IT202000017221A1 - Dispositivo elettronico a semiconduttore ad ampia banda proibita comprendente un diodo jbs avente migliorate caratteristiche elettriche e relativo procedimento di fabbricazione - Google Patents

Dispositivo elettronico a semiconduttore ad ampia banda proibita comprendente un diodo jbs avente migliorate caratteristiche elettriche e relativo procedimento di fabbricazione Download PDF

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Description

DESCRIZIONE
del brevetto per invenzione industriale dal titolo: ?DISPOSITIVO ELETTRONICO A SEMICONDUTTORE AD AMPIA BANDA PROIBITA COMPRENDENTE UN DIODO JBS AVENTE MIGLIORATE CARATTERISTICHE ELETTRICHE E RELATIVO PROCEDIMENTO DI FABBRICAZIONE?
La presente invenzione ? relativa ad un dispositivo elettronico a semiconduttore ad ampia banda proibita (?wide band gap?) comprendente un diodo JBS (?Junction Barrier Schottky?) avente migliorate caratteristiche elettriche e al relativo procedimento di fabbricazione. In particolare, in seguito si far? riferimento ad un dispositivo elettronico di potenza a conduzione verticale.
Come noto, materiali semiconduttori aventi un?ampia banda proibita, ad esempio maggiore di 1,1 eV, bassa resistenza di stato acceso, elevata conduttivit? termica, elevata frequenza operativa ed elevata velocit? di saturazione dei portatori di carica, quali carburo di silicio (SiC) e nitruro di gallio (GaN), permettono di ottenere dispositivi elettronici, ad esempio diodi e transistori, aventi prestazioni migliori rispetto a dispositivi elettronici in silicio, in particolare per applicazioni di potenza, ad esempio operanti a tensioni comprese tra 600 V e 1300 V o in condizioni operative specifiche quali elevata temperatura.
In particolare, ? noto ottenere tali dispositivi elettronici a partire da una fetta di carburo di silicio in uno dei suoi politipi, ad esempio 3C-SiC, 4H-SiC e 6H-SiC, che si distinguono per le caratteristiche sopra elencate.
Ad esempio, la figura 1 mostra un diodo a barriera Schottky con giunzione (?Junction Barrier Schottky?, JBS) 1 noto, di carburo di silicio. Il diodo JBS 1 ? formato generalmente da una pluralit? di celle elementari (una sola mostrata) fra loro uguali e disposte in parallelo in una stessa piastrina (?die?); ciascuna cella elementare comprende un diodo Schottky 2 e una coppia di diodi PN 3, reciprocamente collegati in parallelo.
Il diodo JBS 1 ? formato in un corpo 5 di carburo di silicio (SiC), il quale ? delimitato da una prima e una seconda superficie 5A, 5B tra loro opposte lungo un primo asse Z di un sistema di riferimento cartesiano XYZ, e comprende un substrato 7 e una regione di deriva 9 sovrapposta al substrato 7, ad esempio cresciuta epitassialmente su di esso.
Il substrato 7 ? di tipo N e forma la seconda superficie 5B del corpo 5.
La regione di deriva 9 ? di tipo N, con un livello di drogaggio minore del livello di drogaggio del substrato 7, e forma la prima superficie 5A del corpo 5.
Una regione di metallizzazione di catodo 10 di materiale conduttivo, ad esempio di nichel o siliciuro di nichel, si estende sulla seconda superficie 5B del corpo 5 e forma un catodo K del diodo JBS 1.
Il diodo JBS 1 comprende inoltre una pluralit? di regioni di barriera 12, di cui due regioni di barriera 12 sono visibili in figura 1, alloggiate sostanzialmente nella regione di deriva 9.
Le regioni di barriera 12 sono reciprocamente distanziate lungo un secondo asse Y del sistema di riferimento cartesiano XYZ e sono formate ciascuna da una rispettiva regione impiantata 13 di tipo P, la quale si estende, a partire dalla prima superficie 5A del corpo 5, all?interno della regione di deriva 9. Le regioni di barriera 12 si estendono inoltre lungo un terzo asse X del sistema di riferimento cartesiano XYZ.
Le regioni di barriera 12 comprendono inoltre, ciascuna, una rispettiva regione di contatto ohmico 14, di materiale conduttivo, ad esempio di siliciuro di nichel, che si estende su una rispettiva regione impiantata 13, parzialmente al suo interno, e, nella sezione trasversale di figura 1, ha un?estensione lungo il secondo asse Y minore o uguale dell?estensione della rispettiva regione impiantata 13.
Le interfacce tra le regioni impiantate 13 e la regione di deriva 9 formano ciascuna un diodo PN 3.
Il diodo JBS 1 comprende inoltre una regione di metallizzazione di anodo 18, di materiale metallico quale titanio, nichel o molibdeno, che si estende sulla prima superficie 5A del corpo 5, formando un anodo A del diodo JBS 1.
Porzioni della regione di metallizzazione di anodo 18 in contatto elettrico diretto con la regione di deriva 9, lateralmente alle regioni impiantate 13, formano giunzioni Schottky (semiconduttore-metallo), costituenti ciascuna un rispettivo diodo Schottky 2.
Le giunzioni Schottky hanno ciascuna una rispettiva barriera avente, all'equilibrio, un?altezza ?0, che determina una tensione di soglia di accensione del rispettivo diodo Schottky 2.
In uso, una tensione di polarizzazione pu? essere applicata tra catodo K e anodo A del diodo JBS 1 in modo da ottenere una polarizzazione diretta o inversa.
In dettaglio, in polarizzazione diretta (anodo A a potenziale maggiore rispetto al catodo K), una tensione diretta ? applicata in modo da abbassare l?altezza di barriera ?0 delle giunzioni Schottky, cos? da accendere i diodi Schottky 2 e permettere il passaggio di una corrente operativa, ad esempio del valore di 10 A, tra anodo A e catodo K del diodo JBS 1.
Una bassa altezza di barriera ?0, e quindi una bassa tensione di soglia di accensione dei diodi Schottky 2, permette di ridurre il valore della tensione diretta necessaria al passaggio della corrente operativa e dunque di ottenere un ridotto consumo energetico del diodo JBS 1.
D?altro canto, in polarizzazione inversa (catodo K a potenziale maggiore rispetto all'anodo A), il diodo JBS 1 deve garantire un valore pi? basso possibile di corrente di perdita (?leakage?) tra anodo A e catodo K a fronte di tensioni di polarizzazione elevate, comprese ad esempio tra 600 V e 1300 V.
