CN108225576B - 一种红外探测器及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明揭示一种红外探测器及其制造方法。所述红外探测器包括：硅基板，所述硅基板包括第一金属层；牺牲层，设置于所述硅基板的入光侧，所述牺牲层包括支撑连接孔，所述支撑连接孔的位置与所述第一金属层的位置相对应；第二金属层，设置于所述支撑连接孔内、与所述第一金属层电连接，且沿所述支撑连接孔的侧壁延伸至所述牺牲层的入光侧；敏感材料探测层，设置于所述牺牲层和所述第二金属层的入光侧；电极层，设置于所述敏感材料探测层的入光侧，且穿过所述敏感材料探测层与所述第二金属层电连接，其中，所述第二金属层的厚度大于所述电极层。该红外探测器可以减低支撑连接孔的寄生电阻，提高红外探测器的灵敏度和精准度。

Description

一种红外探测器及其制造方法

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别涉及一种红外探测器及其制造方法。

背景技术

微电子机械系统(Micro Electro Mechanical Systems，MEMS)技术具有微小、智能、可执行、可集成、工艺兼容性好、成本低等诸多优点，故其已广泛应用在包括红外探测技术领域的诸多领域。红外探测器是红外探测技术领域中一种具体的微电子机械系统MEMS产品，其利用敏感材料探测层如非晶硅或氧化钒吸收红外，从而引起其电阻的变化，据此来实现热成像功能。

由于探测器的制造工艺一般与CMOS半导体器件的制造工艺的兼容性比较差，因此，很难实现探测器的大规模生产。但是，微电子机械系统MEMS产品的市场需求逐渐扩大，CMOS-MEMS的概念逐渐被人提出，即CMOS制造工艺与微电子机械系统MEMS产品制造工艺集成。具体地，红外探测器一般是利用CMOS制造工艺制作外围读取及信号处理电路，再MEMS微桥结构集成于CMOS电路上，利用敏感材料探测层(通常为非晶硅或氧化机)吸收红外且将其转化成电信号，电信号通过CMOS电路读取和处理后实现热成像功能。

目前，红外探测器MEMS微桥结构中，通常使用薄金属层作为电极层，并且为了真空阻抗匹配，该电极层的电阻率较高。然而，由于该电极层同时也作为电连接牺牲层的电连接孔侧壁的导电层来实现敏感电阻与硅基板的CMOS电路之间的连接，因此，电连接孔往往具有较高的寄生电阻，影响红外探测器的灵敏度和精准度。

发明内容

针对现有技术中的缺陷，本发明的目的是提供一种红外探测器及其制造方法。该红外探测器可以减低支撑连接孔的寄生电阻，提高红外探测器的灵敏度和精准度。

根据本发明的一个方面提供一种红外探测器，所述红外探测器包括：硅基板，所述硅基板包括第一金属层；牺牲层，设置于所述硅基板的入光侧，所述牺牲层包括支撑连接孔，所述支撑连接孔的位置与所述第一金属层的位置相对应；第二金属层，设置于所述支撑连接孔内、与所述第一金属层电连接，且沿所述支撑连接孔的侧壁延伸至所述牺牲层的入光侧；敏感材料探测层，设置于所述牺牲层和所述第二金属层的入光侧；电极层，设置于所述敏感材料探测层的入光侧，且穿过所述敏感材料探测层与所述第二金属层电连接，其中，所述第二金属层的厚度大于所述电极层。

可选地，所述敏感材料探测层包括多个第一过孔，所述电极层通过所述第一过孔与所述第二金属层电连接。

可选地，所述红外探测器还包括第一介质层，所述第一介质层设置于所述牺牲层的入光侧表面，位于所述敏感材料探测层、第二金属层与所述牺牲层之间。

可选地，所述第一介质层还延伸至所述支撑连接孔内，位于所述支撑连接孔的侧壁与所述第二金属层之间。

可选地，所述红外探测器还包括中间层，所述中间层设置于所述敏感材料探测层的入光侧、位于所述敏感材料探测层和所述电极层之间，所述中间层包括多个第二过孔，所述第二过孔与所述第一过孔的位置相对应，所述电极层通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述第二金属层电连接。

