KR20090082122A - 고체 촬상 소자 - Google Patents

고체 촬상 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR20090082122A
KR20090082122A KR1020090004612A KR20090004612A KR20090082122A KR 20090082122 A KR20090082122 A KR 20090082122A KR 1020090004612 A KR1020090004612 A KR 1020090004612A KR 20090004612 A KR20090004612 A KR 20090004612A KR 20090082122 A KR20090082122 A KR 20090082122A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
optical waveguide
insulating layer
solid
state imaging
photodiode
Prior art date
Application number
KR1020090004612A
Other languages
English (en)
Inventor
도모유키 히라노
Original Assignee
소니 가부시끼 가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 소니 가부시끼 가이샤 filed Critical 소니 가부시끼 가이샤
Publication of KR20090082122A publication Critical patent/KR20090082122A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627—Microlenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

본 발명은, 포토 다이오드가 형성되고, 상기 포토 다이오드의 표면에 양전하 축적 영역이 형성된 실리콘층; 및 상기 포토 다이오드의 위에 형성되고, 입사광을 상기 포토 다이오드에 인도하기 위한 광 도파로를 포함하고, 상기 광 도파로의 내에, 유전 상수가 5 이상이고, 음의 고정 전하를 가지는 절연층이 형성되어 있는, 고체 촬상 소자를 제공한다.

