KR101232282B1 - 이미지 센서 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 광도파로의 광집속능력을 향상시킬 수 있는 이미지 센서 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 다수의 단위픽셀영역을 갖는 기판; 각 단위픽셀영역의 기판에 형성된 수광소자; 상기 기판상에 형성된 층간절연막; 상기 수광소자에 대응하여 상기 층간절연막에 형성된 광도파로; 상기 단위픽셀영역에 대응하여 상기 층간절연막 상에 형성된 집속패턴; 상기 기판 전면에 형성되어 상기 집속패턴을 덮는 평탄화막; 및 상기 단위픽셀영역에 대응하여 상기 평탄화막 상에 형성된 랜즈를 포함하는 이미지 센서를 제공한다.
Description
본 발명은 반도체 장치의 제조 기술에 관한 것으로, 특히 광도파로(Lightguide)를 구비한 이미지 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
이미지 센서는 광학적 이미지(optical image)를 전기신호로 변환시키는 장치이다. 최근, 디자인룰이 감소함에 따라 이미지 센서의 단위픽셀(Unit Pixel) 사이즈가 감소하여 각 단위픽셀 동작에 가장 직접적인 영향을 미치는 감지특성(Sensitivity)이 저하되는 문제점이 발생하고 있다. 감지특성의 저하는 신호대잡음비(Signal to Noise Ratio, SNR)를 증가시켜 이미지 센서를 통해 획득한 이미지의 품질(quality)을 열화시키는 직접적인 원인으로 작용한다.
이를 해결하기 위하여 전면조사방식(Front Side Illumination, FSI)의 이미지 센서에서는 광도파로(Lightguide)를 도입하게 되었다. 이하, 도 1을 참조하여 광도파로를 구비한 이미지 센서에 대하여 보다 구체적으로 설명한다.
도 1은 종래기술에 따른 이미지 센서를 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하여 종래기술에 따른 이미지 센서를 살펴보면, 다수의 단위픽셀영역을 갖는 기판(11)에는 단위픽셀영역에 대응하여 수광소자(13)가 형성되어 있고, 각각의 수광소자(13)는 소자분리막(12)에 의하여 분리되어 있다. 기판(11)상에는 다층의 금속배선(16)을 포함하는 층간절연막(14)이 형성되어 있고, 층간절연막(14)에는 각각의 수광소자(13)에 대응하여 광도파로(15)가 형성되어 있다. 단위픽셀영역에 대응하여 층간절연막(14) 상에는 RGB 구조의 컬러필터(17)가 형성되어 있고, 컬러필터(17) 상에는 평탄화막(18)이 형성되어 있다. 그리고, 평탄화막(18) 상에는 각각의 수광소자(13)에 대응하여 반구형 랜즈(19)가 형성되어 있다.
하지만, 종래기술에 따른 이미지 센서는 층간절연막(14) 내 형성된 금속배선(16)등에 의하여 광도파로(15)의 개구부 면적이 제한되기 때문에 광집속능력에 한계가 있다는 문제점이 있다.
또한, 종래기술은 광도파로(15)에 입사되는 광의 전반사조건(total reflection)을 만족시키는 입사각을 확보하기 위하여 인접한 랜즈(19)가 소정 간격 이격되도록 형성하나, 전반사조건을 만족시키는 입사각에는 제한이 있기 때문에 랜즈(19)의 설계마진을 확보하기 어렵다는 문제점이 있다. 또한, 랜즈(19)와 랜즈(19) 사이로 입사되는 광이 수광소자(13)에 도달하지 못하고 손실되는 문제점이 있다.
한편, 랜즈(19) 설계마진에 따른 문제점을 해결하기 위하여 인접한 랜즈(19)가 서로 접하도록 형성하여도 단위픽셀영역의 가장자리에서 균일한 특성이 확보되지 않는다면, 랜즈(19)에 비스듬하게(Oblique) 입사하는 광에 대한 타겟 단위픽셀영역으로의 광집속에 한계를 가져와 광학적 쉐이딩(optical shading) 특성의 왜곡을 초래하는 문제점이 발생한다.