可选地，所述电极层在所述敏感材料探测层的入光侧表面形成敏感电阻定义区，所述敏感电阻定义区形成的敏感电阻通过所述第二金属层与所述第一金属层电连接。

可选地，所述红外探测器还包括释放保护层，所述释放保护层设置于所述敏感材料探测层和所述电极层的入光侧。

可选地，所述红外探测器还包括第二介质层，所述第二介质层设置于所述敏感材料探测层和所述第二金属层之间。

可选地，所述第二金属层的厚度为200～3000埃，所述电极层的厚度为50～500埃。

根据本发明的另一个方面，还提供一种红外探测器的制造方法，所述红外探测器的制造方法包括如下步骤：在硅基板上形成牺牲层，所述硅基板包括第一金属层；对所述牺牲层图形化，形成支撑连接孔，其中，所述支撑连接孔的位置与所述第一金属层的位置相对应；在所述支撑连接孔处形成第二金属层，所述第二金属层形成于所述第一金属层上，且沿所述支撑连接孔的侧壁延伸至所述牺牲层上；在所述牺牲层和所述第二金属层上形成敏感材料探测层，并对所述敏感材料探测层图形化形成多个第一过孔；在所述敏感材料探测层上形成电极层，所述电极层通过所述第一过孔与所述第二金属层电连接，其中，所述第二金属层的厚度大于所述电极层的厚度。

可选地，在对所述牺牲层图形化的步骤之前还包括如下步骤：在所述牺牲层上形成第一介质层；其中，在对所述牺牲层图形化的步骤中，对所述第一介质层一同进行图形化，形成所述支撑连接孔。

可选地，在对所述牺牲层图形化后，形成第二金属层之前还包括如下步骤：在所述牺牲层上形成第一介质层；对形成于所述支撑连接孔内的所述第一介质层图形化、以显露所述第一金属层。

相比于现有技术，本发明实施例提供的红外探测器以及红外探测器的制造方法中，由于红外探测器包括第二金属层和电极层，第二金属层的厚度大于电极层的厚度，因此，通过具有较大厚度的第二金属层设置于支撑连接孔与硅基板的第一金属层电连接，可以起到降低寄生电阻的同时加强支撑连接孔的支撑性的作用；而厚度较薄的电极层可以在敏感材料探测层上形成敏感电阻定义区并与第二金属层电连接，实现阻抗匹配。该结构避免了现有技术中使用厚度较薄的电极层作为电连接牺牲层的电连接孔侧壁的导电层来实现敏感电阻与硅基板的CMOS电路之间的电连接时产生的支撑连接孔具有较高的寄生电阻的问题，提高了红外探测器的灵敏度和精准度。

附图说明

通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1为本发明的一个实施例的红外探测器的截面结构示意图；

图2为本发明的一个实施例的红外探测器的制造方法的流程图；

图3为本发明的一个实施例的红外探测器制造过程中在硅基板上形成牺牲层后的截面结构示意图；

图4为本发明的一个实施例的红外探测器制造过程中在牺牲层上形成第一介质层后的截面结构示意图；

图5为本发明的一个实施例的红外探测器制造过程中对牺牲层和第一介质层图形化后的截面结构示意图；

图6为本发明的一个实施例的红外探测器制造过程中形成第二金属层后的截面结构示意图；

图7为本发明的一个实施例的红外探测器制造过程中形成敏感材料探测层后的截面结构示意图；

图8为本发明的一个实施例的红外探测器制造过程中形成中间层后的截面结构示意图；

图9为发明的另一个实施例的红外探测器的截面结构示意图；以及

图10为发明的另一个实施例的红外探测器的制造方法的流程图。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本发明将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。

所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本发明的实施方式的充分理解。然而，本领域技术人员应意识到，没有特定细节中的一个或更多，或者采用其它的方法、组元、材料等，也可以实践本发明的技术方案。在某些情况下，不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本发明。

根据本发明的主旨构思，本发明的红外探测器包括：硅基板，所述硅基板包括第一金属层；牺牲层，设置于所述硅基板的入光侧，所述牺牲层包括支撑连接孔，所述支撑连接孔的位置与所述第一金属层的位置相对应；第二金属层，设置于所述支撑连接孔内、与所述第一金属层电连接，且沿所述过孔侧壁延伸至所述牺牲层的入光侧；敏感材料探测层，设置于所述牺牲层和所述第二金属层的入光侧；电极层，设置于所述敏感材料探测层的入光侧，且穿过所述敏感材料探测层与所述第二金属层电连接，其中，所述第二金属层的厚度大于所述电极层。