Tali tensioni di polarizzazione elevate generano campi elettrici elevati nelle giunzioni Schottky, causando un aumento della corrente di perdita, ad esempio per effetto tunnel. Tale aumento ? particolarmente rilevante soprattutto se l?altezza di barriera ?0 ? bassa.
Di conseguenza, una bassa altezza di barriera ?0 causa elevate correnti di perdita e quindi problemi di funzionamento del diodo JBS 1.
In polarizzazione inversa, inoltre, ciascun diodo PN 3 causa la formazione di una rispettiva zona svuotata, avente una ridotta concentrazione di portatori di carica, che si estende a partire dall?interfaccia tra la rispettiva regione impiantata 13 e la regione di deriva 9, principalmente all'interno della regione di deriva 9.
La zona svuotata contribuisce ad abbassare localmente, in prossimit? di una rispettiva giunzione Schottky, il valore di campo elettrico generato dalle elevate tensioni di polarizzazione.
E' quindi noto progettare il diodo JBS 1 in modo da prevedere una distanza pi? piccola possibile lungo il secondo asse Y tra due regioni impiantate 13 adiacenti. Una minore distanza tra due regioni impiantate 13 adiacenti permette infatti un maggior abbassamento del campo elettrico dell?intera giunzione Schottky e di abbassare, di conseguenza, la corrente di perdita.
Tuttavia, una minore distanza tra due regioni impiantate 13 adiacenti comporta una minore area del diodo Schottky 2 a disposizione per il passaggio di corrente in polarizzazione diretta e dunque un aumento di resistenza del diodo JBS 1, con conseguente peggioramento delle performance del diodo JBS 1.
Scopo della presente invenzione ? quello di superare gli inconvenienti della tecnica nota.
Secondo la presente invenzione vengono forniti un dispositivo elettronico a semiconduttore ad ampia banda proibita comprendente un diodo JBS e un relativo procedimento di fabbricazione come definiti nelle rivendicazioni allegate.
Per una migliore comprensione della presente invenzione ne vengono ora descritte forme di realizzazione, a puro titolo di esempio non limitativo, con riferimento ai disegni allegati, nei quali:
- la figura 1 mostra una sezione trasversale di un dispositivo elettronico di potenza a semiconduttore ad ampia banda proibita noto;
- la figura 2 mostra una sezione trasversale di una forma di realizzazione del presente dispositivo elettronico di potenza a semiconduttore ad ampia banda proibita in cui sono stati evidenziati equivalenti elettrici;
- la figura 2A mostra un dettaglio ingrandito della figura 2, in cui sono stati evidenziati parametri geometrici del presente dispositivo elettronico;
- la figura 3 mostra una simulazione della curva tensione-corrente in polarizzazione diretta di una cella elementare del dispositivo elettronico di figura 2 a confronto con una cella elementare del dispositivo elettronico noto di figura 1;
- la figura 4 mostra un grafico dell?andamento del campo elettrico lungo la linea di sezione 80 di figura 2A;
- la figura 5 mostra una sezione trasversale del presente dispositivo elettronico di potenza a semiconduttore ad ampia banda proibita secondo un?altra forma di realizzazione;
- la figura 6 mostra una sezione trasversale del presente dispositivo elettronico di potenza a semiconduttore ad ampia banda proibita secondo un?ulteriore forma di realizzazione;
- la figura 7 mostra una sezione trasversale del presente dispositivo elettronico di potenza a semiconduttore ad ampia banda proibita secondo un?ulteriore forma di realizzazione;
- le figure 8-11 mostrano sezioni trasversali del dispositivo elettronico di potenza di figura 2 in fasi successive di fabbricazione; e
- le figure 12-14 mostrano sezioni trasversali del dispositivo elettronico di figura 5 in fasi successive di fabbricazione.
Qui di seguito viene descritto un diodo a barriera Schottky con giunzione (?Junction Barrier Schottky?, JBS) a semiconduttore ad ampia banda proibita, in particolare in carburo di silicio, il quale ? incorporato in un dispositivo elettronico di potenza a conduzione verticale e il quale comprende una pluralit? di diodi Schottky di diverso tipo, in cui ciascun tipo di diodo Schottky ha una giunzione Schottky che ha, all'equilibrio, una diversa altezza di barriera.
In dettaglio, le figure 2 e 2A mostrano un diodo JBS 50 che comprende, in questa forma di realizzazione, una pluralit? di celle elementari 54 fra loro uguali collegate in parallelo in una stessa piastrina (?die?).
Come mostrato in particolare in figura 2, ciascuna cella elementare 54 comprende uno o pi? diodi Schottky di primo tipo 51, uno o pi? diodi Schottky di secondo tipo 52 e uno o pi? diodi PN 53, disposti in parallelo. In particolare, in questa forma di realizzazione, ciascuna cella elementare 54 ? formata da due diodi Schottky di primo tipo 51 e da un diodo Schottky di secondo tipo 52, disposti tra due diodi PN 53 adiacenti.
Il diodo JBS 50 ? formato in un corpo 55 di carburo di silicio (SiC), delimitato da una prima e una seconda superficie 55A, 55B tra loro opposte lungo un primo asse Z di un sistema di riferimento cartesiano XYZ, e che comprende un substrato 57 e una regione di deriva 59 sovrapposta al substrato 57, ad esempio cresciuta epitassialmente su di esso.
Il substrato 57 ? di tipo N, con livello di drogaggio tale da avere una bassa resistivit?, ad esempio compresa tra 2 m??cm e 30 m??cm, ha uno spessore ad esempio compreso tra 50 ?m e 360 ?m, in particolare di 180 ?m, e forma la seconda superficie 55B del corpo 55.
La regione di deriva 59 ? di tipo N, con un livello di drogaggio minore del livello di drogaggio del substrato 57, ad esempio dell?ordine di 10<16 >at/cm<3>, ha uno spessore compreso tra 5 ?m e 15 ?m e forma la prima superficie 55A del corpo 55.
Lo spessore della regione di deriva 59 pu? essere scelto in fase di progettazione in base alla specifica applicazione del diodo JBS 50, ad esempio in funzione di una massima tensione operativa applicabile al diodo JBS 50.
Una regione di metallizzazione di catodo 54 di materiale conduttivo, ad esempio di nichel o siliciuro di nichel, si estende sulla seconda superficie 55B del corpo 55 e forma un catodo K del diodo JBS 50.
Il diodo JBS 50 comprende inoltre una pluralit? di regioni impiantate 62 alloggiate nella regione di deriva 59.
