型不純物領域
20 リサーフ領域
22 絶縁膜
24 第1の電極
26 第2の電極
30 MPS
32 伝播領域
Claims (9)
- 第1導電型のワイドバンドギャップ半導体基板と、
前記ワイドバンドギャップ半導体基板の上面に形成され、不純物濃度が1E+14atoms/cm3以上5E+16atoms/cm3以下、厚さが20μm以上の第1導電型のワイドバンドギャップ半導体層と、
前記ワイドバンドギャップ半導体層表面に形成される第1導電型の第1のワイドバンドギャップ半導体領域と、
前記第1のワイドバンドギャップ半導体領域に挟まれて形成される第2導電型の第2のワイドバンドギャップ半導体領域と、
少なくとも一部が前記第2のワイドバンドギャップ半導体領域に接続され、前記第2のワイドバンドギャップ半導体領域より幅の狭い第2導電型の第3のワイドバンドギャップ半導体領域と、
前記第1および第2のワイドバンドギャップ半導体領域上に形成される第1の電極と、
前記ワイドバンドギャップ半導体基板の下面に形成される第2の電極と、
を備え、
前記第2のワイドバンドギャップ半導体領域の幅が15μm以上であり、
前記第3のワイドギャップ半導体領域が直線形状であり、
MPS(Merged PiN−diode Schottky−diode)であることを特徴とする半導体整流装置。 - 前記第2のワイドバンドギャップ半導体領域が略一定の幅を有することを特徴とする請求項1記載の半導体整流装置。
- 前記第2のワイドバンドギャップ半導体領域の幅が36μm以上であることを特徴とする請求項1または請求項2記載の半導体整流装置。
- 第1導電型のワイドバンドギャップ半導体基板と、
前記ワイドバンドギャップ半導体基板の上面に形成され、不純物濃度が1E+14atoms/cm3以上5E+16atoms/cm3以下、厚さが20μm以上の第1導電型のワイドバンドギャップ半導体層と、
前記ワイドバンドギャップ半導体層表面に形成される第1導電型の第1のワイドバンドギャップ半導体領域と、
前記第1のワイドバンドギャップ半導体領域に挟まれて形成される第2導電型の第2のワイドバンドギャップ半導体領域と、
少なくとも一部が前記第2のワイドバンドギャップ半導体領域に接続され、前記第2のワイドバンドギャップ半導体領域より幅の狭い第2導電型の第3のワイドバンドギャップ半導体領域と、
前記第1および第2のワイドバンドギャップ半導体領域上に形成される第1の電極と、
前記ワイドバンドギャップ半導体基板の下面に形成される第2の電極と、
を備え、
前記第1の電極と前記第2の電極間に電圧が印加され、前記第2のワイドバンドギャップ半導体領域から前記ワイドバンドギャップ半導体層に小数キャリアが注入される直前の電位分布において、前記ワイドバンドギャップ半導体基板の下面から前記第2のワイドバンドギャップ半導体領域底面までの電圧降下をVdriftとし、前記第2のワイドバンドギャップ半導体層の端部から前記第2のワイドバンドギャップ半導体領域底面の幅方向の中心部までの電圧降下をVlatとした場合に、
Vlat≧0.3×Vdrift
の関係を充足し、
前記第3のワイドギャップ半導体領域が直線形状であり、
MPS(Merged PiN−diode Schottky−diode)であることを特徴とする半導体整流装置。 - 前記第2のワイドバンドギャップ半導体領域が略一定の幅を有することを特徴とする請求項4記載の半導体整流装置。
- Vlat≧0.89×Vdrift
の関係を充足することを特徴とする請求項4または請求項5記載の半導体整流装置。 - 前記第1の電極と前記第1のワイドバンドギャップ半導体領域とはショットキー接続しており、
前記第1の電極と前記第2のワイドバンドギャップ半導体領域とはオーミック接続していることを特徴とする請求項1ないし請求項6いずれか一項記載の半導体整流装置。 - 前記第1の電極と前記第1のワイドバンドギャップ半導体領域とはショットキー接続しており、
前記第1の電極と前記第2のワイドバンドギャップ半導体領域とはオーミック接続しており、
前記第1の電極と前記第3のワイドバンドギャップ半導体領域とはオーミック接続していることを特徴とする請求項1ないし請求項7いずれか一項記載の半導体整流装置。 - 前記ワイドバンドギャップ半導体が炭化珪素であることを特徴とする請求項1ないし請求項8いずれか一項記載の半導体整流装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010011300A JP5175872B2 (ja) | 2010-01-21 | 2010-01-21 | 半導体整流装置 |
US12/716,386 US20110175106A1 (en) | 2010-01-21 | 2010-03-03 | Semiconductor rectifier |
US13/955,059 US9064779B2 (en) | 2010-01-21 | 2013-07-31 | Semiconductor rectifier |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010011300A JP5175872B2 (ja) | 2010-01-21 | 2010-01-21 | 半導体整流装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011151208A JP2011151208A (ja) | 2011-08-04 |
JP5175872B2 true JP5175872B2 (ja) | 2013-04-03 |
Family
ID=44276933
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010011300A Active JP5175872B2 (ja) | 2010-01-21 | 2010-01-21 | 半導体整流装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20110175106A1 (ja) |
JP (1) | JP5175872B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10396162B2 (en) | 2016-08-25 | 2019-08-27 | Fuji Electric Co., Ltd. | Silicon carbide semiconductor device |
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- 2010-03-03 US US12/716,386 patent/US20110175106A1/en not_active Abandoned
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Publication number | Publication date |
---|---|
US9064779B2 (en) | 2015-06-23 |
JP2011151208A (ja) | 2011-08-04 |
US20130313573A1 (en) | 2013-11-28 |
US20110175106A1 (en) | 2011-07-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110916 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120127 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120409 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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