Description

고체 촬상 소자 {SOLID-STATE IMAGING ELEMENT}
본 발명은, 포토 다이오드 위쪽으로, 입사광을 포토 다이오드에 인도하기 위한 광 도파로(optical waveguide)를 가지는 고체 촬상 소자에 관한 것이다.
관련 출원의 상호참조
본 발명은 2008년 1월 24일자로 일본 특허청에 출원된, 일본 특허출원 제2008-014054호와 관련된 내용을 포함하며, 이 출원에 개시된 내용 전부는 원용에 의해 본 명세서에 포함된다.
CCD(Charge Coupled Divice) 고체 촬상 소자나 CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor) 고체 촬상 소자에서는, 포토 다이오드의 결정 결함, 및 실리콘 기판에 형성된 수광부와 그 상층에 형성된 절연층과의 계면에서의 계면 준위(interface state)가 암전류에 기인하는 것으로 알려져 있다.
즉, 도 10a의 개략 단면도 및 도 10b의 포텐셜 도면(potential diagram)에 나타낸 바와 같이, 실리콘층(51)과 그 상층의 절연층(52)과의 계면에, "x" 나타내는 계면 준위가 발생하고 있다. 포토 다이오드(PD)는 실리콘층(51) 내에 형성된다. 이 계면 준위는 암전류(dark current)의 발생원이 되어, 계면에서 생기는 전 자가 암전류로서 포토 다이오드(PD)로 흐르게 한다.
다양한 암전류의 생성 요인 중, 계면 준위에 기인하는 암전류의 생성을 제어하기 위하여, 이른바 HAD(Hole Accumulation Diode) 구조가 채용되고 있다(예를 들면, 일본 공개특허공보 제2005-123280호 참조).
더욱 구체적으로는, 도 11a의 개략 단면도 및 도 11b의 포텐셜 도면을 나타낸 바와 같이, 실리콘층(51)의 표면 부근에 p형의 불순물을 도입하여, p+ 반도체 영역을 형성한다. 이 p+ 반도체 영역은 양전하(positive charge)(정공)를 축적하기 위한 양전하 축적 영역(53)으로서 역할한다.
이와 같이, 계면에 양전하 축적 영역(53)을 형성함으로써 HAD 구조를 제공하면, 포토 다이오드(PD)를 계면으로부터 이격시킨다. 이로써, 계면 준위에 기인한 암전류를 억제하는 것이 가능하게 된다.
HAD 구조를 형성하기 위하여는, B, BF2 등의 이온을 어닐링 온도(annealing temperature)로 이온 주입하여, 계면 근처에 양전하 축적 영역(53)로서의 p+ 반도체 영역을 형성한다.
한편, 종래기술의 고체 촬상 소자에 있어서, 광전 변환부(포토 다이오드)의 수광 영역 위의 배선층에, 우물 구조(well structure)의 광 도파로를 설치하여, 수광 영역으로의 집광 효율을 높이도록 한 것이 알려져 있다(예를 들면, 일본 공개특허공보 제2003-224249호 참조).
이 구성에서는, 광 도파로의 내의 투명성의 코어재(core material)가 층간 절연막(SiO2)보다 굴절률이 높은 것을 이용하고 있다. 이 구성에서는, 투명성 코어재와 층간 절연막과의 계면에서 정해지는 임계각보다 큰 입사각을 가지는 입사광을 전반사시킴으로써, 포토 다이오드로의 집광 효율을 높일 수 있다.
그러나, 전술한 HAD 구조가 가지는 향상된 효과를 제공하기 위하여, HAD 구조의 고체 촬상 소자를 제조할 때 고농도의 이온이 주입된다. 이 이온 주입은 손상을 초래하고, 그 결과 결함을 발생시킨다.
이러한 결함을 방지하기 위한 가능한 해결법은, 도 12a의 개략 단면도 및 도 12b의 포텐셜 도면을 나타낸 바와 같이, 실리콘층(51) 상에 형성될 절연층으로서 통상의 절연층(52) 대신에, 음의 고정 전하(negative fixed charge)(54)를 가지는 절연층(55)를 형성하는 것이다. 포토 다이오드(PD)는 실리콘층(51)에 형성된다.
이로써, 도 12b에 나타낸 바와 같이, 밴드를 굽혀, 특히 계면 근처에 양전하(정공)를 축적할 수 있도록 한다.
그런데, 전술한 광 도파로를 가지는 구성의 고체 촬상 소자에서는, 광 도파로로서 사용하는 홈(groove)을 에칭에 의해 형성하여야 한다.
그러므로, 음의 고정 전하(54)를 가지는 절연층(55)을, 광 도파로를 가지는 고체 촬상 소자에 그대로 적용한 경우에는, 광 도파로로서의 역할을 하는 홈을 형성할 때, 먼저 형성한 음의 고정 전하(54)를 가지는 절연층(55)이 깎여, 두께가 얇아진다.
전술한 바와 같이 음의 고정 전하(54)를 가지는 절연층(55)의 두께가 얇아지면, 음의 고정 전하에 의한 정공 축적 효과가 줄어들 것이다.
따라서, 음의 고정 전하를 가지는 절연막을, 광 도파로를 가지는 고체 촬상 소자에 적용하는 경우에는, 충분히 정공 축적 효과를 얻기 위한 방법을 고안하여야 한다.
전술한 문제의 해결을 위하여, 본 발명은 고체 촬상 소자가 광 도파로를 가지는 경우에, 충분히 정공 축적 효과를 제공할 수 있는 고체 촬상 소자를 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명의 고체 촬상 소자는 실리콘층과 광 도파로를 포함한다. 상기 실리콘층에는 포토 다이오드가 형성된다. 상기 포토 다이오드의 표면에는 양전하 축적 영역이 형성된다. 상기 광 도파로는 상기 포토 다이오드 위에 형성되어 입사광을 상기 포토 다이오드에 인도한다. 상기 광 도파로에는 절연층이 형성된다. 상기 절연층은 유전 상수(dielectric constant)가 5 이상이며, 음의 고정 전하를 가진다.
전술한 본 발명의 고체 촬상 소자의 구성에 따르면, 광 도파로에 유전 상수가 5 이상이고 음의 고정 전하를 가지는 절연층이 형성된다. 그 결과, 포토 다이오드를 구성하는 실리콘층의 계면 근처에 양전하(정공)을 축적할 수 있다. 이로써, 실리콘층의 양전하 축적 영역과 함께, 계면 근처에 양전하(정공)을 축적할 수 있도록 하여, 계면 준위에 기인하는 암전류의 발생을 억제한다.
또한, 광 도파로에 음의 고정 전하를 가지는 절연층이 형성된다. 그 결과, 음의 고정 전하를 가지는 절연층이 비교적 큰 체적을 가지므로, 충분한 정공 축적 효과(음의 바이어스 효과)를 제공한다.
본 발명의 고체 촬상 소자는 실리콘 층 및 광 도파로를 포함한다. 상기 실리콘층에는 포토 다이오드가 형성된다. 상기 포토 다이오드의 표면에 양전하 축적 영역이 형성된다. 상기 광도파로는 상기 포토 다이오드의 위에 형성되어 입사광을 포토 다이오드에 인도한다. 상기 포토 다이오드 상에는 절연층이 형성된다.
상기 절연층은, 유전 상수가 5 이상이며 음의 고정 전하를 가진다. 상기 광 도파로는 상기 절연층 상에 형성된다.