Le regioni impiantate 62 sono di tipo P, hanno un livello di drogaggio maggiore del livello di drogaggio della regione di deriva 59, si estendono ciascuna a partire dalla prima superficie 55A del corpo 55 all?interno della regione di deriva 59 per una profondit?, lungo il primo asse Z, minore della profondit? della regione di deriva 59 e hanno ciascuna una larghezza, lungo un secondo asse Y del sistema di riferimento cartesiano XYZ, compresa ad esempio tra 1 ?m e 6 ?m.
Le regioni impiantate 62 sono inoltre reciprocamente poste ad una distanza SY, lungo il secondo asse Y, ad esempio compresa tra 2 ?m e 5 ?m.
In vista dall'alto, qui non mostrata, le regioni impiantate 62 possono avere forma di strisce, estendentisi longitudinalmente lungo un terzo asse X del sistema di riferimento cartesiano XYZ, o qualunque altra forma, ad esempio possono formare figure geometriche regolari o irregolari, quali ad esempio quadrati, rettangoli, esagoni o cerchi. Di conseguenza, le regioni impiantate 62 mostrate in figura 2 possono essere porzioni di una singola regione di forma pi? complessa, visibili come regioni separate nella sezione trasversale mostrata.
Le interfacce tra le regioni impiantate 62 e la regione di deriva 59 formano giunzioni PN, le quali formano ciascuna un rispettivo diodo PN 53.
Il diodo JBS 50 pu? comprendere inoltre una pluralit? di regioni di contatto ohmico 63 di materiale conduttivo che si estendono ciascuna su una rispettiva regione impiantata 62 e hanno forma approssimativamente corrispondente a quella delle regioni impiantate 62; ciascuna regione di contatto ohmico 63 ? in contatto elettrico diretto con una rispettiva regione impiantata 62 e si estende, lungo il secondo asse Y, per una larghezza minore o uguale alla larghezza della rispettiva regione impiantata 62.
In dettaglio, in questa forma di realizzazione, le regioni di contatto ohmico 63 sono di siliciuro di nichel, si estendono ciascuna parzialmente all?interno di una rispettiva regione impiantata 62 e hanno una larghezza minore delle rispettive regioni impiantate 62.
Il diodo JBS 50 comprende inoltre una pluralit? di regioni di metallizzazione di anodo, una per ciascun tipo di diodo Schottky (come descritto in dettaglio qui sotto), estendentisi sulla prima superficie 55A del corpo 55. In questa forma di realizzazione, il diodo JBS 50 comprende prime regioni di metallizzazione di anodo 65 e una seconda regione di metallizzazione di anodo 66.
Le prime regioni di metallizzazione di anodo 65 hanno anch'esse forma approssimativamente corrispondente a quella delle rispettive regioni impiantate 62, ma larghezza maggiore, come descritto in dettaglio qui sotto; inoltre, come spiegato sopra per le regioni impiantate 62, esse possono costituire porzioni di una prima singola regione di metallizzazione di anodo 65 di forma pi? complessa. Esse sono comunque connesse elettricamente in parallelo, per cui possono essere considerate una regione unica.
Le prime regioni di metallizzazione di anodo 65 sono di un primo materiale metallico, ad esempio molibdeno, e comprendono ciascuna almeno una prima porzione 65A (figura 2A) che si estende su, ed ? in contatto elettrico diretto con, una rispettiva prima porzione 59A della regione di deriva 59, in posizione contigua alla rispettiva regione impiantata 62, su un lato di questa. In questa forma di realizzazione, le prime regioni di metallizzazione di anodo 65 comprendono inoltre, ciascuna, una rispettiva seconda porzione 65B che si estende al di sopra di, ed ? in contatto elettrico diretto con, una rispettiva regione impiantata 62 e una rispettiva regione di contatto ohmico 63.
Le prime porzioni 65A della prima regione di metallizzazione di anodo 65 hanno ciascuna una larghezza W1 e sono poste ad una distanza W2 da una prima porzione 65A di una prima regione di metallizzazione di anodo 65 adiacente.
Le prime porzioni 65A della prima regione di metallizzazione di anodo 65 formano ciascuna, con la rispettiva prima porzione 59A della regione di deriva 59, una giunzione Schottky costituente un rispettivo diodo Schottky di primo tipo 51 (figura 2). Le giunzioni dei diodi Schottky di primo tipo 51 hanno ciascuna una rispettiva barriera Schottky avente, all'equilibrio, un?altezza ?1, ad esempio di circa 0,9 eV, che determina una prima tensione di soglia di accensione del rispettivo diodo Schottky di primo tipo 51.
La seconda regione di metallizzazione di anodo 66 ? di un secondo materiale metallico, ad esempio titanio o nichel, e si estende sulla prima superficie 55A del corpo 55 e sulle prime regioni di metallizzazione di anodo 65; di conseguenza (figura 2A) porzioni 66A della seconda regione di metallizzazione 66 sono in contatto elettrico diretto (Schottky) con seconde porzioni 59B della regione di deriva 59 per una larghezza pari alla distanza W2 tra due prime porzioni 65A delle prime regioni di metallizzazione di anodo 65 adiacenti.
In altre parole, le seconde porzioni 59B sono disposte a distanza maggiore delle prime porzioni 59A da una rispettiva medesima regione impiantata 62.
Le porzioni 66A della seconda regione di metallizzazione 66 formano quindi, con le seconde porzioni 59B della regione di deriva 59, giunzioni Schottky costituenti rispettivi diodi Schottky di secondo tipo 52 (figura 2). Le giunzioni dei diodi Schottky di secondo tipo 52 hanno ciascuna una rispettiva barriera Schottky avente, all'equilibrio, un?altezza ?2 maggiore dell?altezza di barriera ?1, ad esempio di 1,2 eV, che determina una seconda tensione di soglia di accensione del rispettivo diodo Schottky di secondo tipo 52 maggiore della prima tensione di soglia di accensione.
La prima e la seconda regione di metallizzazione di anodo 65, 66 formano inoltre un anodo A del diodo JBS 50.
In uso, in polarizzazione diretta (tensione applicata all?anodo A maggiore della tensione applicata al catodo K del diodo JBS 50), una bassa tensione permette il passaggio di una elevata corrente operativa, ad esempio del valore di 10 A, dall?anodo A verso il catodo K del diodo JBS 50.
Infatti, i diodi Schottky di primo tipo 51 permettono un passaggio di corrente a fronte di tensioni dirette pi? basse rispetto ai diodi Schottky di secondo tipo 52, dal momento che la prima tensione di soglia di accensione ? pi? bassa della seconda tensione di soglia di accensione.