상술한 광도파로(15)의 개구부 면적 제한에 따른 광집속능력 및 전반사조건을 만족시키기 위한 랜즈(19) 설계마진에 따른 문제점을 개선하기 위해서는 광도파로(15)를 구성하는 물질로 고가의 고굴절률을 갖는 물질(high refractive index material)을 사용해야하나, 이는 이미지 센서의 생산비용을 증가시켜 제품경쟁력을 열화시키는 문제점을 야기한다.
본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 광도파로의 광집속능력을 향상시킬 수 있는 이미지 센서 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 랜즈 설계마진을 확보할 수 있는 이미지 센서 및 그 제조방법을 제공하는데 다른 목적이 있다.
또한, 본 발명은 생산비용을 절감할 수 있는 이미지 센서 및 그 제조방법을 제공하는데 또 다른 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 일 측면에 따른 본 발명은 다수의 단위픽셀영역을 갖는 기판; 각 단위픽셀영역의 기판에 형성된 수광소자; 상기 기판상에 형성된 층간절연막; 상기 수광소자에 대응하여 상기 층간절연막에 형성된 광도파로; 상기 단위픽셀영역에 대응하여 상기 층간절연막 상에 형성된 집속패턴; 상기 기판 전면에 형성되어 상기 집속패턴을 덮는 평탄화막; 및 상기 단위픽셀영역에 대응하여 상기 평탄화막 상에 형성된 랜즈를 포함하는 이미지 센서를 제공한다.
상기 목적을 달성하기 위한 다른 일 측면에 따른 본 발명은 다수의 단위픽셀영역을 갖는 기판에 상기 단위픽셀영역에 대응하도록 수광소자를 형성하는 단계; 상기 기판상에 층간절연막을 형성하는 단계; 상기 수광소자에 대응하여 상기 층간절연막을 관통하는 광도파로를 형성하는 단계; 상기 단위픽셀영역에 대응하여 상기 층간절연막 상에 집속패턴을 형성하는 단계; 상기 기판 전면에 상기 집속패턴을 덮는 평탄화막을 형성하는 단계; 및 상기 단위픽셀영역에 대응하여 상기 평탄화막 상에 랜즈를 형성하는 단계를 포함하는 이미지 센서 제조방법을 제공한다.
상술한 과제 해결 수단을 바탕으로 하는 본 발명은 랜즈와 광도파로 사이에 집속패턴을 형성함으로써, 광도파로의 광집속능력을 향상시킬 수 있고, 랜즈 설계마진을 향상시킬 수 있으며, 고가의 고굴절률을 갖는 물질을 사용하지 않아도 되기 때문에 생산비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래기술에 따른 이미지 센서를 도시한 단면도이다.
도 2a는 본 발명의 일실시예에 따른 이미지 센서를 도시한 단면도.
도 2b는 본 발명의 일실시예에 따른 이미지 센서의 단위픽셀을 도시한 사시도.
도 3은 종래기술에 따른 이미지 센서와 본 발명의 일실시예에 따른 이미지 센서를 비교한 비교단면도.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 일실시예에 따른 이미지 센서 제조방법을 도시한 공정단면도.
도 2a는 본 발명의 일실시예에 따른 이미지 센서를 도시한 단면도.
도 2b는 본 발명의 일실시예에 따른 이미지 센서의 단위픽셀을 도시한 사시도.
도 3은 종래기술에 따른 이미지 센서와 본 발명의 일실시예에 따른 이미지 센서를 비교한 비교단면도.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 일실시예에 따른 이미지 센서 제조방법을 도시한 공정단면도.
이하 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부도면을 참조하여 설명하기로 한다.
후술하는 본 발명은 광도파로(Lightguide)를 구비하는 이미지 센서에서 광도파로의 광집속능력을 향상시키고, 랜즈 설계마진을 확보할 수 있으며, 생산비용을 절감할 수 있는 이미지 센서 및 그 제조방법을 제공한다. 이를 위해, 본 발명은 광도파로에 입사되는 광의 입사각을 조절할 수 있는 집속패턴을 랜즈와 광도파로 사이에 삽입하는 것이 기술적 특징이다. 이처럼, 랜즈와 광도파로 사이에 집속패턴을 삽입하면, 전면조사방식의 이미지 센서의 감지특성(sensitivity) 및 angular response를 향상시킬 수 있고, 간섭현상(Optical crosstalk)은 최소화시킬 수 있으며, 생산비용을 절감하여 제품 경쟁력을 강화시킬 수 있다.