전술한 본 발명의 고체 촬상 소자의 구성에 따르면, 포토 다이오드 상에, 유전 상수가 5 이상이며, 음의 고정 전하를 가지는 절연층이 형성되고, 이 절연막 상에 광 도파로가 형성된다. 그 결과, 포토 다이오드를 구성하는 실리콘층의 계면 근처에 양전하(정공)를 축적할 수 있도록 해준다. 이로써, 실리콘층의 양전하 축적 영역과 함께, 계면 근처에 양전하(정공)를 축적할 수 있도록 하여, 계면 준위에 기인하는 암전류의 발생을 억제한다.
또한, 음의 고정 전하를 가지는 절연층이, 광 도파로보다 포토 다이오드에 가까이 형성되어 있으므로, 충분한 정공 축적 효과(음의 바이어스 효과)를 제공한다.
전술한 바와 같이, 본 발명에 실시예는 충분한 정공 축적 효과(음의 바이어스 효과)를 제공하므로, 광 도파로를 가지는 고체 촬상 소자에서, 계면 준위에 기인하는 암전류의 발생을 억제한다.
그 결과, 본 발명은 어떠한 암전류도 발생시키지 않고 안정적으로 동작할 수 있는, 높은 신뢰성을 가지는 고체 촬상 소자를 제공할 수 있다.
본 발명의 일 실시예로서 고체 촬상 소자의 개략 구성도(단면도)를 도 1에 나타낸다.
본 실시예에서는, 본 발명을 CMOS 고체 촬상 소자(CMOS 이미지 센서)에 적용한다.
고체 촬상 소자(1)에는, 포토 다이오드부(photodiode section)(41)의 실리콘 기판(2)에, 포토 다이오드(PD)로서의 역할을 하는 전하 축적 영역(3)이 형성되어 있다.
또한, 이 전하 축적 영역(3)의 표면에는, p+의 양전하 축적 영역(13)이 형성되어 있다. 전술한 HAD 구조는 전하 축적 영역(3) 및 양전하 축적 영역(13)을 포함한다.
포토 다이오드부(41)에는, 실리콘 기판(2)의 상에, 도시하지 않은 얇은 게이트 절연막을 통하여, MOS 트랜지스터의 게이트 전극(4)이 형성되어 있다.
주변 회로부(42)에는, 실리콘 기판(2)의 상에, 도시하지 않은 얇은 게이트 절연막을 통하여, MOS 트랜지스터의 게이트 전극(4)이 형성되어 있다. 도시하지 않지만, 이 주변 회로부(42)의 실리콘 기판(2)에는, MOS 트랜지스터의 소스/드레인 영역 및 반도체 우물 영역이 형성되어 있다. 이 반도체 우물 영역은 채널로서의 역할을 한다.
또한, 각각의 MOS 트랜지스터의 게이트 전극(4)의 측에는 측벽(5)이 형성되어 있다. 이 측벽(5)은 절연층으로 이루어진다.
게이트 전극(4)의 더욱 위에는, 각각 금속 배선으로 이루어지는 배선층(8)이 형성되어 있다. 게이트 전극(4)과 상이한 층의 각각의 배선층(8)은 층간 절연층(6)에 의해 절연되어 있다.
포토 다이오드부(41)에서, 제1 층의 배선층(8)과 MOS 트랜지스터의 게이트 전극(4)이, 층간 절연층(6)을 관통하는 도전성 플러그층(conductive plug layer)(7)에 의해 전기적으로 접속되어 있다.
또한, 주변 회로부(42)에서, 제1 층의 배선층(8)은, 예를 들면, 층간 절연층(6)을 관통하는 도전성 플러그층(7)에 의해, 실리콘 기판(2)에 형성된 MOS 트랜지스터의 소스/드레인 영역(도시하지 않음)과 전기적으로 접속되어 있다.
각 화소는 포토 다이오드(PD)를 포함한다.
각 화소는, 도 1에 나타낸 게이트 전극(4)을 포함하는 MOS 트랜지스터를 포함하는, 하나 이상의 MOS 트랜지스터를 가진다.
포토 다이오드(PD)가 형성된 실리콘 기판(2)의 위에는, 광 도파로(21)가 형성되어 있다. 광 도파로(21)는 층간 절연층(6)을 관통한다. 광 도파로(21)의 내부는 층간 절연층(6)보다 굴절률이 높은 투명한 재료를 포함한다.
층간 절연층(6) 및 광 도파로(21)의 더욱 위에는, 패시베이션막(passivation film)(9)과 평탄화막(planarizing film)(10)이 형성되어 있다. 패시베이션막(9)은 보호막으로서의 역할을 한다.
유의할 것은, 주변 회로부(42)에 도시하지 않은 차광막을 제공함으로써, 입사광에 의한 MOS 트랜지스터 등의 부품 특성의 변화를 억제할 수 있다는 것이다.
평탄화막(10)의 상에는, 컬러 필터(11)가 형성되어 있다.
이 컬러 필터(11)로서는, 화소마다 적당한 색(예를 들면, 적색(R), 녹색(G), 청색(B))의 필터를 제공한다.
컬러 필터(11)의 상에는, 집광을 위해 구면형의 온칩 렌즈(spherical on-chip lens)(12)가 배치되어 있다.
전술한 바와 같이 구성된 본 실시예의 고체 촬상 소자(1)는, 도 1의 위쪽으로부터 입사한 광이, 층간 절연층(6)과의 계면인 광 도파로(21)의 측벽에서, 임계각보다 큰 각도로 계면에 입사하면 계면에서 전반사한다.
이로써, 입사한 광을 광 도파로(21) 아래에 위치된 포토 다이오드(PD)에 집광하여, 효율적인 수광 및 검출을 보증할 수 있도록 해준다.
또한, 본 실시예의 고체 촬상 소자(1)에서, 특히, 광 도파로(21)의 내부는 음의 고정 전하를 가지는 절연층(22)을 포함한다.
이 절연층(22)으로서는, 유전 상수가 5 이상이며 음의 고정 전하를 충분히 가지는 절연 재료를 사용한다. 이러한 특성의 재료로는, 예를 들면, 하프늄 산화물과, 하프늄, 지르코늄, 알루미늄, 탄탈, 티탄, 이트륨, 란타노이드 원소 중 하나 이상을 포함하는 절연 재료를 들 수 있다.
이러한 재료로는, 전술한 원소 중 어느 것을 함유하는 산화물 및 질화물 중에서, 고정 전하를 가지는 것, 및 그 외의 재료로 음의 고정 전하를 가지는 것을 들 수 있다.
또한, 하프늄 산화물은은 유전 상수가 20 이상이다.
그러나, 절연층(22)이 광 도파로(21)로서 기능하는 것을 보증하기 위하여, 층간 절연층(6)의 재료보다 굴절율이 높은 재료를 선택하여야 한다.
예를 들면, 하프늄 산화물은 굴절률이 약 2이며, 층간 절연층(6)에 사용되는 SiO2의 굴절률(1.46)보다 높다.
실리콘 기판(2)의 상부에, 음의 고정 전하를 가지는 절연층(22)을 포함하는 광 도파로(21)가 제공되기 때문에, 도 12a 및 도 12b에 나타낸 바와 마찬가지로, 밴드(band)가 구부러져, 계면 근처에 양전하(정공)를 축적할 수 있도록 한다.
유의할 것은, 하프늄 산화물의 굴절률이 2 정도이므로, 하프늄 산화물의 두께를 조정함으로써 반사 방지 효과를 제공할 수 있다는 것이다.
본 실시예의 고체 촬상 소자(1)는, 예를 들면, 이하에 설명하는 바와 같이 하여 제조될 수 있다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 실리콘 기판(2) 상에, 포토 다이오드부(41)의 포토 다이오드(PD) 및 트랜지스터, 그리고 주변 회로부(42)의 트랜지스터를 형성한다.