Complessivamente quindi, il diodo JBS 50 ha una soglia di accensione minore del diodo JBS 1 mostrato in figura 1, come mostrato nella simulazione mostrata in figura 3 eseguita dalla Richiedente, in cui la curva a linea continua mostra l'andamento della corrente I in funzione della tensione V per il diodo JBS 50 e la linea tratteggiata mostra lo stesso andamento per il diodo JBS 1 noto, in riferimento ad una cella elementare. Come si nota, con il diodo JBS 50 ? possibile ottenere il passaggio di una medesima corrente a fronte di una minore tensione di polarizzazione diretta applicata tra anodo A e catodo K.
Di conseguenza, il diodo JBS 50 ha un ridotto consumo energetico in polarizzazione diretta.
In polarizzazione inversa, al diodo JBS 50 possono essere applicate elevate tensioni tra l'anodo A e il catodo K, ad esempio comprese tra 600 V e 1300 V.
In polarizzazione inversa, le interfacce tra le regioni impiantate 62 e la regione di deriva 59 formano ciascuna una rispettiva regione svuotata, avente una ridotta concentrazione di portatori di carica, che abbassa localmente il campo elettrico generato dalle elevate tensioni, in particolare in prossimit? della prima superficie 55A del corpo 55.
Infatti, in questa forma di realizzazione, le regioni svuotate si estendono principalmente nella regione di deriva 59, dal momento che questa ha un livello di drogaggio inferiore rispetto alle regioni impiantate 62.
In particolare, le prime porzioni 59A della regione di deriva 59 si estendono ciascuna a distanza minore da una rispettiva giunzione PN rispetto alle seconde porzioni 59B della regione di deriva 59.
Le prime porzioni 59A risentono dunque maggiormente dell?influenza della rispettiva zona svuotata. Di conseguenza, le prime porzioni 59A sono soggette localmente, in prossimit? della prima superficie 55A del corpo 55, ad un campo elettrico medio minore rispetto al campo elettrico medio delle seconde porzioni 59B della regione di deriva 59.
In altre parole, il campo elettrico nella regione di deriva 59, in prossimit? della prima superficie 55A del corpo 55, ha un valore minimo in corrispondenza dell?interfaccia tra le prime porzioni 59A della regione di deriva 59 e le regioni impiantate 62 e aumenta allontanandosi dalle regioni impiantate 62 lungo il secondo asse Y, fino ad avere un valore massimo centralmente alle seconde porzioni 59B della regione di deriva 59, ovvero a massima distanza dalle regioni impiantate 62.
Tale comportamento elettrico ? mostrato nella simulazione di figura 4 eseguita dalla Richiedente, la quale mostra l?andamento del campo elettrico E lungo la linea 80 di figura 2A, estendentesi parallelamente alla prima superficie 55A fra l?interfaccia tra una regione impiantata 62 e una prima porzione 59A della regione di deriva 59 fino ad un punto centrale della seconda porzione 59B della regione di deriva 59.
I diodi Schottky di primo tipo 51 si estendono in corrispondenza delle prime porzioni 59A della regione di deriva 59 e quindi sono soggetti ad un campo elettrico medio ridotto.
I diodi Schottky di primo tipo 51 possono quindi garantire una ridotta corrente di perdita a fronte delle elevate tensioni applicate in polarizzazione inversa.
I diodi Schottky di secondo tipo 52 si estendono in corrispondenza delle seconde porzioni 59B della regione di deriva 59 e sono quindi soggetti ad un campo elettrico medio maggiore.
Tuttavia, i diodi Schottky di secondo tipo 52 hanno un?altezza di barriera ?2 maggiore dell?altezza di barriera ?1 e quindi possono garantire basse correnti di perdita anche in presenza di un campo elettrico pi? elevato.
Ne consegue che, complessivamente, il diodo JBS 50 ? in grado di ottenere ridotte correnti di perdita in polarizzazione inversa.
In fase di progettazione, mantenendo costante la distanza SY tra due regioni impiantate 62 adiacenti, la larghezza W1 e la distanza W2 possono essere modulate in base alle caratteristiche del diodo JBS 50 richieste da una specifica applicazione. Ad esempio, se ? preferibile ottenere una bassa tensione di polarizzazione diretta, la larghezza W1 pu? essere aumentata e la distanza W2 pu? essere diminuita. Viceversa, se ? preferibile ottenere una bassa corrente di perdita in polarizzazione inversa, la larghezza W1 pu? essere diminuita e la distanza W2 pu? essere aumentata.
Inoltre, il diodo JBS 50 pu? essere progettato in modo che la distanza SY tra due regioni impiantate 62 adiacenti sia elevata, ad esempio fino al punto in cui le regioni svuotate di due diodi PN 53 adiacenti sono in condizione di sovrapposizione ridotta.
La ridotta sovrapposizione di due regioni svuotate adiacenti causa un campo elettrico medio maggiore nelle seconde porzioni 59B della regione di deriva 59, rispetto ad un caso in cui la distanza SY ? minore. Tuttavia, la maggiore altezza di barriera dei diodi di secondo tipo 52 permette di compensare tale maggiore campo elettrico medio e quindi garantire una bassa corrente di perdita. Inoltre, una maggiore distanza SY consente al diodo JBS 50 di avere una minore resistenza al passaggio di corrente tra anodo e catodo, e quindi un ridotto consumo energetico, in polarizzazione diretta.
Nel caso in cui la distanza SY ? elevata infatti, l?area disponibile al passaggio di corrente dei diodi Schottky di primo e secondo tipo 51, 52, che dipende rispettivamente anche dalla larghezza W1 e dalla distanza W2, ha un valore pi? elevato rispetto al caso in cui la distanza SY ? minore. Di conseguenza, complessivamente, il diodo JBS 50 pu? avere una maggiore area a disposizione per il passaggio di corrente e dunque una minore resistenza in polarizzazione diretta.
In altre parole, il diodo JBS 50 ? in grado sia di fornire un ridotto consumo energetico in polarizzazione diretta sia una ridotta corrente di perdita in polarizzazione inversa. La figura 5 mostra un diodo JBS 100, secondo un?altra forma di realizzazione.
Il diodo JBS 100 ha una struttura analoga al diodo JBS 50, quindi elementi in comune sono dotati degli stessi numeri di riferimento.