도 2a는 본 발명의 일실시예에 따른 이미지 센서를 도시한 단면도이고, 도 2b는 본 발명의 일실시예에 따른 이미지 센서의 단위픽셀을 도시한 사시도이다.
도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 이미지 센서는 다수의 단위픽셀영역을 갖는 기판(31), 각 단위픽셀영역의 기판(31)에 형성된 수광소자(33), 기판(31)에 형성되어 인접한 수광소자(33) 사이를 분리시키는 소자분리막(32), 기판(31)상에 형성되어 다층 금속배선(35)을 포함하는 층간절연막(34), 수광소자(33)에 대응하여 층간절연막(34)에 형성된 광도파로(37), 단위픽셀영역에 대응하여 층간절연막(34) 상에 형성된 집속패턴(38), 기판(31) 전면에 형성되어 집속패턴(38)을 덮는 제1평탄화막(39), 제1평탄화막(39) 상에 형성된 컬러필터(40), 컬러필터(40) 상에 형성된 제2평탄화막(41) 및 단위픽셀영역에 대응하여 제2평탄화막(41) 상에 형성된 반구형 랜즈(42)를 포함한다.
각 단위픽셀영역의 기판(31)에 형성된 수광소자(33)는 포토다이오드(Photo Diode)를 포함하고, 포토다이오드(33)는 광도파로(37)를 통해 수광된 빛을 이용하여 광전하를 생성하는 역할을 수행한다.
층간절연막(34) 내에 형성된 금속배선(35)은 수광소자(33)의 개구부를 최대한 확보하기 위하여 소자분리막(32) 상부에 배치된 구조를 가질 수 있다. 층간절연막(34)은 산화막, 질화막 및 산화질화막으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나를 포함할 수 있다.
수광소자(33)에 대응하여 층간절연막(34)에 형성된 광도파로(37)는 층간절연막(34)에 형성되어 수광소자(33)를 노출시키는 트렌치(36)에 층간절연막(34)보다 큰 굴절률을 갖는 물질이 매립된 구조를 갖는다. 일례로, 층간절연막(34)이 1.4 내지 1.5 범위의 굴절률을 갖는 경우에 광도파로(37)는 1.6 내지 1.7 범위의 굴절률을 갖는 물질을 포함할 수 있다.
각 단위픽셀영역에 대응하여 층간절연막(34) 상에 형성된 집속패턴(38)은 광도파로(38)에 입사되는 광의 전반사조건을 만족시키기 위하여 즉, 랜즈(42)를 통해 입사되는 광의 입사각을 조절하기 위하여 광도파로(37)보다 큰 굴절률을 갖는 물질로 형성하는 것이 바람직하다. 일례로, 광도파로(37)의 굴절률이 1.6 내지 1.7일 때, 집속패턴(38)은 1.8 내지 2.1 범위의 굴절률을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 이 경우, 집속패턴(38)은 질화막으로 형성할 수 있다.
집속패턴(38)은 단위픽셀영역의 면적과 동일하도록 즉, 하나의 집속패턴(38)이 하나의 단위픽셀영역 전체를 덮는 구조를 갖는 것이 바람직하다. 따라서, 집속패턴(38)은 인접한 집속패턴(38)과 가장자리가 서로 접하는 구조를 갖는다. 이는, 단위픽셀영역으로 입사되는 모든 광을 광도파로(37)로 입사시켜 광집속능력을 향상시킴과 동시에 랜즈(42)와 랜즈(42) 사이로 입사되는 광이 손실되는 것을 방지하기 위함이다.
집속패턴(38)은 뿔형태를 가질 수 있으며, 단위픽셀영역의 평면형상에 따라 뿔형태를 조절할 수 있다. 일례로, 단위픽셀영역의 평면형상이 사각형인 경우에 집속패턴(38)은 피라미드 형태로 형성할 수 있고(도 2b 참조), 단위픽셀영역의 평면형상이 원형인 경우에는 집속패턴(38)을 원뿔형으로 형성할 수 있다.