또한, 포토 다이오드(PD)의 전하 축적 영역(3)의 표면에, p+ 양전하 축적 영역(13)을 형성한다.
다음에, 도 3에 나타낸 바와 같이, 포토 다이오드(PD)가 형성된 실리콘 기판(2) 상에, 층간 절연층(6), 도전성 플러그층(7), 및 배선층(8)을 형성한다.
즉, 실리콘 기판(2)의 전체면에, 예를 들면 정해진 두께의 SiO2막으로 이루어진 층간 절연층(6)을 퇴적한다. 이 층간 절연층(6)을 선택적으로 개구(open)하 여, 실리콘 기판(2)에 이르는 접촉 구멍(contact hole)을 형성한다. 그 후, 이
접촉 구멍의 내로 텅스텐 등의 금속 재료로 이루어지는 도전성 재료(conductive matrial)를 도입하여, 도전성 플러그층(7)을 형성한다. 또한, 도전성 플러그층(7) 상에, 도전성 재료를 사용하여 배선층(8)을 형성한다.
다음에, 도 4에 나타낸 바와 같이, 각각의 증간 절연층(6)을 드라이 에칭하여 광 도파로(21)로서의 역할을 하는 홈(31)을 형성한다.
이때, 층간 절연층(6)을 실리콘 기판(2) 가까이 까지 에칭하면, 음의 고정 전하는 정공 축적 효과를 향상시킬 수 있다.
다음에, 홈(31)에, 전술한 하프늄 산화물 등의 절연 재료를 사용하여 음의 고정 전하를 가지는 절연층(22)을 형성한다.
그 후, CMP법이나 에치백법(etchback method)에 의해, 표면을 전체적으로 평탄화 처리한다.
평탄화된 표면에, 패시베이션막(9)과 평탄화막(10)을 차례로 적층 형성한다.
다음에, 화소마다 적당한 색의 컬러 필터(11)를 형성한다.
그 후, 컬러 필터(11) 상에, 온 칩 렌즈(12)를 형성한다(이상, 도 5 참조).
전술한 바와 같이 하여, 도 1에 나타낸 고체 촬상 소자(1)를 제조할 수 있다.
본 실시예의 고체 촬상 소자(1)의 구성에 따르면, 광 도파로(21)의 내부는 음의 고정 전하를 가지는 절연층(22)을 포함한다. 이로써, 도 12a 및 도 12b에 나타낸 바와 마찬가지로, 밴드를 구부릴 수 있고, 따라서 계면(실리콘 기판(2)의 표 면) 근처에 양전하(정공)를 축적할 수 있도록 한다.
이로써, 실리콘 기판(2)의 양전하 축적 영역(13)과 함께, 계면 근처에 양전하(정공)를 축적할 수 있도록 하여, 계면 준위에 기인하는 암전류의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 본 실시예에 따르면, 광 도파로(21)의 내부 전체가 음의 고정 전하를 가지는 절연층(22)으로 형성되어 있다. 이로써 다량의 음의 고정 전하가 전환되므로, 정공 축적 효과(음의 바이어스 효과)를 충분히 크게 할 수 있다.
따라서, 본 실시예는 암전류를 발생시키지 않고 안정적으로 동작할 수 있는 높은 신뢰성의 고체 촬상 소자를 제공할 수 있다.
여기서, 도 1에 나타낸 실시예에 따른 고체 촬상 소자(1)의 변형예를, 도 6에 나타낸다.
도 1에 나타낸 고체 촬상 소자(1)에서는, 광 도파로(21)의 내부 전체를 음의 고정 전하를 가지는 절연층(22)으로 형성한다.
한편, 도 6에 나타내는 고체 촬상 소자(20)에서는, 광 도파로(21)의 내부의 일부분, 즉 측벽에 따른 부분을, 음의 고정 전하를 가지는 절연층(22)으로 형성한다. 그 나머지의 부분을 기존의 광 도파로에 사용된 재료와 마찬가지의 재료(굴절률이 높은 재료)로 이루어지는 절연층(23)으로 형성한다.
이 나머지 부분의 절연층(23)으로서 사용될 수 있는 재료로는, 플라즈마 CVD법에 의해 형성된 실리콘 질화물, 및 코팅에 의해 형성한 폴리이미드 수지 등을 사용할 수 있다.
이와 같은 구성으로도, 광 도파로(21) 내의 측벽에 비교적 큰 체적으로 형성된, 음의 고정 전하를 가지는 절연층(22) 덕분에, 정공 축적 효과(음의 바이어스 효과)를 충분히 제공할 수 있으므로, 계면 준위에 기인한 암전류의 발생을 억제할 수 있다.
다음에, 본 발명의 다른 실시예의 개략 구성도(단면도)를 도 7에 나타낸다.
본 실시예의 고체 촬상 소자(30)에서는, 광 도파로(21)의 형성에 사용되는 에칭용의 스토퍼 막(24)을 광 도파로(21) 아래에 형성한다.
또한, 도파로(21)의 내부는, 도 1에 나타낸 고체 촬상 소자(1)와 마찬가지로, 음의 고정 전하를 유하는 절연층(22)에 의해 형성되어 있다.
스토퍼 막(24)으로서 사용하는 재료는, 층간 절연층(6)의 재료(예컨대, SiO2)에 대하여 에칭 선택(etching selecivity)을 가지는 절연 재료가 바람직하다. 예를 들면, SiN을 사용할 수 있다.
스토퍼 막(24)의 두께는 에칭의 조건도 고려하여, 1nm∼ 20nm의 범위 내에 들도록 선택되는 것이 바람직하다.
유의할 것은, 지나치게 두꺼운 스토퍼 막(24)은 음의 고정 전하를 가지는 절연층(22)의 정공 축적 효과를 감소시키는 결과를 초래한다는 것이다.
본 실시예의 고체 촬상 소자(30)에 따르면, 광 도파로(21)의 내부는 음의 고정 전하를 가지는 절연층(22)으로 형성된다. 그 결과, 도 1에 나타낸 고체 촬상 소자(1)와 마찬가지로, 계면(실리콘 기판(2)의 표면) 근처에 양전하(정공)가 축적 되도록 할 수 있다.
이로써, 실리콘 기판(2)의 양전하 축적 영역(13)과 함께, 계면 근처에 양전하(정공)를 축적할 수 있도록 하여, 계면 준위에 기인하는 암전류의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 본 실시예에 따르면, 광 도파로(21)의 내부 전체가 음의 고정 전하를 가지는 절연층(22)으로 형성되어 있다. 이로써, 다량의 음의 고정 전하를 전환할 수 있어, 정공 축적 효과(음의 바이어스 효과)를 충분히 크게 할 수 있다.
그러나, 유의할 것은, 스토퍼 막(24)은 음의 고정 전하를 가지지 않는다는 것이다. 이로써, 도 1의 고체 촬상 소자(1)와 비교하면, 음의 고정 전하를 가지는 절연층(22)이 스토퍼 막(24)의 계면으로부터 멀어지므로, 정공 축적 효과(음의 바이어스 효과)가 조금 약해진다.
이어서, 본 발명의 또 다른 실시예의 개략 구성도(단면도)를 도 8에 나타낸다.
본 실시예에서, 광 도파로(21)의 형성에 사용되는 에칭용의 스토퍼 막은, 유전 상수가 5 이상이며 음의 고정 전하를 가지는 막으로 이루어진다.
즉, 도 8에 나타낸 바와 같이, 본 실시예의 고체 촬상 소자(40)에서는, 실리콘 기판(2) 상에, 음의 고정 전하를 가지는 스토퍼 막(25)이 형성되어 있다.