In dettaglio, il diodo JBS 100 comprende diodi Schottky di primo e secondo tipo 101, 102 nonch? i diodi PN 53 ed ? formato nel corpo 55. Il corpo 55 comprende anche qui il substrato 57, la regione di deriva 59, le regioni impiantate 62 e le regioni di contatto ohmico 63; inoltre la regione di metallizzazione di catodo 54 si estende sulla seconda superficie 55B del corpo 55.
Il diodo JBS 100 comprende inoltre una pluralit? di regioni impiantate di anodo 105, di tipo N, estendentisi a partire dalla prima superficie 55A del corpo 55 all?interno della regione di deriva 59, a fianco di ciascuna regione impiantata 62. Le regioni impiantate di anodo 105 hanno un livello di drogaggio maggiore del livello di drogaggio della regione di deriva 59, ad esempio hanno concentrazione di atomi droganti superiore a 1?10<17 >at/cm<3 >e una profondit? ridotta, ad esempio compresa tra 10 nm e 100 nm.
In dettaglio, le regioni impiantate di anodo 105 si estendono ciascuna nella regione di deriva 59, contigua ad una rispettiva regione impiantata 62, hanno ciascuna larghezza W1 e sono poste alla distanza W2 da una rispettiva regione impiantata di anodo 105 adiacente, come precedentemente spiegato in riferimento al diodo JBS 50 per le prime porzioni 65A delle prime regioni di metallizzazione di anodo 65.
Le regioni impiantate di anodo 105 costituiscono quindi porzioni superficiali della regione di deriva 59 analoghe alle prime porzioni 59A del diodo JBS 50 ed aventi livello di drogaggio maggiore rispetto ad esse.
Una regione di metallizzazione di anodo 115, ad esempio di molibdeno, titanio o nichel, si estende sulla prima superficie 55A del corpo 55 e sulle regioni di contatto ohmico 63.
Prime porzioni 115A della regione di metallizzazione di anodo 115 in contatto elettrico diretto (Schottky) con le regioni impiantate di anodo 105 formano ciascuna un rispettivo diodo Schottky di primo tipo 101; ciascun diodo Schottky di primo tipo 101 ha, all'equilibrio, una barriera Schottky di altezza ?1.
Seconde porzioni 115B della regione di metallizzazione di anodo 115 in contatto elettrico diretto con le seconde porzioni 59B della regione di deriva 59, di larghezza pari alla distanza W2 fra due regioni impiantate di anodo 105 adiacenti, formano ciascuna un rispettivo diodo Schottky di secondo tipo 102; ciascun diodo Schottky di secondo tipo 102 ha, all'equilibrio, una barriera Schottky di altezza ?2 maggiore rispetto ai diodi Schottky di primo tipo 101.
In questa forma di realizzazione, la differenza di altezza di barriera tra i diodi Schottky di primo e di secondo tipo 101, 102 dipende dalla differenza tra il livello di drogaggio delle regioni impiantate di anodo 105 e della regione di deriva 59. Tale differenza pu? essere regolata, in fase di progettazione, a seconda delle specifiche applicazioni.
Come spiegato precedentemente in riferimento al diodo JBS 50, le giunzioni Schottky dei diodi Schottky di primo tipo 101 hanno un?altezza di barriera inferiore e sono soggette a campi elettrici inferiori rispetto alle giunzioni Schottky dei diodi Schottky di secondo tipo 102.
Complessivamente, dunque, il diodo JBS 100 ha un ridotto consumo energetico, una bassa corrente di perdita e una elevata capacit? di adattamento a diverse condizioni operative.
La figura 6 mostra un?ulteriore forma di realizzazione del presente diodo JBS, qui indicato come diodo JBS 200.
Il diodo JBS 200 ha una struttura generale analoga ai diodi JBS 50, 100, quindi elementi in comune sono dotati degli stessi numeri di riferimento.
In dettaglio, il diodo JBS 200 comprende diodi Schottky di primo e secondo tipo 201, 202 nonch? i diodi PN 53 ed ? formato nel corpo 55 comprendente il substrato 57; il substrato comprende anche qui la regione di deriva 59, le regioni impiantate 62, le regioni di contatto ohmico 63 e le regioni impiantate di anodo 105. Inoltre, la regione di metallizzazione di catodo 54 si estende sulla seconda superficie 55B del corpo 55.
Inoltre, il diodo JBS 200 comprende prime regioni di metallizzazione di anodo 215 e una seconda regione di metallizzazione di anodo 216 che si estendono sulla prima superficie 55A del corpo 55.
Le prime regioni di metallizzazione di anodo 215 hanno forma analoga alle prime regioni di metallizzazione di anodo 65 descritte in riferimento al diodo JBS 50 di figura 2 e sono anch?esse del primo materiale metallico, ad esempio molibdeno.
In particolare, le prime regioni di metallizzazione di anodo 215 comprendono ciascuna una pluralit? di porzioni includenti almeno una prima porzione 215A avente larghezza W1 e sovrapposta ad e in contatto elettrico diretto (Schottky) con una rispettiva regione impiantata di anodo 105. In questa forma di realizzazione, ciascuna prima regione di metallizzazione di anodo 215 comprende anche una seconda porzione 215B che si estende al di sopra di una rispettiva regione impiantata 62 e di una rispettiva regione di contatto ohmico 63 ed ? in contatto elettrico diretto con queste.
Le prime porzioni 215A delle prime regioni di metallizzazione di anodo 215 in contatto Schottky con le rispettive regioni impiantate di anodo 105 formano i diodi Schottky di primo tipo 201, aventi ciascuno una giunzione Schottky avente, all'equilibrio, una barriera Schottky di altezza ?1.
La seconda regione di metallizzazione di anodo 216 ? del secondo materiale metallico, ad esempio titanio o nichel, si estende sulla prima superficie 55A del corpo 55 e sulle prime regioni di metallizzazione di anodo 215.
Di conseguenza, porzioni 216A della seconda regione di metallizzazione di anodo 216 sono in contatto elettrico diretto (Schottky) con le seconde porzioni 59B della regione di deriva 59 disposte tra due regioni impiantate di anodo 105 adiacenti, quindi aventi larghezza pari alla distanza W2. Le porzioni 216A della seconda regione di metallizzazione di anodo 216 formano con le seconde porzioni 59B della regione di deriva 59 i diodi Schottky di secondo tipo 202, aventi ciascuno una giunzione Schottky avente, all'equilibrio, una barriera di altezza ?2 maggiore della barriera di altezza ?1 dei diodi Schottky primo tipo 201.