집속패턴(38)을 덮는 제1평탄화막(39)은 집속패턴(38)에 기인한 단차를 제거하는 역할을 수행하고, 컬러필터(40) 상에 형성된 제2평탄화막(41)은 컬러필터(40)에 기인한 단차를 제거하는 역할을 수행한다. 제1 및 제2평탄화막(39, 41)은 산화막, 질화막 및 산화질화막으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나일 수 있으며, 층간절연막(34)과 동일물질일 수 있다. 컬러필터(40)는 컬러 이미지를 획득하기 위한 것으로 RGB 구조를 가질 수 있다.
제2평탄화막(41) 상에 형성된 랜즈(42)는 광학적 쉐이딩(optical shading) 특성을 개선하기 위하여 인접한 랜즈(42) 사이가 소정 간격 이격된 구조를 갖는다.
상술한 구조를 갖는 본 발명의 일실시예에 따른 이미지 센서는 랜즈(42)와 광도파로(37) 사이에 집속패턴(38)을 삽입함으로써, 광도파로(37)의 광집속능력을 향상시킬 수 있고, 랜즈(42) 설계마진을 향상시킬 수 있으며, 고가의 고굴절률을 갖는 물질을 사용하지 않아도 되기 때문에 생산비용을 절감할 수 있다.
이하, 종래기술에 따른 이미지 센서와 본 발명의 일실시예에 따른 이미지 센서를 비교하여 도시한 비교단면도인 도 3을 참조하여 본 발명의 일실시예에 따른 이미지 센서의 효과에 대하여 보다 구체적으로 설명한다. 종래기술에 따른 이미지 센서는 도 1에 표기된 도면부호를 사용하였고, 본 발명의 일실시예에 따른 이미지 센서는 도 2a 및 도 2b에 표기된 도면부호를 사용하였다. 도면에서 '①'은 수직으로 입사하는 광을 도시한 것이고, '②'는 전반사조건을 만족하는 최대 입사각보다 큰 입사각을 갖는 광을 도시한 것이며, '③'은 전반사조건을 만족하는 최대 입사각보다 작은 입사각을 갖는 광을 도시한 것이다.
먼저, 종래기술에 따른 이미지 센서는 랜즈(19)를 통과하여 집속된 광이 광도파로(15)로 입사될 때, 전반사조건이 만족되는 각도로 입사되어야 유도(guiding) 조건을 만족하게 된다. 광도파로(15)에 광이 비스듬하게(oblique) 입사되는 조건에서 광도파로(15)의 광집속능력을 향상시키기 위해서는 랜즈(19)의 포커싱포인트(focusing point)가 상향조정되는 방향으로 랜즈(19)를 설계해야 하나, 랜즈(19)의 포커싱포인트가 상향조정될수록 광도파로(15) 개구면으로의 입사각이 증가하여 유도조건을 벗어나는 트레이트 오프(trade off) 관계를 갖는다. 따라서, 종래기술에서는 광손실이 발생할 수 밖에 없고, 광손실을 최소화하기 위하여 광도파로(15)의 굴절률은 더욱더 상향조정되어야 할 필요가 있다. 아울러, 랜즈(19)와 랜즈(19) 사이로 입사되는 광은 광도파로(15)에 의한 광집속효과를 가져올수 없어 이에 대한 광손실은 그대로 존재하게 된다.
이에 반해, 본 발명의 일실시예에 따른 이미지 센서는 광도파로(37) 상에 집속패턴(38)을 형성함으로써, 랜즈(42)를 통하여 입사되는 광뿐만아니라 랜즈(42)와 랜즈(42)사이로 입사되는 광도 집속패턴(38)을 통하여 광도파로(37)로 입사되기 때문에 optical fill factor를 증가시킬 수 있다. 즉, 광도파로(37)의 광집속능력을 향상시킬 수 있다. 또한, 집속패턴(37)은 비스듬하게 입사되는 광에 대해서도 광도파로(37)의 입사각을 하향조정시켜 광도파로(37)의 유도조건 마진을 확보할 수 있다. 또한, 광도파로(37)의 광집속능력을 향상시키고, 유도조건 마진을 확보함에 따라 랜즈(42)의 포커싱포인트를 낮출 수 있기 때문에 광도파로(37)의 유도조건 마진을 더욱더 확보할 수 있다.