한편, 광 도파로(21)의 내부는, 기존의 광 도파로에 사용된 재료와 마찬가지 재료(굴절율이 높은 재료)로 이루어지는 절연층(23)으로 형성되고 있다.
상기한 것을 제외하고는, 고체 촬상 소자(40)는 도 7에 나타낸 고체 촬상 소 자(30)와 구성이 동일하다.
본 실시예에서, 유전 상수가 5 이상이며, 충분한 음의 고정 전하를 가지는 스토퍼 막(25)으로는, 하프늄 산화물 및, 하프늄, 지르코늄, 알루미늄, 탄탈, 티탄, 이트륨, 란타노이드 원소 중 하나 이상을 포함하는 절연 재료를 사용할 수 있다. 또한, 하프늄 실리케이트(하프늄 실리콘 산화물)를 사용할 수도 있다.
그러나, 선택된 재료가 스토퍼 막(25)으로서 적절히 기능하는 것을 보증하기 위해서는, 층간 절연층(6)의 재료에 대하여 에칭 선택성을 가지는 재료를 선택하는 것이 바람직하다.
유의할 것은, 하프늄 산화물은 굴절률이 2 정도라는 것이다. 그러므로, 하프늄 산화물은 그 두께를 조정함으로써, 반사 방지 효과를 제공할 수 있다.
한편, 광 도파로(21)의 절연층(23)으로 사용될 수 있는 재료로는 플라즈마 CVD법에 의해 형성한 실리콘질화물과 코팅에 의해 형성한 폴리이미드 수지가 있다.
본 실시예의 고체 촬상 소자(40)의 구성에 따르면, 광 도파로(21) 아래에, 음의 고정 전하를 가지는 스토퍼 막(25)이 형성되어 있다. 그 결과, 도 1에 나타낸 앞의 실시예의 고체 촬상 소자(1)와 마찬가지로, 계면(실리콘 기판(2)의 표면) 근처에 양전하(정공)가 축적될 수 있다.
이로써, 실리콘 기판(2)의 양전하 축적 영역(13)과 함께, 계면 근처에 양전하(정공)를 축적할 수 있도록 하여, 계면 준위에 기인하는 암전류의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 음의 고정 전하를 가지는 절연막이 광 도파로(21)보다 포토 다이오 드(PD) 가까이에 형성되어 있으므로, 충분한 정공 축적 효과(음의 바이어스 효과)를 제공한다.
유의할 것은, 본 실시예에서는, 스토퍼 막(25)이 음의 고정 전하를 가지는 절연 재료로 형성되어 있다는 것이다. 그러므로, 스토퍼 막(25)을 두껍게 형성하면, 음의 고정 전하의 양이 증가할 것이다.
이로써, 스토퍼 막(25)을 어느 정도의 두께로 형성함으로써, 정공 축적 효과(음의 바이어스 효과)를 충분히 크게 하는 것도 가능하게 된다.
이어서, 본 발명의 또 다른 실시예의 개략 구성도(단면도)를 도 9에 나타낸다.
본 실시예에서, 광 도파로(21)의 형성에 사용된 에칭용의 스토퍼 막과, 광 도파로(21) 내의 절연층 모두가, 음의 고정 전하를 가지는 절연 재료로 이루어져 있다.
즉, 도 9에 나타낸 바와 같이, 본 실시예의 고체 촬상 소자(50)에서는, 실리콘 기판(2) 상에, 음의 고정 전하를 가지는 스토퍼 막(25)이 형성되어 있다. 또한 광 도파로(21)의 내부 전체가 음의 고정 전하를 가지는 절연층(22)으로 형성되어 있다.
상기한 것 외에는, 고체 촬상 조사(50)는 도 7에 나타낸 고체 촬상 소자(30)의 구성과 같다.
본 실시예의 고체 촬상 소자(50)의 구성에 따르면, 광 도파로(21) 아래에, 음의 고정 전하를 가지는 스토퍼 막(25)이 형성되어 있다. 또한 광 도파로(21)의 내부는 음의 고정 전하를 가지는 절연층(22)을 포함한다. 그 결과, 계면(실리콘 기판(2)의 표면) 근처에 양전하(정공)가 축적될 수 있다.
이로써, 실리콘 기판(2)의 양전하 축적 영역(13)과 함께, 계면 근처에 양전하(정공)를 축적할 수 있도록 하여, 계면 준위에 기인하는 암전류의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 본 실시예에 따르면, 광 도파로(21) 아래에, 음의 고정 전하를 가지는 스토퍼 막(25)이 형성되고, 광 도파로(21)의 내부 전체가 음의 고정 전하를 가지는 절연층(22)로 형성되어 있다. 이로써, 다량의 음의 고정 전하를 전환하므로, 정공 축적 효과(음의 바이어스 효과)를 충분히 크게 할 수 있다.
전술한 실시예에서는, CMOS 고체 촬상 소자(CMOS 이미지 센서)에 본 발명을 적용하였으나, CCD 고체 촬상 소자와 같은 그 외의 구성의 고체 촬상 소자에도, 마찬가지로 본 발명을 적용할 수 있다.
또한, 전술한 실시예에서는, 포토 다이오드(PD)를 실리콘 기판(2)에 형성하였다. 그러나, 포토 다이오드를 실리콘층이 아니라, 실리콘 기판 상의 실리콘 에피택셜 층에 형성한 경우에도, 마찬가지로 본 발명을 적용할 수 있다.
또한, 도 6에 나타낸, 광 도파로(21)의 내부를 2층으로 한 것을 도 7 또는 도 9에 나타낸 실시예에 적용할 수 있다. 게다가, 광 도파로의 내부를 3층 이상(음의 고정 전하를 가지는 절연층을 포함)을 포함하도록 형성할 수도 있다.
본 발명은, 전술한 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 범위 내에서 다양하게 변형될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 고체 촬상 소자의 개략 구성도(단면도)이다.
도 2는, 도 1의 고체 촬상 소자의 제조 방법을 나타내는 제조 공정도이다.
도 3은, 도 1의 고체 촬상 소자의 제조 방법을 나타내는 제조 공정도이다.
도 4는, 도 1의 고체 촬상 소자의 제조 방법을 나타내는 제조 공정도이다.
도 5는, 도 1의 고체 촬상 소자의 제조 방법을 나타내는 제조 공정도이다.
도 6은 도파로 내부의 일부에 음의 고정 전하를 가지는 절연막을 포함하는 고체 촬상 소자의 개략 구성도(단면도)이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 고체 촬상 소자의 개략 구성도(단면도)이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 고체 촬상 소자의 개략 구성도(단면도)이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예의 고체 촬상 소자의 개략 구성도(단면도)이다.
도 10a 및 도 10b는 포토 다이오드를 포함하는 실리콘층 상에 절연층을 형성한 경우를 설명하는 도면이다.
도 11a 및 도 11b는 p+반도체 영역을 형성하여 HAD 구조를 제공하는 경우를 설명하는 도면이다.
도 12a 및 도 12b는 포토 다이오드를 포함하는 실리콘층 상에 음의 고정 전하를 가지는 절연층을 형성한 경우를 설명하는 도면이다.