In questa forma di realizzazione, l?altezza di barriera dei diodi di primo e secondo tipo 201, 202 pu? essere regolata sia modificando la differenza tra il livello di drogaggio delle regioni impiantate di anodo 105 e della regione di deriva 59, sia dalla differenza di altezza di barriera indotta dal primo e dal secondo materiale metallico che forma rispettivamente le prime regioni di metallizzazione di anodo 215 e la seconda regione di metallizzazione di anodo 216.
Il diodo JBS 200 ha dunque vantaggi simili a quanto spiegato in precedenza relativamente ai diodi JBS 50, 100 e ha una maggiore versatilit? di adattamento a diverse condizioni operative, regolabili in fase di progettazione.
La figura 7 mostra un?ulteriore forma di realizzazione del presente diodo JBS, qui indicato come diodo JBS 250. Il diodo JBS 250 ha struttura simile al diodo JBS 200 e dunque elementi in comune sono indicati dagli stessi numeri di riferimento.
Il diodo JBS 250 comprende diodi Schottky di primo, secondo e terzo tipo 251, 252, 253, disposti in parallelo ai diodi PN 53.
In dettaglio, in questa forma di realizzazione, porzioni 265A di prime regioni di metallizzazione di anodo 265 (analoghe alle prime porzioni 215A delle prime regioni di metallizzazione di anodo 215 del diodo JBS 200), si estendono ciascuna su una prima porzione 105A di una rispettiva regione impiantata di anodo 105 contigua ad una rispettiva regione impiantata 62, per una larghezza minore della larghezza W1 delle regioni impiantate di anodo 105.
Una seconda regione di metallizzazione di anodo 266 (analoga alla seconda regione di metallizzazione di anodo 216 del diodo JBS 200), si estende sulla prima superficie 55A del corpo 55.
In dettaglio, prime porzioni 266A della seconda regione di metallizzazione di anodo 266 sono in contatto elettrico diretto (Schottky) con le seconde porzioni 59B della regione di deriva 59 e seconde porzioni 266B della seconda regione di metallizzazione di anodo 266 sono in contatto elettrico diretto (Schottky) con seconde porzioni 105B delle regioni impiantate di anodo 105 contigue alle prime porzioni 105A.
Le seconde porzioni 105B delle regioni impiantate di anodo 105 sono dunque disposte ciascuna tra una rispettiva prima porzione 105A delle regioni impiantate di anodo 105 e una rispettiva seconda porzione 59B della regione di deriva 59.
Inoltre, le seconde porzioni 105B delle regioni impiantate di anodo 105 hanno ciascuna distanza maggiore di una rispettiva prima porzione 105A da una medesima rispettiva regione impiantata 62; e distanza minore di una rispettiva seconda porzione 59B dalla medesima rispettiva regione impiantata 62.
In altre parole, le prime porzioni 265A delle prime regioni di metallizzazione di anodo 265 in contatto elettrico diretto con le prime porzioni 105A delle regioni impiantate di anodo 105 formano giunzioni Schottky che hanno una barriera, all'equilibrio, di un?altezza ?1 e che formano i diodi Schottky di primo tipo 251.
Le prime porzioni 266A della seconda regione di metallizzazione di anodo 266 in contatto elettrico diretto con le seconde porzioni 59B della regione di deriva 59 formano giunzioni Schottky che hanno una barriera, all'equilibrio, di un?altezza ?2 maggiore dell?altezza ?1 e che formano i diodi Schottky di secondo tipo 252.
Le seconde porzioni 266B della seconda regione di metallizzazione di anodo 266 in contatto elettrico diretto con le seconde porzioni 105B delle regioni impiantate di anodo 105 formano giunzioni Schottky che hanno una barriera, all'equilibrio, di un?altezza ?3 maggiore dell?altezza ?1 e minore dell?altezza ?2, e che formano i diodi Schottky di terzo tipo 253.
I diodi Schottky di terzo tipo 253 hanno quindi una tensione di soglia di accensione inferiore a quella dei diodi Schottky di secondo tipo 252. Dunque, complessivamente, il diodo JBS 250 ha una ridotta soglia di accensione e un conseguente ridotto consumo energetico.
Inoltre, i diodi Schottky di terzo tipo 253 sono disposti in corrispondenza delle seconde porzioni 105B delle regioni impiantate di anodo 105, le quali, essendo disposte ad una distanza da una regione impiantata 62 adiacente che ? minore della distanza delle seconde porzioni 59B dalla stessa regione impiantata 62 adiacente, sono soggette, in polarizzazione inversa, ad un campo elettrico medio pi? basso rispetto alle seconde porzioni 59B della regione di deriva 59.
Quindi, complessivamente, i diodi Schottky di primo, secondo e terzo tipo 251, 252, 253 possono anche garantire ridotte correnti di perdita per il diodo JBS 250.
Qui di seguito vengono descritte le fasi di fabbricazione dei diodi JBS 50, 100, 200, 250.
Il diodo JBS 50 pu? essere fabbricato a partire da una fetta (?wafer?) 300 di carburo di silicio (SiC), mostrata in sezione trasversale in figura 8, avente una prima e una seconda superficie 300A, 300B, e gi? sottoposta a prime fasi di lavorazione note.
In particolare, in figura 8, la fetta 300 ? gi? stata lavorata in modo da formare il corpo 55 (la cui prima e seconda superficie 55A, 55B corrispondono rispettivamente alla prima e alla seconda superficie 300A, 300B della fetta 300) comprendente il substrato 57, la regione di deriva 59, le regioni impiantate 62 e le regioni di contatto ohmico 63.
Successivamente, figura 9, un primo strato di metallizzazione 305, del primo materiale metallico, ad esempio molibdeno, ? depositato sulla prima superficie 300A della fetta 300 e definito (?patterned?), figura 10, tramite noti passaggi litografici, in modo da formare le prime regioni di metallizzazione di anodo 65.
Successivamente, figura 11, un secondo strato di metallizzazione 306, del secondo materiale metallico, ad esempio titanio o nichel, ? depositato sulla prima superficie 300A della fetta 300 in modo da formare la seconda regione di metallizzazione di anodo 66.
Seguono note fasi di lavorazione quali ad esempio assottigliamento del substrato 57, formazione della regione di metallizzazione di catodo sulla seconda superficie 300B della fetta 300, taglio (?dicing?) della fetta 300 e incapsulamento per ottenere il diodo JBS 50.