下面结合附图和实施例对本发明的技术内容进行进一步地说明。

请参见图1，其示出了本发明的一个实施例的红外探测器的截面结构示意图。如图1所示，在本发明的实施例中，所述红外探测器包括硅基板1、牺牲层2、第二金属层3、敏感材料探测层4以及电极层5。

硅基板1包括第一金属层11。其中，第一金属层11实质上包括集成于硅基板1上的部分CMOS电路，CMOS电路用于读取及处理来自红外探测器的微桥结构的电信号。

牺牲层2设置于硅基板1的入光侧。在图1所示的实施例中，硅基板1的入光侧即为硅基板1的上方。牺牲层2包括支撑连接孔21。如图1所示，支撑连接孔21的位置与第一金属层11的位置相对应，进而，使第一金属层11至少部分显露于外而不被牺牲层2所覆盖，以供其他器件通过支撑连接孔21与第一金属层11电连接。牺牲层2的材料可以是与CMOS工艺兼容的非晶硅、多晶硅或二氧化硅等材料。

第二金属层3设置于支撑连接孔21内、与第一金属层11电连接，且第二金属层3还沿支撑连接孔21侧壁延伸至牺牲层2的入光侧。在图1所示的实施例中，第二金属层3覆盖支撑连接孔21区域内的第一金属层11，增加第二金属层3与第一金属层11之间的接触面积，以使其具有更良好的导电性。由于在本发明的实施例中，第二金属层3需要用于降低寄生电阻，因此，第二金属层3的厚度优选地为200～3000埃。并且由于第二金属层的厚度较厚，因此，第二金属层3还可以进一步增强支撑连接孔21处的支撑性。

敏感材料探测层4设置于牺牲层2和第二金属层3的入光侧。敏感材料探测层4包括多个第一过孔41。在图1所示的实施例中，敏感材料探测层4覆盖于牺牲层2和第二金属层3之上。敏感材料探测层4于第二金属层3的入光侧表面的上方设有三个第一过孔41(图1中由于第一过孔41的位置还被红外探测器其他材料层覆盖，因此仅标记了一个第一过孔41。为了更清楚地显示三个第一过孔41的位置，可进一步参见图7所示的红外探测器制造过程中形成敏感材料探测层后的截面结构示意图)。参考图7，一个第一过孔41位于支撑连接孔21内，另外两个第一过孔41位于支撑连接孔21外，即位于延伸至牺牲层2的入光侧的部分第二金属层3的入光侧表面。敏感材料探测层4的材料可以是与CMOS具有良好兼容性的非晶硅或氧化钒。

电极层5设置于敏感材料探测层4的入光侧，且穿过敏感材料探测层4与第二金属层3电连接。具体来说，如图1所示，电极层5通过敏感材料探测层4的第一过孔41与第二金属层3电连接。进一步地，电极层5在敏感材料探测层4的入光侧表面形成敏感电阻定义区A。其中，敏感电阻定义区A是对电极层5图形化后形成的。敏感电阻定义区A形成的敏感电阻，并且通过第二金属层3与硅基板1上的第一金属层11电连接。在本发明的实施例中，由于电极层5是用于实现阻抗匹配的，因此，第二金属层3选用较薄的金属层。换言之，即通过厚度较厚的第二金属层3设置于支撑连接孔21与硅基板1的第一金属层11电连接来降低寄生电阻，并通过厚度较薄的电极层5来实现阻抗匹配的，因此，第二金属层3的厚度大于电极层5的厚度。优选地，电极层5的厚度为50～500埃。

进一步地，在图1所示的实施例中，所述红外探测器还包括第一介质层6。具体来说，第一介质层6设置于牺牲层2的入光侧表面，位于敏感材料探测层4、第二金属层3与牺牲层2之间。即第一介质层6设置于牺牲层2的入光侧表面，敏感材料探测层4和第二金属层3设置于第一介质层6的入光侧表面。第一介质层6的材料可以是二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅或碳化硅；或者也可以是非化学计量比的氮氧化硅、氮化硅或碳化硅；或者也可以是掺有硼、磷的二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅或碳化硅。

所述红外探测器还包括中间层7。中间层7设置于敏感材料探测层4的入光侧、位于敏感材料探测层4和电极层5之间。具体来说，中间层7包括多个第二过孔71。第二过孔71与第一过孔41的位置相对应，电极层5通过第一过孔41和第二过孔71与第二金属层3电连接。其中，第二过孔71是中间层7经过图形化后形成的，并且上述敏感电阻定义区A也是中间层7经过图形化、露出敏感材料探测层4表面后，由电极层5在敏感材料探测层4的入光侧表面形成的。