이와 갚은 특성 개선 및 마진확보를 바탕으로 광도파로(37)를 구성하는 물질로 고가의 고굴절률을 갖는 물질(예컨대, 티타늄산화물) 대신에 랜즈(42) 또는 평탄화막으로 사용되는 수준의 통상적인 물질을 사용하여도 광도파로(37)의 유도조건을 충분히 만족시킬 수 있다. 이에 따라, 이미지 센서의 생산비용을 절감시킬 수 있다.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 일실시예에 따른 이미지 센서의 제조방법을 도시한 공정단면도이다.
도 4a에 도시된 바와 같이, 다수의 단위픽셀영역을 갖는 기판(31)에 수광소자(33) 및 인접한 수광소자(33) 사이를 분리시키는 소자분리막(32)을 형성한다. 수광소자(33)는 포토다이오드(Photo Diode)로 형성할 수 있으며, 각각의 단위픽셀영역에 대응하도록 형성한다. 소자분리막(32)은 STI(Shallow Trench Isolation)공정으로 형성할 수 있다.
다음으로, 기판(31)상에 다층의 금속배선(35)을 포함하는 층간절연막(34)을 형성한다. 층간절연막(34)은 산화막, 질화막 및 산화질화막으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나로 형성할 수 있다. 금속배선(35)은 수광소자(33)의 개구부 면적을 최대한 확보하기 위하여 소자분리막(32) 상부에 형성한다.
도 4b에 도시된 바와 같이, 층간절연막(34)을 선택적으로 식각하여 각 단위픽셀영역의 수광소자(33)를 노출시키는 트렌치(36)를 형성한다. 트렌치(36)는 건식식각법을 사용하여 형성할 수 있다.
다음으로, 트렌치(36) 내부에 층간절연막(34)보다 큰 굴절률을 갖는 물질을 갭필하여 광도파로(37)를 형성한다. 일례로, 층간절연막(34)의 굴절률이 1.4 내지 1.5일 때, 광도파로(37)는 1.6 내지 1.7 범위의 굴절률을 갖는 물질로 형성할 수 있다.
도 4c에 도시된 바와 같이, 광도파로(37)가 형성된 층간절연막(34) 상에 단위픽셀영역에 대응하도록 집속패턴(38)을 형성한다. 이때, 광도파로(37)에 입사되는 광의 전반사조건을 만족시키기 위해 집속패턴(38)은 광도파로(37)보다 큰 굴절률을 갖는 물질로 형성하는 것이 바람직하다. 일례로, 광도파로(37)의 굴절률이 1.6 내지 1.7일 때, 집속패턴(38)은 1.8 내지 2.1 범위의 굴절률을 갖는 물질로 형성할 수 있다. 이 경우, 집속패턴(38)은 질화막으로 형성할 수 있다.
집속패턴(38)은 단위픽셀영역의 면적과 동일하도록 즉, 단위픽셀영역 전체를 덮도록 형성하는 것이 바람직하다. 따라서, 집속패턴(38)은 인접한 집속패턴(38)과 가장자리가 서로 접하는 구조를 갖는다. 이는 단위픽셀영역으로 입사되는 모든 광을 광도파로(37)로 입사시켜 광집속능력을 향상시킴과 동시에 랜즈와 랜즈 사이로 입사되는 광이 손실되는 것을 방지하기 위함이다.
집속패턴(38)은 뿔형태로 형성할 수 있으며, 단위픽셀영역의 평면형상에 따라 뿔형태를 조절할 수 있다, 일례로, 단위픽셀영역의 평면형상이 사각형인 경우에 집속패턴(38)은 피라미드 형태로 형성할 수 있고, 단위픽셀영역의 평면형상이 원형인 경우에는 집속패턴(38)을 원뿔형으로 형성할 수 있다.
도 4d에 도시된 바와 같이, 집속패턴(38)을 포함한 기판(31) 전면에 제1평탄화막(39)을 형성한다. 제1평탄화막(39)은 집속패턴(38)에 의한 단차를 제거하는 역할을 수행한다. 제1평탄화막(39)은 산화막, 질화막 및 산화질화막으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나로 형성할 수 있으며, 층간절연막(34)과 동일한 물질로 형성할 수 있다.
