KR101416552B1 - 표면 플라즈몬 필터와 폴리머 필터를 이용한 이미지 센서 - Google Patents
표면 플라즈몬 필터와 폴리머 필터를 이용한 이미지 센서 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101416552B1 KR101416552B1 KR1020130047847A KR20130047847A KR101416552B1 KR 101416552 B1 KR101416552 B1 KR 101416552B1 KR 1020130047847 A KR1020130047847 A KR 1020130047847A KR 20130047847 A KR20130047847 A KR 20130047847A KR 101416552 B1 KR101416552 B1 KR 101416552B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- metal layer
- filter
- image sensor
- metal
- surface plasmon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/811—Interconnections
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/805—Coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/806—Optical elements or arrangements associated with the image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
Description
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서의 단면을 개략적으로 나타낸 도면.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 각 메탈 레이어의 구성 형상을 나타낸 도면.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표면 플라즈몬 필터의 구성 형상을 나타낸 도면.
도 5a 및 도 5b는 각각 도 4의 표면 플라즈몬 필터를 이용한 이미지 센서의 단면을 나타낸 도면.
도 6a 및 도 6b는 각각 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 이미지 센서의 단면을 개략적으로 나타낸 도면.
120 : 전도성 폴리머층 125 : 제1 메탈 레이어(M1)
130 : 제2 메탈 레이어(M2) 135 : 제3 메탈 레이어(M3)
140 : 포토 다이오드 150 : 조정 회로부
Claims (7)
- 이미지 센서에 있어서,
마이크로 렌즈;
하나 이상의 포토 다이오드가 형성되는 기판; 및
상기 마이크로 렌즈와 상기 기판 사이에 배치되고, 수직적으로 적층되도록 배치되는 복수의 메탈 레이어가 형성되는 층간 절연막을 포함하되,
소정의 채널로 지정된 포토 다이오드의 상부에 형성된 상기 복수의 메탈 레이어 중 어느 하나는 표면 플라즈마 필터로 기능하도록 형성되고,
상기 복수의 메탈 레이어는,
조정 회로부와 전기적으로 연결되는 제1 메탈 레이어(M1);
상기 표면 플라즈마 필터로 기능하도록 격자형 구조로 구성되는 제2 메탈 레이어(M2); 및
상기 제1 메탈 레이어(M1)과 상기 제2 메탈 레이어(M2)가 전기적으로 연결되도록 비아(via) 또는 메탈 컨택(matal contact)으로 기능하는 제3 메탈 레이어(M3)를 포함하되,
상기 제3 메탈 레이어(M3)의 일측은 상기 제2 메탈 레이어의 격자형 구조의 홀(hole)의 내부 둘레면 일측에 접촉된 상태로 관통 삽입되도록 배치되고, 상기 홀에 삽입된 상기 제3 메탈 레이어(M3)의 일측의 길이는 상기 제2 메탈 레이어(M2)의 두께보다 상대적으로 긴 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 제2 메탈 레이어(M2)의 일 영역은 타 영역에 비해 상대적으로 배선의 폭이 넓은 불규칙 영역으로 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 마이크로 렌즈와 상기 표면 플라즈마 필터로 기능하는 메탈 레이어의 사이에는 폴리머 컬러 필터 및 전도성 폴리머층 중 하나 이상이 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제1항에 있어서,
상기 조정 회로부는 상기 제1 메탈 레이어(M1)로 소정의 펄스 신호, 소정의 노이즈 신호 및 소정의 직류 전압 신호 중 하나 이상을 인가하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
- 제6항에 있어서,
상기 조정 회로부와 상기 제1 메탈 레이어(M1) 사이에는 스위치가 개재(介在)되는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130047847A KR101416552B1 (ko) | 2013-04-30 | 2013-04-30 | 표면 플라즈몬 필터와 폴리머 필터를 이용한 이미지 센서 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130047847A KR101416552B1 (ko) | 2013-04-30 | 2013-04-30 | 표면 플라즈몬 필터와 폴리머 필터를 이용한 이미지 센서 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR101416552B1 true KR101416552B1 (ko) | 2014-08-13 |
Family
ID=51748675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020130047847A Expired - Fee Related KR101416552B1 (ko) | 2013-04-30 | 2013-04-30 | 표면 플라즈몬 필터와 폴리머 필터를 이용한 이미지 센서 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101416552B1 (ko) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108225576A (zh) * | 2017-12-14 | 2018-06-29 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种红外探测器及其制造方法 |
| EP3557628A4 (en) * | 2016-12-13 | 2020-05-20 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | IMAGE CAPTURE ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE |
| US11024662B2 (en) | 2018-10-02 | 2021-06-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Dual image sensor |
| US11906764B2 (en) | 2020-04-29 | 2024-02-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical filters and image sensors and camera modules and electronic devices |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20090047588A (ko) * | 2007-11-08 | 2009-05-13 | (주)실리콘화일 | 이미지 센서 |
| KR20100122058A (ko) * | 2009-05-11 | 2010-11-19 | 소니 주식회사 | 2차원 고체 촬상 장치, 및 2차원 고체 촬상 장치에서의 편광광 데이터 처리 방법 |
| KR20120025973A (ko) * | 2010-09-08 | 2012-03-16 | 소니 주식회사 | 촬상 소자 및 촬상 장치 |
| KR20120029324A (ko) * | 2010-09-15 | 2012-03-26 | 소니 주식회사 | 촬상 소자 및 촬상 장치 |
-
2013
- 2013-04-30 KR KR1020130047847A patent/KR101416552B1/ko not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20090047588A (ko) * | 2007-11-08 | 2009-05-13 | (주)실리콘화일 | 이미지 센서 |