所述红外探测器还包括释放保护层(图1中未示出)。所述释放保护层设置于敏感材料探测层4和电极层5的入光侧。其中，所述释放保护层覆盖敏感材料探测层4和电极层5，以对二者起到保护的作用。释放保护层的材料可以为硅、二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅或者碳化硅；或者可以为非化学计量比的二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、碳化硅、富硅氮化硅或富硅碳化硅；或者也可以为掺有杂质的硅、二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅或者碳化硅；或者也可以为非化学计量比的掺有杂质的二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、碳化硅、富硅氮化硅或富硅碳化硅；上述的杂质为硼、磷、碳或氟等。

进一步地，所述红外探测器还包括第二介质层(图1中未示出)。第二介质层设置于所述敏感材料探测层和所述第二金属层之间。第二介质层可以在第二金属层3形成后，在第二金属层3上沉积形成。进而，第二介质层形成后再于第二介质层上形成敏感材料探测层4。第二介质层形成于第二金属层3上可以有效防止沉积敏感材料探测层4时，因第二金属层3上的部分金属露出而违背生产线上的金属沾污规则，对产品的性能造成影响。需要说明的是，在敏感材料探测层4形成第一过孔41时，第一过孔41还需同样需要穿过第二介质层，从而，使电极层5可以与第二金属层3电连接。第二介质层的材料可以是二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅或碳化硅；或者也可以是非化学计量比的氮氧化硅、氮化硅或碳化硅；或者也可以是掺有硼、磷的二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅或碳化硅。

进一步地，在本发明的优选实施例中，上述敏感材料探测层4、中间层7、释放保护层和第二介质层延伸至支撑连接孔21内，进而，结合具有较大厚度的第二金属层3可以使支撑连接孔21具有更好的支撑强度。

上述图1所示的实施例中，由于该红外探测器包括第二金属层和电极层，第二金属层的厚度大于电极层的厚度，因此，通过具有较大厚度的第二金属层设置于支撑连接孔与硅基板的第一金属层电连接，可以起到降低寄生电阻的同时加强支撑连接孔的支撑性的作用；而厚度较薄的电极层可以在敏感材料探测层上形成敏感电阻定义区并与第二金属层电连接，实现阻抗匹配。该结构避免了现有技术中使用厚度较薄的电极层作为电连接牺牲层的电连接孔侧壁的导电层来实现敏感电阻与硅基板的CMOS电路之间的电连接时产生的支撑连接孔具有较高的寄生电阻的问题，提高了红外探测器的灵敏度和精准度。

进一步地，本发明还提供一种上述图1所示的红外探测器的制造方法。请一并参见图2至图8，其分别示出了本发明的一个实施例的红外探测器的制造方法的流程图以及各个步骤完成后的截面结构示意图。具体来说，如图2所示，所述红外探测器的制造方法包括如下步骤：

步骤S10：在硅基板上形成牺牲层。其中，牺牲层的形成可以使在硅基板上进行沉积的方式实现。如图3所示，所述硅基板1包括第一金属层11。在步骤S10完成后，牺牲层2覆盖第一金属层11。

进一步地，在图2所示的实施例中，所述红外探测器的制方法还步骤S20：在所述牺牲层上形成第一介质层。如图4所示，第一介质层6覆盖牺牲层2上。

由于牺牲层2覆盖第一金属层11，因此，为了露出第一金属层11，还需要进行步骤S30。

步骤S30：对牺牲层图形化，形成支撑连接孔。在此步骤中，牺牲层的图形化可以使用光刻等方式实现。如图5所示，形成的支撑连接孔21的位置与第一金属层11的位置相对应。其中，由于步骤S20完成后，第一介质层6覆盖牺牲层2，因此，在对牺牲层2图形化的过程中，对第一介质层6一同进行图形化，形成支撑连接孔21。

步骤S40：在支撑连接孔处形成第二金属层。在本发明实施例中，在支撑连接孔处形成第二金属层是指除了支撑连接孔内露出的第一金属层表面沉积形成第二金属层外，还在支撑连接孔的侧壁以及牺牲层的部分表面沉积形成第二金属层。即如图6所示，沉积后形成的第二金属层3形成于第一金属层11上，且还沿支撑连接孔21的侧壁延伸至牺牲层2的表面。