Il diodo JBS 100 pu? essere fabbricato a partire da una fetta 400 di carburo di silicio mostrata in figura 12. La fetta 400 ? analoga alla fetta 300 mostrata in figura 8, di conseguenza elementi simili sono indicati dagli stessi numeri di riferimento.
In dettaglio, la fetta 400, avente una prima e una seconda superficie 400A, 400B, ? gi? stata lavorata in modo da formare il substrato 57, la regione di deriva 59 e le regioni impiantate 62.
Successivamente, figura 13, una maschera dura 401, comprendente una pluralit? di finestre 402, ? realizzata sulla prima superficie 400A della fetta 400. Le finestre 402 sono disposte sopra le regioni impiantate 62 e sopra porzioni della regione di deriva contigue alle rispettive regioni impiantate 62, dove si intende formare le regioni impiantate di anodo 105.
Le finestre 402 sono utilizzate per impiantare ioni, come schematicamente rappresentato dalle frecce 405, e formare regioni drogate 410, qui di tipo N, destinate a formare le regioni impiantate di anodo 105.
Gli ioni possono essere impiantati con una dose ad esempio compresa tra 10<11 >e 10<13 >at/cm<2>, in particolare di 10<12 >at/cm<2>; tale dose ? infatti sufficiente ad incrementare il livello di drogaggio delle rispettive porzioni della regione di deriva 59, senza compromettere il drogaggio delle regioni impiantate 62.
In alternativa, la maschera dura 401 pu? comprendere porzioni (non mostrate) che si estendono anche sopra le regioni impiantate 62, in modo che le finestre 402 siano disposte solamente sopra le porzioni della regione di deriva 59 dove si intende formare le regioni impiantate di anodo 105.
In modo non mostrato ma noto, la maschera dura 401 ? quindi rimossa e la fetta 400 ? sottoposta ad un trattamento termico (?annealing?) per l?attivazione delle regioni drogate 410, ad esempio a temperatura maggiore di 1500?C, in modo da formare le regioni impiantate di anodo 105 (figura 14).
Successivamente, figura 14, vengono formate, in modo noto, le regioni di contatto ohmico 63 e viene depositato un primo strato di metallizzazione 406, del secondo materiale metallico, ad esempio titanio o nichel, sulla prima superficie 400A della fetta 400 in modo da formare la seconda regione di metallizzazione di anodo 115.
Seguono note fasi di lavorazione quali ad esempio assottigliamento del substrato 57, formazione della regione di metallizzazione di catodo sulla seconda superficie 400B della fetta 400, taglio (?dicing?) della fetta 400 e incapsulamento per ottenere il diodo JBS 100.
Risulter? chiaro al tecnico del ramo che i diodi JBS 200, 250 possono essere ottenuti, a partire dalla fetta 400 di figura 12, attraverso passaggi analoghi a quelli gi? descritti in riferimento alle figure 9-14 relativi ai diodi JBS 50, 100 e dunque non ulteriormente mostrati.
Risulta infine chiaro che al dispositivo elettronico a semiconduttore ad ampia banda proibita qui e al relativo procedimento di fabbricazione qui descritti ed illustrati possono essere apportate modifiche e varianti senza per questo uscire dall?ambito protettivo della presente invenzione, come definito nelle rivendicazioni allegate.
Ad esempio, i tipi di conducibilit?, P ed N, possono essere invertiti e quanto sopra descritto pu? essere applicato anche ad un diodo MPS (?merged PiN Schottky?).

Claims (16)

RIVENDICAZIONI
1. Dispositivo elettronico di potenza a conduzione verticale (50; 100; 200; 250) comprendente:
un corpo (55) di materiale semiconduttore ad ampia banda proibita avente un primo tipo di conducibilit? e una superficie (55A), il corpo includendo una regione di deriva (59) e una pluralit? di porzioni superficiali (59A, 59B; 105, 105A, 105B) delimitate dalla superficie;
una pluralit? di prime regioni impiantate (62) di un secondo tipo di conducibilit? estendentisi nella regione di deriva a partire dalla superficie;
una pluralit? di porzioni metalliche (65A, 66A; 115A, 115B; 215A, 216A; 265A, 266A, 266B) disposte sulla superficie (55A), ciascuna porzione metallica essendo in contatto Schottky con una rispettiva porzione superficiale della pluralit? di porzioni superficiali, in modo da formare una pluralit? di diodi Schottky (51, 52; 101, 102; 201, 202; 251, 252, 253) includenti primi diodi Schottky e secondi diodi Schottky,
in cui i primi diodi Schottky hanno, all?equilibrio, una barriera Schottky di altezza diversa dai secondi diodi Schottky.
2. Dispositivo elettronico secondo la rivendicazione precedente, in cui i primi diodi Schottky (51; 101; 201; 251) comprendono prime porzioni metalliche (65A; 115A; 215A; 265A) della pluralit? di porzioni metalliche e prime porzioni superficiali della pluralit? di porzioni superficiali (59A; 105; 105A), le prime porzioni metalliche essendo in contatto Schottky con le prime porzioni superficiali e formando, all?equilibrio, una barriera Schottky di una prima altezza (?1); in cui i secondi diodi Schottky (52; 102; 202; 252) comprendono seconde porzioni metalliche (66A; 115B; 216A; 266A) della pluralit? di porzioni metalliche e seconde porzioni superficiali (59B) della pluralit? di porzioni superficiali, le seconde porzioni metalliche essendo in contatto Schottky con le seconde porzioni superficiali e formando, all?equilibrio, una barriera Schottky di una seconda altezza (?2); la prima altezza essendo minore della seconda altezza.
3. Dispositivo elettronico secondo la rivendicazione precedente, in cui le prime porzioni superficiali (59A; 105; 105A) sono disposte ciascuna ad una prima distanza da una rispettiva prima regione impiantata (62); le seconde porzioni superficiali (59B) sono disposte ciascuna ad una seconda distanza dalla medesima rispettiva prima regione impiantata, la prima distanza essendo minore della seconda distanza.
4. Dispositivo elettronico secondo una qualsiasi delle rivendicazioni 2-3, in cui:
le prime porzioni metalliche (65A; 115A; 215A; 265A) sono di un primo materiale metallico e le seconde porzioni metalliche (66A; 115B; 216A; 266A) sono di un secondo materiale metallico;
la regione di deriva, le prime e le seconde porzioni superficiali hanno il primo tipo di conducibilit?; e
il primo materiale metallico ? diverso dal secondo materiale metallico e/o le prime e le seconde porzioni superficiali hanno diverso livello di drogaggio.
