JP5008580B2 - 赤外線撮像素子の製造方法および赤外線撮像素子 - Google Patents
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Description
画素領域に赤外線検知部を形成する工程と、
回路領域と画素領域とを覆うように絶縁膜を形成する工程と、
回路領域の絶縁膜上に第1配線層を形成する工程と、
回路領域と画素領域とを覆うように第1層間膜を形成する工程と、
回路領域の第1層間膜を残しながら、画素領域の絶縁膜および第1層間膜を除去する除去工程と、
回路領域と画素領域とを覆うように第2層間膜を形成する工程と、
第2層間膜の上に第2配線層を形成し、第1層間膜と第2層間膜とを介して第1配線層と第2配線層とが積層された多層配線部を回路領域に形成する工程と、
半導体基板をエッチングして凹部を形成し、支持脚と、支持脚によって中空に保持された中空構造部とを形成する工程とを含むことを特徴とする赤外線撮像素子の製造方法である。
半導体基板と、
半導体基板に設けられた凹部と、
凹部上に支持脚で支持され、赤外線検知部を備えた中空構造部とを含み、
支持脚の厚みと中空構造部の厚みとが互いに異なることを特徴とする赤外線撮像素子である。
図1は、全体が1000で表される、本実施の形態1にかかる赤外線固体撮像装置であり、(a)に斜視図、(b)に(a)のC部分の拡大図、(c)に(b)をB−B方向に見た場合の断面の概略図を示す。
これに対して、赤外線固体撮像装置1000では、赤外線検知部を含む中空構造部の絶縁膜のみを選択的に薄くすることにより、層間絶縁膜の膜厚hを確保しながら中空構造部の熱容量を低くし、赤外線の検出効率を向上させている。
図4A〜図4Fは、全体が200で表される、本実施の形態2にかかる赤外線撮像素子の製造工程の断面図である。図中、図2と同一符号は、同一または相当箇所を示す。かかる製造方法は以下の工程1〜6を含む。
なお、回路領域の多層配線層では、層間膜17はエッチングされないため、多層配線間で十分な耐圧を維持できる。また、支持脚14も十分な強度を有する。
図5A〜図5Fは、全体が300で表される、本実施の形態3にかかる赤外線撮像素子の製造工程の断面図である。図中、図2と同一符号は、同一または相当箇所を示す。かかる製造方法は以下の工程1〜6を含む。
図6A〜図6Fは、全体が400で表される、本実施の形態4にかかる赤外線撮像素子の製造工程の断面図である。図中、図2と同一符号は、同一または相当箇所を示す。かかる製造方法は以下の工程1〜6を含む。
また、支持脚14の厚さが薄くなり、中空構造部25から支持脚14を経由して外部に逃げる熱を低減して、赤外線の検出性能が向上する。
図7A〜図7Gは、全体が500で表される、本実施の形態5にかかる赤外線撮像素子の製造工程の断面図である。図中、図2と同一符号は、同一または相当箇所を示す。かかる製造方法は以下の工程1〜7を含む。
特に、本実施の形態5にかかる製造方法では、支持脚14と中空構造部25とは別々の工程で作製するため、中空構造部25には形成されず支持脚14に形成される層間膜18の厚さを制御することにより、中空構造部25の熱容量に影響を与えることなく支持脚14の熱コンダクタンスを制御することができる。
図8A〜図8Gは、全体が600で表される、本実施の形態6にかかる赤外線撮像素子の製造工程の断面図である。図中、図2と同一符号は、同一または相当箇所を示す。かかる製造方法は以下の工程1〜7を含む。
エッチング工程では、赤外線検知部8の上ではエッチング停止膜22でエッチングが停止する。これにより、赤外線検知部8にはエッチングのダメージが入らない。
このように、本実施の形態5にかかる製造方法では、中空構造部25の熱容量の低減や、支持脚14の熱コンダクタンスの低減が可能となるとともに、中空構造部25の熱容量に影響を与えることなく支持脚14の熱コンダクタンスを制御することができる。
更に、赤外線検知部8の表面がエッチング停止膜22で覆われているためにダメージが入らず、赤外線検知部8の特性劣化を防止できる。
Claims (12)
- 赤外線検知部が中空に保持された熱型の赤外線撮像素子の製造方法であって、
回路部が形成される回路領域と、該赤外線検知部を含む中空構造部と該中空構造部を支持する支持脚とが形成される画素領域とを有する半導体基板を準備する工程と、