步骤S50：在牺牲层和第二金属层上形成敏感材料探测层，并对敏感材料探测层图形化形成多个第一过孔。即在此步骤中，在牺牲层和第二金属层上沉积形成敏感材料探测层，并对敏感材料探测层通过光刻等方式形成多个第一过孔。如图7所示，沉积后的敏感材料探测层4位于牺牲层2和第二金属层3的表面，形成的三个第一过孔41的位置对应位于第二金属层3的入光侧表面。其中，一个第一过孔41位于支撑连接孔21内，另外两个第一过孔41位于支撑连接孔21外。

进一步地，在图2所示的实施例中，所述红外探测器的制方法还步骤S60：在敏感材料探测层上形成中间层，并对中间层图形化。如图8所示，中间层7图形化后形成的多个第二过孔71，第二过孔71与敏感材料探层4上形成的第一过孔41的位置相对应。进一步地，中间层7图形化后还在第二金属层3以外的区域露出敏感材料探测层4，以用于后续电极层形成敏感电阻定义区。

步骤S70：在敏感材料探测层上形成电极层。具体来说，在此实施例中，由于上述步骤S60中还形成有中间层，因此，在形成电极层的过程中，电极层实质上是同时形成于敏感材料探测层和中间层上的。进而，由于敏感材料探测层包括多个第一过孔、中间层包括多个与第一过孔对应的第二过孔，因此，电极层可以通过第一过孔与第二金属层电连接。在本发明实施例中，第二金属层的沉积厚度大于电极层的沉积厚度。完成上述步骤后，即形成图1所示的红外探测器。

需要说明的是，在本发明的一些实施例中，为了形成释放保护层，还需在步骤S70完成后沉积释放保护层；为了形成第二介质层，在步骤S40完成后、步骤S50之前沉积第二介质层并进行图形化，在此不予赘述。

上述实施例中该红外探测器的制造方法制造的红外探测器可以提高红外探测器的灵敏度和精准度，同时该制造方法也较为便捷。

图9为本发明的红外探测器的另外一种实施方式，请参见图9，其示出了本发明的另一种红外探测器的结构示意图。与上述图1所示的红外探测器不同的是，第一介质层还延伸至所述支撑连接孔内。具体来说，如图9所示，第一介质层6设置于牺牲层2的入光侧表面，并且由牺牲层2的入光侧表面延伸至支撑连接孔21内。其中，延伸至支撑连接孔21内的第一介质层6位于支撑连接孔21的侧壁与第二金属层3之间。

相比上述图1所示实施例，在此实施例中，由于第一介质层还延伸至所述支撑连接孔内，支撑连接孔的侧壁上具有第一介质层，因此，可进一步提高支撑连接孔的支撑效果。

进而，图10示出了图9所示的红外线探测器的制造方法。如图10所示，与上述图2所示实施例不同的是，在步骤S10完成后，直接执行步骤S30，即在形成牺牲层后直接进行图形化形成支撑连接孔。进而，完成步骤S30后执行如下步骤：

步骤S80：在所述牺牲层上形成第一介质层。即在牺牲层上沉积第一介质层。由于步骤S30牺牲层经图案化后形成支撑连接孔，因此，第一介质层在沉积的过程中还会沉积于支撑连接孔内、第一金属层上。因此，为了露出下方的第一金属层，还需执行步骤S90。

步骤S90：对形成于所述支撑连接孔内的所述第一介质层图形化、以显露所述第一金属层。

完成上述步骤S80和步骤S90后继续执行步骤S40，即沉积形成第二金属层。其中，第二金属层还沿支撑连接孔的侧壁延伸至牺牲层的表面，因此，在支撑连接孔的侧壁处，第一介质层位于牺牲层和第二金属层之间。后续步骤S50至步骤S70与上述实施例相同，在此不予赘述。

综上所述，本发明实施例提供的红外探测器以及红外探测器的制造方法中，由于红外探测器包括第二金属层和电极层，第二金属层的厚度大于电极层的厚度，因此，通过具有较大厚度的第二金属层设置于支撑连接孔与硅基板的第一金属层电连接，可以起到降低寄生电阻的同时加强支撑连接孔的支撑性的作用；而厚度较薄的电极层可以在敏感材料探测层上形成敏感电阻定义区并与第二金属层电连接，实现阻抗匹配。该结构避免了现有技术中使用厚度较薄的电极层作为电连接牺牲层的电连接孔侧壁的导电层来实现敏感电阻与硅基板的CMOS电路之间的电连接时产生的支撑连接孔具有较高的寄生电阻的问题，提高了红外探测器的灵敏度和精准度。