5. Dispositivo elettronico secondo la rivendicazione precedente, in cui la regione di deriva, le prime e le seconde porzioni superficiali hanno lo stesso livello di drogaggio e il primo materiale metallico ? diverso dal secondo materiale metallico.
6. Dispositivo elettronico secondo la rivendicazione 4, in cui le prime porzioni superficiali hanno un primo livello di drogaggio e le seconde porzioni superficiali hanno un secondo livello di drogaggio minore del primo livello di drogaggio e il primo materiale metallico ? diverso dal secondo materiale metallico.
7. Dispositivo elettronico secondo la rivendicazione 5 o 6, in cui ciascuna prima porzione superficiale ? contigua a una rispettiva prima regione impiantata ed ? disposta fra la rispettiva prima regione impiantata e una rispettiva seconda porzione superficiale, il dispositivo elettronico comprendendo inoltre una pluralit? di prime regioni metalliche (65; 215) ed una seconda regione metallica (66; 216), ciascuna prima regione metallica comprendendo una porzione di contatto ohmico (65B; 215B) sovrastante una rispettiva prima regione impiantata ed una porzione di contatto Schottky (65A; 215A) formante una rispettiva prima porzione metallica a contatto con una rispettiva prima porzione superficiale (59A) e la seconda regione metallica estendendosi al di sopra delle prime regioni metalliche e formando le seconde porzioni metalliche a contatto con le seconde porzioni superficiali (59B).
8. Dispositivo elettronico secondo la rivendicazione 6, comprendente inoltre terzi diodi Schottky (253) includenti terze porzioni metalliche (266B) della pluralit? di porzioni metalliche e terze porzioni superficiali (105B) della pluralit? di porzioni superficiali, le terze porzioni metalliche essendo in contatto Schottky con le terze porzioni superficiali (105B) e formando, all?equilibrio, una barriera Schottky di una terza altezza (?3); le terze porzioni superficiali avendo il primo livello di drogaggio ed essendo disposte ciascuna tra una rispettiva prima e una rispettiva seconda porzione superficiale (105A, 59B); e la terza altezza (?3) essendo maggiore della prima altezza (?1) e minore della seconda (?2) altezza.
9. Dispositivo elettronico secondo la rivendicazione precedente, in cui ciascuna prima porzione superficiale ? contigua a una rispettiva prima regione impiantata, il dispositivo elettronico comprendendo inoltre una pluralit? di prime regioni metalliche (265) ed una seconda regione metallica (266), ciascuna prima regione metallica comprendendo una porzione di contatto ohmico (265B) sovrastante una rispettiva prima regione impiantata ed una porzione di contatto Schottky (265A) formante una rispettiva prima porzione metallica a contatto con una rispettiva prima porzione superficiale, e la seconda regione metallica estendendosi al di sopra delle prime regioni metalliche e formando le seconde porzioni metalliche (266A) a contatto con le seconde porzioni superficiali (59B)e le terze porzioni metalliche (266B) a contatto con le terze porzioni superficiali (105B).
10. Dispositivo elettronico secondo la rivendicazione 4, in cui:
le prime porzioni superficiali (105) hanno un primo livello di drogaggio e le seconde porzioni superficiali (59B) hanno un secondo livello di drogaggio minore del primo livello di drogaggio e in cui il primo materiale metallico ? uguale al secondo materiale metallico.
11. Dispositivo elettronico secondo la rivendicazione precedente, in cui ciascuna prima porzione superficiale ? contigua ad una rispettiva prima regione impiantata (62) ed ? disposta fra la rispettiva prima regione impiantata e una rispettiva seconda porzione superficiale; le prime porzioni superficiali sono formate da seconde regioni impiantate (105); e le prime e le seconde porzioni metalliche (115A, 115B) formano una singola regione metallica (115) estendentesi al di sopra e in contatto elettrico diretto con le seconde regioni impiantate e le seconde porzioni superficiali.
12. Dispositivo elettronico secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, comprendente inoltre una pluralit? di regioni conduttive (63), le regioni conduttive essendo ciascuna in contatto ohmico con una rispettiva regione impiantata (62) e con una rispettiva porzione metallica.
13. Procedimento di fabbricazione di un dispositivo elettronico di potenza a conduzione verticale, a partire da una fetta (300; 400) di materiale semiconduttore ad ampia banda proibita avente un primo tipo di conducibilit? e una superficie (300A; 400A), la fetta includendo una regione di deriva (59) e una pluralit? di prime regioni impiantate (62), la pluralit? di prime regioni impiantate avendo un secondo tipo di conducibilit? ed estendendosi nella regione di deriva a partire dalla superficie, il procedimento comprendendo le fasi di:
- formare una pluralit? di porzioni metalliche (65A, 66A; 115A, 115B; 215A, 216A; 265A, 266A, 266B) sulla superficie, ciascuna porzione metallica essendo in contatto Schottky con la regione di deriva in corrispondenza di una pluralit? di porzioni superficiali (59A, 59B; 105) della regione di deriva, ciascuna porzione superficiale essendo delimitata dalla superficie;
in modo da formare una pluralit? di diodi Schottky (51, 52; 101, 102; 201, 202; 251, 252, 253) includenti primi diodi Schottky e secondi diodi Schottky, in cui i primi diodi Schottky hanno, all?equilibrio, una barriera Schottky di altezza diversa dai secondi diodi Schottky.
14. Procedimento secondo la rivendicazione precedente, in cui formare una pluralit? di porzioni metalliche comprende depositare uno strato (406) di materiale metallico, il procedimento comprendendo inoltre la fase di:
introdurre specie droganti del primo tipo di conducibilit? in corrispondenza delle porzioni superficiali.
15. Procedimento secondo la rivendicazione 13, in cui formare una pluralit? di porzioni metalliche comprende:
- depositare un primo strato (305) di un primo materiale metallico;
- definire il primo strato in modo da formare prime porzioni metalliche (65A; 115A; 215A; 265A) in contatto Schottky con prime porzioni superficiali (59A; 105; 105A) della pluralit? di porzioni superficiali;
- depositare un secondo strato (306) di un secondo materiale metallico.
16. Procedimento secondo la rivendicazione 13 o 15, in cui la regione di deriva ha il primo tipo di conducibilit? e un primo livello di drogaggio, il procedimento comprendendo inoltre:
- impiantare selettivamente ioni del primo tipo di conducibilit? nella regione di deriva in zone superficiali circondanti le regioni impiantate (62), in modo da formare regioni drogate (410) aventi ciascuna un secondo livello di drogaggio maggiore del primo livello di drogaggio.
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