Claims (6)

  1. 포토 다이오드가 형성되고, 상기 포토 다이오드의 표면에 양전하 축적 영역이 형성된 실리콘층; 및
    상기 포토 다이오드의 위에 형성되고, 입사광을 상기 포토 다이오드에 인도하기 위한 광 도파로
    를 포함하고,
    상기 광 도파로의 내에, 유전 상수가 5 이상이고, 음의 고정 전하를 가지는 절연층이 형성되어 있는,
    고체 촬상 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 광 도파로의 내부 전체에 상기 절연층이 형성되어 있는, 고체 촬상 소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 절연층은, 하프늄, 지르코늄, 알루미늄, 탄탈, 티탄, 이트륨, 란타노이드 원소 중 하나 이상을 포함하는 절연 재료로 이루어지는, 고체 촬상 소자.
  4. 포토 다이오드가 형성되고, 상기 포토 다이오드의 표면에 양전하 축적 영역 이 형성된 실리콘층; 및
    상기 포토 다이오드의 위에 형성되고, 입사광을 상기 포토 다이오드에 인도하기 위한 광 도파로
    를 포함하고,
    상기 포토 다이오드의 상에, 유전 상수가 5 이상이고, 음의 고정 전하를 가지는 절연층이 형성되어 있는,
    고체 촬상 소자.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 절연층은, 하프늄, 지르코늄, 알루미늄, 탄탈, 티탄, 이트륨, 란타노이드 원소 중 하나 이상을 포함하는 절연 재료로 이루어지는, 고체 촬상 소자.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 광 도파로 내에, 유전 상수 5 이상이고, 음의 고정 전하를 가지는 절연층이 형성되어 있는, 고체 촬상 소자.
KR1020090004612A 2008-01-24 2009-01-20 고체 촬상 소자 KR20090082122A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008014054A JP5369441B2 (ja) 2008-01-24 2008-01-24 固体撮像素子
JPJP-P-2008-014054 2008-01-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20090082122A true KR20090082122A (ko) 2009-07-29