該画素領域に該赤外線検知部を形成する工程と、
該回路領域と該画素領域とを覆うように絶縁膜を形成する工程と、
該回路領域の該絶縁膜上に第1配線層を形成する工程と、
該回路領域と該画素領域とを覆うように第1層間膜を形成する工程と、
該回路領域の該第1層間膜を残しながら、該画素領域の該絶縁膜および該第1層間膜を除去する除去工程と、
該回路領域と該画素領域とを覆うように第2層間膜を形成する工程と、
該第2層間膜の上に第2配線層を形成し、該第1層間膜と該第2層間膜とを介して該第1配線層と該第2配線層とが積層された多層配線部を該回路領域に形成する工程と、
該半導体基板をエッチングして凹部を形成し、該支持脚と、該支持脚によって中空に保持された該中空構造部とを形成する工程とを含むことを特徴とする赤外線撮像素子の製造方法。 - 上記除去工程が、上記中空構造部が形成される画素領域の上の上記絶縁膜および上記第1層間膜を選択的に除去する工程であることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 上記除去工程が、上記中空構造部が形成される画素領域の上と、上記支持脚が形成される画素領域の上の、上記絶縁膜および上記第1層間膜を選択的に除去する工程であることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 上記除去工程が、
上記中空構造部が形成される上記画素領域の上の上記第1層間膜を残しつつ、上記支持脚が形成される該画素領域の上の該第1層間膜および上記絶縁膜を選択的に除去する工程と、
上記回路領域と該画素領域とを覆うように第3層間膜を形成する工程と、
該支持脚が形成される該画素領域の上の該第3層間膜を残しつつ、該中空構造部が形成される該画素領域の上の該第3層間膜、該第1層間膜、および該絶縁膜を選択的に除去する工程とを含むことを特徴と請求項1に記載の製造方法。 - 上記除去工程が、
上記支持脚が形成される上記画素領域の上の上記第1層間膜を残しつつ、上記中空構造部が形成される該画素領域の上の該第1層間膜および上記絶縁膜を選択的に除去する工程と、
上記回路領域と該画素領域とを覆うように第3層間膜を形成する工程と、
上記中空構造部が形成される該画素領域の上の上記第3層間膜を残しつつ、該支持脚が形成される該画素領域の上の該第3層間膜、該第1層間膜、および該絶縁膜を選択的に除去する工程とを含むことを特徴と請求項1に記載の製造方法。 - 上記除去工程が、上記赤外線検知部を覆うように設けたエッチング停止膜をエッチングストッパ層に用いて上記絶縁膜を除去する除去工程であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の製造方法。
- 上記回路領域と上記画素領域とを覆うように保護膜を形成する工程と、上記赤外線検知膜の上の該保護膜上に赤外線吸収部を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の製造方法。
- 回路領域と画素領域とが同一半導体基板上に設けられた熱型の赤外線撮像素子であって、該画素領域は、
該半導体基板と、
該半導体基板に設けられた凹部と、
該凹部上に支持脚で支持され、赤外線検知部を備えた中空構造部とを含み、
該支持脚の厚みと該中空構造部の厚みとが互いに異なり、
該回路領域は、第1配線層と、該第1配線層上に設けられた層間膜と、該層間膜上に設けられた第2配線層とを含む多層配線部を含み、
該第2配線層と該赤外線検出部とが、該支持脚および該中空構造部に設けられた配線層で接続され、
該中空構造部の配線層が、該第2配線層より、該半導体基板側に配置されたことを特徴とする赤外線撮像素子。 - 上記支持脚の厚みが、上記中空構造部の厚みより厚いことを特徴とする請求項8に記載赤外線撮像素子。
- 上記中空構造部の厚みが、上記支持脚の厚みより厚いことを特徴とする請求項8に記載の赤外線撮像素子。
- 上記中空構造部の上に、赤外線吸収部が設けられたことを特徴とする請求項8〜10のいずれかに記載の赤外線撮像素子。
- 請求項8〜11のいずれかに記載の赤外線撮像素子がアレイ状に配置されたことを特徴とする赤外線固体撮像装置。
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