虽然本发明已以可选实施例揭示如上，然而其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与修改。因此，本发明的保护范围当视权利要求书所界定的范围为准。

Claims (9)

1.一种红外探测器，其特征在于，所述红外探测器包括：

硅基板，所述硅基板包括第一金属层；

牺牲层，设置于所述硅基板的入光侧，所述牺牲层包括支撑连接孔，所述支撑连接孔的位置与所述第一金属层的位置相对应；

第二金属层，设置于所述支撑连接孔内、与所述第一金属层电连接，且沿所述支撑连接孔的侧壁延伸至所述牺牲层的入光侧；

敏感材料探测层，设置于所述牺牲层和所述第二金属层的入光侧；所述敏感材料探测层中设置多个第一过孔；其中，第一过孔设置在支撑连接孔内第二金属层上方的敏感材料探测层中以及支撑连接孔外第二金属层上方的敏感材料探测层中；

电极层，设置于所述敏感材料探测层的入光侧，且穿过所述敏感材料探测层与所述第二金属层电连接，其中，所述第二金属层的厚度大于所述电极层；所述电极层通过所述第一过孔与所述第二金属层电连接。

2.如权利要求1所述的红外探测器，其特征在于，所述红外探测器还包括第一介质层，所述第一介质层设置于所述牺牲层的入光侧表面，位于所述敏感材料探测层、第二金属层与所述牺牲层之间。

3.如权利要求2所述的红外探测器，其特征在于，所述第一介质层还延伸至所述支撑连接孔内，位于所述支撑连接孔的侧壁与所述第二金属层之间。

4.如权利要求1所述的红外探测器，其特征在于，所述红外探测器还包括中间层，所述中间层设置于所述敏感材料探测层的入光侧、位于所述敏感材料探测层和所述电极层之间，所述中间层包括多个第二过孔，所述第二过孔与所述第一过孔的位置相对应，所述电极层通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述第二金属层电连接。

5.如权利要求1所述的红外探测器，其特征在于，所述电极层在所述敏感材料探测层的入光侧表面形成敏感电阻定义区，所述敏感电阻定义区形成的敏感电阻通过所述第二金属层与所述第一金属层电连接。

6.如权利要求1所述的红外探测器，其特征在于，所述红外探测器还包括第二介质层，所述第二介质层设置于所述敏感材料探测层和所述第二金属层之间。

7.如权利要求1至6中任一项所述的红外探测器，其特征在于，所述第二金属层的厚度为200～3000埃，所述电极层的厚度为50～500埃。

8.一种红外探测器的制造方法，其特征在于，所述红外探测器的制造方法包括如下步骤：

在硅基板上形成牺牲层，所述硅基板包括第一金属层；

对所述牺牲层图形化，形成支撑连接孔，其中，所述支撑连接孔的位置与所述第一金属层的位置相对应；

在所述支撑连接孔处形成第二金属层，所述第二金属层形成于所述第一金属层上，且沿所述支撑连接孔的侧壁延伸至所述牺牲层上；

在所述牺牲层和所述第二金属层上形成敏感材料探测层，并对所述敏感材料探测层图形化形成多个第一过孔；其中，第一过孔设置在支撑连接孔内第二金属层上方的敏感材料探测层中以及支撑连接孔外第二金属层上方的敏感材料探测层中；

在所述敏感材料探测层上形成电极层，所述电极层通过所述第一过孔与所述第二金属层电连接，其中，所述第二金属层的厚度大于所述电极层的厚度。

9.如权利要求8所述的红外探测器的制造方法，其特征在于，

在对所述牺牲层图形化的步骤之前还包括如下步骤：

在所述牺牲层上形成第一介质层；其中，在对所述牺牲层图形化的步骤中，对所述第一介质层一同进行图形化，形成所述支撑连接孔；

或者，

在对所述牺牲层图形化后，形成第二金属层之前还包括如下步骤：

在所述牺牲层上形成第一介质层；

对形成于所述支撑连接孔内的所述第一介质层图形化、以显露所述第一金属层。

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