Family

ID=40898348

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090004612A KR20090082122A (ko) 2008-01-24 2009-01-20 고체 촬상 소자

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8866251B2 (ko)
JP (1) JP5369441B2 (ko)
KR (1) KR20090082122A (ko)
CN (1) CN101494229B (ko)
TW (1) TWI429067B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110076769A (ko) * 2009-12-28 2011-07-06 소니 주식회사 고체 촬상 장치와 그 제조 방법, 및 전자 기기
KR101232282B1 (ko) * 2011-04-27 2013-02-12 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센서 및 그 제조방법

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4924634B2 (ja) * 2009-03-04 2012-04-25 ソニー株式会社 固体撮像素子及びその製造方法、撮像装置
JP5347999B2 (ja) * 2009-03-12 2013-11-20 ソニー株式会社 固体撮像素子及びその製造方法、撮像装置
KR101087997B1 (ko) * 2009-04-17 2011-12-01 (주)실리콘화일 광도파관을 구비하는 이미지센서 및 그 제조방법
JP5446485B2 (ja) * 2009-06-10 2014-03-19 ソニー株式会社 固体撮像素子及びその製造方法、撮像装置
US8093673B2 (en) * 2009-07-31 2012-01-10 Aptina Imaging Corporation Columnated backside illumination structure
JP5418049B2 (ja) * 2009-08-03 2014-02-19 ソニー株式会社 固体撮像素子及びその製造方法、撮像装置
JP5663900B2 (ja) * 2010-03-05 2015-02-04 セイコーエプソン株式会社 分光センサー装置及び電子機器
JP5700209B2 (ja) * 2010-03-09 2015-04-15 Jsr株式会社 光電変換素子およびその製造方法、並びに、光導波路形成用組成物およびその硬化物
JP5574419B2 (ja) 2010-06-17 2014-08-20 パナソニック株式会社 固体撮像素子およびその製造方法
KR101801259B1 (ko) * 2010-07-21 2017-11-27 삼성전자주식회사 광 유도 구조물, 상기 광 유도 구조물을 포함하는 이미지 센서, 및 상기 이미지 센서를 포함하는 프로세서 베이스드 시스템
WO2012056586A1 (ja) * 2010-10-29 2012-05-03 日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社 固体撮像装置
JP5329001B2 (ja) * 2011-02-09 2013-10-30 キヤノン株式会社 半導体装置の製造方法
JP5241902B2 (ja) * 2011-02-09 2013-07-17 キヤノン株式会社 半導体装置の製造方法
JP2012182426A (ja) 2011-02-09 2012-09-20 Canon Inc 固体撮像装置、固体撮像装置を用いた撮像システム及び固体撮像装置の製造方法
JP5885721B2 (ja) * 2011-02-09 2016-03-15 キヤノン株式会社 固体撮像装置の製造方法
JP6039530B2 (ja) * 2011-02-09 2016-12-07 キヤノン株式会社 光電変換装置およびこれを用いた撮像システム
JP6151499B2 (ja) * 2012-09-11 2017-06-21 ルネサスエレクトロニクス株式会社 撮像装置およびその製造方法
JP6121263B2 (ja) 2013-06-26 2017-04-26 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路装置
JP6274567B2 (ja) 2014-03-14 2018-02-07 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び撮像システム
JP5968350B2 (ja) * 2014-03-14 2016-08-10 キヤノン株式会社 撮像装置、および、撮像システム
JP2017022293A (ja) * 2015-07-13 2017-01-26 キヤノン株式会社 固体撮像装置の製造方法
CN105428383A (zh) * 2015-12-21 2016-03-23 豪威科技(上海)有限公司 一种cmos图像传感器及其制造方法
US10319765B2 (en) * 2016-07-01 2019-06-11 Canon Kabushiki Kaisha Imaging device having an effective pixel region, an optical black region and a dummy region each with pixels including a photoelectric converter
JP2017130693A (ja) * 2017-04-13 2017-07-27 ルネサスエレクトロニクス株式会社 撮像装置およびその製造方法
JP7145063B2 (ja) * 2018-12-21 2022-09-30 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
CN111223955B (zh) * 2019-10-31 2021-11-26 北京邮电大学 一种具有微孔的波导耦合结构的光探测器