다음으로, 제1평탄화막(39) 상에 컬러필터(40)를 형성하고, 컬러필터(40) 상에 제2평탄화막(41)을 형성한다. 컬러필터(40)는 RGB 타입으로 형성할 수 있다. 제2평탄화막(41)은 산화막, 질화막 및 산화질화막으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 어느 하나로 형성할 수 있으며, 제1평탄화막(34)과 동일한 물질로 형성할 수 있다.
다음으로, 제2평탄화막(41) 상에 각각의 단위픽셀영역에 대응하도록 반구형 랜즈(42)를 형성한다. 이때, 랜즈(42)는 광학적 쉐어딩 특성을 확보하기 위하여 인접한 랜즈 사이가 소정 간격 이격되도록 형성한다.
상술한 공정과정을 통해 형성된 본 발명의 일실시예에 따른 이미지 센서는 랜즈(42)와 광도파로(37) 사이에 집속패턴(38)을 형성함으로써, 광도파로(37)의 광집속능력을 향상시킬 수 있고, 랜즈(42) 설계마진을 향상시킬 수 있으며, 고가의 고굴절률을 갖는 물질을 사용하지 않아도 되기 때문에 생산비용을 절감할 수 있다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기 실시예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술사상의 범위내의 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
31 : 기판 32 : 소자분리막
33 : 수광소자 34 : 층간절연막
35 : 금속배선 36 : 트렌치
37 : 광도파로 38 : 집속패턴
39 : 제1평탄화막 40 : 컬러필터
41 : 제2평탄화막 42 : 랜즈
33 : 수광소자 34 : 층간절연막
35 : 금속배선 36 : 트렌치
37 : 광도파로 38 : 집속패턴
39 : 제1평탄화막 40 : 컬러필터
41 : 제2평탄화막 42 : 랜즈
Claims (8)
- 다수의 단위픽셀영역을 갖는 기판;
각 단위픽셀영역의 기판에 형성된 수광소자;
상기 기판상에 형성된 층간절연막;
상기 수광소자에 대응하여 상기 층간절연막에 형성된 광도파로;
상기 단위픽셀영역에 대응하여 상기 층간절연막 상에 형성된 집속패턴;
상기 기판 전면에 형성되어 상기 집속패턴을 덮는 평탄화막; 및
상기 단위픽셀영역에 대응하여 상기 평탄화막 상에 형성된 랜즈
를 포함하는 이미지 센서.
- 제1항에 있어서,
상기 집속패턴은 상기 광도파로와 서로 다른 굴절률을 갖는 이미지 센서.
- 제2항에 있어서,
상기 집속패턴은 상기 광도파로보다 큰 굴절률을 갖는 이미지 센서.
- 제1항에 있어서,
상기 집속패턴은 뿔형태를 갖고, 상기 단위픽셀영역 전면을 덮는 구조를 갖는 이미지 센서.
- 다수의 단위픽셀영역을 갖는 기판에 상기 단위픽셀영역에 대응하도록 수광소자를 형성하는 단계;
상기 기판상에 층간절연막을 형성하는 단계;
상기 수광소자에 대응하여 상기 층간절연막을 관통하는 광도파로를 형성하는 단계;
상기 단위픽셀영역에 대응하여 상기 층간절연막 상에 집속패턴을 형성하는 단계;
상기 기판 전면에 상기 집속패턴을 덮는 평탄화막을 형성하는 단계; 및
상기 단위픽셀영역에 대응하여 상기 평탄화막 상에 랜즈를 형성하는 단계
를 포함하는 이미지 센서 제조방법.
- 제5항에 있어서,
상기 집속패턴은 상기 광도파로와 서로 다른 굴절률을 갖는 물질로 형성하는 이미지 센서 제조방법.
- 제6항에 있어서,
상기 집속패턴은 상기 광도파로보다 큰 굴절률을 갖는 물질로 형성하는 이미지 센서 제조방법.
- 제5항에 있어서,
상기 집속패턴은 뿔형태를 갖고, 상기 단위픽셀영역 전면을 덮는 구조를 갖도록 형성하는 이미지 센서 제조방법.
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