| KR20100122058A (ko) * | 2009-05-11 | 2010-11-19 | 소니 주식회사 | 2차원 고체 촬상 장치, 및 2차원 고체 촬상 장치에서의 편광광 데이터 처리 방법 |
| KR20120025973A (ko) * | 2010-09-08 | 2012-03-16 | 소니 주식회사 | 촬상 소자 및 촬상 장치 |
| KR20120029324A (ko) * | 2010-09-15 | 2012-03-26 | 소니 주식회사 | 촬상 소자 및 촬상 장치 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3557628A4 (en) * | 2016-12-13 | 2020-05-20 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | IMAGE CAPTURE ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE |
| US11044446B2 (en) | 2016-12-13 | 2021-06-22 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging device and electronic apparatus |
| US11483525B2 (en) | 2016-12-13 | 2022-10-25 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging device and electronic apparatus |
| EP4068365A3 (en) * | 2016-12-13 | 2022-11-16 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging device and electronic apparatus |
| CN108225576A (zh) * | 2017-12-14 | 2018-06-29 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种红外探测器及其制造方法 |
| CN108225576B (zh) * | 2017-12-14 | 2021-03-02 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种红外探测器及其制造方法 |
| US11024662B2 (en) | 2018-10-02 | 2021-06-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Dual image sensor |
| US11996430B2 (en) | 2018-10-02 | 2024-05-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Dual image sensor |
| US11906764B2 (en) | 2020-04-29 | 2024-02-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical filters and image sensors and camera modules and electronic devices |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101232282B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| US11177302B2 (en) | CMOS image sensor structure with microstructures formed on semiconductor layer | |
| KR100658930B1 (ko) | 칼라별 초점 거리 조절이 가능한 이미지센서 및 그 제조방법 | |
| US20160099280A1 (en) | Image sensors and methods of forming the same | |
| US20170110501A1 (en) | Phase detection autofocus techniques | |
| KR101688307B1 (ko) | 비평면 광학 인터페이스를 구비한 이면 조사형 이미지 센서 | |
| US10566377B2 (en) | Self-aligned optical grid on image sensor | |
| CN101339952A (zh) | 固体摄像装置和其制造方法 | |
| KR100826407B1 (ko) | 자외선 수광용 포토 다이오드 및 이를 포함하는 이미지센서 | |
| CN104009048A (zh) | Cmos图像传感器及其制备方法 | |
| KR101416552B1 (ko) | 표면 플라즈몬 필터와 폴리머 필터를 이용한 이미지 센서 | |
| KR100905230B1 (ko) | 이미지 센서 | |
| US20220262845A1 (en) | Lens structure configured to increase quantum efficiency of image sensor | |
| US9204068B2 (en) | Solid-state photodiode imaging device and method of manufacturing the same | |
| JP2006319329A (ja) | 埋め込まれたレンズを有するイメージセンサー | |
| KR20140075898A (ko) | 이미지센서 및 그 제조 방법 | |
| TWI884979B (zh) | 光電轉換元件、攝像元件及攝像系統 | |
| JP2014022649A (ja) | 固体撮像素子、撮像装置、及び電子機器 | |
| KR100720461B1 (ko) | 이미지 센서 및 그의 제조방법 | |
| KR100685875B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| KR102420729B1 (ko) | 이미지 센서의 양자 효율을 증가시키도록 구성되는 렌즈 구조물 | |
| KR100907892B1 (ko) | 이미지 센서 및 그의 제조 방법 | |
| WO2016039046A1 (ja) | 裏面入射型固体撮像装置 | |
| CN113224086B (zh) | 图像感测装置 | |
| KR20110071260A (ko) | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109 |
|
| PA0201 | Request for examination |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000 |
|
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902 |
|
| E13-X000 | Pre-grant limitation requested |
St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000 |
|
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701 |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002 Fee payment year number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration |
St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000 |
|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001 Fee payment year number: 4 |
|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
| PC1903 | Unpaid annual fee |
St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903 Not in force date: 20180702 Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE |
|
| PC1903 | Unpaid annual fee |
St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903 Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE Not in force date: 20180702 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000 |
|
| R18-X000 | Changes to party contact information recorded |
St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000 |
|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000 |