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2833941B2 (ja) * 1992-10-09 1998-12-09 三菱電機株式会社 固体撮像装置とその製造方法
JP2000357788A (ja) * 1999-06-14 2000-12-26 Sony Corp 固体撮像素子及びその製造方法
JP3370298B2 (ja) * 1999-07-27 2003-01-27 シャープ株式会社 回路内蔵受光素子
JP4419238B2 (ja) * 1999-12-27 2010-02-24 ソニー株式会社 固体撮像素子及びその製造方法
JP4165077B2 (ja) 2002-01-28 2008-10-15 ソニー株式会社 半導体撮像装置
US6861686B2 (en) * 2003-01-16 2005-03-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Structure of a CMOS image sensor and method for fabricating the same
GB2403847B (en) * 2003-07-01 2005-11-16 Micron Technology Inc Optical channels for multi-level metal optical imagers and method for manufacturing same
JP4548702B2 (ja) * 2003-10-02 2010-09-22 キヤノン株式会社 撮像装置および撮像システム
JP2005123280A (ja) 2003-10-15 2005-05-12 Sony Corp 固体撮像素子
US7119319B2 (en) * 2004-04-08 2006-10-10 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state image sensing element and its design support method, and image sensing device
JP2005340498A (ja) * 2004-05-27 2005-12-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像素子
JP2006049825A (ja) * 2004-07-08 2006-02-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像素子およびその製造方法
US7145189B2 (en) * 2004-08-12 2006-12-05 Micron Technology, Inc. Photon amplification for image sensors
US7666704B2 (en) * 2005-04-22 2010-02-23 Panasonic Corporation Solid-state image pickup element, method for manufacturing such solid-state image pickup element and optical waveguide forming device
JP2006319037A (ja) * 2005-05-11 2006-11-24 Canon Inc 固体撮像素子
JP2007048893A (ja) * 2005-08-09 2007-02-22 Fujifilm Corp 固体撮像素子およびその製造方法
US7619266B2 (en) * 2006-01-09 2009-11-17 Aptina Imaging Corporation Image sensor with improved surface depletion
US20070200055A1 (en) * 2006-02-24 2007-08-30 Tower Semiconductor Ltd. Via wave guide with cone-like light concentrator for image sensing devices
JP4992446B2 (ja) * 2006-02-24 2012-08-08 ソニー株式会社 固体撮像装置及びその製造方法、並びにカメラ

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110076769A (ko) * 2009-12-28 2011-07-06 소니 주식회사 고체 촬상 장치와 그 제조 방법, 및 전자 기기
KR101232282B1 (ko) * 2011-04-27 2013-02-12 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센서 및 그 제조방법
US8796799B2 (en) 2011-04-27 2014-08-05 Hynix Semiconductor Inc. Image sensor and method for fabricating the same

Also Published As

Publication number Publication date
TWI429067B (zh) 2014-03-01
CN101494229A (zh) 2009-07-29
CN101494229B (zh) 2010-12-08
TW200943541A (en) 2009-10-16
US8866251B2 (en) 2014-10-21
JP5369441B2 (ja) 2013-12-18
JP2009176952A (ja) 2009-08-06
US20090189237A1 (en) 2009-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20090082122A (ko) 고체 촬상 소자
US20230136761A1 (en) Image pickup device and method for manufacturing image pickup device
US8237237B2 (en) Solid-state imaging device, method for manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus
CN109244092B (zh) 光电转换装置及其制造方法和包括光电转换装置的设备
US11177314B2 (en) Photoelectric conversion apparatus and image pickup system
KR100784387B1 (ko) 이미지 센서 및 그 형성방법
US11152415B2 (en) Image sensor with separation pattern and image sensor module including the same
US20130200252A1 (en) Solid-state image pickup element, method of manufacturing the same, and image pickup apparatus including the same
KR20170108779A (ko) 이미지 센서 디바이스 및 그 제조 방법
JP2012182426A (ja) 固体撮像装置、固体撮像装置を用いた撮像システム及び固体撮像装置の製造方法
JP2009021415A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
JP2015012043A (ja) 撮像装置およびその製造方法
US20200395397A1 (en) Image sensor and image-capturing device
US8471301B2 (en) Photoelectric conversion device having embedded recess regions arranged in light-receiving surface
US20230387163A1 (en) Method for forming light pipe structure with high quantum efficiency
JP2007036118A (ja) 固体撮像デバイスおよびその製造方法
US20220238571A1 (en) Image sensor and method of manufacturing the same
JP5885721B2 (ja) 固体撮像装置の製造方法
JP4878117B2 (ja) 固体撮像装置及び撮像システム
JP2013145917A (ja) 固体撮像装置及び撮像システム
JP5318165B2 (ja) 固体撮像装置及び撮像システム
US20240145514A1 (en) Image sensor
JP2020098936A (ja) 光電変換装置、光電変換装置を備えた機器、光電変換装置の製造方法
JP2012142363A (ja) 固体撮像素子の製造方法および当該製造方法により製造された固体撮像素子

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application