JP4982729B2 - 超高感度画像検出装置およびその製造方法、検出方法 - Google Patents
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Description
11 ソース電極
12 量子ドット
13 ゲート電極
14 ゲート絶縁膜(ゲート酸化膜)
15 ドレイン電極
16 基板不純物拡散層
17 半導体基板
20 オーミック接触合金
21 オーミック電極
22 量子ドット
23 ゲート電極
24 障壁層半導体
25 量子井戸層
26 基板側障壁層
27 半導体基板
31 ショットキーゲート電極
32 表面保護層
33 障壁層
34 量子ドットに閉じ込められた量子エネルギー準位
35 量子ドット
36 量子井戸
37 電子の波動関数
38 チャンネルのフェルミ準位
39 障壁層
40 不純物ドーピング層
Claims (9)
- 量子ドットを集積したトランジスタ構造を有し、
単一光子が、上記量子ドットに捕獲された電子に吸収され、その電子が励起されて上記量子ドットから飛び出し、上記量子ドット周辺に電子が存在しなくなることで、ドレイン電流が、ゲート電圧−ドレイン電流の履歴曲線の低電流パスから高電流パスにジャンプするときの電流の増加を検知することによって、単一光子の吸収の有無を、上記量子ドット中の1個の電子の減少に基づく上記トランジスタのチャンネル中の電流の増加というマクロ的な観測量によって検知する、ミクロ/マクロ変換を行うことを特徴とする超高感度画像検出装置。 - 上記単一光子の吸収の前後におけるチャンネル電流の差分を微分回路によって検出することで画像を検出することを特徴とする請求項1に記載の超高感度画像検出装置。
- 上記量子ドット中に電子を捕獲するときの量子ドット中の量子準位として、量子ドットに1つ目の電子が入った場合の準位を用いることを特徴とする請求項1または2に記載の超高感度画像検出装置。
- 上記量子ドット中に電子を捕獲するときの量子ドット中の量子準位として、量子ドットに2つ目の電子が入った場合の準位を用いることを特徴とする請求項1または2に記載の超高感度画像検出装置。
- 請求項1ないし4のいずれかに記載の超高感度画像検出装置の製造方法であって、
上記トランジスタをMOS構造により作製し、上記量子ドットを、ゲート酸化膜中に埋め込んだシリコン微粒子により作製することを特徴とする超高感度画像検出装置の製造方法。 - 請求項1ないし4のいずれかに記載の超高感度画像検出装置の製造方法であって、
上記トランジスタを半導体ヘテロ構造により作製し、上記量子ドットを、ヘテロ構造中に埋め込む歪成長を用いた自然形成法により作製することを特徴とする超高感度画像検出装置の製造方法。 - 請求項1ないし4のいずれかに記載の超高感度画像検出装置を用いて、
単一光子が、上記量子ドットに捕獲された電子に吸収され、その電子が励起されて上記量子ドットから飛び出し、上記量子ドット周辺に電子が存在しなくなることで、ドレイン電流が、ゲート電圧−ドレイン電流の履歴曲線の低電流パスから高電流パスにジャンプするときの電流の増加を検知することによって、単一光子の吸収の有無を、上記量子ドット中の1個の電子の減少に基づく上記トランジスタのチャンネル中の電流の増加というマクロ的な観測量によって検知する、ミクロ/マクロ変換を行うことを特徴とする超高感度画像検出方法。 - 上記単一光子の吸収の前後におけるチャンネル電流の差分を検出することで画像を検出することを特徴とする請求項7に記載の超高感度画像検出方法。
- 上記トランジスタのゲート電極に加えるパルス列として、しきい値電圧以下で固定し、待機する時間をできるだけ長くし、スキャンスピードのタイムチャートを制御することで、単一光子の検出率を増加させるような計測手順を有することを特徴とする請求項7または8に記載の超高感度画像検出方法。
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